JP2853680B2 - 半導体磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
半導体磁気ヘッドおよびその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体磁気ヘッド
およびその製造方法に係り、特に、コルビノ型の半導体
磁気ヘッドおよびその製造方法に関する。
およびその製造方法に係り、特に、コルビノ型の半導体
磁気ヘッドおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体磁気検知素子においてはコルビノ
型が最も理想的な感度が得られる。一方、このコルビノ
型のものはリング状の電極が必要であり、実際のハード
ディスク用磁気ヘッドとして応用可能なヘッド構造の例
は極めて少ない。
型が最も理想的な感度が得られる。一方、このコルビノ
型のものはリング状の電極が必要であり、実際のハード
ディスク用磁気ヘッドとして応用可能なヘッド構造の例
は極めて少ない。
【０００３】従来例におけるヘッド構造としては、例え
ば「ＵＳ Ｐａｔｅｎｔ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ，Ｎ
ｏ． ０８／３９６，８１９」によると、ＩＩ−ＶＩ族
半導体とＩＩＩ−Ｖ族もしくはＶＩ族とを組み合わせた
構造を備えたものがある（図３）。
ば「ＵＳ Ｐａｔｅｎｔ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ，Ｎ
ｏ． ０８／３９６，８１９」によると、ＩＩ−ＶＩ族
半導体とＩＩＩ−Ｖ族もしくはＶＩ族とを組み合わせた
構造を備えたものがある（図３）。
【０００４】この図３の従来例は、長方形状に形成され
た板状の下地電極５１と、この下地電極５１の一端部上
に装備されたコ字状の上部電極５２と、下地電極５１上
に装備され当該下地電極５１と上部電極５２とで囲まれ
た空間に一端部が取り囲まれた半導体磁気検知層５３
と、この半導体磁気検知層５３の中央部に一端部が装備
された中心電極５４とを備えている。これによってコル
ビノ型の半導体磁気ヘッドにおけるリング状電極が構成
されている。
た板状の下地電極５１と、この下地電極５１の一端部上
に装備されたコ字状の上部電極５２と、下地電極５１上
に装備され当該下地電極５１と上部電極５２とで囲まれ
た空間に一端部が取り囲まれた半導体磁気検知層５３
と、この半導体磁気検知層５３の中央部に一端部が装備
された中心電極５４とを備えている。これによってコル
ビノ型の半導体磁気ヘッドにおけるリング状電極が構成
されている。
【０００５】ここで、下地電極５１，上部電極５２，半
導体磁気検知層５３，および中心電極５４の各一端部端
面（図３の手前側）は、図示しない磁気ディスクの回転
面に対向して同一面上に配設されている。また、半導体
磁気検知層５３は、下側検知層５３Ａと上側検知層５３
Ｂとにより構成されている。この場合、下側検知層５３
Ａおよび上側検知層５３Ｂは共に板状に形成されて、前
述した下地電極５１上に積層されている。中心電極５４
も板状に形成され、下側検知層５３Ａと上側検知層５３
Ｂとに挟持された状態で図３に示すように、下地電極５
１上に積層されている。
導体磁気検知層５３，および中心電極５４の各一端部端
面（図３の手前側）は、図示しない磁気ディスクの回転
面に対向して同一面上に配設されている。また、半導体
磁気検知層５３は、下側検知層５３Ａと上側検知層５３
Ｂとにより構成されている。この場合、下側検知層５３
Ａおよび上側検知層５３Ｂは共に板状に形成されて、前
述した下地電極５１上に積層されている。中心電極５４
も板状に形成され、下側検知層５３Ａと上側検知層５３
Ｂとに挟持された状態で図３に示すように、下地電極５
１上に積層されている。
【０００６】更に、下地電極５１，半導体磁気検知層５
３の下側検知層５３Ａ，中心電極５４，上側検知層５３
Ｂは、それぞれ図３の上方に行くに従いその長さが短く
形成されている。これによって、前述した磁気ディスク
側（各一端部端面）とは反対側の領域が全体的に階段状
に設定され、これによって重量の軽減および電気的接続
等の配線が考慮された状態となっている。
３の下側検知層５３Ａ，中心電極５４，上側検知層５３
Ｂは、それぞれ図３の上方に行くに従いその長さが短く
形成されている。これによって、前述した磁気ディスク
側（各一端部端面）とは反対側の領域が全体的に階段状
に設定され、これによって重量の軽減および電気的接続
等の配線が考慮された状態となっている。
【０００７】又、この図３の従来例において、微細化プ
ロセスの方法としては、アニールによってリング状電極
を形成するものもある（ＵＳ Ｐａｔｅｎｔ ａｐｐｌ
ｉｃａｔｉｏｎ，Ｎｏ． ０８／４３５，２５４）。
ロセスの方法としては、アニールによってリング状電極
を形成するものもある（ＵＳ Ｐａｔｅｎｔ ａｐｐｌ
ｉｃａｔｉｏｎ，Ｎｏ． ０８／４３５，２５４）。
【０００８】更に、図４に他の従来例を示す。この図４
に示す他の従来例は、上部電極６２が所定幅のアーチ状
に形成され、半導体磁気検知層６３の下側検知層６３Ａ
が下地電極６１と同一の長さに形成され、又、半導体磁
気検知層６３の上側検知層６３Ｂの長さが上部電極６２
の幅と同程度の寸方に設定されている。符号６４は中心
電極を示す。その他の構成は、前述した図３の従来例と
同一となっている。更に、他の従来例としては、コルビ
ノ構造の代わりに２本のホールバーを向かい合わせにす
ることによって製造プロセスを簡略化した例もある（特
願平０８−１８４５１５号）。
に示す他の従来例は、上部電極６２が所定幅のアーチ状
に形成され、半導体磁気検知層６３の下側検知層６３Ａ
が下地電極６１と同一の長さに形成され、又、半導体磁
気検知層６３の上側検知層６３Ｂの長さが上部電極６２
の幅と同程度の寸方に設定されている。符号６４は中心
電極を示す。その他の構成は、前述した図３の従来例と
同一となっている。更に、他の従来例としては、コルビ
ノ構造の代わりに２本のホールバーを向かい合わせにす
ることによって製造プロセスを簡略化した例もある（特
願平０８−１８４５１５号）。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例における半導体磁気ヘッドは、例えば図３に示すも
のは、上述したように、ＩＩ−ＶＩ族半導体とＩＩＩ−
Ｖ族を組み合わせた構造に限定され、また、その微細化
がリソグラフィー技術により制限を受けるような構造と
なっており、生産性が悪いという不都合があった。
来例における半導体磁気ヘッドは、例えば図３に示すも
のは、上述したように、ＩＩ−ＶＩ族半導体とＩＩＩ−
Ｖ族を組み合わせた構造に限定され、また、その微細化
がリソグラフィー技術により制限を受けるような構造と
なっており、生産性が悪いという不都合があった。
【００１０】また、半導体磁気検知層は、スライダ面と
垂直に成膜されている。スライダ面近傍領域（数百オン
グストローム）以外では、媒体からの磁場は急激に弱く
なることから、この領域以外の半導体磁気検知層はノイ
ズを検出し易いという不都合があった。
垂直に成膜されている。スライダ面近傍領域（数百オン
グストローム）以外では、媒体からの磁場は急激に弱く
なることから、この領域以外の半導体磁気検知層はノイ
ズを検出し易いという不都合があった。
【００１１】更に、コルビノ型は、リング状の電極が必
要であり、リソグラフィーを用いたプレーナプロセスで
の微細化が制限される。この場合、リソグラフィー不要
の電極形成方法も従来例としてあるが、ＩＩ−ＶＩ族半
導体とＩＩＩ−Ｖ族半導体の両方の成膜が必要であった
り、特定雰囲気中でのアニールが必要であるため、製造
コストが高くなるという不都合があった。
要であり、リソグラフィーを用いたプレーナプロセスで
の微細化が制限される。この場合、リソグラフィー不要
の電極形成方法も従来例としてあるが、ＩＩ−ＶＩ族半
導体とＩＩＩ−Ｖ族半導体の両方の成膜が必要であった
り、特定雰囲気中でのアニールが必要であるため、製造
コストが高くなるという不都合があった。
【００１２】
【発明の目的】本発明は、かかる従来例の有する不都合
を改善し、とくにＳ／Ｎ比の高い信号が得られ、且つ一
般的なフォトリソグラフィー工程のみを用いて極めて微
細なコルビノ型半導体磁気検出素子を製造し得る構造の
半導体磁気ヘッドおよびその製造方法を提供すること
を、その目的とする。
を改善し、とくにＳ／Ｎ比の高い信号が得られ、且つ一
般的なフォトリソグラフィー工程のみを用いて極めて微
細なコルビノ型半導体磁気検出素子を製造し得る構造の
半導体磁気ヘッドおよびその製造方法を提供すること
を、その目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載の発明では、スライダ本体と、このス
ライダ本体上に装備された半導体磁気検知層と、この半
導体磁気検知層で検知された情報を外部に取り出す中心
電極及び当該中心電極の周囲に配置されたリング状電極
とを備えてなるコルビノ型の半導体磁気ヘッドにおい
て、前述した半導体磁気検知層の一端面をスライダ面と
同じ面に設定すると共に、当該半導体磁気検知層の他端
面に、前記中心電極およびリング状電極の各他端部を当
接固着する、という構成を採っている。
め、請求項１記載の発明では、スライダ本体と、このス
ライダ本体上に装備された半導体磁気検知層と、この半
導体磁気検知層で検知された情報を外部に取り出す中心
電極及び当該中心電極の周囲に配置されたリング状電極
とを備えてなるコルビノ型の半導体磁気ヘッドにおい
て、前述した半導体磁気検知層の一端面をスライダ面と
同じ面に設定すると共に、当該半導体磁気検知層の他端
面に、前記中心電極およびリング状電極の各他端部を当
接固着する、という構成を採っている。
【００１４】このため、請求項１記載の発明では、磁気
検知層がスライダ本体のスライダ面と同じ平面上にある
ため、記録媒体（磁気ディスク）のごく近傍の磁場が強
いところに置かれることから、Ｓ／Ｎ比が大きくなり、
従って高感度の磁気検知が可能となる。
検知層がスライダ本体のスライダ面と同じ平面上にある
ため、記録媒体（磁気ディスク）のごく近傍の磁場が強
いところに置かれることから、Ｓ／Ｎ比が大きくなり、
従って高感度の磁気検知が可能となる。
【００１５】請求項２記載の発明では、前述した請求項
１記載の半導体磁気ヘッドにおいて、半導体磁気検知層
を、ＨｇＣｄＴｅによって形成する、という構成を採っ
ている。
１記載の半導体磁気ヘッドにおいて、半導体磁気検知層
を、ＨｇＣｄＴｅによって形成する、という構成を採っ
ている。
【００１６】このため、請求項２記載の発明では、半導
体磁気検知層の素材とした「ＨｇＣｄＴｅ」は大きな磁
気抵抗効果を示す（ソビエト・フィジックス・セミコン
ダクター「Ｓｏｖ．Ｐｈｙｓ．Ｓｅｍｉｃｏｎｄ．」、
１１巻、２８８頁、１９７７年、および１２巻、２７５
頁、１９７８年）ことから、これを磁気検知層の素材と
して使用することにより、磁気検知能力のより一層の強
化を図ることが可能となる。
体磁気検知層の素材とした「ＨｇＣｄＴｅ」は大きな磁
気抵抗効果を示す（ソビエト・フィジックス・セミコン
ダクター「Ｓｏｖ．Ｐｈｙｓ．Ｓｅｍｉｃｏｎｄ．」、
１１巻、２８８頁、１９７７年、および１２巻、２７５
頁、１９７８年）ことから、これを磁気検知層の素材と
して使用することにより、磁気検知能力のより一層の強
化を図ることが可能となる。
【００１７】請求項３記載の発明では、スライダ本体
と、このスライダ本体上に装備された半導体磁気検知層
と、この半導体磁気検知層で検知された情報を外部に取
り出す中心電極及び当該中心電極の周囲に配置されたリ
ング状電極とを備えてなるコルビノ型の半導体磁気ヘッ
ドにおいて、前述したスライダ本体上に、リソグラフィ
ーと成膜プロセスにより中心電極とリング状電極を形成
してスライダの形成加工を行った後に、このスライダの
スライダ面と同じ面に、半導体磁気検知層を形成する、
という構成を採っている。
と、このスライダ本体上に装備された半導体磁気検知層
と、この半導体磁気検知層で検知された情報を外部に取
り出す中心電極及び当該中心電極の周囲に配置されたリ
ング状電極とを備えてなるコルビノ型の半導体磁気ヘッ
ドにおいて、前述したスライダ本体上に、リソグラフィ
ーと成膜プロセスにより中心電極とリング状電極を形成
してスライダの形成加工を行った後に、このスライダの
スライダ面と同じ面に、半導体磁気検知層を形成する、
という構成を採っている。
【００１８】このため、請求項３記載の発明では、電極
形成後、スライダ面と平行に半導体磁気検知層を成膜す
るので、薄膜化が容易となる。従って、半導体磁気検知
層を磁場の強いところだけに置くことが可能となる。更
に、リング状電極の一方のサイズは、成膜時の膜厚で制
御することができるので、リソグラフィーを用いずに微
細な構造を作ることが可能である。
形成後、スライダ面と平行に半導体磁気検知層を成膜す
るので、薄膜化が容易となる。従って、半導体磁気検知
層を磁場の強いところだけに置くことが可能となる。更
に、リング状電極の一方のサイズは、成膜時の膜厚で制
御することができるので、リソグラフィーを用いずに微
細な構造を作ることが可能である。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態実施
例について、図１乃至図２に基づいて説明する。
例について、図１乃至図２に基づいて説明する。
【００２０】まず、図１において、符号１はスライダ本
体を示す。このスライダ本体１上には半導体磁気検知層
４が装備されている。また、この半導体磁気検知層４で
検知された情報を外部に取り出す中心電極２及び当該中
心電極２の周囲に配置されたリング状電極３とを備えて
いる。この各電極２，３の相互間には、角型でリング状
の絶縁層５が層状に装備されている。
体を示す。このスライダ本体１上には半導体磁気検知層
４が装備されている。また、この半導体磁気検知層４で
検知された情報を外部に取り出す中心電極２及び当該中
心電極２の周囲に配置されたリング状電極３とを備えて
いる。この各電極２，３の相互間には、角型でリング状
の絶縁層５が層状に装備されている。
【００２１】前述した半導体磁気検知層４は、その一端
面がスライダ本体１の面と同じ面に設定されている。こ
の半導体磁気検知層４の他端面には、前述した中心電極
２およびリング状電極３の各端面，およびリング状の絶
縁層５の端面が当接固着されている。これによってコル
ビノ型の半導体磁気ヘッドが形成されている。
面がスライダ本体１の面と同じ面に設定されている。こ
の半導体磁気検知層４の他端面には、前述した中心電極
２およびリング状電極３の各端面，およびリング状の絶
縁層５の端面が当接固着されている。これによってコル
ビノ型の半導体磁気ヘッドが形成されている。
【００２２】これを更に詳述すると、半導体磁気検知層
４は、前述したように、スライダ本体１と同一面上で且
つリング状電極３，中心電極２，絶縁層５の図１におけ
る左端面の全面を覆うようにしてに共通に装備されてい
る。更に、スライダ本体１と半導体磁気検知層４は、保
護膜６によって覆われている。中心電極２およびリング
状電極３にはリード線７がボンディングされ、これらは
信号検出回路（図示せず）に接続されている。
４は、前述したように、スライダ本体１と同一面上で且
つリング状電極３，中心電極２，絶縁層５の図１におけ
る左端面の全面を覆うようにしてに共通に装備されてい
る。更に、スライダ本体１と半導体磁気検知層４は、保
護膜６によって覆われている。中心電極２およびリング
状電極３にはリード線７がボンディングされ、これらは
信号検出回路（図示せず）に接続されている。
【００２３】更に、リング状電極３の前述したスライダ
本体１側（下側）部分，絶縁層５のスライダ本体１側
（下側）部分，中心電極２，絶縁層５の上側部分，リン
グ状電極３の上側部分が、それぞれ図１の上方に行くに
従いその長さが短く形成されている。これによって、前
述した磁気ディスク側（各一端部端面…図１（Ａ）の左
端面）とは反対側の領域が、全体的に階段状に設定さ
れ、これによって重量の軽減および電気的接続等の配線
が考慮された状態となっている。
本体１側（下側）部分，絶縁層５のスライダ本体１側
（下側）部分，中心電極２，絶縁層５の上側部分，リン
グ状電極３の上側部分が、それぞれ図１の上方に行くに
従いその長さが短く形成されている。これによって、前
述した磁気ディスク側（各一端部端面…図１（Ａ）の左
端面）とは反対側の領域が、全体的に階段状に設定さ
れ、これによって重量の軽減および電気的接続等の配線
が考慮された状態となっている。
【００２４】このように、上記実施形態にあっては、半
導体磁気検知層４がスライダ１と同じ平面上にあるた
め、当該半導体磁気検知層４は図１に示すように記録媒
体（磁気ディスク）１００のごく近傍の磁場が強いとこ
ろに置かれる。そのため、Ｓ／Ｎ比の大きい、高感度な
磁気検知が可能となる。
導体磁気検知層４がスライダ１と同じ平面上にあるた
め、当該半導体磁気検知層４は図１に示すように記録媒
体（磁気ディスク）１００のごく近傍の磁場が強いとこ
ろに置かれる。そのため、Ｓ／Ｎ比の大きい、高感度な
磁気検知が可能となる。
【００２５】次に、上記図１に示す半導体磁気ヘッドの
製法手順について説明する。まず、図２に示すように、
スライダ本体基板１１の上に、下地電極３Ａ，絶縁層
５，中心電極２を形成し（（ａ）参照）、同図中の
（ｂ）で示すようにＰＲ（フォトリソグラフ）工程を経
て当該中心電極２をストライプ状に残す。その上、更に
絶縁層５を形成して、再度ＰＲ工程により中心電極２よ
り少し太いストライプを形成する（（ｃ）参照）。続い
て、上部電極３Ｂ，保護膜６Ａを形成する（（ｄ）参
照）。次に、スライダ本体基板１１を切断してスライダ
加工を施し、その端面に半導体磁気検知層４および保護
膜６を形成する。符号１は切断されて成るスライダ本体
を示す。
製法手順について説明する。まず、図２に示すように、
スライダ本体基板１１の上に、下地電極３Ａ，絶縁層
５，中心電極２を形成し（（ａ）参照）、同図中の
（ｂ）で示すようにＰＲ（フォトリソグラフ）工程を経
て当該中心電極２をストライプ状に残す。その上、更に
絶縁層５を形成して、再度ＰＲ工程により中心電極２よ
り少し太いストライプを形成する（（ｃ）参照）。続い
て、上部電極３Ｂ，保護膜６Ａを形成する（（ｄ）参
照）。次に、スライダ本体基板１１を切断してスライダ
加工を施し、その端面に半導体磁気検知層４および保護
膜６を形成する。符号１は切断されて成るスライダ本体
を示す。
【００２６】本実施形態では、スライダ本体の素材とし
ては「Ｓｉ」を、電極材料としてはＩｎを高濃度にドー
プした「ＨｇＴｅ」を用い、また絶縁層材料としては
「ＣｄＴｅ」を用い、これら全てを単結晶で成膜した。
中心電極２，下地電極３Ａ，上部電極３Ｂ，絶縁層５の
各膜厚は、全て１０００〔オングストローム〕とし、ス
トライプ幅は５〔μｍ〕とした。
ては「Ｓｉ」を、電極材料としてはＩｎを高濃度にドー
プした「ＨｇＴｅ」を用い、また絶縁層材料としては
「ＣｄＴｅ」を用い、これら全てを単結晶で成膜した。
中心電極２，下地電極３Ａ，上部電極３Ｂ，絶縁層５の
各膜厚は、全て１０００〔オングストローム〕とし、ス
トライプ幅は５〔μｍ〕とした。
【００２７】ここで、製造工程における下地電極３Ａお
よび上部電極３Ｂは、最終的には図１に示すようにリン
グ状電極３を構成することとなる。即ち、下地電極３Ａ
と上部電極３Ｂとに基づいて５×０．５〔μｍ〕のリン
グ状電極３を形成した。また、半導体磁気検知層４とし
て「ＨｇＣｄＴｅ」を５００〔オングストローム〕の厚
さで成膜し、保護膜６，６Ａとしては１０００〔オング
ストローム〕のＳｉＯ2 を用いた。
よび上部電極３Ｂは、最終的には図１に示すようにリン
グ状電極３を構成することとなる。即ち、下地電極３Ａ
と上部電極３Ｂとに基づいて５×０．５〔μｍ〕のリン
グ状電極３を形成した。また、半導体磁気検知層４とし
て「ＨｇＣｄＴｅ」を５００〔オングストローム〕の厚
さで成膜し、保護膜６，６Ａとしては１０００〔オング
ストローム〕のＳｉＯ2 を用いた。
【００２８】このため、かかる半導体磁気ヘッドの製法
においては、電極形成後にスライダ本体のスライダ面と
平行に半導体磁気検知層４を成膜するので、薄膜化が容
易である。従って、上述したように半導体磁気検知層４
を磁場の強いところだけに置くことが可能となる。更
に、リング状電極３の一方のサイズは、成膜時の膜厚で
制御することができるので、リソグラフィーを用いずに
微細な構造を作ることが可能である。
においては、電極形成後にスライダ本体のスライダ面と
平行に半導体磁気検知層４を成膜するので、薄膜化が容
易である。従って、上述したように半導体磁気検知層４
を磁場の強いところだけに置くことが可能となる。更
に、リング状電極３の一方のサイズは、成膜時の膜厚で
制御することができるので、リソグラフィーを用いずに
微細な構造を作ることが可能である。
【００２９】また、半導体磁気検知層の素材とした「Ｈ
ｇＣｄＴｅ」は大きな磁気抵抗効果を示す素材である
（ソビエト・フィジックス・セミコンダクター「Ｓｏ
ｖ．Ｐｈｙｓ．Ｓｅｍｉｃｏｎｄ．」、１１巻、２８８
頁、１９７７年、および１２巻、２７５頁、１９７８
年）。このため、これを磁気検知層の素材として使用す
ると、本実施形態の効能をより高めることができる。
ｇＣｄＴｅ」は大きな磁気抵抗効果を示す素材である
（ソビエト・フィジックス・セミコンダクター「Ｓｏ
ｖ．Ｐｈｙｓ．Ｓｅｍｉｃｏｎｄ．」、１１巻、２８８
頁、１９７７年、および１２巻、２７５頁、１９７８
年）。このため、これを磁気検知層の素材として使用す
ると、本実施形態の効能をより高めることができる。
【００３０】
【発明の効果】本発明は以上のように構成され機能する
ので、これによると、請求項１記載の発明では、半導体
検知部全体が磁気媒体近傍の磁場の強い領域に配置さ
れ、従って極めてＳ／Ｎ比の高い検知信号を得ることが
できる。また、請求項２記載の発明では、前述した請求
項１記載の発明と同等の作用効果を有するほか、更に磁
気検知の性能向上を図ることができる。更に、請求項３
記載の発明では、一般的なフォトリソグラフィー工程の
みを用いて極めて微細なコルビノ型半導体磁気検知素子
を製造する事が可能となる。
ので、これによると、請求項１記載の発明では、半導体
検知部全体が磁気媒体近傍の磁場の強い領域に配置さ
れ、従って極めてＳ／Ｎ比の高い検知信号を得ることが
できる。また、請求項２記載の発明では、前述した請求
項１記載の発明と同等の作用効果を有するほか、更に磁
気検知の性能向上を図ることができる。更に、請求項３
記載の発明では、一般的なフォトリソグラフィー工程の
みを用いて極めて微細なコルビノ型半導体磁気検知素子
を製造する事が可能となる。
【図１】本発明の一実施の形態を示す図で、図１（Ａ）
は二つの電極と磁気検知層とを含む箇所に沿った断面
図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＡ一Ａ線に沿った断面図
である。
は二つの電極と磁気検知層とを含む箇所に沿った断面
図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＡ一Ａ線に沿った断面図
である。
【図２】図１に示す半導体磁気ヘッドの製造工程を示す
説明図である。
説明図である。
【図３】従来例を示す概略斜視図である。
【図４】他の従来例を示す概略斜視図である。
１ スライダ本体 ２ 中心電極 ３ リング状電極 ３Ａ 下地電極 ３Ｂ 上部電極 ４ 半導体磁気検知層 ５ 絶縁層 ６，６Ａ 保護膜 １１ スライダ本体基板
Claims (3)
- 【請求項１】 スライダ本体と、このスライダ本体上に
装備された半導体磁気検知層と、この半導体磁気検知層
で検知された情報を外部に取り出す中心電極及び当該中
心電極の周囲に配置されたリング状電極とを備えてなる
コルビノ型の半導体磁気ヘッドにおいて、 前記半導体磁気検知層の一端面をスライダ面と同じ面に
設定すると共に、当該半導体磁気検知層の他端面に、前
記中心電極およびリング状電極の各他端部を当接固着し
たことを特徴とする半導体磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記半導体磁気検知層を、ＨｇＣｄＴｅ
により形成したことを特徴とする請求項１記載の半導体
磁気ヘッド。 - 【請求項３】 スライダ本体と、このスライダ本体上に
装備された半導体磁気検知層と、この半導体磁気検知層
で検知された情報を外部に取り出す中心電極及び当該中
心電極の周囲に配置されたリング状電極とを備えてなる
コルビノ型の半導体磁気ヘッドにおいて、 前記スライダ本体上に、リソグラフィーと成膜プロセス
により中心電極とリング状電極を形成してスライダの形
成加工を行った後、このスライダのスライダ面と同じ面
に、半導体磁気検知層を形成することを特徴とした半導
体磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8294832A JP2853680B2 (ja) | 1996-11-07 | 1996-11-07 | 半導体磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8294832A JP2853680B2 (ja) | 1996-11-07 | 1996-11-07 | 半導体磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10143825A JPH10143825A (ja) | 1998-05-29 |
| JP2853680B2 true JP2853680B2 (ja) | 1999-02-03 |
Family
ID=17812839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8294832A Expired - Fee Related JP2853680B2 (ja) | 1996-11-07 | 1996-11-07 | 半導体磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2853680B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6714374B1 (en) * | 2000-08-31 | 2004-03-30 | Nec Corporation | Magnetoresistive sensor, magnetoresistive head, and magnetic recording/reproducing apparatus |
-
1996
- 1996-11-07 JP JP8294832A patent/JP2853680B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10143825A (ja) | 1998-05-29 |
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