JP2000113417A

JP2000113417A - 磁気抵抗効果ヘッド

Info

Publication number: JP2000113417A
Application number: JP10279784A
Authority: JP
Inventors: Masato Horiuchi; 真人堀内
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1998-10-01
Filing date: 1998-10-01
Publication date: 2000-04-21

Abstract

(57)【要約】【課題】磁性膜と下部磁気シールド膜とを電気的に絶縁
する下ギャップ膜の静電気に起因する破壊を防止したＭ
Ｒヘッドを提供する。【解決手段】下部磁気シールド膜３と電極２とを高抵抗
薄膜パターン４により電気的に接続することを特徴とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果ヘッ
ドに関し、特に、磁性膜と磁性膜を挟む上下の磁気シー
ルド膜との間に形成され、磁性膜と上下の磁気シールド
膜とを電気的に絶縁する上下のギャップ膜の静電気に起
因する破壊を防止した磁気抵抗効果ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の磁気抵抗効果ヘッド３０の概略斜
視図を図５に、図５の上ポール１１付近を拡大して磁気
記録面から鳥瞰した概略斜視図を図６に示す。

【０００３】図５および図６を参照すると、磁気抵抗効
果ヘッド３０は、磁気記録媒体（図示せず）に情報を書
き込むための書き込み部と書き込まれた情報を読み出す
ための読み出し部とで構成され、書き込み部は、上ポー
ル１１と、上部磁気シールド膜９と、コイル１６と、コ
イル１６を上ポール１１と上部磁気シールド膜９とから
絶縁するための絶縁層１２と、書き込みギャップ１０と
から構成されており、上ポール１１と上部磁気シールド
膜９とは、ＮｉＦｅ合金などの高透磁率・高飽和磁束密
度の磁性体材料によって形成され、ポールウィンドウ１
４において物理的に接続していて磁気回路を構成し、２
つの引き出し端子５５ｃ、５５ｄおよび引き出し線６６
ｃ、６６ｄを介してコイル１６に電流を流すことによっ
て、書き込みギャップ１０において磁気回路から漏れ磁
界が生じ、その漏れ磁界によって磁気記録媒体に情報を
書き込むことができる。

【０００４】一方、読み出し部は、磁性膜（以下、ＭＲ
膜と称す）１と、電極２と、下部磁気シールド膜３と、
上部磁気シールド膜９と、ＭＲ膜１および電極２を下部
磁気シールド膜３および上部磁気シールド膜９から絶縁
するための下ギャップ膜７および上ギャップ膜８とから
構成され、下部磁気シールド膜３と上部磁気シールド膜
９とは、ＮｉＦｅ合金などの高透磁率・高飽和磁束密度
の磁性体によって形成され、２つの引き出し端子５５
ａ、５５ｂおよび引き出し線６６ａ、６６ｂならびに電
極２を介してＭＲ膜１に電流を流すことによって、磁気
記録媒体の磁化情報によってＭＲ膜１に生ずる抵抗変化
を電圧変化として捉えることにより磁気記録媒体の情報
を読み出すことができる。

【０００５】また、磁気抵抗効果ヘッド（以下、ＭＲヘ
ッドと称す）３０は、磁気記録媒体に記録された磁化情
報を読みとるための磁気抵抗効果を有する厚さ数百オン
グストロームのＭＲ膜１と、その信号を高分解能で読み
とるためにＭＲ膜１の両側に配置された磁気シールド
（下部磁気シールド膜３および上部磁気シールド膜９）
を持つ構造として、ＭＲ膜１と磁気シールドとは、アル
ミナなどの絶縁膜によって形成された下ギャップ膜７お
よび上ギャップ膜８によって各々絶縁されているが、こ
の絶縁膜が薄いほど高密度に記録された磁気情報を読み
とる能力が高くなるが、現状では、磁気記録媒体の高密
度記録化に伴って、絶縁膜の厚さは０．１ミクロン以下
のレベルにまで達している。

【０００６】しかしながら、絶縁膜は薄くなればなるほ
ど絶縁耐圧が小さくなり、ＭＲヘッド３０における絶縁
膜の厚さレベル（０．１ミクロン程度）において、絶縁
耐圧は数十ボルトである。従って、人体や製造工程に置
かれている設備・治工具の帯電を原因として、それに近
づいたり触れたりすることによってＭＲヘッド３０の絶
縁層が絶縁破壊を起こし、ＭＲヘッド３０が損傷し、機
能を失ってしまうという欠点がある。

【０００７】上記不具合発生減少を防止するために、イ
オナイザーをＭＲヘッド３０や磁気ディスク装置（図示
せず）の製造工程に設置したり、人体に発生する静電気
を逃がすための工夫としてリストストラップを身に付け
るなどの対策をおこなっている。しかし、ＭＲヘッド３
０自体が静電気に弱いという本質を持っているのに対し
て、静電気はあらゆる場所に発生する可能性があるた
め、絶縁破壊を完全に防ぐことはできないという欠点が
ある。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来の
ＭＲヘッドは、磁気記録媒体の高密度記録化に伴って、
絶縁膜の厚さが薄くなり、絶縁耐圧が小さくなり、人体
や製造工程に置かれている設備・治工具の帯電を原因と
して、それに近づいたり触れたりすることによってＭＲ
ヘッドの絶縁層が絶縁破壊を起こし、ＭＲヘッドが損傷
し、機能を失ってしまうという欠点があり、イオナイザ
ーをＭＲヘッドや磁気ディスク装置の製造工程に設置し
たり、人体に発生する静電気を逃がすための工夫として
リストストラップを使用する対策を施しても、ＭＲヘッ
ド自体が静電気に弱いという本質から絶縁破壊を完全に
防ぐことができないという課題がある。

【０００９】本発明の目的は、下部磁気シールド膜と電
極とを高抵抗薄膜パターンにより電気的に接続するとい
う簡単な構成、または、下部磁気シールド膜と電極、お
よび上部磁気シールド膜と電極とを高抵抗薄膜パターン
により電気的に接続するという簡単な構成により、磁性
膜と磁性膜を挟む上下の磁気シールド膜との間に形成さ
れ、磁性膜と上下の磁気シールド膜とを電気的に絶縁す
る上下のギャップ膜の静電気に起因する破壊を防止した
ＭＲヘッドを提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明のＭＲヘッドは、
磁気抵抗効果を有する磁性膜（ＭＲ膜）と、磁性膜を挟
む上部磁気シールド膜および下部磁気シールド膜と、磁
性膜と上部磁気シールド膜および下部磁気シールド膜と
を各々電気的に絶縁する上ギャップ膜および下ギャップ
膜と、磁性膜と電気的に接触し電流を供給する電極とを
有する磁気抵抗効果ヘッドにおいて、下部磁気シールド
膜と電極とを電気的に接続する高抵抗薄膜パターンを有
することを特徴とする。

【００１１】磁気抵抗効果を有する磁性膜（ＭＲ膜）
と、磁性膜を挟む上部磁気シールド膜および下部磁気シ
ールド膜と、磁性膜と上部磁気シールド膜および下部磁
気シールド膜とを各々電気的に絶縁する上ギャップ膜お
よび下ギャップ膜と、磁性膜と電気的に接触し電流を供
給する電極とを有する磁気抵抗効果ヘッドにおいて、下
部磁気シールド膜と電極、および上部磁気シールド膜と
電極とを電気的に接続する高抵抗薄膜パターンを有する
ことを特徴とする。

【００１２】高抵抗薄膜パターンは、窒化タンタル（Ｔ
ａＮ）材料で形成されることを特徴とする。

【００１３】下部磁気シールド膜と電極、および上部磁
気シールド膜と電極とを電気的に接続する高抵抗薄膜パ
ターンは、共に、つづれ織り形状に形成されることを特
徴とする。

【００１４】下部磁気シールド膜と電極とを電気的に接
続する高抵抗薄膜パターンは、一端が引き出し端子と接
続され、引き出し端子と接続される引き出し線を介して
電極と接続され、他端が下部磁気シールド膜と接続され
ることを特徴とする。

【００１５】上部磁気シールド膜と電極とを電気的に接
続する高抵抗薄膜パターンは、一端が引き出し端子と接
続され、引き出し端子と接続される引き出し線を介して
電極と接続され、他端が上部磁気シールド膜と接続され
ることを特徴とする。

【００１６】高抵抗薄膜パターンと下部磁気シールド膜
との接続部は、下ギャップ膜に開口部を設けた接続窓を
有することを特徴とする。

【００１７】接続窓は、イオンミリング工法によって形
成されることを特徴とする。

【００１８】磁性膜と下部磁気シールド膜との間を高抵
抗薄膜パターンにより接続することにより、磁性膜と下
部磁気シールド膜とを電気的に絶縁する下ギャップ膜の
静電破壊を防止することを特徴とする。

【００１９】磁性膜と下部磁気シールド膜との間、およ
び磁性膜と上部磁気シールド膜との間を高抵抗薄膜パタ
ーンにより接続することにより、磁性膜と下部磁気シー
ルド膜とを電気的に絶縁する下ギャップ膜、および磁性
膜と上部磁気シールド膜とを電気的に絶縁する上ギャッ
プ膜の静電破壊を防止することを特徴とする。

【００２０】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。

【００２１】図１は、本発明のＭＲヘッド２０の第一の
実施の形態を示す概略斜視図であり、図２は、図１の断
面ＡＡの斜視図である。なお、図５、および図６に示す
従来のＭＲヘッド３０の構成要素と同一の構成要素に関
しては、同一符号を付与している。また、図１の上ポー
ル１１付近を拡大して磁気記録面から鳥瞰した概略斜視
図に関しては、図６と同一となるため、省略している。

【００２２】図１、および図２を参照すると、本発明の
ＭＲヘッド２０は、磁気記録媒体（図示せず）に情報を
書き込むための書き込み部と、書き込まれた情報を読み
出すための読み出し部とで構成され、書き込み部は、上
ポール１１と、上部磁気シールド膜９と、コイル１６
と、コイル１６を上ポール１１と上部磁気シールド膜９
とから絶縁するための絶縁層１２と、書き込みギャップ
１０とで構成され、読み出し部は、磁気抵抗効果を有す
る磁性膜（ＭＲ膜）１と、磁性膜１を挟む上部磁気シー
ルド膜９および下部磁気シールド膜３と、磁性膜１と上
部磁気シールド膜９および下部磁気シールド３膜とを各
々電気的に絶縁する上ギャップ膜８および下ギャップ膜
７と、磁性膜１と電気的に接触し電流を供給する電極２
と、下部磁気シールド膜３と電極２とを電気的に接続す
る高抵抗薄膜パターン４とから構成されている。

【００２３】また、高抵抗薄膜パターン４は、つづれ織
り形状に、窒化タンタル（ＴａＮ）材料で形成されてお
り、一端が引き出し端子５ｂと接続され、引き出し端子
５ｂと接続される引き出し線６ｂを介して電極２と接続
され、他端が下ギャップ膜７に開口部を設けた接続窓１
３部で下部磁気シールド膜３と接続されている。

【００２４】上述のように構成された本発明のＭＲヘッ
ド２０の磁気記録媒体への情報の書き込み、および、読
み出し動作について説明する。

【００２５】まず、書き込みは、上ポール１１と上部磁
気シールド膜９とが、ＮｉＦｅ合金などの高透磁率・高
飽和磁束密度の磁性体材料によって形成され、ポールウ
ィンドウ１４において物理的に接続していて磁気回路を
構成し、２つの引き出し端子５ｃ、５ｄおよび引き出し
線６ｃ、６ｄを介してコイル１６に電流を流すことによ
って、書き込みギャップ１０において磁気回路から漏れ
磁界が生じ、その漏れ磁界によって磁気記録媒体に情報
の書き込みを行う。

【００２６】一方、読み出しは、下部磁気シールド膜３
と上部磁気シールド膜９とが、ＮｉＦｅ合金などの高透
磁率・高飽和磁束密度の磁性体によって形成され、２つ
の引き出し端子５ａ、５ｂおよび引き出し線６ａ、６ｂ
ならびに電極２を介してＭＲ膜１に電流を流すことによ
って、磁気記録媒体の磁化情報によってＭＲ膜１に生じ
る抵抗変化を電圧変化として捉えることにより磁気記録
媒体の情報の読み出しを行う。

【００２７】本発明のＭＲヘッド２０は、ＭＲ膜１が、
電極２および引き出し線６ｂを介して引き出し端子５ｂ
に電気的に接続されている。このとき、ＭＲ膜１に直列
につながる電極２および引き出し線６ｂの抵抗値はでき
るだけ小さい方が好ましく、数オームの抵抗値になるよ
うに設計・製造されている。

【００２８】一方、ＭＲ膜１、電極２、引き出し線６
ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄと下部磁気シールド膜３とはアル
ミナなどで作成した下ギャップ膜７によって電気的に絶
縁されているが、図２に示すように、下ギャップ膜７に
開口部を有する接続窓１３をイオンミリングによって形
成し、引き出し端子５ｂ、引き出し線６ｂを介して電極
２と下部磁気シールド膜３とを接続するように高抵抗薄
膜パターン４が形成されている。

【００２９】たとえば、高抵抗薄膜パターン４の材料と
して、ハイブリッドＩＣの抵抗体として使用される窒化
タンタル（ＴａＮ）を使用しており、その比抵抗はおよ
そ３００μΩ・ｃｍであるから、膜厚１００オングスト
ローム、幅３ミクロンの高抵抗薄膜パターン４を形成し
た場合、１ｃｍの長さのパターンを作ることによって、
１ＭΩの抵抗を得ることができる。スライダ１５の幅は
１ｍｍ程度であるから、図１に示すごとく、高抵抗薄膜
パターン４の形状を、つづれ織り形状パターンとしてい
るため、幅数十ミクロンのパターンエリアで１ＭΩ以上
の抵抗となる高抵抗薄膜パターン４を形成することがで
きる。

【００３０】上述のように、ＭＲ膜１もしくは電極２が
下部磁気シールド膜３と高抵抗薄膜パターン４によって
接続されることにより、ＭＲヘッド２０は、ＭＲ膜１と
下部磁気シールド膜３とを高抵抗で接続する回路を有す
ることになり、ＭＲヘッド２０の周囲に存在する人体や
設備・治具・梱包材などによってもたらされ得る過剰な
電荷が下部磁気シールド膜３に発生したとしても、高抵
抗薄膜パターン４を通り、引き出し端子５ｂに接続され
ている引き出し線６ｂ、電極２へと電気的に導通があ
り、静電気の電荷は充電されることなく放電されること
になる。

【００３１】また、高抵抗薄膜パターン４の抵抗値が充
分大きいので、本来のＭＲヘッド２０の機能であるとこ
ろのＭＲ膜１の抵抗変化に基づく電圧変化は、高抵抗薄
膜パターン４によってほとんど影響を受けない。

【００３２】次に、本発明のＭＲヘッド２１の第二の実
施の形態について図面を参照して説明する。

【００３３】図３は、本発明のＭＲヘッド２１の第二の
実施の形態を示す概略斜視図、図４は、図３に示すＭＲ
ヘッド２１の絶縁層１２、コイル１６の一部を破断し、
上部磁気シールド膜９と高抵抗薄膜パターン４４との接
続を示す拡大図である。なお、第一の実施の形態を示す
ＭＲヘッド２０を示す図１、図２の構成要素と同一の構
成要素に関しては、同一符号を付与している。

【００３４】図３、および図４を参照すると、ＭＲヘッ
ド２１は、磁気抵抗効果を有する磁性膜（ＭＲ膜）１
と、磁性膜１を挟む上部磁気シールド膜９および下部磁
気シールド膜３と、磁性膜１と上部磁気シールド膜９お
よび下部磁気シールド膜３とを各々電気的に絶縁する上
ギャップ膜８および下ギャップ膜７と、磁性膜１と電気
的に接触し電流を供給する電極２と、下部磁気シールド
膜３と電極２とを電気的に接続する高抵抗薄膜パターン
４と、上部磁気シールド膜９と電極２とを電気的に接続
する高抵抗薄膜パターン４４とから構成され、下部磁気
シールド膜３と電極２、および上部磁気シールド膜９と
電極２とを電気的に接続する高抵抗薄膜パターン４、４
４は、共に、つづれ織り形状に、窒化タンタル（Ｔａ
Ｎ）材料で形成されている。

【００３５】下部磁気シールド膜３と電極２とを電気的
に接続する高抵抗薄膜パターン４は、一端が引き出し端
子５ｂと接続され、引き出し端子５ｂと接続される引き
出し線６ｂを介して電極２と接続され、他端が下ギャッ
プ膜７に開口部を設けた接続窓１３部で下部磁気シール
ド膜３と接続され、上部磁気シールド膜９と電極２とを
電気的に接続する高抵抗薄膜パターンは４４は、一端が
引き出し端子５ｂと接続され、引き出し端子５ｂと接続
される引き出し線６ｂを介して電極２と接続され、他端
が上部磁気シールド膜９と接続部１８にて接続されてい
る。

【００３６】上述のように構成されたＭＲヘッド２１の
磁気記録媒体への情報の書き込み、および、読み出し動
作については、第一の実施の形態であるＭＲヘッド２０
と同一であるため、詳細な説明を省略する。

【００３７】ＭＲヘッド２１は、電極２と下部磁気シー
ルド膜３との間、および電極２と上部磁気シールド膜９
との間を各々高抵抗薄膜パターン４、４４により接続す
ることにより、ＭＲ膜１と下部磁気シールド膜３との
間、および、ＭＲ膜１と上部磁気シールド膜９との間を
高抵抗で接続する回路を有することになり、ＭＲヘッド
２１の周囲に存在する人体や設備・治具・梱包材などに
よってもたらされ得る過剰な電荷が下部磁気シールド膜
３、或いは、上部磁気シールド膜９に発生したとして
も、高抵抗薄膜パターン４、或いは、高抵抗薄膜パター
ン４４を通り、引き出し端子５ｂに接続されている引き
出し線６ｂ、電極２へと電気的に導通があり、静電気の
電荷は充電されることなく放電されることになり、ＭＲ
膜１と下部磁気シールド膜３とを電気的に絶縁する下ギ
ャップ膜７の静電破壊を防止でき、かつ、ＭＲ膜１と上
部磁気シールド膜９とを電気的に絶縁する上ギャップ膜
８の静電破壊をも防止することができる。

【００３８】また、高抵抗薄膜パターン４、４４の抵抗
値が充分大きいので、本来のＭＲヘッド２１の機能であ
るところのＭＲ膜１の抵抗変化に基づく電圧変化は、高
抵抗薄膜パターン４、４４によってほとんど影響を受け
ることはない。

【００３９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の第一のＭ
Ｒヘッドは、ＭＲ膜と下部磁気シールド膜とを高抵抗薄
膜パターンにより電気的に接続するという簡単な構成に
より、人体や設備・治工具などによってもたらされる静
電気によって、絶縁層である下ギャップ膜が破壊される
ことがなくなり、静電気によるダメージを除去したＭＲ
ヘッドを提供することができるという効果がある。

【００４０】また、本発明の第二のＭＲヘッドは、ＭＲ
膜と下部磁気シールド膜およびＭＲ膜と上部磁気シール
ド膜とを高抵抗薄膜パターンにより電気的に接続すると
いう簡単な構成により、人体や設備・治工具などによっ
てもたらされる静電気によって、絶縁層である下ギャッ
プ膜、上ギャップ膜の両方とも、破壊されることがな
く、必要最低限の静電気対策を施すだけで、静電気によ
るＭＲヘッドのダメージを完全に除去することができ、
ＭＲヘッドが元来有する読み出し能力を損なうことな
く、静電気によるダメージを完全に除去したＭＲヘッド
を提供することができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のＭＲヘッドの第一の実施の形態を示す
概略斜視図である。

【図２】図１の断面ＡＡの斜視図である。

【図３】本発明のＭＲヘッドの第二の実施の形態を示す
概略斜視図である。

【図４】図３の一部を破断し、上部磁気シールド膜と高
抵抗薄膜パターンとの接続を示す拡大図である。

【図５】従来のＭＲヘッドを示す概略斜視図である。

【図６】図５に示すＭＲヘッドの上ポール付近を拡大し
て磁気記録面から鳥瞰した概略斜視図である。

【符号の説明】

１磁性膜（ＭＲ膜）２電極３下部磁気シールド膜４、４４高抵抗薄膜パターン５ａ、５ｂ引き出し端子５ｃ、５ｄ引き出し端子５５ａ、５５ｂ引き出し端子５５ｃ、５５ｄ引き出し端子６ａ、６ｂ引き出し線６ｃ、６ｄ引き出し線６６ａ、６６ｂ引き出し線６６ｃ、６６ｄ引き出し線７下ギャップ膜８上ギャップ膜９上部磁気シールド膜１０書き込みギャップ１１上ポール１２絶縁層１３接続窓１４ポールウィンドウ１５スライダ１６コイル１８接続部２０、２１磁気抵抗効果ヘッド（ＭＲヘッド）３０磁気抵抗効果ヘッド（ＭＲヘッド）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁気抵抗効果を有する磁性膜（ＭＲ膜）
と、前記磁性膜を挟む上部磁気シールド膜および下部磁
気シールド膜と、前記磁性膜と前記上部磁気シールド膜
および前記下部磁気シールド膜とを各々電気的に絶縁す
る上ギャップ膜および下ギャップ膜と、前記磁性膜と電
気的に接触し電流を供給する電極とを有する磁気抵抗効
果ヘッドにおいて、前記下部磁気シールド膜と前記電極
とを電気的に接続する高抵抗薄膜パターンを有すること
を特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項２】磁気抵抗効果を有する磁性膜（ＭＲ膜）
と、前記磁性膜を挟む上部磁気シールド膜および下部磁
気シールド膜と、前記磁性膜と前記上部磁気シールド膜
および下部磁気シールド膜とを各々電気的に絶縁する上
ギャップ膜および下ギャップ膜と、前記磁性膜と電気的
に接触し電流を供給する電極とを有する磁気抵抗効果ヘ
ッドにおいて、前記下部磁気シールド膜と前記電極、お
よび前記上部磁気シールド膜と前記電極とを電気的に接
続する高抵抗薄膜パターンを有することを特徴とする磁
気抵抗効果ヘッド。
【請求項３】前記高抵抗薄膜パターンは、窒化タンタ
ル（ＴａＮ）材料で形成されることを特徴とする請求項
１または２記載の磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項４】前記下部磁気シールド膜と前記電極、お
よび前記上部磁気シールド膜と前記電極とを電気的に接
続する前記高抵抗薄膜パターンは、共に、つづれ織り形
状に形成されることを特徴とする請求項１または２記載
の磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項５】前記下部磁気シールド膜と前記電極とを
電気的に接続する前記高抵抗薄膜パターンは、一端が引
き出し端子と接続され、前記引き出し端子と接続される
引き出し線を介して前記電極と接続され、他端が前記下
部磁気シールド膜と接続されることを特徴とする請求項
１または２記載の磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項６】前記上部磁気シールド膜と前記電極とを
電気的に接続する前記高抵抗薄膜パターンは、一端が前
記引き出し端子と接続され、前記引き出し端子と接続さ
れる前記引き出し線を介して前記電極と接続され、他端
が前記上部磁気シールド膜と接続されることを特徴とす
る請求項２記載の磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項７】前記高抵抗薄膜パターンと前記下部磁気
シールド膜との接続部は、前記下ギャップ膜に開口部を
設けた接続窓を有することを特徴とする請求項１、２、
５のいずれかに記載の磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項８】前記接続窓は、イオンミリング工法によ
って形成されることを特徴とする請求項７記載の磁気抵
抗効果ヘッド。
【請求項９】前記磁性膜と前記下部磁気シールド膜と
の間を前記高抵抗薄膜パターンにより接続することによ
り、前記磁性膜と前記下部磁気シールド膜とを電気的に
絶縁する前記下ギャップ膜の静電破壊を防止することを
特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項１０】前記磁性膜と前記下部磁気シールド膜
との間、および前記磁性膜と前記上部磁気シールド膜と
の間を前記高抵抗薄膜パターンにより接続することによ
り、前記磁性膜と前記下部磁気シールド膜とを電気的に
絶縁する前記下ギャップ膜、および前記磁性膜と前記上
部磁気シールド膜とを電気的に絶縁する前記上ギャップ
膜の静電破壊を防止することを特徴とする請求項２記載
の磁気抵抗効果ヘッド。