JPH11296817A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JPH11296817A JPH11296817A JP10096458A JP9645898A JPH11296817A JP H11296817 A JPH11296817 A JP H11296817A JP 10096458 A JP10096458 A JP 10096458A JP 9645898 A JP9645898 A JP 9645898A JP H11296817 A JPH11296817 A JP H11296817A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- head
- conductive film
- magnetic
- capacitor
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 64
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 56
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 52
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 91
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019222 CoCrPt Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/40—Protective measures on heads, e.g. against excessive temperature
Abstract
(57)【要約】
【課題】 静電気等による磁気抵抗効果素子の破壊が生
じ難い磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供する。 【解決手段】 感磁部として磁気抵抗効果素子を用いた
ヘッド素子が基板上に形成されてなる磁気抵抗効果型磁
気ヘッドにおいて、コンデンサを磁気抵抗効果素子に対
して並列に接続する。このとき、基板は導電性を有する
材料とし、当該基板を上記コンデンサを構成する電極の
うちの一つとして用いる。
じ難い磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供する。 【解決手段】 感磁部として磁気抵抗効果素子を用いた
ヘッド素子が基板上に形成されてなる磁気抵抗効果型磁
気ヘッドにおいて、コンデンサを磁気抵抗効果素子に対
して並列に接続する。このとき、基板は導電性を有する
材料とし、当該基板を上記コンデンサを構成する電極の
うちの一つとして用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体から
の磁界を磁気抵抗効果素子によって検出する磁気抵抗効
果型磁気ヘッドに関する。
の磁界を磁気抵抗効果素子によって検出する磁気抵抗効
果型磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録媒体からの磁界を磁気抵抗効果
素子（以下、ＭＲ素子と称する。）によって検出する磁
気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドと称す
る。）においては、ＭＲ素子が静電気又は何らかの電気
的ストレスにより破壊されてしまい、ヘッド性能が劣化
してしまうことが問題となっている。なお、ＭＲ素子の
破壊の原因となる静電気や電気的ストレスは一般にＥＳ
Ｄ／ＥＯＳと称される。ＥＳＤはElectro Static Disch
argeの略、ＥＯＳはElectrical Over Stressの略であ
る。
素子（以下、ＭＲ素子と称する。）によって検出する磁
気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドと称す
る。）においては、ＭＲ素子が静電気又は何らかの電気
的ストレスにより破壊されてしまい、ヘッド性能が劣化
してしまうことが問題となっている。なお、ＭＲ素子の
破壊の原因となる静電気や電気的ストレスは一般にＥＳ
Ｄ／ＥＯＳと称される。ＥＳＤはElectro Static Disch
argeの略、ＥＯＳはElectrical Over Stressの略であ
る。
【０００３】そして、このような問題は、ＥＳＤ／ＥＯ
ＳによってＭＲ素子に過電流が流れ、この過電流による
発熱や当該過電流により発生する磁場の影響で、ＭＲ素
子が破壊されてしまうことによって生じるものと考えら
れる。
ＳによってＭＲ素子に過電流が流れ、この過電流による
発熱や当該過電流により発生する磁場の影響で、ＭＲ素
子が破壊されてしまうことによって生じるものと考えら
れる。
【０００４】すなわち、ＭＲヘッドは、ウェハプロセ
ス、加工プロセス、組立プロセス等のプロセスを経て作
製されるが、これらのプロセスにおいて、外部からの電
荷流入があったときに、当該電荷流入によりＭＲ素子に
過電流が流れ、この過電流による発熱や当該過電流によ
り発生する磁場の影響で、ＭＲ素子が破壊されるものと
考えられる。
ス、加工プロセス、組立プロセス等のプロセスを経て作
製されるが、これらのプロセスにおいて、外部からの電
荷流入があったときに、当該電荷流入によりＭＲ素子に
過電流が流れ、この過電流による発熱や当該過電流によ
り発生する磁場の影響で、ＭＲ素子が破壊されるものと
考えられる。
【０００５】なお、ウェハプロセスとは、ＭＲヘッドを
構成する素子をウェハ基板上に形成するプロセスのこと
である。また、加工プロセスとは、ＭＲヘッドを構成す
る素子が形成されたウェハ基板を切断して個々のＭＲヘ
ッドに分割するとともに、それらのＭＲヘッドに対して
所定の機械加工を施すプロセスのことである。また、組
立プロセスとは、上記機械加工が完了したＭＲヘッドを
ヘッドベースにマウントしたり、ＭＲヘッドの端子を所
定の配線に接続するなどして、ＭＲヘッドが搭載された
磁気ヘッド装置を組み立てるプロセスのことである。
構成する素子をウェハ基板上に形成するプロセスのこと
である。また、加工プロセスとは、ＭＲヘッドを構成す
る素子が形成されたウェハ基板を切断して個々のＭＲヘ
ッドに分割するとともに、それらのＭＲヘッドに対して
所定の機械加工を施すプロセスのことである。また、組
立プロセスとは、上記機械加工が完了したＭＲヘッドを
ヘッドベースにマウントしたり、ＭＲヘッドの端子を所
定の配線に接続するなどして、ＭＲヘッドが搭載された
磁気ヘッド装置を組み立てるプロセスのことである。
【０００６】また、ＥＳＤ／ＥＯＳによるＭＲ素子の破
壊は、上述のような製造プロセス中だけでなく、磁気ヘ
ッド装置にＭＲヘッドを組み込んだ後においても生じる
場合がある。すなわち、例えば、ＭＲヘッドをハードデ
ィスク装置に組み込んだときに、磁気ディスクからＭＲ
ヘッドに電荷が流入し、これにより、ＭＲ素子に過電流
が流れてしまうような場合がある。そして、このような
過電流も、ＭＲ素子の破壊を引き起こす要因の一つとな
る。
壊は、上述のような製造プロセス中だけでなく、磁気ヘ
ッド装置にＭＲヘッドを組み込んだ後においても生じる
場合がある。すなわち、例えば、ＭＲヘッドをハードデ
ィスク装置に組み込んだときに、磁気ディスクからＭＲ
ヘッドに電荷が流入し、これにより、ＭＲ素子に過電流
が流れてしまうような場合がある。そして、このような
過電流も、ＭＲ素子の破壊を引き起こす要因の一つとな
る。
【０００７】そして、このようなＥＳＤ／ＥＯＳによる
ＭＲ素子の破壊を防止するために、従来より、ＭＲヘッ
ドのＡＢＳ（Air Bearing Surface）面をＤＬＣ膜（ダ
イヤモンド状炭素膜）でコーティングする方法や、ＭＲ
ヘッドのＡＢＳ面をタングステン等の金属膜でコーティ
ングする方法が提案されている。
ＭＲ素子の破壊を防止するために、従来より、ＭＲヘッ
ドのＡＢＳ（Air Bearing Surface）面をＤＬＣ膜（ダ
イヤモンド状炭素膜）でコーティングする方法や、ＭＲ
ヘッドのＡＢＳ面をタングステン等の金属膜でコーティ
ングする方法が提案されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ＡＢＳ面をＤ
ＬＣ膜や金属膜でコーティングしても、ＥＳＤ／ＥＯＳ
によるＭＲ素子の破壊を完全に防ぐことはできない。
ＬＣ膜や金属膜でコーティングしても、ＥＳＤ／ＥＯＳ
によるＭＲ素子の破壊を完全に防ぐことはできない。
【０００９】また、ＭＲヘッドのＡＢＳ面をコーティン
グする方法は、磁気ヘッド装置にＭＲヘッドを組み込ん
だ後において生じるＭＲ素子の破壊の防止には効果があ
るが、ＡＢＳ面のコーティングは、通常、ＭＲヘッドの
製造プロセスのうち、最終段階でなされることとなるた
め、それ以前の工程におけるＭＲ素子の破壊を防止する
ことはできない。
グする方法は、磁気ヘッド装置にＭＲヘッドを組み込ん
だ後において生じるＭＲ素子の破壊の防止には効果があ
るが、ＡＢＳ面のコーティングは、通常、ＭＲヘッドの
製造プロセスのうち、最終段階でなされることとなるた
め、それ以前の工程におけるＭＲ素子の破壊を防止する
ことはできない。
【００１０】更に、ＡＢＳ面を金属膜でコーティングし
た場合には、当該金属膜によりＭＲ素子が短絡すること
となるので、再生出力が低下してしまうという問題もあ
る。
た場合には、当該金属膜によりＭＲ素子が短絡すること
となるので、再生出力が低下してしまうという問題もあ
る。
【００１１】本発明は、以上のような従来の実情に鑑み
て提案されたものであり、磁気記録媒体からの磁界をＭ
Ｒ素子によって検出するＭＲヘッドにおいて、ＡＢＳ面
をコーティングするような方法によることなく、ＥＳＤ
／ＥＯＳによるＭＲ素子の破壊が生じないようにするこ
とを目的とする。
て提案されたものであり、磁気記録媒体からの磁界をＭ
Ｒ素子によって検出するＭＲヘッドにおいて、ＡＢＳ面
をコーティングするような方法によることなく、ＥＳＤ
／ＥＯＳによるＭＲ素子の破壊が生じないようにするこ
とを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明に係るＭＲヘッド
は、感磁部としてＭＲ素子を用いたヘッド素子が基板上
に形成されてなり、上記ＭＲ素子に対して並列に接続さ
れたコンデンサを備えている。そして、上記基板は導電
性を有する材料からなり、当該基板が上記コンデンサを
構成する電極のうちの一つとされる。
は、感磁部としてＭＲ素子を用いたヘッド素子が基板上
に形成されてなり、上記ＭＲ素子に対して並列に接続さ
れたコンデンサを備えている。そして、上記基板は導電
性を有する材料からなり、当該基板が上記コンデンサを
構成する電極のうちの一つとされる。
【００１３】このＭＲヘッドでは、コンデンサがＭＲ素
子に対して並列に接続されているので、外部からの電荷
の流入等によりＭＲ素子に高電圧が加わったような場合
には、主にコンデンサの側に電流が流れる。したがっ
て、このＭＲヘッドでは、外部からの電荷の流入等があ
ったとしても、ＭＲ素子に過電流が流れるようなことは
ない。すなわち、このＭＲヘッドにおいて、ＭＲ素子に
対して並列に接続されたコンデンサは、ＭＲ素子に過電
流が流れるのを防止するように作用する。
子に対して並列に接続されているので、外部からの電荷
の流入等によりＭＲ素子に高電圧が加わったような場合
には、主にコンデンサの側に電流が流れる。したがっ
て、このＭＲヘッドでは、外部からの電荷の流入等があ
ったとしても、ＭＲ素子に過電流が流れるようなことは
ない。すなわち、このＭＲヘッドにおいて、ＭＲ素子に
対して並列に接続されたコンデンサは、ＭＲ素子に過電
流が流れるのを防止するように作用する。
【００１４】しかも、このＭＲヘッドでは、ヘッド素子
が形成されている基板を、ＭＲ素子に過電流が流れるの
を防止するためのコンデンサの電極の一つとしている。
このように基板をコンデンサの電極として使用した場合
には、当該コンデンサの容量を比較的に自由に設定する
ことができる。そして、コンデンサの容量を十分に大き
く設定しておけば、ＭＲ素子に非常に大きな電圧が加わ
ったとしても、そのときに流れる電荷は殆どコンデンサ
の側に流入することとなるので、ＥＳＤ／ＥＯＳによる
ＭＲ素子の破壊をほぼ確実に防止することができる。
が形成されている基板を、ＭＲ素子に過電流が流れるの
を防止するためのコンデンサの電極の一つとしている。
このように基板をコンデンサの電極として使用した場合
には、当該コンデンサの容量を比較的に自由に設定する
ことができる。そして、コンデンサの容量を十分に大き
く設定しておけば、ＭＲ素子に非常に大きな電圧が加わ
ったとしても、そのときに流れる電荷は殆どコンデンサ
の側に流入することとなるので、ＥＳＤ／ＥＯＳによる
ＭＲ素子の破壊をほぼ確実に防止することができる。
【００１５】また、ＥＳＤ／ＥＯＳによるＭＲ素子の破
壊を防止するためのコンデンサの電極として基板を使用
するようにした場合には、ＭＲヘッドの製造プロセスに
おいて、ヘッド素子を形成する前の段階で、当該コンデ
ンサを形成しておくことが可能となる。このように、Ｅ
ＳＤ／ＥＯＳによるＭＲ素子の破壊を防止するためのコ
ンデンサを、ヘッド素子を形成する前の段階で形成して
おくようにすれば、ＭＲヘッドの作製中においても、Ｅ
ＳＤ／ＥＯＳによるＭＲ素子の破壊を防止することがで
きる。
壊を防止するためのコンデンサの電極として基板を使用
するようにした場合には、ＭＲヘッドの製造プロセスに
おいて、ヘッド素子を形成する前の段階で、当該コンデ
ンサを形成しておくことが可能となる。このように、Ｅ
ＳＤ／ＥＯＳによるＭＲ素子の破壊を防止するためのコ
ンデンサを、ヘッド素子を形成する前の段階で形成して
おくようにすれば、ＭＲヘッドの作製中においても、Ｅ
ＳＤ／ＥＯＳによるＭＲ素子の破壊を防止することがで
きる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら詳細に説明する。
て、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１７】＜第１の実施の形態＞本発明を適用した磁
気ヘッドの第１の例を図１及び図２に示す。なお、図１
は、第１の例として挙げる磁気ヘッド１Ａについて、そ
の内部構造が分かるように一部を切り欠いて示した斜視
図である。また、図２は、当該磁気ヘッド１Ａの断面図
である。
気ヘッドの第１の例を図１及び図２に示す。なお、図１
は、第１の例として挙げる磁気ヘッド１Ａについて、そ
の内部構造が分かるように一部を切り欠いて示した斜視
図である。また、図２は、当該磁気ヘッド１Ａの断面図
である。
【００１８】この磁気ヘッド１Ａは、ハードディスク装
置等に用いられる磁気ヘッドであり、導電材料からなる
基板２上に、本発明を適用したＭＲヘッドが形成されて
なるとともに、当該ＭＲヘッド上にインダクティブ型磁
気ヘッドが積層形成されてなる。ここで、ＭＲヘッド
は、再生用ヘッドとして動作するものであり、インダク
ティブ型磁気ヘッドは、記録用ヘッドとして動作するも
のである。
置等に用いられる磁気ヘッドであり、導電材料からなる
基板２上に、本発明を適用したＭＲヘッドが形成されて
なるとともに、当該ＭＲヘッド上にインダクティブ型磁
気ヘッドが積層形成されてなる。ここで、ＭＲヘッド
は、再生用ヘッドとして動作するものであり、インダク
ティブ型磁気ヘッドは、記録用ヘッドとして動作するも
のである。
【００１９】このＭＲヘッドは、いわゆるシールド型Ｍ
Ｒヘッドであり、基板２上に絶縁層３を介して形成され
た導電膜４と、導電膜４上に絶縁層３を介して形成され
た第１の磁気シールド５と、第１の磁気シールド５上に
絶縁層３を介して形成されたＭＲ素子６と、ＭＲ素子６
上に絶縁層３を介して形成された第２の磁気シールド７
とを備えている。
Ｒヘッドであり、基板２上に絶縁層３を介して形成され
た導電膜４と、導電膜４上に絶縁層３を介して形成され
た第１の磁気シールド５と、第１の磁気シールド５上に
絶縁層３を介して形成されたＭＲ素子６と、ＭＲ素子６
上に絶縁層３を介して形成された第２の磁気シールド７
とを備えている。
【００２０】基板２は、Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ等のような導
電材料からなる。そして、この基板２は、磁気ヘッド１
Ａの製造プロセス中、並びにこの磁気ヘッド１Ａをハー
ドディスク装置等に組み込んだときに、グランド電位に
接地される。
電材料からなる。そして、この基板２は、磁気ヘッド１
Ａの製造プロセス中、並びにこの磁気ヘッド１Ａをハー
ドディスク装置等に組み込んだときに、グランド電位に
接地される。
【００２１】絶縁層３は、Ａｌ2Ｏ3やＳｉＯ2等のよう
な絶縁材料からなる。なお、図１及び図２では、絶縁層
３の層構造を図示していないが、この磁気ヘッド１Ａ
は、当該磁気ヘッド１Ａを構成する各層を基板２上に積
層して形成していくので、絶縁層３は実際には複数の層
からなる。
な絶縁材料からなる。なお、図１及び図２では、絶縁層
３の層構造を図示していないが、この磁気ヘッド１Ａ
は、当該磁気ヘッド１Ａを構成する各層を基板２上に積
層して形成していくので、絶縁層３は実際には複数の層
からなる。
【００２２】導電膜４は、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｗ，Ｍ
ｏ，Ｃｕ又はこれらの合金等のような導電材料からな
る。この導電膜４は、絶縁層３を介して基板２に対向し
ており、この導電膜４と基板２とによってコンデンサが
構成される。
ｏ，Ｃｕ又はこれらの合金等のような導電材料からな
る。この導電膜４は、絶縁層３を介して基板２に対向し
ており、この導電膜４と基板２とによってコンデンサが
構成される。
【００２３】ここで、基板２と導電膜４とによって構成
されるコンデンサの容量は、基板２と導電膜４との間の
絶縁層３の誘電率をε、基板２と導電膜４との間隔を
ｄ、導電膜４の面積をＳとしたとき、下記式（１）で表
される。
されるコンデンサの容量は、基板２と導電膜４との間の
絶縁層３の誘電率をε、基板２と導電膜４との間隔を
ｄ、導電膜４の面積をＳとしたとき、下記式（１）で表
される。
【００２４】Ｃ＝ε・Ｓ／ｄ ・・・（１） したがって、基板２と導電膜４とによって構成されるコ
ンデンサの容量は、基板２と導電膜４との間隔ｄや、導
電膜４の面積Ｓを変えることにより、自由に設定するこ
とができる。
ンデンサの容量は、基板２と導電膜４との間隔ｄや、導
電膜４の面積Ｓを変えることにより、自由に設定するこ
とができる。
【００２５】なお、ＥＳＤ／ＥＯＳによるＭＲ素子６の
破壊を防止するためには、このコンデンサの容量を十分
に大きく設定しておくことが好ましい。したがって、基
板２と導電膜４との間隔ｄは、絶縁破壊が生じない程度
に、なるべく小さくしたほうが好ましい。また、導電膜
４の面積Ｓは、できるだけ大きくしたほうが好ましい。
ここで、導電膜４の面積Ｓは、最大で基板２の上部平面
の面積と同じにまで増やすことが可能である。
破壊を防止するためには、このコンデンサの容量を十分
に大きく設定しておくことが好ましい。したがって、基
板２と導電膜４との間隔ｄは、絶縁破壊が生じない程度
に、なるべく小さくしたほうが好ましい。また、導電膜
４の面積Ｓは、できるだけ大きくしたほうが好ましい。
ここで、導電膜４の面積Ｓは、最大で基板２の上部平面
の面積と同じにまで増やすことが可能である。
【００２６】なお、導電膜４の面積Ｓを基板２の上部平
面の面積と同じにした場合には、磁気ヘッド１Ａの側面
から導電膜２が露呈することとなる。しかし、磁気ヘッ
ド１Ａの側面での短絡を防止するという観点から、磁気
ヘッド１Ａの側面からは、導電膜２が露呈していないこ
とが好ましい。したがって、導電膜４は、磁気ヘッド１
Ａの側面から外部に露呈しない範囲で、当該導電膜４の
面積Ｓをできるだけ大きくすることが好ましい。
面の面積と同じにした場合には、磁気ヘッド１Ａの側面
から導電膜２が露呈することとなる。しかし、磁気ヘッ
ド１Ａの側面での短絡を防止するという観点から、磁気
ヘッド１Ａの側面からは、導電膜２が露呈していないこ
とが好ましい。したがって、導電膜４は、磁気ヘッド１
Ａの側面から外部に露呈しない範囲で、当該導電膜４の
面積Ｓをできるだけ大きくすることが好ましい。
【００２７】そして、導電膜４上には、絶縁層３を介し
て第１の磁気シールド５が形成されている。第１の磁気
シールド５は、ＭＲ素子６の下層側を磁気的にシールド
するためのものであり、Ｎｉ−Ｆｅ等のような軟磁性材
からなる。そして、この第１の磁気シールド５上に、絶
縁層３を介してＭＲ素子６が形成されている。
て第１の磁気シールド５が形成されている。第１の磁気
シールド５は、ＭＲ素子６の下層側を磁気的にシールド
するためのものであり、Ｎｉ−Ｆｅ等のような軟磁性材
からなる。そして、この第１の磁気シールド５上に、絶
縁層３を介してＭＲ素子６が形成されている。
【００２８】ＭＲ素子６は、外部磁界の大きさによって
抵抗値が変化する素子であり、例えば、Ｔａ膜，ＮｉＦ
ｅＮｂ膜，Ｔａ膜，ＮｉＦｅ膜，Ｔａ膜がスパッタリン
グ法により、この順に積層されてなる。ＭＲ素子６をこ
のような構成とした場合、磁気抵抗効果を有する軟磁性
膜であるＮｉＦｅ膜が感磁部となる。また、ＮｉＦｅＮ
ｂ膜が、ＮｉＦｅ膜に対して垂直バイアス磁界を印加す
るための軟磁性膜（いわゆるSoft Adjacent Layer）と
なる。なお、ＭＲ素子６の構成は、上記の例に限るもの
ではなく、システムの要求等に応じて適切なものを用い
るようにすればよく、例えば、いわゆる巨大磁気抵抗効
果（ＧＭＲ：Giant Magneto-Resistanceeffect）を示す
ようなＭＲ素子を用いるようにしてもよい。
抵抗値が変化する素子であり、例えば、Ｔａ膜，ＮｉＦ
ｅＮｂ膜，Ｔａ膜，ＮｉＦｅ膜，Ｔａ膜がスパッタリン
グ法により、この順に積層されてなる。ＭＲ素子６をこ
のような構成とした場合、磁気抵抗効果を有する軟磁性
膜であるＮｉＦｅ膜が感磁部となる。また、ＮｉＦｅＮ
ｂ膜が、ＮｉＦｅ膜に対して垂直バイアス磁界を印加す
るための軟磁性膜（いわゆるSoft Adjacent Layer）と
なる。なお、ＭＲ素子６の構成は、上記の例に限るもの
ではなく、システムの要求等に応じて適切なものを用い
るようにすればよく、例えば、いわゆる巨大磁気抵抗効
果（ＧＭＲ：Giant Magneto-Resistanceeffect）を示す
ようなＭＲ素子を用いるようにしてもよい。
【００２９】このＭＲ素子６は、略矩形状に形成されて
なり、その一側面が磁気記録媒体対向面に露呈するよう
になされている。そして、このＭＲ素子６の両端には、
当該ＭＲ素子６に対して水平バイアス磁界を印加するた
めの永久磁石膜８，９がそれぞれ配されている。
なり、その一側面が磁気記録媒体対向面に露呈するよう
になされている。そして、このＭＲ素子６の両端には、
当該ＭＲ素子６に対して水平バイアス磁界を印加するた
めの永久磁石膜８，９がそれぞれ配されている。
【００３０】永久磁石膜８，９は、ＭＲ素子６に対して
水平バイアス磁界を印加して、当該ＭＲ素子６の動作の
安定化を図るためのものである。この永久磁石膜８，９
の材料としは、保磁力が大きい硬質磁性材が好ましく、
具体的には、ＣｏＮｉＰｔやＣｏＣｒＰｔ等が好適であ
る。
水平バイアス磁界を印加して、当該ＭＲ素子６の動作の
安定化を図るためのものである。この永久磁石膜８，９
の材料としは、保磁力が大きい硬質磁性材が好ましく、
具体的には、ＣｏＮｉＰｔやＣｏＣｒＰｔ等が好適であ
る。
【００３１】また、ＭＲ素子６の一端に接するように配
された永久磁石膜８には、第１の導体１０が接続されて
おり、同様に、ＭＲ素子６の他端に接するように配され
た永久磁石膜９には、第２の導体１１が接続されてい
る。これらの導体１０，１１は、ＭＲ素子６に対して、
センス電流を供給するためのものであり、例えば、Ｃ
ｒ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｕ又はこれらの合金等か
らなる。
された永久磁石膜８には、第１の導体１０が接続されて
おり、同様に、ＭＲ素子６の他端に接するように配され
た永久磁石膜９には、第２の導体１１が接続されてい
る。これらの導体１０，１１は、ＭＲ素子６に対して、
センス電流を供給するためのものであり、例えば、Ｃ
ｒ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｕ又はこれらの合金等か
らなる。
【００３２】ここで、第１の導体１０は、永久磁石膜８
に接続されている側の端部は絶縁層３に埋設するように
形成されているが、他方の端部は外部に露呈するように
形成されている。そして、外部に露呈している部分が、
このＭＲヘッドの第１の外部接続用端子となる。そし
て、磁気記録媒体からの磁気信号の再生時には、この第
１の外部接続用端子から第１の導体１０を介して、ＭＲ
素子６にセンス電流が供給されることとなる。
に接続されている側の端部は絶縁層３に埋設するように
形成されているが、他方の端部は外部に露呈するように
形成されている。そして、外部に露呈している部分が、
このＭＲヘッドの第１の外部接続用端子となる。そし
て、磁気記録媒体からの磁気信号の再生時には、この第
１の外部接続用端子から第１の導体１０を介して、ＭＲ
素子６にセンス電流が供給されることとなる。
【００３３】同様に、第２の導体１１も、永久磁石膜９
に接続されている側の端部は絶縁層３に埋設するように
形成されているが、他方の端部は外部に露呈するように
形成されている。そして、外部に露呈している部分が、
このＭＲヘッドの第２の外部接続用端子となる。この第
２の外部接続用端子は、磁気記録媒体からの磁気信号の
再生時には、グランド電位に接地される。
に接続されている側の端部は絶縁層３に埋設するように
形成されているが、他方の端部は外部に露呈するように
形成されている。そして、外部に露呈している部分が、
このＭＲヘッドの第２の外部接続用端子となる。この第
２の外部接続用端子は、磁気記録媒体からの磁気信号の
再生時には、グランド電位に接地される。
【００３４】また、第１の導体１０の下層には、絶縁層
３が形成されているが、当該絶縁層３には開口部が形成
されており、第１の導体１０は、当該開口部を通して導
電膜４に接続されている。換言すれば、このＭＲヘッド
において、導電膜４は、ＭＲ素子６の一端に電気的に接
続されている。なお、第２の導体１１は導電膜４に接続
されてはいない。
３が形成されているが、当該絶縁層３には開口部が形成
されており、第１の導体１０は、当該開口部を通して導
電膜４に接続されている。換言すれば、このＭＲヘッド
において、導電膜４は、ＭＲ素子６の一端に電気的に接
続されている。なお、第２の導体１１は導電膜４に接続
されてはいない。
【００３５】そして、以上のように形成されたＭＲ素子
６、永久磁石膜８，９及び導体１０，１１の上には、絶
縁層３を介して第２の磁気シールド７が形成されてい
る。第２の磁気シールド７は、ＭＲ素子６の上層側を磁
気的にシールドするためのものであり、Ｎｉ−Ｆｅ等の
ような軟磁性材からなる。なお、第２の磁気シールド７
は、ＭＲ素子６の上層側を磁気的にシールドするだけで
なく、このＭＲヘッドの上に積層形成されたインダクテ
ィブ型磁気ヘッドの磁気コアも兼ねている。
６、永久磁石膜８，９及び導体１０，１１の上には、絶
縁層３を介して第２の磁気シールド７が形成されてい
る。第２の磁気シールド７は、ＭＲ素子６の上層側を磁
気的にシールドするためのものであり、Ｎｉ−Ｆｅ等の
ような軟磁性材からなる。なお、第２の磁気シールド７
は、ＭＲ素子６の上層側を磁気的にシールドするだけで
なく、このＭＲヘッドの上に積層形成されたインダクテ
ィブ型磁気ヘッドの磁気コアも兼ねている。
【００３６】以上のようなＭＲヘッドの上に積層形成さ
れたインダクティブ型磁気ヘッドは、第２の磁気シール
ド７及び上層コア１２によって構成される磁気コアと、
当該磁気コアを巻回するように形成された薄膜コイル１
３とを備えている。
れたインダクティブ型磁気ヘッドは、第２の磁気シール
ド７及び上層コア１２によって構成される磁気コアと、
当該磁気コアを巻回するように形成された薄膜コイル１
３とを備えている。
【００３７】上層コア１２は、第２の磁気シールド１２
と共に閉磁路を形成して、このインダクティブ型磁気ヘ
ッドの磁気コアとなるものであり、Ｎｉ−Ｆｅ等のよう
な軟磁性材からなる。ここで、第２の磁気シールド７及
び上層コア１２は、それらの前端部が磁気記録媒体対向
面に露呈し、且つ、それらの後端部において第２の磁気
シールド７及び上層コア１２が互いに接するように形成
されている。ここで、第２の磁気シールド７及び上層コ
ア１２の前端部は、磁気記録媒体対向面において、第２
の磁気シールド７及び上層コア１２が所定の間隙ｔ１を
もって離間するように形成されている。
と共に閉磁路を形成して、このインダクティブ型磁気ヘ
ッドの磁気コアとなるものであり、Ｎｉ−Ｆｅ等のよう
な軟磁性材からなる。ここで、第２の磁気シールド７及
び上層コア１２は、それらの前端部が磁気記録媒体対向
面に露呈し、且つ、それらの後端部において第２の磁気
シールド７及び上層コア１２が互いに接するように形成
されている。ここで、第２の磁気シールド７及び上層コ
ア１２の前端部は、磁気記録媒体対向面において、第２
の磁気シールド７及び上層コア１２が所定の間隙ｔ１を
もって離間するように形成されている。
【００３８】すなわち、この磁気ヘッド１Ａにおいて、
第２の磁気シールド７は、ＭＲ素子６の上層側を磁気的
にシールドするだけでなく、インダクティブ型磁気ヘッ
ドの磁気コアも兼ねており、第２の磁気シールド７と上
層コア１２によってインダクティブ型磁気ヘッドの磁気
コアが構成されている。そして、磁気記録媒体対向面に
おける第２の磁気シールド７と上層コア１２との間隙ｔ
１が、インダクティブ型磁気ヘッドの記録用磁気ギャッ
プとなる。
第２の磁気シールド７は、ＭＲ素子６の上層側を磁気的
にシールドするだけでなく、インダクティブ型磁気ヘッ
ドの磁気コアも兼ねており、第２の磁気シールド７と上
層コア１２によってインダクティブ型磁気ヘッドの磁気
コアが構成されている。そして、磁気記録媒体対向面に
おける第２の磁気シールド７と上層コア１２との間隙ｔ
１が、インダクティブ型磁気ヘッドの記録用磁気ギャッ
プとなる。
【００３９】また、第２の磁気シールド７上には、絶縁
層３に埋設された薄膜コイル１３が形成されている。こ
こで、薄膜コイル１３は、第２の磁気シールド７及び上
層コア１２からなる磁気コアを巻回するように形成され
ている。なお、図示していないが、この薄膜コイル１３
の両端部は、外部に露呈するようになされている。そし
て、薄膜コイル１３の両端に形成された端子が、このイ
ンダクティブ型磁気ヘッドの外部接続用端子となる。す
なわち、磁気記録媒体への磁気信号の記録時には、これ
らの外部接続用端子から薄膜コイル１２に記録電流が供
給されることとなる。
層３に埋設された薄膜コイル１３が形成されている。こ
こで、薄膜コイル１３は、第２の磁気シールド７及び上
層コア１２からなる磁気コアを巻回するように形成され
ている。なお、図示していないが、この薄膜コイル１３
の両端部は、外部に露呈するようになされている。そし
て、薄膜コイル１３の両端に形成された端子が、このイ
ンダクティブ型磁気ヘッドの外部接続用端子となる。す
なわち、磁気記録媒体への磁気信号の記録時には、これ
らの外部接続用端子から薄膜コイル１２に記録電流が供
給されることとなる。
【００４０】以上のような磁気ヘッド１Ａでは、基板２
と導電膜４とから構成されるコンデンサが、ＭＲ素子６
に過電流が流れるのを防止するように作用する。以下、
このことについて、上記ＭＲヘッドの等価回路である図
３を参照しながら説明する。
と導電膜４とから構成されるコンデンサが、ＭＲ素子６
に過電流が流れるのを防止するように作用する。以下、
このことについて、上記ＭＲヘッドの等価回路である図
３を参照しながら説明する。
【００４１】なお、図３中の点線Ａの部分は、ＭＲ素子
６の破壊の原因となる電荷流入源を表している。すなわ
ち、ここでは、ＭＲ素子６の破壊の原因となる電荷流入
源を、直流電源Ｅと抵抗Ｒとによってモデル化してい
る。
６の破壊の原因となる電荷流入源を表している。すなわ
ち、ここでは、ＭＲ素子６の破壊の原因となる電荷流入
源を、直流電源Ｅと抵抗Ｒとによってモデル化してい
る。
【００４２】図３に示すように、ＭＲ素子６の一端は外
部回路に接続され、このＭＲヘッドの駆動時には、外部
回路からＭＲ素子６にセンス電流Ｉsが供給される。な
お、外部回路に接続されるのは、ＭＲ素子６の端部のう
ち、第１の導体１０が接続された側であり、第１の外部
接続用端子が外部回路に接続される。そして、ＭＲ素子
６の他端は、第２の導体１１を介してグランド電位に接
地される。すなわち、第２の外部接続用端子はグランド
電位に接続される。
部回路に接続され、このＭＲヘッドの駆動時には、外部
回路からＭＲ素子６にセンス電流Ｉsが供給される。な
お、外部回路に接続されるのは、ＭＲ素子６の端部のう
ち、第１の導体１０が接続された側であり、第１の外部
接続用端子が外部回路に接続される。そして、ＭＲ素子
６の他端は、第２の導体１１を介してグランド電位に接
地される。すなわち、第２の外部接続用端子はグランド
電位に接続される。
【００４３】そして、このＭＲヘッドでは、ＭＲ素子６
の第１の導体１０が接続された側に、基板２と導電膜４
とによって構成されるコンデンサＣ1が、ＭＲ素子６に
対して並列に接続されている。ここで、コンデンサＣ1
のＭＲ素子６に接続されている側は、導電体４に相当す
る。一方、ＭＲ素子６と接続されていない側は、基板２
に相当し、グランド電位に接地される。なお、図３中の
抵抗Ｒ1は、ＭＲ素子６と導電膜４との間の抵抗（すな
わち第１の導体１０の抵抗）を示している。
の第１の導体１０が接続された側に、基板２と導電膜４
とによって構成されるコンデンサＣ1が、ＭＲ素子６に
対して並列に接続されている。ここで、コンデンサＣ1
のＭＲ素子６に接続されている側は、導電体４に相当す
る。一方、ＭＲ素子６と接続されていない側は、基板２
に相当し、グランド電位に接地される。なお、図３中の
抵抗Ｒ1は、ＭＲ素子６と導電膜４との間の抵抗（すな
わち第１の導体１０の抵抗）を示している。
【００４４】なお、実際には、ＭＲ素子６の部分にも寄
生容量が生じるが、当該寄生容量は、基板２と導電膜４
とによって構成されるコンデンサＣ1の容量に比べて非
常に小さいので、ここでは無視する。
生容量が生じるが、当該寄生容量は、基板２と導電膜４
とによって構成されるコンデンサＣ1の容量に比べて非
常に小さいので、ここでは無視する。
【００４５】このＭＲヘッドにおいて、図３中の点線Ａ
で示した電荷流入源から電荷が流入してきたとき、コン
デンサＣ1の側に流れる電流Ｉ1は下記式（２）で表さ
れ、ＭＲ素子６の側に流れる電流Ｉ2は下記式（３）で
表される。なお、下記式（２）及び式（３）では、ＭＲ
素子６の抵抗値をＲmr、抵抗Ｒ1の抵抗値をＲ1、コンデ
ンサＣ1の容量をＣ1とし、また、電荷流入源となる直流
電源Ｅの電圧値をＥ、直流電源ＥとＭＲ素子６との間の
抵抗Ｒの抵抗値をＲとしている。
で示した電荷流入源から電荷が流入してきたとき、コン
デンサＣ1の側に流れる電流Ｉ1は下記式（２）で表さ
れ、ＭＲ素子６の側に流れる電流Ｉ2は下記式（３）で
表される。なお、下記式（２）及び式（３）では、ＭＲ
素子６の抵抗値をＲmr、抵抗Ｒ1の抵抗値をＲ1、コンデ
ンサＣ1の容量をＣ1とし、また、電荷流入源となる直流
電源Ｅの電圧値をＥ、直流電源ＥとＭＲ素子６との間の
抵抗Ｒの抵抗値をＲとしている。
【００４６】
【数１】
【００４７】上記式（１）及び式（２）に示すように、
コンデンサＣ1の側に流れる電流Ｉ1、及びＭＲ素子６の
側に流れる電流Ｉ2は、ある時定数を持って変化する。
具体的には、電荷流入源から電荷が流入してきたとき、
コンデンサＣ1の側に流れる電流Ｉ1、及びＭＲ素子６の
側に流れる電流Ｉ2は、図４に示すように変化する。
コンデンサＣ1の側に流れる電流Ｉ1、及びＭＲ素子６の
側に流れる電流Ｉ2は、ある時定数を持って変化する。
具体的には、電荷流入源から電荷が流入してきたとき、
コンデンサＣ1の側に流れる電流Ｉ1、及びＭＲ素子６の
側に流れる電流Ｉ2は、図４に示すように変化する。
【００４８】図４から分かるように、電荷流入源から電
荷が流入してきたとき、始めのうちは、基板２と導電膜
４とによって構成されるコンデンサＣ1の側に電流が流
れ、ＭＲ素子６の側に電流は殆ど流れない。
荷が流入してきたとき、始めのうちは、基板２と導電膜
４とによって構成されるコンデンサＣ1の側に電流が流
れ、ＭＲ素子６の側に電流は殆ど流れない。
【００４９】そして、ＥＳＤ／ＥＯＳによるＭＲ素子の
破壊は、瞬間的に高い電圧が印加された場合に生じるも
のなので、実際には直流電源Ｅはある時定数を持つ電源
となる。したがって、コンデンサＣ1が十分な容量も持
っており、コンデンサＣ1の側が十分に大きな時定数を
持っていれば、ＭＲ素子６の側には殆ど電流が流れない
こととなる。
破壊は、瞬間的に高い電圧が印加された場合に生じるも
のなので、実際には直流電源Ｅはある時定数を持つ電源
となる。したがって、コンデンサＣ1が十分な容量も持
っており、コンデンサＣ1の側が十分に大きな時定数を
持っていれば、ＭＲ素子６の側には殆ど電流が流れない
こととなる。
【００５０】そして、上記ＭＲヘッドでは、上述したよ
うに、基板２と導電膜４とによって構成されるコンデン
サＣ1の容量を、基板２と導電膜４との間隔ｄや、導電
膜４の面積Ｓを変えることにより、自由に設定すること
ができる。そこで、外部からの電荷の流入に対して、コ
ンデンサＣ1の側が十分に大きな時定数を持つように、
コンデンサＣ1の容量を設定しておけば、外部から電荷
の流入があったとしても、ＭＲ素子６の側には殆ど電流
が流れなくなり、ＭＲ素子６が破壊されてしまうような
ことはなくなる。
うに、基板２と導電膜４とによって構成されるコンデン
サＣ1の容量を、基板２と導電膜４との間隔ｄや、導電
膜４の面積Ｓを変えることにより、自由に設定すること
ができる。そこで、外部からの電荷の流入に対して、コ
ンデンサＣ1の側が十分に大きな時定数を持つように、
コンデンサＣ1の容量を設定しておけば、外部から電荷
の流入があったとしても、ＭＲ素子６の側には殆ど電流
が流れなくなり、ＭＲ素子６が破壊されてしまうような
ことはなくなる。
【００５１】なお、コンデンサＣ1に蓄積された電荷が
ＭＲ素子６に流入すると、当該電荷の進入によってＭＲ
素子６が破壊されてしまうようなことも考えられる。し
かし、実際には、ＭＲ素子６とコンデンサＣ1との間に
は抵抗Ｒ1が存在しており、当該抵抗Ｒ1によって電力が
消費されるので、コンデンサＣ1に蓄積された電荷がＭ
Ｒ素子６に大きなダメージを与えてしまうようなことは
ない。
ＭＲ素子６に流入すると、当該電荷の進入によってＭＲ
素子６が破壊されてしまうようなことも考えられる。し
かし、実際には、ＭＲ素子６とコンデンサＣ1との間に
は抵抗Ｒ1が存在しており、当該抵抗Ｒ1によって電力が
消費されるので、コンデンサＣ1に蓄積された電荷がＭ
Ｒ素子６に大きなダメージを与えてしまうようなことは
ない。
【００５２】以上のように、上記ＭＲヘッドでは、外部
から電荷が流入したときに、当該電荷が基板２と導電膜
４とによって構成されるコンデンサＣ1に蓄積されるの
で、ＭＲ素子６が破壊されてしまうようなことはない。
から電荷が流入したときに、当該電荷が基板２と導電膜
４とによって構成されるコンデンサＣ1に蓄積されるの
で、ＭＲ素子６が破壊されてしまうようなことはない。
【００５３】しかも、上記磁気ヘッド１Ａでは、ＭＲヘ
ッドを基板２上に形成するにあたって、ＭＲ素子６を形
成する前に、導電膜４を形成することとなるので、外部
からの電荷の流入があったときに電流を逃がす経路が、
ＭＲ素子６を形成する前から存在することとなる。した
がって、上記磁気ヘッド１Ａでは、当該磁気ヘッド１Ａ
の製造プロセス全体にわたって、ＥＳＤ／ＥＯＳによる
ＭＲ素子６の破壊を回避することができる。
ッドを基板２上に形成するにあたって、ＭＲ素子６を形
成する前に、導電膜４を形成することとなるので、外部
からの電荷の流入があったときに電流を逃がす経路が、
ＭＲ素子６を形成する前から存在することとなる。した
がって、上記磁気ヘッド１Ａでは、当該磁気ヘッド１Ａ
の製造プロセス全体にわたって、ＥＳＤ／ＥＯＳによる
ＭＲ素子６の破壊を回避することができる。
【００５４】＜第２の実施の形態＞本発明を適用した磁
気ヘッドの第２の例を図５に示す。なお、図５は、第２
の例として挙げる磁気ヘッド１Ｂについて、その内部構
造が分かるように一部を切り欠いて示した斜視図であ
る。なお、図５並びに後掲する図６乃至図１１では、図
１及び図２に示した磁気ヘッド１Ａと同様な部材につい
ては、図１及び図２と同じ符号を付している。そして、
以下の説明において、図１及び図２に示した磁気ヘッド
１Ａと同様な部材であり、図面中に同じ符号を付した部
材については、説明を省略する。
気ヘッドの第２の例を図５に示す。なお、図５は、第２
の例として挙げる磁気ヘッド１Ｂについて、その内部構
造が分かるように一部を切り欠いて示した斜視図であ
る。なお、図５並びに後掲する図６乃至図１１では、図
１及び図２に示した磁気ヘッド１Ａと同様な部材につい
ては、図１及び図２と同じ符号を付している。そして、
以下の説明において、図１及び図２に示した磁気ヘッド
１Ａと同様な部材であり、図面中に同じ符号を付した部
材については、説明を省略する。
【００５５】図５に示した磁気ヘッド１Ｂでは、第１の
導体１０の下層に形成された絶縁層３に開口部が形成さ
れ、当該開口部を介して、第１の導体１０が第１の磁気
シールド５に接続されている。なお、図５では、第１の
導体１０と第１の磁気シールド５とが接続されている部
分を円Ｂ１で囲って示している。
導体１０の下層に形成された絶縁層３に開口部が形成さ
れ、当該開口部を介して、第１の導体１０が第１の磁気
シールド５に接続されている。なお、図５では、第１の
導体１０と第１の磁気シールド５とが接続されている部
分を円Ｂ１で囲って示している。
【００５６】この磁気ヘッド１Ｂでは、導電膜４、第１
の磁気シールド５及びＭＲ素子６が、同電位とされるの
で、ＥＳＤ／ＥＯＳによるＭＲ素子６の破壊に対する耐
性をより高めることができる。
の磁気シールド５及びＭＲ素子６が、同電位とされるの
で、ＥＳＤ／ＥＯＳによるＭＲ素子６の破壊に対する耐
性をより高めることができる。
【００５７】＜第３の実施の形態＞本発明を適用した磁
気ヘッドの第３の例を図６乃至図８に示す。なお、図６
は、第３の例として挙げる磁気ヘッド１Ｃについて、そ
の内部構造が分かるように一部を切り欠いて示した斜視
図である。また、図７は、当該磁気ヘッド１Ｃについ
て、第１の導体１０を通る平面で切断した断面図であ
る。また、図８は、当該磁気ヘッド１Ｃについて、第２
の導体１１を通る平面で切断した断面図である。
気ヘッドの第３の例を図６乃至図８に示す。なお、図６
は、第３の例として挙げる磁気ヘッド１Ｃについて、そ
の内部構造が分かるように一部を切り欠いて示した斜視
図である。また、図７は、当該磁気ヘッド１Ｃについ
て、第１の導体１０を通る平面で切断した断面図であ
る。また、図８は、当該磁気ヘッド１Ｃについて、第２
の導体１１を通る平面で切断した断面図である。
【００５８】図６乃至図８に示した磁気ヘッド１Ｃは、
基板２上に絶縁層３を介して形成された第１の導電膜４
ａと、第１の導電膜４ａ上に絶縁層３を介して形成され
た第２の導電膜４ｂとを備えており、第２の導電膜４ｂ
上に絶縁層３を介して第１の磁気シールド５が形成され
ている。換言すれば、この磁気ヘッド１Ｃは、図１及び
図２に示した磁気ヘッド１Ａにおける導電膜４の代わり
に、第１の導電膜４ａ及び第２の導電膜４ｂを備えてい
る。
基板２上に絶縁層３を介して形成された第１の導電膜４
ａと、第１の導電膜４ａ上に絶縁層３を介して形成され
た第２の導電膜４ｂとを備えており、第２の導電膜４ｂ
上に絶縁層３を介して第１の磁気シールド５が形成され
ている。換言すれば、この磁気ヘッド１Ｃは、図１及び
図２に示した磁気ヘッド１Ａにおける導電膜４の代わり
に、第１の導電膜４ａ及び第２の導電膜４ｂを備えてい
る。
【００５９】この磁気ヘッド１Ｃでは、図６及び図７に
示すように、第１の導体１０の下層に形成された絶縁層
３に開口部が形成され、当該開口部を介して、第１の導
体１０が第１の導電膜４ａに接続されている。換言すれ
ば、このＭＲヘッドにおいて、第１の導電膜４ａは、Ｍ
Ｒ素子６の一端に電気的に接続されている。なお、第２
の導体１１は第１の導電膜４ａに接続されてはいない。
示すように、第１の導体１０の下層に形成された絶縁層
３に開口部が形成され、当該開口部を介して、第１の導
体１０が第１の導電膜４ａに接続されている。換言すれ
ば、このＭＲヘッドにおいて、第１の導電膜４ａは、Ｍ
Ｒ素子６の一端に電気的に接続されている。なお、第２
の導体１１は第１の導電膜４ａに接続されてはいない。
【００６０】また、図８に示すように、第２の導体１１
の下層に形成された絶縁層３に開口部が形成され、当該
開口部を介して、第２の導体１１が第２の導電膜４ｂに
接続されている。換言すれば、このＭＲヘッドにおい
て、第２の導電膜４ｂは、ＭＲ素子６の他端に電気的に
接続されている。なお、第１の導体１０は第２の導電膜
４ｂに接続されてはいない。
の下層に形成された絶縁層３に開口部が形成され、当該
開口部を介して、第２の導体１１が第２の導電膜４ｂに
接続されている。換言すれば、このＭＲヘッドにおい
て、第２の導電膜４ｂは、ＭＲ素子６の他端に電気的に
接続されている。なお、第１の導体１０は第２の導電膜
４ｂに接続されてはいない。
【００６１】この磁気ヘッド１Ｃでは、基板２と第１の
導電膜４ａとによってコンデンサが構成されるととも
に、第１の導電膜４ａと第２の電電膜４ｂとによっても
コンデンサが構成される。ここで、基板２と第１の導電
膜４ａとによって構成されるコンデンサの容量をＣａと
し、第１の導電膜４ａと第２の電電膜４ｂとによって構
成されるコンデンサの容量Ｃｂとする。
導電膜４ａとによってコンデンサが構成されるととも
に、第１の導電膜４ａと第２の電電膜４ｂとによっても
コンデンサが構成される。ここで、基板２と第１の導電
膜４ａとによって構成されるコンデンサの容量をＣａと
し、第１の導電膜４ａと第２の電電膜４ｂとによって構
成されるコンデンサの容量Ｃｂとする。
【００６２】この場合、回路的には、これら２つのコン
デンサが並列に接続することになり、それら全体として
の容量Ｃは、Ｃ＝Ｃａ＋Ｃｂとなる。したがって、この
磁気ヘッド１Ｃでは、上記磁気ヘッド１Ａ，１Ｂに比べ
て、ＥＳＤ／ＥＯＳによるＭＲ素子の破壊を防止するた
めのコンデンサの容量を大きくすることができる。すな
わち、ＥＳＤ／ＥＯＳによるＭＲ素子の破壊を防止する
ためのコンデンサを構成するために、２枚の導電膜４
ａ，４ｂを用いるようにすることで、ＥＳＤ／ＥＯＳに
よるＭＲ素子の破壊をより生じ難くすることができる。
デンサが並列に接続することになり、それら全体として
の容量Ｃは、Ｃ＝Ｃａ＋Ｃｂとなる。したがって、この
磁気ヘッド１Ｃでは、上記磁気ヘッド１Ａ，１Ｂに比べ
て、ＥＳＤ／ＥＯＳによるＭＲ素子の破壊を防止するた
めのコンデンサの容量を大きくすることができる。すな
わち、ＥＳＤ／ＥＯＳによるＭＲ素子の破壊を防止する
ためのコンデンサを構成するために、２枚の導電膜４
ａ，４ｂを用いるようにすることで、ＥＳＤ／ＥＯＳに
よるＭＲ素子の破壊をより生じ難くすることができる。
【００６３】＜第４の実施の形態＞本発明を適用した磁
気ヘッドの第４の例を図９に示す。なお、図９は、第４
の例として挙げる磁気ヘッド１Ｄについて、第２の導体
１１を通る平面で切断した断面図である。なお、図９で
は、図６乃至図８に示した磁気ヘッド１Ｃと同様な部材
については、図６乃至図８と同じ符号を付している。そ
して、以下の説明において、図６及び図８に示した磁気
ヘッド１Ｃと同様な部材であり、図面中に同じ符号を付
した部材については、説明を省略する。
気ヘッドの第４の例を図９に示す。なお、図９は、第４
の例として挙げる磁気ヘッド１Ｄについて、第２の導体
１１を通る平面で切断した断面図である。なお、図９で
は、図６乃至図８に示した磁気ヘッド１Ｃと同様な部材
については、図６乃至図８と同じ符号を付している。そ
して、以下の説明において、図６及び図８に示した磁気
ヘッド１Ｃと同様な部材であり、図面中に同じ符号を付
した部材については、説明を省略する。
【００６４】図９に示した磁気ヘッド１Ｄでは、第２の
導体１１の下層に形成された絶縁層３に開口部が形成さ
れ、当該開口部を介して、第２の導体１１が第１の磁気
シールド５に接続されている。なお、図９では、第２の
導体１１と第１の磁気シールド５とが接続されている部
分を円Ｂ２で囲って示している。
導体１１の下層に形成された絶縁層３に開口部が形成さ
れ、当該開口部を介して、第２の導体１１が第１の磁気
シールド５に接続されている。なお、図９では、第２の
導体１１と第１の磁気シールド５とが接続されている部
分を円Ｂ２で囲って示している。
【００６５】この磁気ヘッド１Ｄでは、第２の導電膜４
ｂ、第１の磁気シールド５及びＭＲ素子６が、同電位と
されるので、ＥＳＤ／ＥＯＳによるＭＲ素子６の破壊に
対する耐性をより高めることができる。
ｂ、第１の磁気シールド５及びＭＲ素子６が、同電位と
されるので、ＥＳＤ／ＥＯＳによるＭＲ素子６の破壊に
対する耐性をより高めることができる。
【００６６】＜第５の実施の形態＞本発明を適用した磁
気ヘッドの第５の例を図１０及び図１１に示す。なお、
図１０は、第５の例として挙げる磁気ヘッド１Ｅについ
て、第１の導体１０を通る平面で切断した断面図であ
る。また、図１１は、当該磁気ヘッド１Ｅについて、第
２の導体１１を通る平面で切断した断面図である。
気ヘッドの第５の例を図１０及び図１１に示す。なお、
図１０は、第５の例として挙げる磁気ヘッド１Ｅについ
て、第１の導体１０を通る平面で切断した断面図であ
る。また、図１１は、当該磁気ヘッド１Ｅについて、第
２の導体１１を通る平面で切断した断面図である。
【００６７】この磁気ヘッド１Ｅは、磁気記録媒体対向
面の反対側の面に、絶縁層３ａを介して導電膜４ｃが形
成され、更に当該導電膜４ｃの上に絶縁層３ｂが形成さ
れてなる。
面の反対側の面に、絶縁層３ａを介して導電膜４ｃが形
成され、更に当該導電膜４ｃの上に絶縁層３ｂが形成さ
れてなる。
【００６８】この磁気ヘッド１Ｅでは、図１０に示すよ
うに、第１の導体１０上に絶縁層３が形成されるととも
に、当該絶縁層３に開口部が形成され、当該開口部を介
して、第１の導体１０が外部に露呈するようになされて
いる。そして、この部分が第１の外部接続用端子とされ
ている。また、図１１に示すように、第２の導体１１上
に絶縁層３が形成されるとともに、当該絶縁層３に開口
部が形成され、当該開口部を介して、第２の導体１１が
外部に露呈するようになされている。そして、この部分
が第２の外部接続用端子とされている。
うに、第１の導体１０上に絶縁層３が形成されるととも
に、当該絶縁層３に開口部が形成され、当該開口部を介
して、第１の導体１０が外部に露呈するようになされて
いる。そして、この部分が第１の外部接続用端子とされ
ている。また、図１１に示すように、第２の導体１１上
に絶縁層３が形成されるとともに、当該絶縁層３に開口
部が形成され、当該開口部を介して、第２の導体１１が
外部に露呈するようになされている。そして、この部分
が第２の外部接続用端子とされている。
【００６９】そして、この磁気ヘッド１Ｅでは、磁気記
録媒体対向面の反対側の面に絶縁層３ａを介して形成さ
れた導電膜４ｃが、図１０に示すように、第１の導体１
０に接続されている。換言すれば、このＭＲヘッドにお
いて、導電膜４ｃは、ＭＲ素子６の一端に電気的に接続
されている。なお、図１１に示すように、第２の導体１
１は導電膜４ｃに接続されてはいない。
録媒体対向面の反対側の面に絶縁層３ａを介して形成さ
れた導電膜４ｃが、図１０に示すように、第１の導体１
０に接続されている。換言すれば、このＭＲヘッドにお
いて、導電膜４ｃは、ＭＲ素子６の一端に電気的に接続
されている。なお、図１１に示すように、第２の導体１
１は導電膜４ｃに接続されてはいない。
【００７０】この磁気ヘッド１Ｅでは、磁気記録媒体対
向面の反対側の面に絶縁層３ａを介して形成された導電
膜４ｃと基板２とによって、ＥＳＤ／ＥＯＳによるＭＲ
素子の破壊を防止するためのコンデンサが構成される。
このような構成は、基板２が厚く、基板２の上部平面の
面積よりも、磁気記録媒体対向面の反対側の面の面積の
ほうが大きい場合に、特に好適である。
向面の反対側の面に絶縁層３ａを介して形成された導電
膜４ｃと基板２とによって、ＥＳＤ／ＥＯＳによるＭＲ
素子の破壊を防止するためのコンデンサが構成される。
このような構成は、基板２が厚く、基板２の上部平面の
面積よりも、磁気記録媒体対向面の反対側の面の面積の
ほうが大きい場合に、特に好適である。
【００７１】以上、本発明の実施の形態として、５つの
例を挙げたが、本発明はこれらの例に限定されるもので
はない。すなわち、本発明に係るＭＲヘッドは、ヘッド
素子が形成される基板を、ＥＳＤ／ＥＯＳによるＭＲ素
子の破壊を防止するためのコンデンサの電極として用い
ることを特徴としており、その他の構成については特に
限定されるものではない。したがって、例えば、基板の
下部平面側（すなわちヘッド素子が形成されない側）
に、絶縁層を介して導電膜を形成することにより、ＥＳ
Ｄ／ＥＯＳによるＭＲ素子の破壊を防止するためのコン
デンサを構成するようにしてもよい。
例を挙げたが、本発明はこれらの例に限定されるもので
はない。すなわち、本発明に係るＭＲヘッドは、ヘッド
素子が形成される基板を、ＥＳＤ／ＥＯＳによるＭＲ素
子の破壊を防止するためのコンデンサの電極として用い
ることを特徴としており、その他の構成については特に
限定されるものではない。したがって、例えば、基板の
下部平面側（すなわちヘッド素子が形成されない側）
に、絶縁層を介して導電膜を形成することにより、ＥＳ
Ｄ／ＥＯＳによるＭＲ素子の破壊を防止するためのコン
デンサを構成するようにしてもよい。
【００７２】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
るＭＲヘッドでは、ＭＲ素子に対してコンデンサを並列
に接続しているので、外部からの電荷の流入等によりＭ
Ｒ素子に高電圧が加わったような場合には、コンデンサ
に電荷が流入する。したがって、本発明に係るＭＲヘッ
ドでは、外部からの電荷の流入等があったとしても、Ｍ
Ｒ素子に過電流が流れるようなことはない。したがっ
て、本発明に係るＭＲヘッドでは、ＥＳＤ／ＥＯＳによ
るＭＲ素子の破壊が生じ難い。
るＭＲヘッドでは、ＭＲ素子に対してコンデンサを並列
に接続しているので、外部からの電荷の流入等によりＭ
Ｒ素子に高電圧が加わったような場合には、コンデンサ
に電荷が流入する。したがって、本発明に係るＭＲヘッ
ドでは、外部からの電荷の流入等があったとしても、Ｍ
Ｒ素子に過電流が流れるようなことはない。したがっ
て、本発明に係るＭＲヘッドでは、ＥＳＤ／ＥＯＳによ
るＭＲ素子の破壊が生じ難い。
【００７３】しかも、本発明に係るＭＲヘッドでは、上
記コンデンサを構成する電極として基板を用いているの
で、当該コンデンサの容量を比較的に自由に設定するこ
とが可能である。したがって、本発明に係るＭＲヘッド
では、ＥＳＤ／ＥＯＳによるＭＲ素子の破壊を防止する
ためのコンデンサの容量を十分に大きく設定することが
可能であり、ＥＳＤ／ＥＯＳによるＭＲ素子の破壊をほ
ぼ確実に防止することができる。
記コンデンサを構成する電極として基板を用いているの
で、当該コンデンサの容量を比較的に自由に設定するこ
とが可能である。したがって、本発明に係るＭＲヘッド
では、ＥＳＤ／ＥＯＳによるＭＲ素子の破壊を防止する
ためのコンデンサの容量を十分に大きく設定することが
可能であり、ＥＳＤ／ＥＯＳによるＭＲ素子の破壊をほ
ぼ確実に防止することができる。
【００７４】更に、本発明に係るＭＲヘッドでは、ＥＳ
Ｄ／ＥＯＳによるＭＲ素子の破壊を防止するためのコン
デンサの電極として基板を使用するようにしてるので、
ＭＲヘッドの製造プロセスにおいて、ヘッド素子を形成
する前の段階で、ＥＳＤ／ＥＯＳによるＭＲ素子の破壊
を防止するためのコンデンサを形成しておくことが可能
となる。したがって、本発明よれば、ＭＲヘッドの作製
中におけるＭＲ素子の破壊も防止することができる。
Ｄ／ＥＯＳによるＭＲ素子の破壊を防止するためのコン
デンサの電極として基板を使用するようにしてるので、
ＭＲヘッドの製造プロセスにおいて、ヘッド素子を形成
する前の段階で、ＥＳＤ／ＥＯＳによるＭＲ素子の破壊
を防止するためのコンデンサを形成しておくことが可能
となる。したがって、本発明よれば、ＭＲヘッドの作製
中におけるＭＲ素子の破壊も防止することができる。
【図１】本発明を適用したＭＲヘッドを備えた磁気ヘッ
ドの一例について、その一部を切り欠いて示す斜視図で
ある。
ドの一例について、その一部を切り欠いて示す斜視図で
ある。
【図２】図１に示した磁気ヘッドについて、第１の導体
を通る平面で切断した断面図である。
を通る平面で切断した断面図である。
【図３】図１に示した磁気ヘッドに備えられたＭＲヘッ
ドの等価回路を示す図である。
ドの等価回路を示す図である。
【図４】基板と導電膜とから構成されるコンデンサの側
に流れる電流Ｉ1と、ＭＲ素子の側に流れる電流Ｉ2とに
ついて、外部から電荷が流入してきたときの経時変化を
示す図である。
に流れる電流Ｉ1と、ＭＲ素子の側に流れる電流Ｉ2とに
ついて、外部から電荷が流入してきたときの経時変化を
示す図である。
【図５】本発明を適用したＭＲヘッドを備えた磁気ヘッ
ドの他の例について、その一部を切り欠いて示す斜視図
である。
ドの他の例について、その一部を切り欠いて示す斜視図
である。
【図６】本発明を適用したＭＲヘッドを備えた磁気ヘッ
ドの他の例について、その一部を切り欠いて示す斜視図
である。
ドの他の例について、その一部を切り欠いて示す斜視図
である。
【図７】図６に示した磁気ヘッドについて、第１の導体
を通る平面で切断した断面図である。
を通る平面で切断した断面図である。
【図８】図６に示した磁気ヘッドについて、第２の導体
を通る平面で切断した断面図である。
を通る平面で切断した断面図である。
【図９】本発明を適用したＭＲヘッドを備えた磁気ヘッ
ドの他の例について、第２の導体を通る平面で切断した
断面図である。
ドの他の例について、第２の導体を通る平面で切断した
断面図である。
【図１０】本発明を適用したＭＲヘッドを備えた磁気ヘ
ッドの他の例について、第１の導体を通る平面で切断し
た断面図である。
ッドの他の例について、第１の導体を通る平面で切断し
た断面図である。
【図１１】図１０に示した磁気ヘッドについて、第２の
導体を通る平面で切断した断面図である。
導体を通る平面で切断した断面図である。
１ 磁気ヘッド、 ２ 基板、 ３ 絶縁層、 ４ 導
電膜、 ５ 第１の磁気シールド、 ６ ＭＲ素子、
７ 第２の磁気シールド、 ８，９ 永久磁石膜、 １
０ 第１の導体、 １１ 第２の導体、 １２ 上層コ
ア、 １３ 薄膜コイル
電膜、 ５ 第１の磁気シールド、 ６ ＭＲ素子、
７ 第２の磁気シールド、 ８，９ 永久磁石膜、 １
０ 第１の導体、 １１ 第２の導体、 １２ 上層コ
ア、 １３ 薄膜コイル
Claims (5)
- 【請求項１】 感磁部として磁気抵抗効果素子を用いた
ヘッド素子が基板上に形成されてなる磁気抵抗効果型磁
気ヘッドにおいて、 上記磁気抵抗効果素子に対して並列に接続されたコンデ
ンサを備え、 上記基板は導電性を有する材料からなり、当該基板が上
記コンデンサを構成する電極のうちの一つとされている
ことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項２】 上記基板上に絶縁層を介して配された導
電膜と、 上記導電膜上に絶縁層を介して配された第１の磁気シー
ルドと、 上記第１の磁気シールド上に絶縁層を介して配された上
記磁気抵抗効果素子と、 上記磁気抵抗効果素子上に絶縁層を介して配された第２
の磁気シールドとを備え、 上記導電膜は、上記磁気抵抗効果素子の一端に電気的に
接続され、 上記コンデンサは、上記基板と上記導電膜とによって構
成されていることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗
効果型磁気ヘッド。 - 【請求項３】 上記第１の磁気シールドと上記導電膜と
が電気的に接続されていることを特徴とする請求項２記
載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項４】 上記基板上に絶縁層を介して配された第
１の導電膜と、 上記第１の導電膜上に絶縁層を介して配された第２の導
電膜と、 上記第２の導電膜上に絶縁層を介して配された第１の磁
気シールドと、 上記第１の磁気シールド上に絶縁層を介して配された上
記磁気抵抗効果素子と、 上記磁気抵抗効果素子上に絶縁層を介して配された第２
の磁気シールドとを備え、 上記第１の導電膜は、上記磁気抵抗効果素子の一端に電
気的に接続され、 上記コンデンサは、上記基板と上記第１の導電膜と上記
第２の導電膜とによって構成されていることを特徴とす
る請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項５】 上記第１の磁気シールドと上記第２の導
電膜とが電気的に接続されていることを特徴とする請求
項４記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09645898A JP3843596B2 (ja) | 1998-04-08 | 1998-04-08 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
| US09/285,094 US6331924B1 (en) | 1998-04-08 | 1999-04-02 | Magnetoresistive head using a magnetoresistive element as a magnetic detector |
| KR1019990012230A KR19990083021A (ko) | 1998-04-08 | 1999-04-07 | 자기 저항 헤드 |
| CN99104966A CN1234578A (zh) | 1998-04-08 | 1999-04-08 | 磁阻头 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09645898A JP3843596B2 (ja) | 1998-04-08 | 1998-04-08 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11296817A true JPH11296817A (ja) | 1999-10-29 |
| JP3843596B2 JP3843596B2 (ja) | 2006-11-08 |
Family
ID=14165593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09645898A Expired - Fee Related JP3843596B2 (ja) | 1998-04-08 | 1998-04-08 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6331924B1 (ja) |
| JP (1) | JP3843596B2 (ja) |
| KR (1) | KR19990083021A (ja) |
| CN (1) | CN1234578A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004097808A1 (ja) * | 2003-04-28 | 2004-11-11 | Hitachi, Ltd. | 磁気ヘッドウェハ及び複合型磁気ヘッドの製造方法 |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6583971B1 (en) * | 1999-03-09 | 2003-06-24 | Sae Magnetics (Hk) Ltd. | Elimination of electric-pop noise in MR/GMR device |
| JP3473835B2 (ja) * | 1999-06-10 | 2003-12-08 | Ｔｄｋ株式会社 | 薄膜磁気ヘッド集合体及びその処理方法 |
| US6400534B1 (en) * | 2000-03-21 | 2002-06-04 | International Business Machines Corporation | Resistive shunt ESD and EOS protection for recording heads |
| US6704174B2 (en) * | 2000-12-15 | 2004-03-09 | Sony Corporation | Magnetic recording and playback device with ESD protection |
| JP2003077240A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-14 | Toshiba Corp | ディスク装置及び同装置におけるヘッドロード制御方法 |
| JP3835237B2 (ja) * | 2001-10-09 | 2006-10-18 | ソニー株式会社 | ヘッドドラム装置および磁気記録再生装置 |
| US7369370B2 (en) | 2002-08-07 | 2008-05-06 | Headway Technologies, Inc. | GMR head design that suppresses tribocharge during its assembly |
| US6870706B1 (en) | 2002-08-07 | 2005-03-22 | Headway Technologies, Inc. | Method for suppressing tribocharge in the assembly of magnetic heads |
| US7239000B2 (en) * | 2003-04-15 | 2007-07-03 | Honeywell International Inc. | Semiconductor device and magneto-resistive sensor integration |
| US7265543B2 (en) * | 2003-04-15 | 2007-09-04 | Honeywell International Inc. | Integrated set/reset driver and magneto-resistive sensor |
| US7206693B2 (en) * | 2003-04-15 | 2007-04-17 | Honeywell International Inc. | Method and apparatus for an integrated GPS receiver and electronic compassing sensor device |
| US7239488B2 (en) * | 2004-03-09 | 2007-07-03 | Sae Magnetics (H.K.), Ltd. | MR sensor on an insulating substrate and method of manufacture |
| KR100668327B1 (ko) * | 2005-02-14 | 2007-01-12 | 삼성전자주식회사 | 프로브 헤드 및 그 제조 방법 |
| JP4504902B2 (ja) * | 2005-10-28 | 2010-07-14 | ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| US7420365B2 (en) | 2006-03-15 | 2008-09-02 | Honeywell International Inc. | Single chip MR sensor integrated with an RF transceiver |
| US7864489B2 (en) * | 2007-02-26 | 2011-01-04 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head having an antistatic layer preventing a protective coat from being electrostatically charged |
| US8934197B2 (en) | 2012-07-16 | 2015-01-13 | Quantum Corporation | Magnetic media access head with metal coating |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07169005A (ja) * | 1993-10-29 | 1995-07-04 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 磁気抵抗システム用の電気オーバストレスおよび静電放電の保護 |
| JPH0944820A (ja) * | 1995-08-02 | 1997-02-14 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5761009A (en) * | 1995-06-07 | 1998-06-02 | International Business Machines Corporation | Having parastic shield for electrostatic discharge protection |
-
1998
- 1998-04-08 JP JP09645898A patent/JP3843596B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-04-02 US US09/285,094 patent/US6331924B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-04-07 KR KR1019990012230A patent/KR19990083021A/ko not_active Application Discontinuation
- 1999-04-08 CN CN99104966A patent/CN1234578A/zh active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07169005A (ja) * | 1993-10-29 | 1995-07-04 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 磁気抵抗システム用の電気オーバストレスおよび静電放電の保護 |
| JPH0944820A (ja) * | 1995-08-02 | 1997-02-14 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004097808A1 (ja) * | 2003-04-28 | 2004-11-11 | Hitachi, Ltd. | 磁気ヘッドウェハ及び複合型磁気ヘッドの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6331924B1 (en) | 2001-12-18 |
| KR19990083021A (ko) | 1999-11-25 |
| CN1234578A (zh) | 1999-11-10 |
| JP3843596B2 (ja) | 2006-11-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3843596B2 (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| US5805390A (en) | Method of fabricating magnetoresistive effect type magnetic head capable of preventing electrostatic damage | |
| US6995958B2 (en) | Method for suppressing tribocharge in the assembly of magnetic heads | |
| JPH11175931A (ja) | 磁気抵抗効果型複合ヘッド及び磁気ディスク装置 | |
| JP2000331315A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| US6721140B2 (en) | Magnetoresistive device and method of manufacturing same and thin-film magnetic head and method of manufacturing same | |
| JP2501261B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH0785422A (ja) | 複合型磁気ヘッド | |
| JP2004206790A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JP2942086B2 (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH103617A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JP3521553B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JP3079821B2 (ja) | 浮上型磁気ヘッド装置 | |
| JPH08167123A (ja) | 磁気ヘッドの製造方法、磁気ヘッド素子群を有する基板、及び、磁気ヘッド素子群を有する基板の製造方法 | |
| US7301732B2 (en) | GMR head design that suppresses tribocharge during its assembly | |
| JP2000285422A (ja) | ヘッドジンバルアッセンブリーおよびその製造方法 | |
| JP2501260B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JP2607184B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその絶縁破壊防止方法 | |
| JPH0540920A (ja) | 複合型磁気ヘツド及びその製造方法 | |
| JPH0546929A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH08293108A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JP2002358608A (ja) | 磁気ヘッド及び磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH11265503A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JP3854022B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH1011717A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッドおよび製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050111 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060710 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060725 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060807 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |