JP2607184B2 - 薄膜磁気ヘッドおよびその絶縁破壊防止方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドおよびその絶縁破壊防止方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ヘッド素子部が薄膜技
術によって積層構成された薄膜磁気ヘッドにおける絶縁
破壊防止に関する。
術によって積層構成された薄膜磁気ヘッドにおける絶縁
破壊防止に関する。
【０００２】
【従来の技術】図６は薄膜磁気ヘッドの全容を示す斜視
図、図７は薄膜磁気ヘッドの素子部の層構成を示す断面
図（図６におけるＡ−Ａ断面図）である。
図、図７は薄膜磁気ヘッドの素子部の層構成を示す断面
図（図６におけるＡ−Ａ断面図）である。
【０００３】薄膜磁気ヘッドは、スライダ部１とヘッド
素子部２とで構成され、ヘッド素子部２は成膜技術とリ
ソグラフィ技術によって積層形成される。3a、3bは記録
／再生コイルの端子である。浮上レール４や流入斜面５
は、スライダ部１を研削することによって形成される。
素子部２とで構成され、ヘッド素子部２は成膜技術とリ
ソグラフィ技術によって積層形成される。3a、3bは記録
／再生コイルの端子である。浮上レール４や流入斜面５
は、スライダ部１を研削することによって形成される。
【０００４】図７に示すように、ヘッド素子部２は、磁
路を構成する下部磁極７と上部磁極11との間に薄膜コイ
ル９を巻いた構成になっている。そして、ギャップ絶縁
層８で、下部磁極７と上部磁極11間のギャップＧの寸法
が規定され、このギャップＧを磁気記録媒体に対向させ
ることで、情報の記録／再生が行われる。
路を構成する下部磁極７と上部磁極11との間に薄膜コイ
ル９を巻いた構成になっている。そして、ギャップ絶縁
層８で、下部磁極７と上部磁極11間のギャップＧの寸法
が規定され、このギャップＧを磁気記録媒体に対向させ
ることで、情報の記録／再生が行われる。
【０００５】薄膜コイル９は、コイル絶縁層10で絶縁さ
れており、また下部保護膜６と上部保護膜12とでヘッド
全体が覆われている。
れており、また下部保護膜６と上部保護膜12とでヘッド
全体が覆われている。
【０００６】図８は、薄膜磁気ヘッドにおけるヘッド素
子部２の成膜プロセスを工程順に示す断面図である。次
に、成膜プロセスの概略を説明する。なお、各膜の形状
は、成膜の後にリソグラフィ技術とエッチング技術によ
って所定パターンに形成される。
子部２の成膜プロセスを工程順に示す断面図である。次
に、成膜プロセスの概略を説明する。なお、各膜の形状
は、成膜の後にリソグラフィ技術とエッチング技術によ
って所定パターンに形成される。
【０００７】a.下部磁極の成膜 Al2O3 ・TiＣの基板（ウェハ）13上に、Al2O3 をスパッ
タして成膜し、下部保護膜６とする。その上に、NiFeを
メッキで成膜し、下部磁極７とする。
タして成膜し、下部保護膜６とする。その上に、NiFeを
メッキで成膜し、下部磁極７とする。
【０００８】b.ギャップ絶縁層の成膜 下部磁極７上にAl2O3 をスパッタで成膜し、ギャップ絶
縁層８を形成する。
縁層８を形成する。
【０００９】c.コイル絶縁層の成膜 ギャップ絶縁層８上にフォトレジストをスピンコートし
て熱硬化させ、コイル絶縁層10ａを形成する。ただし、
１回のコーティングと熱硬化では膜厚が足りないため、
数回繰り返して成膜を行ない、必要とする膜厚のコイル
絶縁層10ａとする。
て熱硬化させ、コイル絶縁層10ａを形成する。ただし、
１回のコーティングと熱硬化では膜厚が足りないため、
数回繰り返して成膜を行ない、必要とする膜厚のコイル
絶縁層10ａとする。
【００１０】d.薄膜コイルの成膜 コイル絶縁層10ａ上にCuをメッキで成膜し、薄膜コイル
９を形成する。この際に、薄膜コイル９の片方の端子3a
も同時に形成され、図６に示すように積層構造のヘッド
素子部２の外側まで引き出される。
９を形成する。この際に、薄膜コイル９の片方の端子3a
も同時に形成され、図６に示すように積層構造のヘッド
素子部２の外側まで引き出される。
【００１１】e.コイル絶縁層の成膜 薄膜コイル９上にフォトレジストをスピンコートし、熱
硬化させてコイル絶縁層10ｂを形成する。この場合も、
１回のコーティングと熱硬化では膜厚が足りないため、
数回繰り返して成膜を行ない、必要とする膜厚のコイル
絶縁層10ｂとする。なお、前記のコイル端子3aの上には
コイル絶縁層10ｂを重ねないことは言うまでもない。ま
た、コイル絶縁層10ｂの上に他方の端子3bが形成され、
図６に示すように積層構造のヘッド素子部２の外側まで
引き出される。
硬化させてコイル絶縁層10ｂを形成する。この場合も、
１回のコーティングと熱硬化では膜厚が足りないため、
数回繰り返して成膜を行ない、必要とする膜厚のコイル
絶縁層10ｂとする。なお、前記のコイル端子3aの上には
コイル絶縁層10ｂを重ねないことは言うまでもない。ま
た、コイル絶縁層10ｂの上に他方の端子3bが形成され、
図６に示すように積層構造のヘッド素子部２の外側まで
引き出される。
【００１２】f.上部磁極の成膜 コイル絶縁層10ｂの上にNiFeをメッキで成膜し、上部磁
極11を形成する。
極11を形成する。
【００１３】g.上部保護膜の成膜 上部磁極11上にAl2O3 をスパッタで成膜し、上部保護膜
12を形成する。その後、数個〜10個単位のスライダブロ
ックに分離し、スライダブロックの状態で、15で示す研
削位置まで研削する。
12を形成する。その後、数個〜10個単位のスライダブロ
ックに分離し、スライダブロックの状態で、15で示す研
削位置まで研削する。
【００１４】図９は、スライダブロックの切断分離の仕
方を示す図で、 (a)はウェハの平面図、 (b)は１個のス
ライダブロックの平面図、 (c)は１個のスライダブロッ
クの拡大斜視図、である。
方を示す図で、 (a)はウェハの平面図、 (b)は１個のス
ライダブロックの平面図、 (c)は１個のスライダブロッ
クの拡大斜視図、である。
【００１５】前記のプロセスによって、 (a)に示すよう
に１枚のウェハ16上に同時に多数のヘッド素子部２を配
列形成した後、鎖線Ｌ上を切断して数個ないし10個単位
のスライダブロック17に分離し、各スライダブロック17
ごとに、ギャップ深さが所定の深さとなるように研削す
る。すなわち、 (c)図に示すギャップ深さ加工面18を、
図８ (g)に示す研削位置15まで、基板13と成膜各層を研
削する。
に１枚のウェハ16上に同時に多数のヘッド素子部２を配
列形成した後、鎖線Ｌ上を切断して数個ないし10個単位
のスライダブロック17に分離し、各スライダブロック17
ごとに、ギャップ深さが所定の深さとなるように研削す
る。すなわち、 (c)図に示すギャップ深さ加工面18を、
図８ (g)に示す研削位置15まで、基板13と成膜各層を研
削する。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】このように薄膜コイル
９および上下の磁極11、７を形成した後の工程におい
て、静電気が発生することがある。また、ヘッド素子部
２が完成した薄膜磁気ヘッドの搬送時や組立て作業時に
も静電気が発生する。
９および上下の磁極11、７を形成した後の工程におい
て、静電気が発生することがある。また、ヘッド素子部
２が完成した薄膜磁気ヘッドの搬送時や組立て作業時に
も静電気が発生する。
【００１７】ところが、前記のように薄膜磁気ヘッド
は、成膜技術によって積層された構造なため、薄膜コイ
ル９とその上下の磁極11、７との間の絶縁層10ａまたは
10ｂの膜厚は数μｍ程度しかなく、絶縁耐圧が極めて低
い。そのため、静電気が発生し100V程度以上の高電圧が
薄膜コイル９と磁極11、７間に加わると、容易に絶縁破
壊を起こす。薄膜コイル９と磁極11、７間の絶縁が破壊
されると、薄膜コイル９の記録／再生動作時の動作電位
と記録媒体との間に電位差が生じた場合、放電が発生
し、磁極の記録／再生ギャップが損傷を受ける。
は、成膜技術によって積層された構造なため、薄膜コイ
ル９とその上下の磁極11、７との間の絶縁層10ａまたは
10ｂの膜厚は数μｍ程度しかなく、絶縁耐圧が極めて低
い。そのため、静電気が発生し100V程度以上の高電圧が
薄膜コイル９と磁極11、７間に加わると、容易に絶縁破
壊を起こす。薄膜コイル９と磁極11、７間の絶縁が破壊
されると、薄膜コイル９の記録／再生動作時の動作電位
と記録媒体との間に電位差が生じた場合、放電が発生
し、磁極の記録／再生ギャップが損傷を受ける。
【００１８】絶縁破壊を防ぐには、絶縁層10ａ、10ｂを
厚くするとか、静電気などによる異常電圧が発生するの
を防止することが考えられるが、いずれも確実な対策と
はならない。
厚くするとか、静電気などによる異常電圧が発生するの
を防止することが考えられるが、いずれも確実な対策と
はならない。
【００１９】本発明の技術的課題は、このような問題に
着目し、薄膜磁気ヘッドにおける薄膜コイルと磁極との
間の絶縁破壊を確実に防止可能とすることにある。
着目し、薄膜磁気ヘッドにおける薄膜コイルと磁極との
間の絶縁破壊を確実に防止可能とすることにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】図１は本発明による薄膜
磁気ヘッドおよびその絶縁破壊防止方法の基本原理を説
明する斜視図である。請求項１は、図１に示すように、
ヘッド素子部２が積層構造になっている薄膜磁気ヘッド
において、少なくとも片方の磁極に短絡用パターン19を
接続しておき、積層部の外において、該短絡用パターン
19と薄膜コイルの片方の端子3aを接続してなる構造であ
る。
磁気ヘッドおよびその絶縁破壊防止方法の基本原理を説
明する斜視図である。請求項１は、図１に示すように、
ヘッド素子部２が積層構造になっている薄膜磁気ヘッド
において、少なくとも片方の磁極に短絡用パターン19を
接続しておき、積層部の外において、該短絡用パターン
19と薄膜コイルの片方の端子3aを接続してなる構造であ
る。
【００２１】請求項２は、請求項１のように、磁極に短
絡用パターン19を接続し、積層部の外において、該短絡
用パターン19と薄膜コイルの端子3aを接続しておき、薄
膜磁気ヘッドを実装した後、記録／再生動作を行なう前
に、該短絡用パターン19と薄膜コイル端子3aとを分離す
るものである。
絡用パターン19を接続し、積層部の外において、該短絡
用パターン19と薄膜コイルの端子3aを接続しておき、薄
膜磁気ヘッドを実装した後、記録／再生動作を行なう前
に、該短絡用パターン19と薄膜コイル端子3aとを分離す
るものである。
【００２２】請求項３は、請求項１のように短絡用パタ
ーン19で接続する手法に代えて、電圧／電流特性が非線
型で、ある値以上の高電圧が印加されると抵抗値が急低
下する非線型素子23を、磁極と薄膜コイルとの間に接続
するものである。
ーン19で接続する手法に代えて、電圧／電流特性が非線
型で、ある値以上の高電圧が印加されると抵抗値が急低
下する非線型素子23を、磁極と薄膜コイルとの間に接続
するものである。
【００２３】
【作用】請求項１の構成によれば、図１に示すように、
短絡用パターン19が少なくとも片方の磁極に接続されて
おり、この短絡用パターン19は、積層部の外において、
薄膜コイル９の片方の端子3aに接続されている。このよ
うに、積層部の外において、図７、図８における薄膜コ
イル９と磁極11、７が短絡され、同電位となるため、薄
膜コイル９や磁極11、７に静電気によって異常な高電圧
が印加されても、絶縁破壊を起こすようなことはない。
短絡用パターン19が少なくとも片方の磁極に接続されて
おり、この短絡用パターン19は、積層部の外において、
薄膜コイル９の片方の端子3aに接続されている。このよ
うに、積層部の外において、図７、図８における薄膜コ
イル９と磁極11、７が短絡され、同電位となるため、薄
膜コイル９や磁極11、７に静電気によって異常な高電圧
が印加されても、絶縁破壊を起こすようなことはない。
【００２４】このように薄膜コイル９と磁極11、７との
間を予め短絡しておけば、両者間における絶縁破壊を未
然に防止できるが、短絡したままでは薄膜磁気ヘッドと
して記録／再生に使用できない。そこで、請求項２のよ
うに、薄膜磁気ヘッドを装置に実装した後、記録／再生
動作を行なう前に、該短絡用パターン19と薄膜コイル端
子3aとを分離し、電気的に絶縁するものである。例え
ば、図１における短絡用パターン19を、鎖線位置ｃなど
においてレーザビームなどで切断する。
間を予め短絡しておけば、両者間における絶縁破壊を未
然に防止できるが、短絡したままでは薄膜磁気ヘッドと
して記録／再生に使用できない。そこで、請求項２のよ
うに、薄膜磁気ヘッドを装置に実装した後、記録／再生
動作を行なう前に、該短絡用パターン19と薄膜コイル端
子3aとを分離し、電気的に絶縁するものである。例え
ば、図１における短絡用パターン19を、鎖線位置ｃなど
においてレーザビームなどで切断する。
【００２５】このように、薄膜コイル９と磁極11、７と
の間を短絡用パターン19で接続する手法では、請求項２
に記載のように、記録／再生動作に先立って短絡用パタ
ーン19を切断分離する、という作業が必要である。これ
に対し、請求項３のように、電圧／電流特性が非線型
で、ある値以上の高電圧が印加されると抵抗値が急低下
する非線型素子23を、磁極と薄膜コイル９との間に接続
しておく構成では、後処理の必要がない。
の間を短絡用パターン19で接続する手法では、請求項２
に記載のように、記録／再生動作に先立って短絡用パタ
ーン19を切断分離する、という作業が必要である。これ
に対し、請求項３のように、電圧／電流特性が非線型
で、ある値以上の高電圧が印加されると抵抗値が急低下
する非線型素子23を、磁極と薄膜コイル９との間に接続
しておく構成では、後処理の必要がない。
【００２６】すなわち、前記のように非線型素子23を接
続した構成では、薄膜コイル９と磁極11、７間に異常に
高い電圧が印加されると、導通状態となるため、絶縁破
壊が未然に防止される。また、薄膜磁気ヘッドを駆動す
る際の通常の電圧では、薄膜コイル９と磁極11、７間は
絶縁状態となるため、この非線型素子23は接続したまま
でよい。
続した構成では、薄膜コイル９と磁極11、７間に異常に
高い電圧が印加されると、導通状態となるため、絶縁破
壊が未然に防止される。また、薄膜磁気ヘッドを駆動す
る際の通常の電圧では、薄膜コイル９と磁極11、７間は
絶縁状態となるため、この非線型素子23は接続したまま
でよい。
【００２７】
【実施例】次に本発明による薄膜磁気ヘッドおよびその
絶縁破壊防止方法が実際上どのように具体化されるかを
実施例で説明する。図２は本発明による薄膜磁気ヘッド
の第一実施例を示す要部拡大図である。９は薄膜コイル
であり、図８における (d)の工程で形成されるが、前記
のようにこの工程において、片方の端子3aも形成され
る。
絶縁破壊防止方法が実際上どのように具体化されるかを
実施例で説明する。図２は本発明による薄膜磁気ヘッド
の第一実施例を示す要部拡大図である。９は薄膜コイル
であり、図８における (d)の工程で形成されるが、前記
のようにこの工程において、片方の端子3aも形成され
る。
【００２８】薄膜コイル９を形成した後、図８の (e)の
工程で上部絶縁層10ｂが形成される。この上部絶縁層10
ｂの上に、薄膜コイル９の他方の端子3bと上部磁極11が
形成され、その上に上部保護膜12が形成されるが、この
図においては説明の都合上、上部絶縁層10ｂと上部保護
膜12は図示されていない。
工程で上部絶縁層10ｂが形成される。この上部絶縁層10
ｂの上に、薄膜コイル９の他方の端子3bと上部磁極11が
形成され、その上に上部保護膜12が形成されるが、この
図においては説明の都合上、上部絶縁層10ｂと上部保護
膜12は図示されていない。
【００２９】請求項１の発明に基づいて、磁極11とコイ
ル端子3bを接続する短絡用パターン19が形成されてい
る。図示例では、磁極11を形成した後、該磁極11と薄膜
コイル９の端子3bを接続する短絡用パターン19がAu蒸着
などによって形成されているが、磁極11を形成する際
に、磁極11と同じ材料で連続した短絡用パターン19を形
成してもよい。
ル端子3bを接続する短絡用パターン19が形成されてい
る。図示例では、磁極11を形成した後、該磁極11と薄膜
コイル９の端子3bを接続する短絡用パターン19がAu蒸着
などによって形成されているが、磁極11を形成する際
に、磁極11と同じ材料で連続した短絡用パターン19を形
成してもよい。
【００３０】矢印２−２側はヘッド素子部であり、ヘッ
ド素子部２の外側において、短絡用パターン19が薄膜コ
イル端子3bに接続しているため、薄膜磁気ヘッドの製造
工程や搬送工程、磁気ディスク装置や磁気テープ装置へ
の組込み工程などが完了するまでに、静電気による高電
圧が発生しても、薄膜コイル９と磁極11、７間は同電位
なため、間の絶縁層が絶縁破壊を起こすような恐れはな
い。なお、20はリード線であり、薄膜コイル９の両端を
磁気ディスク装置や磁気テープ装置の記録／再生回路に
接続するものである。
ド素子部２の外側において、短絡用パターン19が薄膜コ
イル端子3bに接続しているため、薄膜磁気ヘッドの製造
工程や搬送工程、磁気ディスク装置や磁気テープ装置へ
の組込み工程などが完了するまでに、静電気による高電
圧が発生しても、薄膜コイル９と磁極11、７間は同電位
なため、間の絶縁層が絶縁破壊を起こすような恐れはな
い。なお、20はリード線であり、薄膜コイル９の両端を
磁気ディスク装置や磁気テープ装置の記録／再生回路に
接続するものである。
【００３１】薄膜磁気ヘッドの製造、組立て工程が完了
し、記録／再生動作を行なうに際しては、請求項２の発
明に従って、短絡用パターン19を鎖線ｃで示す位置にお
いて、レーザ光線などで切断する。
し、記録／再生動作を行なうに際しては、請求項２の発
明に従って、短絡用パターン19を鎖線ｃで示す位置にお
いて、レーザ光線などで切断する。
【００３２】図３は第二の実施例であり、薄膜コイル９
の端子3bを形成する際に、端子3bと一体の突出パターン
21を形成しておき、この突出パターン21に、磁極11に接
続した短絡用パターン19の先端が重なるように形成して
もよい。あるいは、端子3bと短絡用パターン19とを接続
する部分21のみ、切断の容易な材料で形成することも可
能である。
の端子3bを形成する際に、端子3bと一体の突出パターン
21を形成しておき、この突出パターン21に、磁極11に接
続した短絡用パターン19の先端が重なるように形成して
もよい。あるいは、端子3bと短絡用パターン19とを接続
する部分21のみ、切断の容易な材料で形成することも可
能である。
【００３３】あるいは、図４に示すように、薄膜コイル
９の端子3bをパターン形成する際に、磁極11上まで延び
る短絡用パターン19ａを同時に形成することもできる。
このように端子3bを形成する際に、端子3bを延長して短
絡用パターン19ａを形成する手法の場合は、工数が増え
ることもなく、安価に実現できる。
９の端子3bをパターン形成する際に、磁極11上まで延び
る短絡用パターン19ａを同時に形成することもできる。
このように端子3bを形成する際に、端子3bを延長して短
絡用パターン19ａを形成する手法の場合は、工数が増え
ることもなく、安価に実現できる。
【００３４】請求項３に従って、薄膜コイル９と磁極1
1、７との間に非線型素子を接続する際に最も簡易な手
法は、図５に示すように磁極11と接続した引出しパター
ン22を形成しておき、該引出しパターン22と薄膜コイル
端子3bとの間に非線型素子23を接続する構成である。非
線型素子23としては、いわゆるバリスタと呼ばれる抵抗
器などが適している。
1、７との間に非線型素子を接続する際に最も簡易な手
法は、図５に示すように磁極11と接続した引出しパター
ン22を形成しておき、該引出しパターン22と薄膜コイル
端子3bとの間に非線型素子23を接続する構成である。非
線型素子23としては、いわゆるバリスタと呼ばれる抵抗
器などが適している。
【００３５】このように独立した非線型素子23を接続す
る手法のほかに、ヘッド素子部２を積層する工程におい
て、薄膜技術で非線型素子を形成し、薄膜コイル９と上
部磁極11または下部磁極７との間に接続することも可能
である。
る手法のほかに、ヘッド素子部２を積層する工程におい
て、薄膜技術で非線型素子を形成し、薄膜コイル９と上
部磁極11または下部磁極７との間に接続することも可能
である。
【００３６】
【発明の効果】以上のように請求項１の発明によれば、
積層部の外において、薄膜コイル９と磁極11が短絡さ
れ、同電位となっているため、薄膜コイル９や磁極11、
７に異常な高電圧が印加されても、絶縁破壊を起こすよ
うなことはない。そして、薄膜磁気ヘッドの製造や組立
てなどの一連の作業を完了し、記録／再生動作を行なう
前に、前記の短絡部を分離し、電気的に絶縁するため、
磁気記録／再生に支障を来すことはない。
積層部の外において、薄膜コイル９と磁極11が短絡さ
れ、同電位となっているため、薄膜コイル９や磁極11、
７に異常な高電圧が印加されても、絶縁破壊を起こすよ
うなことはない。そして、薄膜磁気ヘッドの製造や組立
てなどの一連の作業を完了し、記録／再生動作を行なう
前に、前記の短絡部を分離し、電気的に絶縁するため、
磁気記録／再生に支障を来すことはない。
【００３７】また、請求項３のように、電圧／電流特性
が非線型で、ある値以上の高電圧が印加されると抵抗値
が急低下する非線型素子23を、磁極と薄膜コイル９との
間に接続しておく構成では、非線型素子23を永久に接続
したままでよいので、請求項２の方法における切断作業
が不必要となる。
が非線型で、ある値以上の高電圧が印加されると抵抗値
が急低下する非線型素子23を、磁極と薄膜コイル９との
間に接続しておく構成では、非線型素子23を永久に接続
したままでよいので、請求項２の方法における切断作業
が不必要となる。
【図１】本発明による薄膜磁気ヘッドおよびその絶縁破
壊防止方法の基本原理を説明する斜視図である。
壊防止方法の基本原理を説明する斜視図である。
【図２】本発明の第一実施例を示す図である。
【図３】本発明の第二実施例を示す図である。
【図４】本発明の第三実施例を示す図である。
【図５】本発明の第四実施例を示す図である。
【図６】薄膜磁気ヘッドの全容を示す斜視図である。
【図７】薄膜磁気ヘッドの素子部の層構成を示す断面図
（図６におけるＡ−Ａ断面図）である。
（図６におけるＡ−Ａ断面図）である。
【図８】薄膜磁気ヘッドにおけるヘッド素子部の成膜プ
ロセスを工程順に示す断面図である。
ロセスを工程順に示す断面図である。
【図９】スライダブロックの切断分離の仕方を示す図で
ある。
ある。
１ スライダ部 ２ ヘッド素子部 3a,3b コイルの端子 ６ 下部保護膜 ７ 下部磁極 ８ ギャップ絶縁層 Ｇ 記録／再生ギャップ ９ 薄膜コイル 10 コイル絶縁層 10a 下部絶縁層 10b 上部絶縁層 11 上部磁極 12 上部保護膜 13 基板 15 研削位置 16 ウェハ 17 スライダブロック 19,19a 短絡用パターン ｃ 切断位置 20 リード線 21 突出パターン 22 引出しパターン 23 非線型素子
Claims (3)
- 【請求項１】 ヘッド素子部２が積層構造になっている
薄膜磁気ヘッドにおいて、磁極に短絡用パターン19を接
続しておき、積層部の外において、該短絡用パターン19
と薄膜コイルの端子を接続してなる薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 ヘッド素子部２が積層構造になっている
薄膜磁気ヘッドの絶縁破壊防止方法であって、磁極に短
絡用パターン19を接続し、積層部の外において、該短絡
用パターン19と薄膜コイルの端子を接続しておき、薄膜
磁気ヘッドを実装した後、記録／再生動作を行なう前
に、該短絡用パターン19と薄膜コイル端子とを分離する
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの絶縁破壊防止方法。 - 【請求項３】 ヘッド素子部２が積層構造になっている
薄膜磁気ヘッドにおいて、電圧／電流特性が非線型で、
ある値以上の高電圧が印加されると抵抗値が急低下する
非線型素子23を、磁極と薄膜コイルとの間に接続してな
る薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14207991A JP2607184B2 (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | 薄膜磁気ヘッドおよびその絶縁破壊防止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14207991A JP2607184B2 (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | 薄膜磁気ヘッドおよびその絶縁破壊防止方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04366409A JPH04366409A (ja) | 1992-12-18 |
| JP2607184B2 true JP2607184B2 (ja) | 1997-05-07 |
Family
ID=15306952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14207991A Expired - Fee Related JP2607184B2 (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | 薄膜磁気ヘッドおよびその絶縁破壊防止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2607184B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3874875B2 (ja) * | 1997-02-24 | 2007-01-31 | 富士通株式会社 | 磁気ディスク装置 |
| JP3389892B2 (ja) | 1999-09-24 | 2003-03-24 | 株式会社村田製作所 | ヘッド |
-
1991
- 1991-06-13 JP JP14207991A patent/JP2607184B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04366409A (ja) | 1992-12-18 |
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