JP3366813B2 - 記録再生分離型ヘッド及び磁気ディスク装置 - Google Patents
記録再生分離型ヘッド及び磁気ディスク装置Info
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- JP3366813B2 JP3366813B2 JP24507096A JP24507096A JP3366813B2 JP 3366813 B2 JP3366813 B2 JP 3366813B2 JP 24507096 A JP24507096 A JP 24507096A JP 24507096 A JP24507096 A JP 24507096A JP 3366813 B2 JP3366813 B2 JP 3366813B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、記録再生分離型ヘ
ッド及びこの記録再生分離型ヘッドを搭載した磁気ディ
スク装置に関する。
ッド及びこの記録再生分離型ヘッドを搭載した磁気ディ
スク装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】記録再生分離型ヘッドは、記録用に誘導
型ヘッドを、再生用に磁気抵抗効果（以下、ＭＲとい
う）素子を用いたものが主である。ＭＲ素子は、抵抗値
が磁界の強さに依存して変化する特性を利用した素子
で、再生出力が磁気記録媒体走行速度に依存せず磁気信
号の磁束量のみによって決るため低速でも十分な再生出
力が得られ、磁気記録装置の高密度化、小型化に対して
有利である。
型ヘッドを、再生用に磁気抵抗効果（以下、ＭＲとい
う）素子を用いたものが主である。ＭＲ素子は、抵抗値
が磁界の強さに依存して変化する特性を利用した素子
で、再生出力が磁気記録媒体走行速度に依存せず磁気信
号の磁束量のみによって決るため低速でも十分な再生出
力が得られ、磁気記録装置の高密度化、小型化に対して
有利である。
【０００３】なお、この種の磁気ヘッドに関連するもの
として、例えばＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．Ｍａｇｎ．，ｖ
ｏｌ．２６，ｐｐ．１６８９（１９９０）（アイイーイ
ーイー トランザクション オン マグネチックス、第
２６巻、１６８９頁（１９９０年））が挙げられる。
として、例えばＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．Ｍａｇｎ．，ｖ
ｏｌ．２６，ｐｐ．１６８９（１９９０）（アイイーイ
ーイー トランザクション オン マグネチックス、第
２６巻、１６８９頁（１９９０年））が挙げられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】磁気記録の分野では面
記録密度向上のために今後トラック密度の増加に加えて
線記録密度も大幅に向上させていくことが必要であり、
そのためにＭＲヘッドのギャップ長はますます詰まって
いくことになり、絶縁性の確保が重要な課題となってく
る。ＭＲヘッドの絶縁破壊は主として電極と上部及び下
部の磁気シールド間が短絡することで起こるため、上記
のようにギャップ長が狭まるにつれてこの確率は増加す
る傾向にある。上記従来技術は、この短絡の解決策につ
いては何ら検討していないという問題があった。
記録密度向上のために今後トラック密度の増加に加えて
線記録密度も大幅に向上させていくことが必要であり、
そのためにＭＲヘッドのギャップ長はますます詰まって
いくことになり、絶縁性の確保が重要な課題となってく
る。ＭＲヘッドの絶縁破壊は主として電極と上部及び下
部の磁気シールド間が短絡することで起こるため、上記
のようにギャップ長が狭まるにつれてこの確率は増加す
る傾向にある。上記従来技術は、この短絡の解決策につ
いては何ら検討していないという問題があった。
【０００５】本発明の第１の目的は、ＭＲヘッドの電極
と磁気シールド間が短絡する可能性を減らし、素子破壊
を防止した記録再生分離型ヘッドを提供することにあ
る。本発明の第２の目的は、そのような記録再生分離型
ヘッドを有する磁気ディスク装置を提供することにあ
る。
と磁気シールド間が短絡する可能性を減らし、素子破壊
を防止した記録再生分離型ヘッドを提供することにあ
る。本発明の第２の目的は、そのような記録再生分離型
ヘッドを有する磁気ディスク装置を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記本発明の第１の目的
を達成するために、本発明の記録再生分離型ヘッドは、
基板の上に下部磁気シールド膜、下部ギャップ膜を有
し、下部ギャップ膜の上に磁気抵抗効果膜と、磁気抵抗
効果膜の両端に磁区制御膜と電極とを有し、前記下部ギ
ャップ膜、磁気抵抗効果膜及び電極の上に上部ギャップ
膜と、磁性膜とを有し、この磁性膜は上部磁気シールド
膜と引出線に分離され、引出線の一端は電極に接続さ
れ、電極の上部磁気シールド膜と重なる部分の面積は上
部磁気シールド膜の面積の５０％以下である磁気抵抗効
果ヘッドと、磁気抵抗効果ヘッドに隣接して設けられた
誘導型ヘッドとを具備する。 前記下部磁気シールド膜の
奥行きを、前記上部磁気シールド膜の奥行きよりも短く
する。
を達成するために、本発明の記録再生分離型ヘッドは、
基板の上に下部磁気シールド膜、下部ギャップ膜を有
し、下部ギャップ膜の上に磁気抵抗効果膜と、磁気抵抗
効果膜の両端に磁区制御膜と電極とを有し、前記下部ギ
ャップ膜、磁気抵抗効果膜及び電極の上に上部ギャップ
膜と、磁性膜とを有し、この磁性膜は上部磁気シールド
膜と引出線に分離され、引出線の一端は電極に接続さ
れ、電極の上部磁気シールド膜と重なる部分の面積は上
部磁気シールド膜の面積の５０％以下である磁気抵抗効
果ヘッドと、磁気抵抗効果ヘッドに隣接して設けられた
誘導型ヘッドとを具備する。 前記下部磁気シールド膜の
奥行きを、前記上部磁気シールド膜の奥行きよりも短く
する。
【０００７】上記の重なる面積は０％であってもよい。
つまり磁気シールド膜と電極が平面的には重ならない
で、横にずれたように配置されていてもよい。また、磁
気シールド膜の少なくとも一方は、少なくとも上記誘導
型ヘッドの絶縁膜を覆う大きさであることが好ましい。
つまり磁気シールド膜と電極が平面的には重ならない
で、横にずれたように配置されていてもよい。また、磁
気シールド膜の少なくとも一方は、少なくとも上記誘導
型ヘッドの絶縁膜を覆う大きさであることが好ましい。
【０００８】前記本発明の第２の目的を達成するため
に、本発明の磁気ディスク装置は、磁気ディスクと、磁
気ディスクに情報を記録、再生するための前記記録再生
分離型ヘッドと、磁気ディスクと記録再生分離型ヘッド
の相対的な位置を変化させるための手段と、これらを制
御するための制御手段とを有する。
に、本発明の磁気ディスク装置は、磁気ディスクと、磁
気ディスクに情報を記録、再生するための前記記録再生
分離型ヘッドと、磁気ディスクと記録再生分離型ヘッド
の相対的な位置を変化させるための手段と、これらを制
御するための制御手段とを有する。
【０００９】
【００１０】
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を詳述
する。 〈実施例１〉 図１は、本発明の記録再生分離型ヘッドの一実施例の一
部切り欠け斜視図である。図１に示すように、記録再生
分離型ヘッドのＭＲヘッドの上部磁気シールド膜６は、
誘導型ヘッド（コイル８、第２の層間絶縁膜９、上部磁
性膜１０等により構成される）をカバーできるほど大き
い。なお、上部磁気シールド膜６は図の右手方向に下部
磁気シールド膜２を覆うように伸びているが（ただし後
に説明するように引出線１２のところには存在しな
い）、その部分を切り欠いて示している。誘導型ヘッド
部分を製造するとき、その下に段差があるとコイル断線
等を生じやすいが、このように上部磁気シールド膜６は
誘導型ヘッド、特にその絶縁膜をカバーするように大き
く、かつ、表面が平坦であるため、そのような不良モー
ドを考慮する必要がない。この磁気シールド膜と重なっ
て配置されているＭＲヘッドに電流を流す電極５の面積
を上記上部磁気シールド膜６の面積の５０％以下とする
ことにより、電極５と上部磁気シールド膜６がギャップ
膜をはさんで短絡する可能性を減らすことができる。
する。 〈実施例１〉 図１は、本発明の記録再生分離型ヘッドの一実施例の一
部切り欠け斜視図である。図１に示すように、記録再生
分離型ヘッドのＭＲヘッドの上部磁気シールド膜６は、
誘導型ヘッド（コイル８、第２の層間絶縁膜９、上部磁
性膜１０等により構成される）をカバーできるほど大き
い。なお、上部磁気シールド膜６は図の右手方向に下部
磁気シールド膜２を覆うように伸びているが（ただし後
に説明するように引出線１２のところには存在しな
い）、その部分を切り欠いて示している。誘導型ヘッド
部分を製造するとき、その下に段差があるとコイル断線
等を生じやすいが、このように上部磁気シールド膜６は
誘導型ヘッド、特にその絶縁膜をカバーするように大き
く、かつ、表面が平坦であるため、そのような不良モー
ドを考慮する必要がない。この磁気シールド膜と重なっ
て配置されているＭＲヘッドに電流を流す電極５の面積
を上記上部磁気シールド膜６の面積の５０％以下とする
ことにより、電極５と上部磁気シールド膜６がギャップ
膜をはさんで短絡する可能性を減らすことができる。
【００１２】これはさらに高密度化が進行し、ギャップ
長がさらに詰まってきたときに特に有効である。すなわ
ち、下記式（１）に示すように、ギャップ長Ｄが小さく
なると電極のコンデンサー容量Ｃは大きくなるが、電極
５の面積Ｌを小さくすることで容量が押さえることがで
きる。そのため、式（２）から分かるように、ＭＲヘッ
ドに電流を流す電極が電荷Ｑをため込まないので、静電
破壊による素子不良を防止することができる。 Ｃ（コンデンサー容量）＝Ｌ（電極の面積）／Ｄ（ギャップ長） （１） Ｑ（電荷）＝Ｃ（コンデンサー容量）・Ｖ（電圧） （２） なお、電極５及び上部磁気シールド膜６の面積は、それ
ぞれを形成するホトマスクの形状により制御できる。
長がさらに詰まってきたときに特に有効である。すなわ
ち、下記式（１）に示すように、ギャップ長Ｄが小さく
なると電極のコンデンサー容量Ｃは大きくなるが、電極
５の面積Ｌを小さくすることで容量が押さえることがで
きる。そのため、式（２）から分かるように、ＭＲヘッ
ドに電流を流す電極が電荷Ｑをため込まないので、静電
破壊による素子不良を防止することができる。 Ｃ（コンデンサー容量）＝Ｌ（電極の面積）／Ｄ（ギャップ長） （１） Ｑ（電荷）＝Ｃ（コンデンサー容量）・Ｖ（電圧） （２） なお、電極５及び上部磁気シールド膜６の面積は、それ
ぞれを形成するホトマスクの形状により制御できる。
【００１３】図３と図４に、上部磁気シールド膜の面積
に対するＭＲヘッドの電極の面積とＭＲヘッドの耐圧不
良率の関係を示す。ここで、図３のＭＲヘッドのギャッ
プ長は０．２μｍ、電圧は１０Ｖ、図４のＭＲヘッドの
ギャップ長は０．２５μｍ、電圧は１０Ｖである。ま
た、誘導型ヘッドの電圧はいずれも１００Ｖである。こ
の場合ＭＲヘッドの電極はすべて上部磁気シールド膜と
重なっているので、これらの図から解るように、この面
積が上部磁気シールド膜の５０％を越えると不良率が増
大する。
に対するＭＲヘッドの電極の面積とＭＲヘッドの耐圧不
良率の関係を示す。ここで、図３のＭＲヘッドのギャッ
プ長は０．２μｍ、電圧は１０Ｖ、図４のＭＲヘッドの
ギャップ長は０．２５μｍ、電圧は１０Ｖである。ま
た、誘導型ヘッドの電圧はいずれも１００Ｖである。こ
の場合ＭＲヘッドの電極はすべて上部磁気シールド膜と
重なっているので、これらの図から解るように、この面
積が上部磁気シールド膜の５０％を越えると不良率が増
大する。
【００１４】従来のＭＲヘッドでは上部磁気シールド膜
と重なるＭＲヘッドの電極の面積が上部磁気シールドの
面積の９０％程度であったが、本実施例に示すようにこ
の面積を上部磁気シールドの面積の５０％以下とするこ
とにより短絡を防ぐ効果があり、これは特にギャップ長
が狭くなったときに有効である。
と重なるＭＲヘッドの電極の面積が上部磁気シールドの
面積の９０％程度であったが、本実施例に示すようにこ
の面積を上部磁気シールドの面積の５０％以下とするこ
とにより短絡を防ぐ効果があり、これは特にギャップ長
が狭くなったときに有効である。
【００１５】以下、図１を元にして、ウエハ作成プロセ
スの概要を示す。セラミック基板１上にＮｉＦｅ等の磁
性膜により形成された下部磁気シールド膜２及びアルミ
ナ等の絶縁膜により形成された下部ギャップ膜（図示せ
ず）があり、その上にＭＲセンサ膜３がストライプ状に
形成される。ＭＲセンサ膜３は、ＮｉＦｅ等の磁性材料
を使用したＭＲ膜やＭＲ膜にバイアスを加えるバイアス
膜等複数の膜で構成されている。さらにこれらの横に
は、ＭＲ膜の磁区を安定させるための磁区制御膜４及び
ＭＲセンサ膜をセンサーとして働かせるための電流を供
給する役割を果たす電極５が形成される。電極５はリフ
トオフ法によって形成する。先に述べたようにこのとき
適当なホトマスクを使用することにより、電極５の面積
を上部磁気シールド膜６の面積の５０％以下とする。こ
のとき電極５の形状は様々に作れるが、例えば図１に示
すように浮上面（図の左手前に当たる）に近いところに
のみ電極５が配置されている形状が素子抵抗を低くする
という意味で好ましい。その後、アルミナ等の絶縁膜か
らなる上部ギャップ膜（図示せず）を形成する。
スの概要を示す。セラミック基板１上にＮｉＦｅ等の磁
性膜により形成された下部磁気シールド膜２及びアルミ
ナ等の絶縁膜により形成された下部ギャップ膜（図示せ
ず）があり、その上にＭＲセンサ膜３がストライプ状に
形成される。ＭＲセンサ膜３は、ＮｉＦｅ等の磁性材料
を使用したＭＲ膜やＭＲ膜にバイアスを加えるバイアス
膜等複数の膜で構成されている。さらにこれらの横に
は、ＭＲ膜の磁区を安定させるための磁区制御膜４及び
ＭＲセンサ膜をセンサーとして働かせるための電流を供
給する役割を果たす電極５が形成される。電極５はリフ
トオフ法によって形成する。先に述べたようにこのとき
適当なホトマスクを使用することにより、電極５の面積
を上部磁気シールド膜６の面積の５０％以下とする。こ
のとき電極５の形状は様々に作れるが、例えば図１に示
すように浮上面（図の左手前に当たる）に近いところに
のみ電極５が配置されている形状が素子抵抗を低くする
という意味で好ましい。その後、アルミナ等の絶縁膜か
らなる上部ギャップ膜（図示せず）を形成する。
【００１６】電極５の引出線１２は、上部磁気シールド
膜６と同じＮｉＦｅ等の磁性膜によりなる膜で同時に形
成し、それをホトマスクを用いてイオンミリングで分離
してそれぞれ引出線１２と上部磁気シールド膜６とす
る。そのため上部磁気シールド膜６は、前述したように
引出線１２のところには存在しない。また、電極上の適
当な部分（図では点線で示した部分）で上部ギャップ膜
（図示せず）をリフトオフ法により抜いて電極５と引出
線１２のコンタクトをとる。また、引出線１２を上部磁
気シールド膜と同じ膜で作ることにより、端子１１ａの
形成も簡単になる。すなわち、上部磁気シールド膜６よ
り下層の絶縁膜、例えば上部ギャップ膜等を端子１１ａ
の構造の中にそのまま残すことができる。
膜６と同じＮｉＦｅ等の磁性膜によりなる膜で同時に形
成し、それをホトマスクを用いてイオンミリングで分離
してそれぞれ引出線１２と上部磁気シールド膜６とす
る。そのため上部磁気シールド膜６は、前述したように
引出線１２のところには存在しない。また、電極上の適
当な部分（図では点線で示した部分）で上部ギャップ膜
（図示せず）をリフトオフ法により抜いて電極５と引出
線１２のコンタクトをとる。また、引出線１２を上部磁
気シールド膜と同じ膜で作ることにより、端子１１ａの
形成も簡単になる。すなわち、上部磁気シールド膜６よ
り下層の絶縁膜、例えば上部ギャップ膜等を端子１１ａ
の構造の中にそのまま残すことができる。
【００１７】その後、誘導型ヘッド用ギャップ膜を形成
する。そして、この上にレジストからなる第１の層間絶
縁膜７を形成する。第１の層間絶縁膜７の上に誘導型ヘ
ッドに電流を流すためのコイル８がめっき法にて形成さ
れる。そしてこの上に第２の層間絶縁膜９が、第１の層
間絶縁膜７と同じプロセスで形成される。さらにこの上
に上部磁性膜１０がめっき法にて積層される。このと
き、上部磁気シールド膜６が絶縁膜をカバーするほど大
きく形成されているため、上記各層の形成が平坦面で可
能となり、コイルの断線等誘導型ヘッドの不良数を低減
できる。
する。そして、この上にレジストからなる第１の層間絶
縁膜７を形成する。第１の層間絶縁膜７の上に誘導型ヘ
ッドに電流を流すためのコイル８がめっき法にて形成さ
れる。そしてこの上に第２の層間絶縁膜９が、第１の層
間絶縁膜７と同じプロセスで形成される。さらにこの上
に上部磁性膜１０がめっき法にて積層される。このと
き、上部磁気シールド膜６が絶縁膜をカバーするほど大
きく形成されているため、上記各層の形成が平坦面で可
能となり、コイルの断線等誘導型ヘッドの不良数を低減
できる。
【００１８】最後に、リード線を接続させるための端子
１１ａ及び素子を保護する保護膜を形成してウエハ作成
プロセスは完成する。なお、本実施例のＭＲヘッドのギ
ャップ長は、０．２０μｍとした。
１１ａ及び素子を保護する保護膜を形成してウエハ作成
プロセスは完成する。なお、本実施例のＭＲヘッドのギ
ャップ長は、０．２０μｍとした。
【００１９】図２は、この記録再生分離型ヘッドを有す
るスライダーの斜視図である。スライダーのサイズは、
横幅が１６００μｍ、高さが４００μｍ、奥行き方向が
２．０５ｍｍである。図の手前上部が浮上面に当たる。
また、図２には図１に示した端子１１ａの他の端子１１
も示した。
るスライダーの斜視図である。スライダーのサイズは、
横幅が１６００μｍ、高さが４００μｍ、奥行き方向が
２．０５ｍｍである。図の手前上部が浮上面に当たる。
また、図２には図１に示した端子１１ａの他の端子１１
も示した。
【００２０】図５は、上記プロセスで作った素子２０が
並んだウエハ２１の概念図である。この図に示すよう
に、素子２０はウエハ２１上で一定の間隔をもって同じ
ものが並んでいる。
並んだウエハ２１の概念図である。この図に示すよう
に、素子２０はウエハ２１上で一定の間隔をもって同じ
ものが並んでいる。
【００２１】本実施例の通りの方法でウエハを１０枚作
成し、それぞれのウエハから得られたＭＲヘッドの耐圧
を測定したところ、その歩留りは９７〜９９％であっ
た。比較として、ＭＲヘッドの電極の面積が上部磁気シ
ールド膜の面積と同じ大きさで、その他は本実施例と同
じ構造の素子を複数個有するウエハを３枚作成し、得ら
れたＭＲヘッドの耐圧を測定したところ、その歩留りは
８５〜９０％であった。その際印加した電圧は、誘導型
ヘッドに１００Ｖ、ＭＲヘッドに１０Ｖである。以上の
ことから、ＭＲヘッドの電極の面積を上部磁気シールド
膜の面積の５０％以下にしてそれらの短絡の可能性を小
さくすることで、素子の耐圧歩留りを向上できることが
分かった。また、本発明のプロセスで作った記録再生分
離型ヘッドはコイルの断線不良が全くなく、安定した素
子抵抗値を得られることも確認した。
成し、それぞれのウエハから得られたＭＲヘッドの耐圧
を測定したところ、その歩留りは９７〜９９％であっ
た。比較として、ＭＲヘッドの電極の面積が上部磁気シ
ールド膜の面積と同じ大きさで、その他は本実施例と同
じ構造の素子を複数個有するウエハを３枚作成し、得ら
れたＭＲヘッドの耐圧を測定したところ、その歩留りは
８５〜９０％であった。その際印加した電圧は、誘導型
ヘッドに１００Ｖ、ＭＲヘッドに１０Ｖである。以上の
ことから、ＭＲヘッドの電極の面積を上部磁気シールド
膜の面積の５０％以下にしてそれらの短絡の可能性を小
さくすることで、素子の耐圧歩留りを向上できることが
分かった。また、本発明のプロセスで作った記録再生分
離型ヘッドはコイルの断線不良が全くなく、安定した素
子抵抗値を得られることも確認した。
【００２２】〈実施例２〉
図６は、本発明の磁気記録装置の一実施例の概略斜視図
である。本図に示すように、磁気ディスク装置は等間隔
で一軸スピンドル上に積層された複数の磁気ディスク１
３と移動可能なキャリッジアッシイ１４に保持された磁
気ヘッド１５、このキャリッジアッシイ１４を駆動する
ボイスコイルモーター１６、これらを支持するベース１
７等から構成される。また、磁気ディスク制御装置等の
上位装置から送り出される信号に従って、ボイスコイル
モーター１６を制御するボイスコイルモーター制御回路
を備えており、上位装置との信号のやりとりを行うイン
ターフェイス部、磁気ヘッドに流れる電流を制御するリ
ード／ライト回路等を介して上位装置と接続される。こ
こで、磁気ヘッド１５に本発明に示す十分な耐圧が確保
されている薄膜ヘッドを用いることにより、動作時に静
電破壊等を起こす可能性が極めて小さくなった。
である。本図に示すように、磁気ディスク装置は等間隔
で一軸スピンドル上に積層された複数の磁気ディスク１
３と移動可能なキャリッジアッシイ１４に保持された磁
気ヘッド１５、このキャリッジアッシイ１４を駆動する
ボイスコイルモーター１６、これらを支持するベース１
７等から構成される。また、磁気ディスク制御装置等の
上位装置から送り出される信号に従って、ボイスコイル
モーター１６を制御するボイスコイルモーター制御回路
を備えており、上位装置との信号のやりとりを行うイン
ターフェイス部、磁気ヘッドに流れる電流を制御するリ
ード／ライト回路等を介して上位装置と接続される。こ
こで、磁気ヘッド１５に本発明に示す十分な耐圧が確保
されている薄膜ヘッドを用いることにより、動作時に静
電破壊等を起こす可能性が極めて小さくなった。
【００２３】〈実施例３〉
図７は、本発明の記録再生分離型ヘッドの他の実施例の
一部切り欠け斜視図である。記録再生分離型ヘッドのＭ
Ｒヘッドの上部磁気シールド膜６と下部磁気シールド２
が両方とも誘導型ヘッドをカバーできるほど大きい。な
お、上部磁気シールド膜６は、実施例１と同様に、引出
線１２の部分を除いて図の右手方向に下部磁気シールド
膜２を覆うように伸びている。その他の部分は実施例１
と同様である。本実施例の特徴は、誘導型ヘッドの下部
の段差をほぼなくせるため、コイル８の断線等誘導型ヘ
ッドに関係する不良の発生を押さえられる。本実施例の
通りの方法でウエハを１０枚作成し、それぞれのウエハ
から得られたＭＲヘッドの耐圧を測定したところ、その
歩留りは９７〜９９％であった。
一部切り欠け斜視図である。記録再生分離型ヘッドのＭ
Ｒヘッドの上部磁気シールド膜６と下部磁気シールド２
が両方とも誘導型ヘッドをカバーできるほど大きい。な
お、上部磁気シールド膜６は、実施例１と同様に、引出
線１２の部分を除いて図の右手方向に下部磁気シールド
膜２を覆うように伸びている。その他の部分は実施例１
と同様である。本実施例の特徴は、誘導型ヘッドの下部
の段差をほぼなくせるため、コイル８の断線等誘導型ヘ
ッドに関係する不良の発生を押さえられる。本実施例の
通りの方法でウエハを１０枚作成し、それぞれのウエハ
から得られたＭＲヘッドの耐圧を測定したところ、その
歩留りは９７〜９９％であった。
【００２４】〈実施例４〉
図８は、本発明の記録再生分離型ヘッドのさらに他の実
施例の一部切り欠け斜視図である。記録再生分離型ヘッ
ドのＭＲヘッドの下部磁気シールド膜２が誘導型ヘッド
をカバーできるほど大きく、上部磁気シールド膜６は、
実施例１、３より小さい。その他の部分は実施例１と同
様である。本実施例の特徴は、構造の関係で耐圧がより
厳しい上部磁気シールド膜６と電極５が短絡する確率を
低減できることである。なお、この場合電極５の面積
は、磁気シールド膜の大きい方、つまり下部磁気シール
ド膜２の面積と比較する。本実施例の通りの方法でウエ
ハを１０枚作成し、それぞれのウエハから得られたＭＲ
ヘッドの耐圧を測定したところ、その歩留りは９８〜９
９％であった。
施例の一部切り欠け斜視図である。記録再生分離型ヘッ
ドのＭＲヘッドの下部磁気シールド膜２が誘導型ヘッド
をカバーできるほど大きく、上部磁気シールド膜６は、
実施例１、３より小さい。その他の部分は実施例１と同
様である。本実施例の特徴は、構造の関係で耐圧がより
厳しい上部磁気シールド膜６と電極５が短絡する確率を
低減できることである。なお、この場合電極５の面積
は、磁気シールド膜の大きい方、つまり下部磁気シール
ド膜２の面積と比較する。本実施例の通りの方法でウエ
ハを１０枚作成し、それぞれのウエハから得られたＭＲ
ヘッドの耐圧を測定したところ、その歩留りは９８〜９
９％であった。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の記録再生
分離型ヘッドによれば、ＭＲヘッドの電極と上部、下部
磁気シールド膜間の短絡の可能性を減少させ、素子破壊
を回避できる。また、本発明の磁気ディスク装置によれ
ば、用いた記録再生分離型ヘッドの素子破壊を減少させ
ることができる。
分離型ヘッドによれば、ＭＲヘッドの電極と上部、下部
磁気シールド膜間の短絡の可能性を減少させ、素子破壊
を回避できる。また、本発明の磁気ディスク装置によれ
ば、用いた記録再生分離型ヘッドの素子破壊を減少させ
ることができる。
【図１】本発明の記録再生分離型ヘッドの一実施例の一
部切り欠け斜視図。
部切り欠け斜視図。
【図２】本発明の記録再生分離型ヘッドを有するスライ
ダーの一例の斜視図。
ダーの一例の斜視図。
【図３】上部磁気シールドの面積に対するＭＲヘッドの
電極の面積とＭＲヘッドの耐圧不良率の関係図。
電極の面積とＭＲヘッドの耐圧不良率の関係図。
【図４】上部磁気シールドの面積に対するＭＲヘッドの
電極の面積とＭＲヘッドの耐圧不良率の関係図。
電極の面積とＭＲヘッドの耐圧不良率の関係図。
【図５】本発明に用いるウエハの概念図。
【図６】本発明の磁気ディスク装置の構成図。
【図７】本発明の記録再生分離型ヘッドの他の実施例の
一部切り欠け斜視図。
一部切り欠け斜視図。
【図８】本発明の記録再生分離型ヘッドのさらに他の実
施例の一部切り欠け斜視図。
施例の一部切り欠け斜視図。
１…セラミック基板
２…下部磁気シールド膜
３…ＭＲセンサ膜
４…磁区制御膜
５…電極
６…上部磁気シールド膜
７…第１の層間絶縁膜
８…コイル
９…第２の層間絶縁膜
１０…上部磁性膜
１１、１１ａ…端子
１２…引出線
１３…磁気ディスク
１４…キャリッジアッシイ
１５…磁気ヘッド
１６…ボイスコイルモーター
１７…ベース
２０…素子
２１…ウエハ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 小柳 広明
神奈川県小田原市国府津2880番地 株式
会社日立製作所ストレージシステム事業
部内
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G11B 5/39
Claims (3)
- 【請求項１】基板と、該基板の上に形成された下部磁気
シールド膜と、該下部磁気シールド膜の上に形成された
下部ギャップ膜と、該下部ギャップ膜の上に形成された
磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜の両端に形成され
た磁区制御膜と、該磁区制御膜の上に形成された電極
と、前記下部ギャップ膜、磁気抵抗効果膜及び電極の上
に形成された上部ギャップ膜と、該上部ギャップ膜の上
に形成された磁性膜とを有し、該磁性膜は上部磁気シー
ルド膜と引出線に分離され、該引出線の一端は前記電極
に接続され、該電極の前記上部磁気シールド膜と重なる
部分の面積は当該上部磁気シールド膜の面積の５０％以
下である磁気抵抗効果ヘッドと、該磁気抵抗効果ヘッド
に隣接して設けられた誘導型ヘッドとを具備することを
特徴とする記録再生分離型ヘッド。 - 【請求項２】前記下部磁気シールド膜の奥行きは、前記
上部磁気シールド膜の奥行きよりも短いことを特徴とす
る請求項１記載の記録再生分離型ヘッド。 - 【請求項３】基板と、該基板の上に形成された下部磁気
シールド膜と、該下部磁気シールド膜の上に形成された
下部ギャップ膜と、該下部ギャップ膜の上に形成された
磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜の両端に形成され
た磁区制御膜と、該磁区制御膜の上に形成された電極
と、前記下部ギャップ膜、磁気抵抗効果膜及び電極の上
に形成された上部ギャップ膜と、該上部ギャップ膜の上
に形成された磁性膜とを有し、該磁性膜は上部磁気シー
ルド膜と引出線に分離され、該引出線の一端は前記電極
に接続され、該電極の前記上部磁気シールド膜と重なる
部分の面積は当該上部磁気シールド膜の面積の５０％以
下である磁気抵抗効果ヘッドと、該磁気抵抗効果ヘッド
に隣接して設けられた誘導型ヘッドとを有する記録再生
分離型ヘッドと、磁気ディスクと、該磁気ディスクと前
記記録再生型ヘッドの相対的な位置を変化させるための
手段と、これらを制御するための制御手段とを有するこ
とを特徴とする磁気ディスク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24507096A JP3366813B2 (ja) | 1996-09-17 | 1996-09-17 | 記録再生分離型ヘッド及び磁気ディスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24507096A JP3366813B2 (ja) | 1996-09-17 | 1996-09-17 | 記録再生分離型ヘッド及び磁気ディスク装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1091922A JPH1091922A (ja) | 1998-04-10 |
| JP3366813B2 true JP3366813B2 (ja) | 2003-01-14 |
Family
ID=17128155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24507096A Expired - Fee Related JP3366813B2 (ja) | 1996-09-17 | 1996-09-17 | 記録再生分離型ヘッド及び磁気ディスク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3366813B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7239488B2 (en) * | 2004-03-09 | 2007-07-03 | Sae Magnetics (H.K.), Ltd. | MR sensor on an insulating substrate and method of manufacture |
-
1996
- 1996-09-17 JP JP24507096A patent/JP3366813B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1091922A (ja) | 1998-04-10 |
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