JPH04366409A - 薄膜磁気ヘッドおよびその絶縁破壊防止方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドおよびその絶縁破壊防止方法Info
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- JPH04366409A JPH04366409A JP14207991A JP14207991A JPH04366409A JP H04366409 A JPH04366409 A JP H04366409A JP 14207991 A JP14207991 A JP 14207991A JP 14207991 A JP14207991 A JP 14207991A JP H04366409 A JPH04366409 A JP H04366409A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ヘッド素子部が薄膜技
術によって積層構成された薄膜磁気ヘッドにおける絶縁
破壊防止に関する。
術によって積層構成された薄膜磁気ヘッドにおける絶縁
破壊防止に関する。
【０００２】
【従来の技術】図６は薄膜磁気ヘッドの全容を示す斜視
図、図７は薄膜磁気ヘッドの素子部の層構成を示す断面
図（図６におけるＡ−Ａ断面図）である。
図、図７は薄膜磁気ヘッドの素子部の層構成を示す断面
図（図６におけるＡ−Ａ断面図）である。
【０００３】薄膜磁気ヘッドは、スライダ部１とヘッド
素子部２とで構成され、ヘッド素子部２は成膜技術とリ
ソグラフィ技術によって積層形成される。３ａ、３ｂは
記録／再生コイルの端子である。浮上レール４や流入斜
面５は、スライダ部１を研削することによって形成され
る。
素子部２とで構成され、ヘッド素子部２は成膜技術とリ
ソグラフィ技術によって積層形成される。３ａ、３ｂは
記録／再生コイルの端子である。浮上レール４や流入斜
面５は、スライダ部１を研削することによって形成され
る。
【０００４】図７に示すように、ヘッド素子部２は、磁
路を構成する下部磁極７と上部磁極１１との間に薄膜コ
イル９を巻いた構成になっている。そして、ギャップ絶
縁層８で、下部磁極７と上部磁極１１間のギャップＧの
寸法が規定され、このギャップＧを磁気記録媒体に対向
させることで、情報の記録／再生が行われる。
路を構成する下部磁極７と上部磁極１１との間に薄膜コ
イル９を巻いた構成になっている。そして、ギャップ絶
縁層８で、下部磁極７と上部磁極１１間のギャップＧの
寸法が規定され、このギャップＧを磁気記録媒体に対向
させることで、情報の記録／再生が行われる。
【０００５】薄膜コイル９は、コイル絶縁層１０で絶縁
されており、また下部保護膜６と上部保護膜１２とでヘ
ッド全体が覆われている。
されており、また下部保護膜６と上部保護膜１２とでヘ
ッド全体が覆われている。
【０００６】図８は、薄膜磁気ヘッドにおけるヘッド素
子部２の成膜プロセスを工程順に示す断面図である。次
に、成膜プロセスの概略を説明する。なお、各膜の形状
は、成膜の後にリソグラフィ技術とエッチング技術によ
って所定パターンに形成される。
子部２の成膜プロセスを工程順に示す断面図である。次
に、成膜プロセスの概略を説明する。なお、各膜の形状
は、成膜の後にリソグラフィ技術とエッチング技術によ
って所定パターンに形成される。
【０００７】ａ．下部磁極の成膜
Ａｌ２Ｏ３ ・ＴｉＣの基板（ウェハ）１３上に、Ａｌ
２Ｏ３ をスパッタして成膜し、下部保護膜６とする。 その上に、ＮｉＦｅをメッキで成膜し、下部磁極７とす
る。
２Ｏ３ をスパッタして成膜し、下部保護膜６とする。 その上に、ＮｉＦｅをメッキで成膜し、下部磁極７とす
る。
【０００８】ｂ．ギャップ絶縁層の成膜下部磁極７上に
Ａｌ２Ｏ３ をスパッタで成膜し、ギャップ絶縁層８を
形成する。
Ａｌ２Ｏ３ をスパッタで成膜し、ギャップ絶縁層８を
形成する。
【０００９】ｃ．コイル絶縁層の成膜
ギャップ絶縁層８上にフォトレジストをスピンコートし
て熱硬化させ、コイル絶縁層１０ａを形成する。ただし
、１回のコーティングと熱硬化では膜厚が足りないため
、数回繰り返して成膜を行ない、必要とする膜厚のコイ
ル絶縁層１０ａとする。
て熱硬化させ、コイル絶縁層１０ａを形成する。ただし
、１回のコーティングと熱硬化では膜厚が足りないため
、数回繰り返して成膜を行ない、必要とする膜厚のコイ
ル絶縁層１０ａとする。
【００１０】ｄ．薄膜コイルの成膜
コイル絶縁層１０ａ上にＣｕをメッキで成膜し、薄膜コ
イル９を形成する。この際に、薄膜コイル９の片方の端
子３ａも同時に形成され、図６に示すように積層構造の
ヘッド素子部２の外側まで引き出される。
イル９を形成する。この際に、薄膜コイル９の片方の端
子３ａも同時に形成され、図６に示すように積層構造の
ヘッド素子部２の外側まで引き出される。
【００１１】ｅ．コイル絶縁層の成膜
薄膜コイル９上にフォトレジストをスピンコートし、熱
硬化させてコイル絶縁層１０ｂを形成する。この場合も
、１回のコーティングと熱硬化では膜厚が足りないため
、数回繰り返して成膜を行ない、必要とする膜厚のコイ
ル絶縁層１０ｂとする。なお、前記のコイル端子３ａの
上にはコイル絶縁層１０ｂを重ねないことは言うまでも
ない。また、コイル絶縁層１０ｂの上に他方の端子３ｂ
が形成され、図６に示すように積層構造のヘッド素子部
２の外側まで引き出される。
硬化させてコイル絶縁層１０ｂを形成する。この場合も
、１回のコーティングと熱硬化では膜厚が足りないため
、数回繰り返して成膜を行ない、必要とする膜厚のコイ
ル絶縁層１０ｂとする。なお、前記のコイル端子３ａの
上にはコイル絶縁層１０ｂを重ねないことは言うまでも
ない。また、コイル絶縁層１０ｂの上に他方の端子３ｂ
が形成され、図６に示すように積層構造のヘッド素子部
２の外側まで引き出される。
【００１２】ｆ．上部磁極の成膜
コイル絶縁層１０ｂの上にＮｉＦｅをメッキで成膜し、
上部磁極１１を形成する。
上部磁極１１を形成する。
【００１３】ｇ．上部保護膜の成膜
上部磁極１１上にＡｌ２Ｏ３ をスパッタで成膜し、上
部保護膜１２を形成する。その後、数個〜１０個単位の
スライダブロックに分離し、スライダブロックの状態で
、１５で示す研削位置まで研削する。
部保護膜１２を形成する。その後、数個〜１０個単位の
スライダブロックに分離し、スライダブロックの状態で
、１５で示す研削位置まで研削する。
【００１４】図９は、スライダブロックの切断分離の仕
方を示す図で、 （ａ）はウェハの平面図、 （ｂ）は
１個のスライダブロックの平面図、 （ｃ）は１個のス
ライダブロックの拡大斜視図、である。
方を示す図で、 （ａ）はウェハの平面図、 （ｂ）は
１個のスライダブロックの平面図、 （ｃ）は１個のス
ライダブロックの拡大斜視図、である。
【００１５】前記のプロセスによって、 （ａ）に示す
ように１枚のウェハ１６上に同時に多数のヘッド素子部
２を配列形成した後、鎖線Ｌ上を切断して数個ないし１
０個単位のスライダブロック１７に分離し、各スライダ
ブロック１７ごとに、ギャップ深さが所定の深さとなる
ように研削する。すなわち、 （ｃ）図に示すギャップ
深さ加工面１８を、図８ （ｇ）に示す研削位置１５ま
で、基板１３と成膜各層を研削する。
ように１枚のウェハ１６上に同時に多数のヘッド素子部
２を配列形成した後、鎖線Ｌ上を切断して数個ないし１
０個単位のスライダブロック１７に分離し、各スライダ
ブロック１７ごとに、ギャップ深さが所定の深さとなる
ように研削する。すなわち、 （ｃ）図に示すギャップ
深さ加工面１８を、図８ （ｇ）に示す研削位置１５ま
で、基板１３と成膜各層を研削する。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】このように薄膜コイル
９および上下の磁極１１、７を形成した後の工程におい
て、静電気が発生することがある。また、ヘッド素子部
２が完成した薄膜磁気ヘッドの搬送時や組立て作業時に
も静電気が発生する。
９および上下の磁極１１、７を形成した後の工程におい
て、静電気が発生することがある。また、ヘッド素子部
２が完成した薄膜磁気ヘッドの搬送時や組立て作業時に
も静電気が発生する。
【００１７】ところが、前記のように薄膜磁気ヘッドは
、成膜技術によって積層された構造なため、薄膜コイル
９とその上下の磁極１１、７との間の絶縁層１０ａまた
は１０ｂの膜厚は数μｍ程度しかなく、絶縁耐圧が極め
て低い。そのため、静電気が発生し１００Ｖ程度以上の
高電圧が薄膜コイル９と磁極１１、７間に加わると、容
易に絶縁破壊を起こす。薄膜コイル９と磁極１１、７間
の絶縁が破壊されると、薄膜コイル９の記録／再生動作
時の動作電位と記録媒体との間に電位差が生じた場合、
放電が発生し、磁極の記録／再生ギャップが損傷を受け
る。
、成膜技術によって積層された構造なため、薄膜コイル
９とその上下の磁極１１、７との間の絶縁層１０ａまた
は１０ｂの膜厚は数μｍ程度しかなく、絶縁耐圧が極め
て低い。そのため、静電気が発生し１００Ｖ程度以上の
高電圧が薄膜コイル９と磁極１１、７間に加わると、容
易に絶縁破壊を起こす。薄膜コイル９と磁極１１、７間
の絶縁が破壊されると、薄膜コイル９の記録／再生動作
時の動作電位と記録媒体との間に電位差が生じた場合、
放電が発生し、磁極の記録／再生ギャップが損傷を受け
る。
【００１８】絶縁破壊を防ぐには、絶縁層１０ａ、１０
ｂを厚くするとか、静電気などによる異常電圧が発生す
るのを防止することが考えられるが、いずれも確実な対
策とはならない。
ｂを厚くするとか、静電気などによる異常電圧が発生す
るのを防止することが考えられるが、いずれも確実な対
策とはならない。
【００１９】本発明の技術的課題は、このような問題に
着目し、薄膜磁気ヘッドにおける薄膜コイルと磁極との
間の絶縁破壊を確実に防止可能とすることにある。
着目し、薄膜磁気ヘッドにおける薄膜コイルと磁極との
間の絶縁破壊を確実に防止可能とすることにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】図１は本発明による薄膜
磁気ヘッドおよびその絶縁破壊防止方法の基本原理を説
明する斜視図である。請求項１は、図１に示すように、
ヘッド素子部２が積層構造になっている薄膜磁気ヘッド
において、少なくとも片方の磁極に短絡用パターン１９
を接続しておき、積層部の外において、該短絡用パター
ン１９と薄膜コイルの片方の端子３ａを接続してなる構
造である。
磁気ヘッドおよびその絶縁破壊防止方法の基本原理を説
明する斜視図である。請求項１は、図１に示すように、
ヘッド素子部２が積層構造になっている薄膜磁気ヘッド
において、少なくとも片方の磁極に短絡用パターン１９
を接続しておき、積層部の外において、該短絡用パター
ン１９と薄膜コイルの片方の端子３ａを接続してなる構
造である。
【００２１】請求項２は、請求項１のように、磁極に短
絡用パターン１９を接続し、積層部の外において、該短
絡用パターン１９と薄膜コイルの端子３ａを接続してお
き、薄膜磁気ヘッドを実装した後、記録／再生動作を行
なう前に、該短絡用パターン１９と薄膜コイル端子３ａ
とを分離するものである。
絡用パターン１９を接続し、積層部の外において、該短
絡用パターン１９と薄膜コイルの端子３ａを接続してお
き、薄膜磁気ヘッドを実装した後、記録／再生動作を行
なう前に、該短絡用パターン１９と薄膜コイル端子３ａ
とを分離するものである。
【００２２】請求項３は、請求項１のように短絡用パタ
ーン１９で接続する手法に代えて、電圧／電流特性が非
線型で、ある値以上の高電圧が印加されると抵抗値が急
低下する非線型素子２３を、磁極と薄膜コイルとの間に
接続するものである。
ーン１９で接続する手法に代えて、電圧／電流特性が非
線型で、ある値以上の高電圧が印加されると抵抗値が急
低下する非線型素子２３を、磁極と薄膜コイルとの間に
接続するものである。
【００２３】
【作用】請求項１の構成によれば、図１に示すように、
短絡用パターン１９が少なくとも片方の磁極に接続され
ており、この短絡用パターン１９は、積層部の外におい
て、薄膜コイル９の片方の端子３ａに接続されている。 このように、積層部の外において、図７、図８における
薄膜コイル９と磁極１１、７が短絡され、同電位となる
ため、薄膜コイル９や磁極１１、７に静電気によって異
常な高電圧が印加されても、絶縁破壊を起こすようなこ
とはない。
短絡用パターン１９が少なくとも片方の磁極に接続され
ており、この短絡用パターン１９は、積層部の外におい
て、薄膜コイル９の片方の端子３ａに接続されている。 このように、積層部の外において、図７、図８における
薄膜コイル９と磁極１１、７が短絡され、同電位となる
ため、薄膜コイル９や磁極１１、７に静電気によって異
常な高電圧が印加されても、絶縁破壊を起こすようなこ
とはない。
【００２４】このように薄膜コイル９と磁極１１、７と
の間を予め短絡しておけば、両者間における絶縁破壊を
未然に防止できるが、短絡したままでは薄膜磁気ヘッド
として記録／再生に使用できない。そこで、請求項２の
ように、薄膜磁気ヘッドを装置に実装した後、記録／再
生動作を行なう前に、該短絡用パターン１９と薄膜コイ
ル端子３ａとを分離し、電気的に絶縁するものである。 例えば、図１における短絡用パターン１９を、鎖線位置
ｃなどにおいてレーザビームなどで切断する。
の間を予め短絡しておけば、両者間における絶縁破壊を
未然に防止できるが、短絡したままでは薄膜磁気ヘッド
として記録／再生に使用できない。そこで、請求項２の
ように、薄膜磁気ヘッドを装置に実装した後、記録／再
生動作を行なう前に、該短絡用パターン１９と薄膜コイ
ル端子３ａとを分離し、電気的に絶縁するものである。 例えば、図１における短絡用パターン１９を、鎖線位置
ｃなどにおいてレーザビームなどで切断する。
【００２５】このように、薄膜コイル９と磁極１１、７
との間を短絡用パターン１９で接続する手法では、請求
項２に記載のように、記録／再生動作に先立って短絡用
パターン１９を切断分離する、という作業が必要である
。これに対し、請求項３のように、電圧／電流特性が非
線型で、ある値以上の高電圧が印加されると抵抗値が急
低下する非線型素子２３を、磁極と薄膜コイル９との間
に接続しておく構成では、後処理の必要がない。
との間を短絡用パターン１９で接続する手法では、請求
項２に記載のように、記録／再生動作に先立って短絡用
パターン１９を切断分離する、という作業が必要である
。これに対し、請求項３のように、電圧／電流特性が非
線型で、ある値以上の高電圧が印加されると抵抗値が急
低下する非線型素子２３を、磁極と薄膜コイル９との間
に接続しておく構成では、後処理の必要がない。
【００２６】すなわち、前記のように非線型素子２３を
接続した構成では、薄膜コイル９と磁極１１、７間に異
常に高い電圧が印加されると、導通状態となるため、絶
縁破壊が未然に防止される。また、薄膜磁気ヘッドを駆
動する際の通常の電圧では、薄膜コイル９と磁極１１、
７間は絶縁状態となるため、この非線型素子２３は接続
したままでよい。
接続した構成では、薄膜コイル９と磁極１１、７間に異
常に高い電圧が印加されると、導通状態となるため、絶
縁破壊が未然に防止される。また、薄膜磁気ヘッドを駆
動する際の通常の電圧では、薄膜コイル９と磁極１１、
７間は絶縁状態となるため、この非線型素子２３は接続
したままでよい。
【００２７】
【実施例】次に本発明による薄膜磁気ヘッドおよびその
絶縁破壊防止方法が実際上どのように具体化されるかを
実施例で説明する。図２は本発明による薄膜磁気ヘッド
の第一実施例を示す要部拡大図である。９は薄膜コイル
であり、図８における （ｄ）の工程で形成されるが、
前記のようにこの工程において、片方の端子３ａも形成
される。
絶縁破壊防止方法が実際上どのように具体化されるかを
実施例で説明する。図２は本発明による薄膜磁気ヘッド
の第一実施例を示す要部拡大図である。９は薄膜コイル
であり、図８における （ｄ）の工程で形成されるが、
前記のようにこの工程において、片方の端子３ａも形成
される。
【００２８】薄膜コイル９を形成した後、図８の （ｅ
）の工程で上部絶縁層１０ｂが形成される。この上部絶
縁層１０ｂの上に、薄膜コイル９の他方の端子３ｂと上
部磁極１１が形成され、その上に上部保護膜１２が形成
されるが、この図においては説明の都合上、上部絶縁層
１０ｂと上部保護膜１２は図示されていない。
）の工程で上部絶縁層１０ｂが形成される。この上部絶
縁層１０ｂの上に、薄膜コイル９の他方の端子３ｂと上
部磁極１１が形成され、その上に上部保護膜１２が形成
されるが、この図においては説明の都合上、上部絶縁層
１０ｂと上部保護膜１２は図示されていない。
【００２９】請求項１の発明に基づいて、磁極１１とコ
イル端子３ｂを接続する短絡用パターン１９が形成され
ている。図示例では、磁極１１を形成した後、該磁極１
１と薄膜コイル９の端子３ｂを接続する短絡用パターン
１９がＡｕ蒸着などによって形成されているが、磁極１
１を形成する際に、磁極１１と同じ材料で連続した短絡
用パターン１９を形成してもよい。
イル端子３ｂを接続する短絡用パターン１９が形成され
ている。図示例では、磁極１１を形成した後、該磁極１
１と薄膜コイル９の端子３ｂを接続する短絡用パターン
１９がＡｕ蒸着などによって形成されているが、磁極１
１を形成する際に、磁極１１と同じ材料で連続した短絡
用パターン１９を形成してもよい。
【００３０】矢印２−２側はヘッド素子部であり、ヘッ
ド素子部２の外側において、短絡用パターン１９が薄膜
コイル端子３ｂに接続しているため、薄膜磁気ヘッドの
製造工程や搬送工程、磁気ディスク装置や磁気テープ装
置への組込み工程などが完了するまでに、静電気による
高電圧が発生しても、薄膜コイル９と磁極１１、７間は
同電位なため、間の絶縁層が絶縁破壊を起こすような恐
れはない。なお、２０はリード線であり、薄膜コイル９
の両端を磁気ディスク装置や磁気テープ装置の記録／再
生回路に接続するものである。
ド素子部２の外側において、短絡用パターン１９が薄膜
コイル端子３ｂに接続しているため、薄膜磁気ヘッドの
製造工程や搬送工程、磁気ディスク装置や磁気テープ装
置への組込み工程などが完了するまでに、静電気による
高電圧が発生しても、薄膜コイル９と磁極１１、７間は
同電位なため、間の絶縁層が絶縁破壊を起こすような恐
れはない。なお、２０はリード線であり、薄膜コイル９
の両端を磁気ディスク装置や磁気テープ装置の記録／再
生回路に接続するものである。
【００３１】薄膜磁気ヘッドの製造、組立て工程が完了
し、記録／再生動作を行なうに際しては、請求項２の発
明に従って、短絡用パターン１９を鎖線ｃで示す位置に
おいて、レーザ光線などで切断する。
し、記録／再生動作を行なうに際しては、請求項２の発
明に従って、短絡用パターン１９を鎖線ｃで示す位置に
おいて、レーザ光線などで切断する。
【００３２】図３は第二の実施例であり、薄膜コイル９
の端子３ｂを形成する際に、端子３ｂと一体の突出パタ
ーン２１を形成しておき、この突出パターン２１に、磁
極１１に接続した短絡用パターン１９の先端が重なるよ
うに形成してもよい。あるいは、端子３ｂと短絡用パタ
ーン１９とを接続する部分２１のみ、切断の容易な材料
で形成することも可能である。
の端子３ｂを形成する際に、端子３ｂと一体の突出パタ
ーン２１を形成しておき、この突出パターン２１に、磁
極１１に接続した短絡用パターン１９の先端が重なるよ
うに形成してもよい。あるいは、端子３ｂと短絡用パタ
ーン１９とを接続する部分２１のみ、切断の容易な材料
で形成することも可能である。
【００３３】あるいは、図４に示すように、薄膜コイル
９の端子３ｂをパターン形成する際に、磁極１１上まで
延びる短絡用パターン１９ａを同時に形成することもで
きる。 このように端子３ｂを形成する際に、端子３ｂを延長し
て短絡用パターン１９ａを形成する手法の場合は、工数
が増えることもなく、安価に実現できる。
９の端子３ｂをパターン形成する際に、磁極１１上まで
延びる短絡用パターン１９ａを同時に形成することもで
きる。 このように端子３ｂを形成する際に、端子３ｂを延長し
て短絡用パターン１９ａを形成する手法の場合は、工数
が増えることもなく、安価に実現できる。
【００３４】請求項３に従って、薄膜コイル９と磁極１
１、７との間に非線型素子を接続する際に最も簡易な手
法は、図５に示すように磁極１１と接続した引出しパタ
ーン２２を形成しておき、該引出しパターン２２と薄膜
コイル端子３ｂとの間に非線型素子２３を接続する構成
である。非線型素子２３としては、いわゆるバリスタと
呼ばれる抵抗器などが適している。
１、７との間に非線型素子を接続する際に最も簡易な手
法は、図５に示すように磁極１１と接続した引出しパタ
ーン２２を形成しておき、該引出しパターン２２と薄膜
コイル端子３ｂとの間に非線型素子２３を接続する構成
である。非線型素子２３としては、いわゆるバリスタと
呼ばれる抵抗器などが適している。
【００３５】このように独立した非線型素子２３を接続
する手法のほかに、ヘッド素子部２を積層する工程にお
いて、薄膜技術で非線型素子を形成し、薄膜コイル９と
上部磁極１１または下部磁極７との間に接続することも
可能である。
する手法のほかに、ヘッド素子部２を積層する工程にお
いて、薄膜技術で非線型素子を形成し、薄膜コイル９と
上部磁極１１または下部磁極７との間に接続することも
可能である。
【００３６】
【発明の効果】以上のように請求項１の発明によれば、
積層部の外において、薄膜コイル９と磁極１１が短絡さ
れ、同電位となっているため、薄膜コイル９や磁極１１
、７に異常な高電圧が印加されても、絶縁破壊を起こす
ようなことはない。そして、薄膜磁気ヘッドの製造や組
立てなどの一連の作業を完了し、記録／再生動作を行な
う前に、前記の短絡部を分離し、電気的に絶縁するため
、磁気記録／再生に支障を来すことはない。
積層部の外において、薄膜コイル９と磁極１１が短絡さ
れ、同電位となっているため、薄膜コイル９や磁極１１
、７に異常な高電圧が印加されても、絶縁破壊を起こす
ようなことはない。そして、薄膜磁気ヘッドの製造や組
立てなどの一連の作業を完了し、記録／再生動作を行な
う前に、前記の短絡部を分離し、電気的に絶縁するため
、磁気記録／再生に支障を来すことはない。
【００３７】また、請求項３のように、電圧／電流特性
が非線型で、ある値以上の高電圧が印加されると抵抗値
が急低下する非線型素子２３を、磁極と薄膜コイル９と
の間に接続しておく構成では、非線型素子２３を永久に
接続したままでよいので、請求項２の方法における切断
作業が不必要となる。
が非線型で、ある値以上の高電圧が印加されると抵抗値
が急低下する非線型素子２３を、磁極と薄膜コイル９と
の間に接続しておく構成では、非線型素子２３を永久に
接続したままでよいので、請求項２の方法における切断
作業が不必要となる。
【図１】本発明による薄膜磁気ヘッドおよびその絶縁破
壊防止方法の基本原理を説明する斜視図である。
壊防止方法の基本原理を説明する斜視図である。
【図２】本発明の第一実施例を示す図である。
【図３】本発明の第二実施例を示す図である。
【図４】本発明の第三実施例を示す図である。
【図５】本発明の第四実施例を示す図である。
【図６】薄膜磁気ヘッドの全容を示す斜視図である。
【図７】薄膜磁気ヘッドの素子部の層構成を示す断面図
（図６におけるＡ−Ａ断面図）である。
（図６におけるＡ−Ａ断面図）である。
【図８】薄膜磁気ヘッドにおけるヘッド素子部の成膜プ
ロセスを工程順に示す断面図である。
ロセスを工程順に示す断面図である。
【図９】スライダブロックの切断分離の仕方を示す図で
ある。
ある。
１ スライダ部
２ ヘッド素子部
３ａ，３ｂ コイルの端子
６ 下部保護膜
７ 下部磁極
８ ギャップ絶縁層
Ｇ 記録／再生ギャップ
９ 薄膜コイル
１０ コイル絶縁層
１０ａ 下部絶縁層
１０ｂ 上部絶縁層
１１ 上部磁極
１２ 上部保護膜
１３ 基板
１５ 研削位置
１６ ウェハ
１７ スライダブロック
１９，１９ａ 短絡用パターン
ｃ 切断位置
２０ リード線
２１ 突出パターン
２２ 引出しパターン
２３ 非線型素子
Claims (3)
- 【請求項１】 ヘッド素子部２が積層構造になってい
る薄膜磁気ヘッドにおいて、磁極に短絡用パターン１９
を接続しておき、積層部の外において、該短絡用パター
ン１９と薄膜コイルの端子を接続してなる薄膜磁気ヘッ
ド。 - 【請求項２】 ヘッド素子部２が積層構造になってい
る薄膜磁気ヘッドの絶縁破壊防止方法であって、磁極に
短絡用パターン１９を接続し、積層部の外において、該
短絡用パターン１９と薄膜コイルの端子を接続しておき
、薄膜磁気ヘッドを実装した後、記録／再生動作を行な
う前に、該短絡用パターン１９と薄膜コイル端子とを分
離することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの絶縁破壊防止
方法。 - 【請求項３】 ヘッド素子部２が積層構造になってい
る薄膜磁気ヘッドにおいて、電圧／電流特性が非線型で
、ある値以上の高電圧が印加されると抵抗値が急低下す
る非線型素子２３を、磁極と薄膜コイルとの間に接続し
てなる薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14207991A JP2607184B2 (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | 薄膜磁気ヘッドおよびその絶縁破壊防止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14207991A JP2607184B2 (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | 薄膜磁気ヘッドおよびその絶縁破壊防止方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04366409A true JPH04366409A (ja) | 1992-12-18 |
| JP2607184B2 JP2607184B2 (ja) | 1997-05-07 |
Family
ID=15306952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14207991A Expired - Fee Related JP2607184B2 (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | 薄膜磁気ヘッドおよびその絶縁破壊防止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2607184B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5991121A (en) * | 1997-02-24 | 1999-11-23 | Fujitsu Limited | Head assembly having short circuit pattern short-circuiting a pair of lead lines |
| US6657827B1 (en) | 1999-09-24 | 2003-12-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Head |
-
1991
- 1991-06-13 JP JP14207991A patent/JP2607184B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5991121A (en) * | 1997-02-24 | 1999-11-23 | Fujitsu Limited | Head assembly having short circuit pattern short-circuiting a pair of lead lines |
| US6657827B1 (en) | 1999-09-24 | 2003-12-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Head |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2607184B2 (ja) | 1997-05-07 |
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Legal Events
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