JPH02154306A

JPH02154306A - 薄膜磁気ヘッド

Info

Publication number: JPH02154306A
Application number: JP30937188A
Authority: JP
Inventors: Mikio Matsuzaki; 幹男松崎
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1988-12-07
Filing date: 1988-12-07
Publication date: 1990-06-13

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〈産業上の利用分野〉本発明は、薄膜磁気ヘッドに関し、導体コイル膜の眉間
絶縁膜となる有機絶縁膜のうち、最上層の有機絶縁膜に
、下層の有機絶縁膜の側面をある厚さをもって覆う被覆
部を備えさせることにより、下地導体膜の残片等による
電気絶縁性の低下、それに伴う絶縁破壊を防止できるよ
うにしたものである。

〈従来の技術〉コンピュータの外部記憶装置における記憶密度の増大化
や、書込み読出し速度の高速化に対応し、記録、再生の
信頼性向上のため、薄膜磁気ヘッドが用いられるように
なってきた。薄膜磁気ヘッドとしては面内記録再生用及
び垂直記録再生用の２種類の薄膜磁気ヘッドが知られて
いる。

第３図は、例えば特開昭５５−８４０１９号等で知られ
た面内記録再生用の薄膜磁気ヘッドの要部における断面
図である。図において、１はＡ１２０３−Ｔｉｃ等のセ
ラミック構造体でなる基板、２は第１の磁性膜、３はア
ルミナ等でなるギャップ膜、４は第２の６ｆｉ性膜、５
１．５２は導体コイル膜、６１〜６３はノボラック樹脂
等でなる有機絶縁膜、７は保護膜である。

第１の磁性［２は、例えばパーマロイ等のｌｌ１ｌ性材
料を用いて基板１の上に形成しである。２１はボール部
、２２はヨーク部である。導体コイル膜５１．５２及び
有機絶縁ｌＩＭ６１〜６３は、この第１の磁性膜２上に
形成したギャップ膜３の上に交互に積層して形成する。

第２の磁性膜４は、パーマロイ等を用いて、導体コイル
膜５２を覆うように形成された有機絶縁１１ｉ６３の上
に形成する。この第２の磁性膜４の上に保護膜７を設け
る。第１の磁性膜２及び第２の磁性膜４は、媒体対向面
となるボール部２１−４１を、ギャップＩＩ！　３によ
る磁気ギャップＧ１を介して対向させると共に、ヨーク
部２２．４２の後端部を、媒体摺動部とは反対側におい
て、ギャップ膜３に設けた結合穴３１を通して互いに結
合させ、この結合部のまわりに渦巻状に導体コイル膜５
１．５２を形成しである。導体コイル膜５１．５２は、
巻方向が同一となるようにして、電気的に直列に接続す
る。導体コイル１ｌｉ５１．５２のそれぞれは、下地導
体膜５１Ａ、５２Ａの上にＣＵ等でなるコイル膜５１Ｂ
、５２Ｂを被着させた構造となっている。

上述の薄膜６ｎ気ヘツドは、ＩＣ製造プロセスと同様の
フォトリソグラフィと称される高精度パターン形成技術
によって製造される０次に、製造プロセスのうち、導体
コイル膜及び有機絶縁膜の製造プロセスについて、第４
図を参照して説明する。

まず、第４図（ａ）に示すように、基板１の上に形成さ
れた第１の磁性膜２及びギャップｌ］ｉ３の上に、有機
絶縁膜６１を形成する。有機絶縁膜６１は、一般には、
ノボラック系の有機絶縁樹脂を所定の膜厚となるように
コーティングし、所定の温度及び時間的条件でソフトベ
ークを行なった後、露光、現像及び水洗の処理を施し、
続いて、熱処理をそれぞれ行なって形成する。

次に、第４図（ｂ）に示すように、有機絶縁膜６１の表
面にＣＵ　／　Ｔ　ｉの材料をスパッタリングして、下
地導体１１ｉ５１Ａを形成を形成する。

次に、第４図（ｃ）に示すように、下地導体膜５１Ａの
表面にポジレジスト膜８２Ａを塗布し、所定の温度及び
時間的条件でソフトベークを行なう。

次に、第４図（ｄ）に示すように、ポジレジスト１１！
　６２　Ａの上にフォトマスク８を位置決めし、露光を
行なう。これにより、第４図（ｅ）に示すように、フォ
トマスク８のパターンによる露光パターンが得られる。

フォトマスク８のパターンは渦巻状である。

次に、第４図（ｆ）に示すように、ＣＵのパターンメツ
キにより、レジスト膜６２Ａの除去された部分６２Ｂに
コイル膜５１Ｂを付着させる。

これにより、コイル膜５１Ｂによる導体コイルパターン
が形成される。

次に、レジスト膜６２Ａを剥離した後、剥離されたレジ
スト膜６２Ａの下にある下地導体膜５１Ａを、イオンミ
ーリングで除去し、コイル膜５１Ｂによる導体コイルパ
ターンに従ってパターン化する。これにより、第４図（
ｇ）、に示すように、有機絶縁膜６１の上に導体コイル
ｌｌ１５１が形成される。

この後、第４図（ａ）〜（ｇ）の工程を繰返し、有機絶
縁１１１６２、導体コイルＩｌ！５２及び有機絶縁１］
ｉ６３を積層し、更に有機絶縁１Ｉｉ６３の表面に第２
の磁性膜４を形成し、その上から保護膜７をスパッタリ
ング等の手段によって付着させる。

〈発明が解決しようとする課題〉この種の薄膜磁気ヘッドは、ボール部２１．４１のある
側を媒体対向面とし、磁気ディスクとの間で、相対的に
高速回転させながら、記録・再生を行なう。このとき、
薄１ＩＩＩ１１１気ヘッドに静電気が蓄積される。薄膜
磁気ヘッドの製造工程においても同様の問題を生じる。

従って、第１の磁性膜２及び第２の磁性膜４と導体コイ
ル膜５１．５２との間は、この静電蓄積電荷に耐え得る
だけの絶縁耐電圧を有する必要がある。ところが、従来
の薄膜磁気ヘッドでは、この絶縁耐圧が不充分で、磁気
ディスクがメタルディスクの場合には特に、放電を生じ
易く、第１の！ｉｉｉ性膜２及び第２の磁性１１！４と
導体コイル膜５１．５２との間で絶縁破壊を起してしま
う例がしばしば見られた。その原因の１つは、次のよう
に考えられる。

この種の薄膜磁気ヘッドは、第４図で説明したように、
下地導体１１ｉ５１Ａをイオンミーリングで除去し、コ
イルｌ］Ｊｉ５１Ｂによるコイルパターンに従ってパタ
ーン化するプロセスを経る。このとき、下地導体膜５１
Ａ、５２Ａが充分に除去されずに、第５図にモデル的に
示すように、有機絶縁膜６１．６２の表面に金属片（イ
）として残ってしまうことがある。また、イオンミーリ
ングによって生じたＣｕ及びＴｉの飛沫が、有機絶縁膜
６１．６２の表面に付着してしまうこともある。

従来の薄膜磁気ヘッドにおいては、第５図にも拡大して
示すように、有機絶縁膜６１〜６３の各側面（ロ）が積
層方向に重なるように積層しであるから、Ｃｕ及びＴｉ
等の金属片（イ）の残留する可能性のある有機絶縁膜６
１．６２が、第１の磁性膜２のヨーク部２２と第２の磁
性ＩＩ！　４のヨーク部４２の結合部及び第２の磁性１
］ｉ４のポール部４１と隣接する。このため、静電気が
蓄積された場合、導体コイル１ｌｉ５１．５２と第１の
磁性■）２または第２の＆ｎ性膜４との間で、有機路７
１ｊ６１．６２に残っている金属片（イ）を核とするよ
うな形で放電が発生し、それによって有機絶縁ｆｌ！６
１〜６３が炭化され、絶、婦破壊に至るものと推測され
る。磁気ディスクがメタルディスクの場合には、第１の
磁性膜２のポール部２１の端部と第２の磁性膜４のポー
ル部４１の端部とが、メタルディスクによって、実質的
に電気的に短絡された状態になるので、上述の放電及び
絶縁破壊を生じ易い。

そこで、本発明の課題は、上述する従来の問題点を解決
し、導体コイル膜と磁性膜との間の絶縁耐圧を向上させ
、静電電荷による絶縁破壊を防止し得るようにした高信
頼度の薄膜磁気ヘッドを提供することである。

〈課題を解決するための手段〉上述する課題を解決するため、本発明は、基板と、第１
の磁性膜と、ギャップ膜と、有機絶縁膜と、導体コイル
膜と、第２の磁性膜とを有する薄膜磁気ヘッドであって
１前記第１の磁性膜は、前記基板の上に形成されており、前記ギャップ膜は、前記第１のる！１性膜の上に形成さ
れていて、前記第１の磁性膜の媒体摺動部とは反対側に
前記第１の磁性膜に連なる結合穴を有しており、前記有機絶縁膜及び前記導体コイル膜は、前記ギャップ
膜の上で交互に積層されており、最上層の有機絶縁膜は
、それより下層の有機路、ｔ＆膜の全体を覆い前記ギャ
ップ膜の面上に連続しており、前記第２の磁性膜は、前記最上層の有機絶縁膜の上面に
形成されいて、前記結合穴を通して前記第１の磁性膜に
接続されていること、を特徴とする。

く作用〉有機絶縁膜のうち、最上層に積層される有機絶縁膜は、
最上層の導体コイル膜が形成された後に形成されるもの
であって、下地導体膜を形成するＣｕ及びＴｉ等の導電
成分が付着することはない。従って、この最上層に積層
される有機絶縁膜によって、Ｃｕ及びＴｉ等の導電成分
の付着する可能性のある下層の有機絶縁膜を、ある厚さ
で覆と共に、最上層の有機絶縁膜をギャップ膜の面上に
連続させることにより、導体コイル膜と第１の磁性膜及
び第２磁性膜との間が、導電成分の付着する可能性のな
い有機絶縁膜によって区画される。このため、絶縁耐圧
が向上し、静電蓄積電荷による放電及び絶縁破壊が防止
される。

〈実施例〉第１図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの要部における断
面図、第２図は同じくその部分拡大断面図である。図に
おいて、第３図と同一の参照符号は同一性ある構成部分
を示している。有機絶縁膜６１〜６３のうち、下層の有
機絶縁１Ｉｉ６１．６２及び導体コイル膜５１．５２は
、ギャップ膜３の上で、結合穴３１よりも後退した位置
で交互に積層されている。また、最上層の有機路ａ膜６
３は、下層の有機絶縁［６１，６２の側面（ロ）を、あ
る厚さをもって覆う被覆部６３１．６３２を有する。被
覆部６３１は、第１の磁性膜２のヨーク部２２と、第２
の磁性１１１ｊ４のヨーク部との結合部において、有機
絶Ｘ！１１！６１．６２の側面を覆いながら、結合穴３
１の周辺部ギャップｌｌ！３の面上に連続するように形
成しである。被覆部６３２は、第１の磁性膜２のボール
部２１及び第２の磁性膜４のボール部４１の位置におい
て、有機絶縁膜６１．６２の側面を覆いながらギャップ
膜３の面に連続するように形成しである。

第２の磁性膜４は、最上層の有機絶縁膜６３の上面から
、被覆部６３１．６３２の上に連続し、更に一結合穴３
１を通して第１の磁性膜２に連続するように形成する。

被覆部６３１にはヨーク部４２の立ち上り部が、また、
被覆部６３２にはボール部４１の立ち上がり部がそれぞ
れ対応する。図示では、面内記録再生用の薄膜磁気ヘッ
ドを示しており、第２の磁性１１ｉ４は第１の磁性膜２
と共にポールを形成するので、ポール部４１側にも被覆
部６３２を設けである。垂直記録再生用の薄膜磁気ヘッ
ドの場合には、第２の磁性［４はボールとはならず、ヨ
ークとして機能するだけであるので、被覆部６３１だけ
があればよく、被覆部６３２は省略できる。

上述のように、有機絶縁１１Ｎ、６．３によって、Ｃｕ
及びＴｉ等の導電成分の付着する可能性のある下層の有
機絶縁膜６１．６２の側面（ロ）が、有機絶縁ｆｉｉ６
３の被覆部６３１．６３２によって、ギャップ膜３の面
上に連続するように覆われているので、導体コイルＷＡ
５１，５２と磁性膜２．４との間が、導電成分の付着す
る可能性のない有機絶縁膜６３によって区画され、その
絶縁耐圧が向上し、静電蓄積電荷による放電及び絶縁破
壊が防止される。

〈発明の効果〉以上述べたように、本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、最
上層の有機絶縁膜が、それより下層の有機絶縁膜の全体
を覆いギャップ膜の面上に連続しており、第２の磁性膜
は、最上層の有機絶縁膜の上面に形成されいるから、導
体コイル膜と各磁性膜との間の絶縁耐圧を向上させ、静
電蓄積電荷による放電及び絶縁破壊を防止し得るように
した薄膜磁気ヘッドを提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る薄ｌ１ＩＩＩｉ！気ヘッドの要部
における断面図、第２図は同じく要部の拡大断面図、第
３図は従来の薄膜磁気ヘッドの要部の断面図、第４図は
薄膜磁気ヘッドの製造方法における工程の要部を示す図
、第５図は従来の薄膜磁気ヘッドの問題点を説明する図
である。１・・・基板　　　　　２・・・第１の磁性膜３・・・
ギャップ膜　　４・・・第２の磁性膜５１．５２・・・
導体コイル膜６１〜６３・・・有機絶縁膜６３１．６３２・・・被覆部Ｌ・７９、。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）基板と、第１の磁性膜と、ギャップ膜と、有機絶
縁膜と、導体コイル膜と、第２の磁性膜とを有する薄膜
磁気ヘッドであって、前記第１の磁性膜は、前記基板の上に形成されており、前記ギャップ膜は、前記第１の磁性膜の上に形成されて
いて、前記第１の磁性膜の媒体摺動部とは反対側に前記
第１の磁性膜に連なる結合穴を有しており、前記有機絶縁膜及び前記導体コイル膜は、前記ギャップ
膜の上で交互に積層されており、最上層の有機絶縁膜は、それより下層の有機絶縁膜の全
体を覆い前記ギャップ膜の面上に連続しており、前記第２の磁性膜は、前記最上層の有機絶縁膜の上面に
形成されいて、前記結合穴を通して前記第１の磁性膜に
接続されていること、を特徴とする薄膜磁気ヘッド。