JPH08167123A

JPH08167123A - 磁気ヘッドの製造方法、磁気ヘッド素子群を有する基板、及び、磁気ヘッド素子群を有する基板の製造方法

Info

Publication number: JPH08167123A
Application number: JP6309238A
Authority: JP
Inventors: Isamu Yuhito; 勇由比藤; Toru Miyazaki; 徹宮崎; Harunobu Saito; 治信斉藤
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1994-12-13
Filing date: 1994-12-13
Publication date: 1996-06-25
Also published as: KR960025349A; CN1132896A

Abstract

(57)【要約】【目的】磁気抵抗効果型ヘッド及び記録再生分離型複
合ヘッド素子の形成時において、静電気による素子の絶
縁破壊を防止し、高い歩留りで素子を形成する。【構成】磁気抵抗効果型ヘッドを構成する電極とシー
ルド膜と、あるいは、電極とシールド膜及び誘導型薄膜
磁気ヘッドの磁極とを電気的に接続して、基板上に多数
のヘッド素子を形成する作製プロセスを実施し、素子の
作製後、切り離す際に、前記接続を除去する。これによ
り、プロセス途中の静電気による素子の絶縁破壊を防止
することができ、高い歩留りでヘッド素子を形成するこ
とができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気ヘッドの製造方
法、磁気ヘッド素子群を有する基板、及び、磁気ヘッド
素子群を有する基板の製造方法に係り、特に、磁気ディ
スク装置、ＶＴＲ等に用いて効果的な磁気抵抗効果型ヘ
ッド及び記録再生分離型複合ヘッド等の磁気ヘッドの製
造方法、これらの磁気ヘッド素子群を有する基板、及
び、これらの磁気ヘッド素子群を有する基板の製造方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁気記録装置は、その記憶容量の
増大に伴い、記録密度が高まっており、また、装置の小
型化が図られている。また、同時に、記録媒体のヘッド
に対する相対速度が低速になっている。例えば、磁気デ
ィスク装置は、トラック幅が数μｍになりつつあり、デ
ィスク径が３．５インチ、２．５インチさらには２イン
チ以下と小径なってきている。このように、信号を狭く
記録し、また、高Ｓ／Ｎ（信号／ノイズ比）に再生する
ために、記録に誘導型薄膜磁気ヘッド、再生に磁気抵抗
効果型ヘッドを用いる記録再生分離型複合ヘッドの開発
が盛んとなっている。

【０００３】この種のヘッドに関する従来技術として、
例えば、IEEE Trans.Magn.,26,1689(1990)（アイイーイ
ーイートランザクションオンマグネチックスボ
リューム２６ページ１６８９１９９０年）等に記載
された技術が知られている。

【０００４】以下、この種の従来技術による記録再生分
離型複合ヘッドについて図面により説明する。

【０００５】図４は従来技術による記録再生分離型複合
ヘッドの構造を説明する斜視図、図５は再生用磁気抵抗
効果型ヘッドの構造を説明する図、図６は基板上に形成
される磁気ヘッド群を説明する図、図７は記録再生分離
複合ヘッドの作製プロセスを説明する図である。図４〜
図６において、１は基板、２は下部シールド膜、３は上
部シールド膜、４は下部ギャップ膜、５は上部ギャップ
膜、６はＭＲ複合膜、７は磁区制御膜、８は電極、９は
ギャップ膜、１０はコイル、１１は絶縁層、１２は磁
極、１９は保護膜である。

【０００６】記録再生分離型複合ヘッドは、図４に示す
ように、再生用磁気抵抗効果型ヘッド上に、コイル１
０、絶縁層１１、磁極１２による記録用誘導型薄膜磁気
ヘッドが積層された構造を有している。そして、再生用
磁気抵抗効果型ヘッド部は、図５にもその詳細を示すよ
うに、上部シールド膜３及び下部シールド膜２、ＭＲ複
合膜６、該ＭＲ複合膜６の両端に形成した磁区制御膜
７、下部、上部ギャップ膜４及び５等により構成されて
いる。

【０００７】磁気抵抗効果型ヘッドを構成する各膜は、
非常に薄いものであり、例えば、ＭＲ複合膜６及び磁気
抵抗効果膜７は数１０ｎｍ、また、下部及び上部ギャッ
プ膜４、５の厚膜は、それぞれ１００〜３００ｎｍ程度
である。これらの膜厚は、記録の高密度化のためにさら
に薄くなる傾向にある。

【０００８】これら磁気ヘッドは、図６（ａ）に示すよ
うに、基板１上に多数同時に磁気ヘッド素子として形成
し、その後、切断、研磨等により１つ１つの磁気ヘッド
に分離し、図６（ｂ）に示すように、スライダ加工を行
うことにより作製される。

【０００９】次に、図７を参照して、前述したような記
録再生分離複合ヘッドの作製プロセスを基板上への素子
形成工程を含めて説明する。

【００１０】（１）基板１として、例えば、Ａｌ₂Ｏ₃−
ＴｉＣの基板を用意する。そして、基板１上に、下地膜
としてＡｌ₂Ｏ₃膜１−１を成膜する。

【００１１】（２）下地膜上に、下部シールド膜２、下
部ギャップ膜４を成膜する。

【００１２】（３）磁区制御膜７、ＭＲ複合膜６及び電
極８を形成する。

【００１３】（４）上部ギャップ膜５、上部シールド膜
３を形成する。

【００１４】（５）コイル１０、絶縁層１１、磁極１２
等からなる誘導型薄膜磁気ヘッド素子を形成する。

【００１５】（６）保護膜１３及び端子１４を形成す
る。

【００１６】記録再生分離型複合ヘッドは、前述したよ
うに作製されるが、再生用の磁気抵抗効果型ヘッドある
いは記録用の誘導型薄膜磁気ヘッドを積層した記録再生
分離型複合ヘッドを作製する上での大きな課題は、磁気
抵抗効果型ヘッド素子が、基板上への作製段階で絶縁破
壊により破壊されることである。

【００１７】磁気抵抗効果型ヘッドの作製段階での絶縁
破壊を防止する技術に関して、例えば、特開昭６１−７
７１１４号公報等に記載されたものが知られている。こ
の技術は、電極を挟む一対のシールド膜を等電位とし、
また、その電位をアース電位として、電極に電荷が誘起
されることをなくすことにより、ヘッドが絶縁破壊され
ることを防止するというものであり、ヘッドの使用時に
おけるヘッドの破壊を防止するという課題を解決するた
めに有効であるが、ヘッド素子作製時に利用することが
できないものである。

【００１８】図８は上部ギャップ膜形成時の破壊のメカ
ニズムを説明する図、図９は保護アルミナ膜形成時の破
壊のメカニズムを説明する図であり、以下、図８、図９
を参照して、ヘッド素子作製時におけるヘッド破壊のメ
カニズムを説明する。

【００１９】まず、図８を参照して上部ギャップ膜形成
時の破壊について説明する。図７による作製の工程で、
上部ギャップ膜５を形成したとき、上部ギャップ膜５の
表面に蓄積した電荷により、電極８、下部シールド膜４
の表面に電荷が静電誘導される。このため、上部ギャッ
プ膜５の表面と電極８あるいは下部シールド膜２との
間、電極８と下部シールド膜２との間に大きな電位差が
生じ、この部分で絶縁破壊が生じ易くなる。特に、電極
８と下部シールド膜２との間には、下部ギャップ膜４の
みしか存在しないため、この部分で絶縁破壊が生じ易
い。

【００２０】次に、図９を参照して保護膜１３を形成す
る場合の磁気抵抗効果型ヘッドの破壊について説明す
る。保護膜１３は、一般に、５０μｍ程度の膜厚でアル
ミナをスパッタリングすることにより成膜される。とこ
ろで、アルミナは、スパッタイールドが小さく、成膜に
時間がかかる。そこで、スパッタリング時に大電力を供
給し、スパッタイールドを高める等の工夫がなされてい
る。しかし、大電力の供給は、プラズマをより活性に
し、電子の数を増加させ、基板表面の電位をより高める
こととなる。

【００２１】この結果、磁気抵抗効果型ヘッドの破壊が
より顕著となる。そして、この場合にも、電極８と下部
シールド膜２との間で絶縁破壊が生じ易い。さらに、Ｍ
Ｒ複合膜６、電極８をイオンミリング法で形成する場合
にも、絶縁破壊が顕著となる。この場合には、ＭＲ複合
膜６あるいは電極８と下部シールド膜２との間で絶縁破
壊が生ずる。

【００２２】前述したように、記録再生分離型複合ヘッ
ドを代表とする薄膜磁気ヘッドは、半導体プロセスを基
本として作製され、成膜にスパッタリング法、エッチン
グにＲＩＥ（反応性イオンエッチング）法、あるいは、
イオンミリング法等を用いて作製され、プラズマを用い
た設備を多用して作製される。一般に、プラズマは、中
性、プラスイオン及びマイナスの電子からなっており、
このプラズマ雰囲気中に基板が曝されると、膜表面に電
荷が蓄積される。この結果、前述したような電位差が生
じ絶縁破壊が起き易くなる。

【００２３】前述では、再生用の磁気抵抗効果型ヘッド
の絶縁破壊について述べたが、記録用の誘導型薄膜磁気
ヘッドについても同様な問題点がある。誘導型薄膜磁気
ヘッドは、コイルと磁極との間で前述と同様な現象が発
生しやすいが、コイルと磁気コアとの間に、膜厚数μｍ
の絶縁膜が設けられているため、磁気抵抗効果型ヘッド
程には絶縁破壊が生じることはない。

【００２４】

【発明が解決しようとする課題】前述したように、従来
技術による磁気抵抗効果型ヘッドは、素子の作製中の静
電気の帯電により絶縁破壊が生じるという問題点を有し
ている。

【００２５】本発明の目的は、前記従来技術の問題点を
解決し、素子作製中における素子の絶縁破壊を防止して
高い歩留りで作製可能な、高密度の記録再生のために使
用して好適な構造を有する磁気抵抗効果型ヘッド及び記
録再生分離型複合ヘッド等の磁気ヘッドの製造方法を提
供することにあり、かつ、製造段階における磁気ヘッド
素子を有する基板、及び、該磁気ヘッド素子を有する基
板の製造方法を提供することにある。

【００２６】

【課題を解決するための手段】本発明によれば前記目的
は、製造段階で基板上に形成される複数の磁気抵抗効果
型ヘッドの上部及び下部ギャップ膜を挟む下部シールド
膜、電極、上部シールド膜、及び、記録再生分離型復号
ヘッド素子のときには、その誘導型ヘッド素子の磁極も
電気的に接続しておくことにより達成される。

【００２７】すなわち、本発明による磁気ヘッドの製造
方法は、上部、下部シールド膜、磁気抵抗効果膜、該磁
気抵抗効果膜にバイアス磁界を印加するためのバイアス
膜、該磁気抵抗効果膜に電気的に接続された電極、該磁
気抵抗効果膜、該電極と該上部、該下部シールド膜間に
形成された上部、下部ギャップ膜、バルクハウゼンノイ
ズ抑止のために磁気抵抗効果膜と磁気的に接続され、か
つ、その両端に形成された磁区制御膜等からなる磁気抵
抗効果型ヘッド素子、または、前記磁気抵抗効果型ヘッ
ド素子と誘導型薄膜磁気ヘッド素子とからなる記録再生
分離型複合ヘッド素子の複数個を、前記電極と上部及び
下部シールド膜とが電気的に接続して基板上に形成し、
基板上に形成された前記前記磁気抵抗効果型ヘッド素子
または記録再生分離型複合ヘッド素子を１個ずつ切り離
し、前記電極と上部及び下部シールド膜との電気的な接
続を切り離すようにすることを特徴とする。

【００２８】

【作用】本発明は、基板上に素子を形成するときの各機
能膜の形成時に、下部及び上部ギャップ膜の所定の位置
にスルーホールを形成し、これらのギャップ膜を挟む下
部シールド膜、電極、上部シールド膜及び磁極を相互に
電気的に接続して、これらが同電位となるようにされて
いる。

【００２９】この結果、本発明は、製造工程の各段階に
おいて使用されるスパッタリング、反応性イオンエッチ
ング、あるいは、イオンミリング等のプラズマ処理時
に、各機能膜に生じる静電気による膜相互間の絶縁破壊
を生じさせることを防止することができ、素子作製中に
おける素子の絶縁破壊を防止して高い歩留りで作製可能
な、高密度の記録再生のために使用して好適な構造を有
する磁気抵抗効果型ヘッド及び記録再生分離型複合ヘッ
ドを製造することができる。

【００３０】

【実施例】以下、本発明による磁気抵抗効果型ヘッド及
び記録再生分離型複合ヘッドの実施例を図面により詳細
に説明する。

【００３１】図１は本発明の第１の実施例による記録再
生分離型複合ヘッドの断面構造を示す図である。図１に
おいて、１３は保護膜、１４、１５は上部端子、１６は
スルーホール、１７はバックギャップであり、他の符号
は図４、図５の場合と同一である。

【００３２】図１において、再生用の磁気抵抗効果型ヘ
ッドは、基板１（一般にはベースアルミナ膜１−１が積
層されている）上に形成した外乱磁界からの影響を防止
するための下部及び上部シールド膜２、３と、下部及び
上部ギャップ膜４、５と、信号磁界を電気抵抗の変化と
して検出する磁気抵抗効果膜、分離膜、バイアス膜の３
層からなるＭＲ複合膜６と、センス電流を通電するため
の電極８と、バルクハウゼンノイズを抑止するための磁
区制御膜７とにより構成されている。

【００３３】そして、記録再生分離型複合ヘッドは、前
述のような構造を持った再生用としての磁気抵抗効果型
ヘッド上に、記録用の誘導型薄膜磁気ヘッドが積層され
て構成される。誘導型薄膜磁気ヘッドは、記録信号出力
用のコイル１０、磁極１２及び絶縁層１１等から構成さ
れる。電極８は、下部端子１８及び上部端子１４を介し
て外部の配線と接続される。コイル１０も同様に外部の
配線と接続される。

【００３４】保護膜１３は、磁気抵抗効果型ヘッド、誘
導型薄膜磁気ヘッド及び端子１４が形成された後、高周
波スパッタ法により形成される。前述したように、素子
の破壊は、この保護膜１３の形成時にも発生しやすく、
もちろん、その他、プラズマを用いるプロセスにおいて
も発生する。

【００３５】図１に示す構造を持つ素子において最も絶
縁破壊しやすい領域は、電極８と上部シールド膜３及び
下部シールド膜２とに挾まれた上部ギャップ膜５及び下
部ギャップ膜４である。なぜならば、上部ギャップ膜５
及び下部ギャップ膜４の膜厚が、一般に１００ｎｍ〜３
００ｎｍと非常に薄いためである。

【００３６】本発明の第１の実施例は、作製の途中にお
いて、電極８、下部シールド膜２、上部シールド膜３及
び磁極１２をスルーホール１６を介して、素子上で電気
的に接続しておくものである。これにより、第１の実施
例は、上部ギャップ膜５及び下部ギャップ膜４を挟んで
いる電極８と下部シールド膜２、上部シールド膜３及び
磁極１２とを同電位とすることができ、これらの間での
絶縁破壊を防止することができる。そして、基板上に作
製された素子は、磁気ヘッドとするために、基板から切
り出した後、図１に一点鎖線で示す位置まで研磨され
る。この結果、前述したスルーホール１６による接続部
が除去されることになり、作製の途中で絶縁破壊を生じ
させることなく、高性能なヘッドを構成することができ
る。

【００３７】次に、図１に示す構造を有する記録再生分
離型複合ヘッドの作製方法を説明する。

【００３８】（１）ベースアルミナ膜１−１が積層され
た基板１上に下部シールド膜２を成膜する。基板１は、
アルミナチタンカーバイト板であり、下部シールド膜２
は、膜厚が１μｍのＮｉＦｅ合金膜でありスパッタリン
グ法により形成する。下部シールド膜２として、ＣｏＮ
ｂＺｒ、ＣｏＴａＺｒ等の非晶質合金薄膜を用いること
も有効である。非晶質合金薄膜は、表面が平滑であるた
めに、磁気抵抗効果膜の特性を劣化させにくいという特
性を有している。また、下部シールド膜２は、ホトレジ
スト膜をマスクしたイオンミリング法により、所定の形
状にパターニングされる。

【００３９】（２）下部ギャップ膜４を形成する。材質
はアルミナであり、膜厚は０．２μｍである。成膜はス
パッタリングにより行い、図１に点線で囲んだ領域の下
部ギャップ膜４を除去してスルーホール１６とし、下部
シールド膜２を露出させておく。

【００４０】（３）バイアス膜、分離膜、磁気抵抗効果
膜からなるＭＲ層複合膜６を順次、連続的に成膜する。
膜厚はそれぞれ２０、１５、２５ｎｍである。また、材
質はそれぞれＮｉＦｅＣｏＮｂ合金、Ｔａ、ＮｉＦｅ合
金で、成膜はスパッタリング法により行う。

【００４１】（４）ＭＲ層複合膜６をイオンミリング法
でパターニングする。パターンの大きさは２０μｍ×５
μｍである。

【００４２】（５）磁区制御膜７及び電極８を形成す
る。電極は２層に形成して電気抵抗を小さくし、Ｓ／Ｎ
比の向上を図っている。パターニングはリフトオフ法で
行った。磁区制御膜７にはＦｅＭｎ合金層を用いた。ま
た、磁区制御膜７にはＦｅＭｎとＲｕ、Ｉｒ、Ｒｈ等と
の合金も有効であり、さらに、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｔＣｒ
等の硬磁性膜も有効である。電極８は、Ｔａ／Ａｕ／Ｔ
ａ複合膜を用い、膜厚を５／１００／５ｎｍとした。ト
ラック幅となる電極間隔は２．５μｍである。この磁区
制御膜７及び電極８の形成時、電極８を前記（２）で形
成した下部ギャップ膜４のスルーホール１６を介して下
部シールド膜２と電気的に接続する。

【００４３】（６）上部ギャップ膜５を形成する。材質
はアルミナであり、膜厚は０．１９μｍである。成膜は
スパッタリングで行った。また。次の工程（７）で形成
する上部シールド膜３と電極８及び下部シールド膜２と
を電気的に接続するため、図１に点線で囲んだ領域のア
ルミナ膜及び端子部等のアルミナ膜をイオンミリング法
で除去し、スルーホール１６としておく。スルーホール
１６の形成には、リフトオフ法を使用することも有効で
ある。

【００４４】（７）上部シールド膜３を成膜する。上部
シールド膜３は、ＮｉＦｅ合金薄膜でスパッタリング法
により、膜厚を１μｍに形成した。

【００４５】前述までの工程で、下部シールド膜２、電
極８及び上部シールド膜３が電気的に接続された再生用
の磁気抵抗効果型ヘッドが形成される。そして、以下の
工程を続けることにより、記録用誘導型薄膜磁気ヘッド
を形成する。

【００４６】（８）ギャップ膜９を形成する。材質はア
ルミナであり、膜厚は０．６μｍである。成膜はスパッ
タリングで行った。上部シールド膜３と磁極１２とが電
気的に接続するため、図１に点線で囲んだ領域のバック
ギャップ１７及び端子部のギャップ膜はイオンミリング
法により除去し、スルーホール１６としておく。スルー
ホール１６の形成には、リフトオフ法を使用することも
有効である。

【００４７】（９）コイル１０を形成する。コイルの巻
数は１７ターンで、めっき法で形成した。材料はＣｕで
あり、下層には付着力向上のためのＣｒ層を形成した。
全膜厚は３．５μｍである。

【００４８】（10）ホトレジストを塗布、熱処理し、絶
縁層１１を形成する。膜厚は１２μｍである。

【００４９】（11）磁極１２を形成する。材料はＮｉＦ
ｅ合金であり、成膜はスパッタリング法で行った。膜厚
は４μｍである。その後、レジスト膜をマスクとしてイ
オンミリング法でパターニングし磁極１２を形成する。

【００５０】前述までの工程で、下部シールド膜２、電
極８、上部シールド膜３及び磁極１２が電気的に接続さ
れた再生用の磁気抵抗効果型ヘッド及び記録用誘導型薄
膜磁気ヘッドが形成される。さらに、以下の工程を続け
ることにより、端子及び保護膜を形成する。

【００５１】（12）磁気抵抗効果型ヘッドの電極８及び
誘導型薄膜磁気ヘッドのコイル１０に下部端子１８を形
成する。下部端子１８はめっき法で形成した。材料はＣ
ｕであり、膜厚は６０μｍである。

【００５２】（13）保護膜１３を形成する。材料はアル
ミナでスパッタリング法で形成した。膜厚は７０μｍで
ある。この工程により、基板全面が保護アルミナ膜１９
で覆われることになる。

【００５３】（14）次に、ラップ法により保護膜１３を
研磨し、下部端子１８を露出させる。

【００５４】（15）磁気抵抗効果型ヘッド用の上部端子
１４及び誘導型薄膜磁気ヘッド用上部端子１５をめっき
法で形成する。材料はＡｕで、膜厚は１０μｍである。

【００５５】以上の工程で、基板１上に、下部シールド
膜２、電極８、上部シールド膜３及び磁極１２が電気的
に接続された多数の記録再生分離型複合ヘッド素子が形
成される。これらの各素子は、素子毎に切り出された
後、図１に示す一点鎖線の位置まで研磨加工が施され
て、記録再生分離型複合ヘッドとして作製される。

【００５６】前述したような工程により作製した本発明
の第１の実施例による磁気抵抗効果型ヘッドの耐圧を評
価した結果、次のような結果が得られた。なお、耐圧の
評価は、記録／再生特性の結果より判断した。すなわ
ち、仮にヘッド作製中に絶縁破壊が発生していれば、磁
気抵抗効果型ヘッド特有のバルクハウゼンノイズの発
生、出力の対称性劣化、再生出力あるいは記録効率の低
下等となって現われるはずであるので、これらについて
の評価を５０００個のヘッドについて行った。

【００５７】その結果、前述の工程で作製した本発明の
第１の実施例のヘッドは、バルクハウゼンノイズが発生
したヘッドが０．６％（３０個）、再生出力がでないあ
るいは低下したヘッドが３％（１５０個）、出力の対称
性劣化が生じたヘッド１．６％（８０個）であった。ま
た、記録特性の劣化したヘッドは約１％（４９個）であ
った。

【００５８】ちなみに、比較のために従来技術によるヘ
ッドについても同時に作製し、同数の５０００個のヘッ
ドについて評価した。その結果、前述の障害を発生した
ヘッドは、それぞれ、８％（４００個）、１３％（６５
０個）、１０％（５００個）、１％（５０個）であっ
た。

【００５９】図２は本発明の第２の実施例による記録再
生分離型複合ヘッドの構造を示す斜視図である。図２に
おいて、４１〜４４はリード線であり、他の符号は図１
の場合と同一である。

【００６０】前述した本発明の第１の実施例は、基板１
上に形成した素子毎に、下部シールド膜２、電極８、上
部シールド膜３及び磁極１２を電気的に接続するとし
た。しかし、下部シールド膜２、電極８、上部シールド
膜３及び磁極１２を同電位にすることができれば、必ず
しも各素子毎に接続を行う必要はない。

【００６１】本発明の第２の実施例は、図２に示すよう
に、複数の素子の下部シールド膜２同志をリード線を介
して電気的に接続し、同様に、電極８、上部シールド膜
３及び磁極１２同志もリード線を介して電気的に接続
し、さらに、下部シールド膜２、電極８、上部シールド
膜３及び磁極１２から引き出されたリード線を電気的に
相互に接続して作製するようにしている。接続個所は、
基板作製中の破損を考慮すると、複数が望ましく、この
実施例では、４個所の領域で接続した。

【００６２】その作製方法は、例えば、下部シールド膜
２の形成時にリード線４１を作製するというものであ
る。このため、本発明の第２の実施例は、前述した本発
明の第１の実施例の工程（１）において使用するホトマ
スクの形状に変更を加えて工程（１）実施している。同
様に、電極、上部シールド膜３、磁極１２形成時にも、
各工程で使用するホトマスクを変更することにより、そ
れぞれのリード線４２、４３、４４を形成することがで
きる。そして、それぞれのリード線は、基板の複数の個
所で接続される。続いて、第１の実施例の場合と同様
に、下部端子１８、保護膜１３、上部端子１４、１５を
形成する。

【００６３】本発明の第２の実施例は、リード線の作
製、リード線同志の接続を行うために、前述した第１の
実施例で用いたホトマスクのパターンを変更するだけで
よく、新たな工程を追加する必要がない。また、素子毎
の切り出し、研磨は、第１の実施例１と同様に行えばよ
い。

【００６４】本発明の第２の実施例についても５０００
個のヘッドについてその効果を評価した。その結果、バ
ルクハウゼンノイズが発生したヘッドは０．５％（２５
個）、再生出力がでないあるいは低下したヘッドは３％
（１５０個）、出力の対称性劣化を生じたヘッドは２．
６％（１３０個）、記録特性の劣化したヘッドは約０．
６％（３０個）であり、第１の実施例の場合と同等の効
果を得ることができた。

【００６５】前述した本発明の第２の実施例は、下部シ
ールド膜２、電極８、上部シールド膜３及び磁極１２に
形成したリード線を複数の個所で接続するものとした。
しかし、この実施例では、基板上に４本のリード線が縦
横に形成されることになり、パターン配置の自由度が低
下する場合がある。

【００６６】次に説明する本発明の第３の実施例は、こ
のような問題に対処することを可能にしたものであり、
前述した第１と第２の実施例を組み合わせた構造を備え
たものである。

【００６７】本発明は、下部シールド膜２、電極８、上
部シールド膜３及び磁極１２が同電位となるようにする
ことがポイントであるので、下部シールド膜２、電極
８、上部シールド膜３及び磁極１２の内のいくつかを素
子部で電気的に接続しておいてもよいことになる。本発
明の第３の実施例は、本発明の前述のような観点に立っ
て構成されたもので、下部シールド膜２、上部シールド
膜３及び磁極１２を素子部で電気的に接続し、リード線
を電極８からのリード線と下部シールド膜２、上部シー
ルド膜３及び磁極１２からのリード線との２本として構
成される。

【００６８】これにより、本発明の第３の実施例は、基
板上のリード線を本発明の第２の実施例の半分とするこ
とができ、パターン配置の自由度が低下することを避け
ることができ、第１、第２の実施例の場合と同様な効果
を得ることができる。

【００６９】図３は本発明の第４の実施例による記録再
生分離型複合ヘッドの断面構造を示す図である。図３に
おいて、１９はスルーホールであり、他の符号は図１の
場合と同一である。

【００７０】図３に示す本発明の第４の実施例は、ベー
スアルミナ膜１−１上に、前述した本発明の第１〜第３
の実施例で説明したと同様に、スパッタリング法、ホト
リソグラフィ法によって、素子を形成していく。そし
て、この第４の実施例は、下部シールド膜２、電極８、
上部シールド膜３及び磁極１２をスルーホール１９によ
り基板１と電気的に接続して構成される。

【００７１】本発明の第４の実施例は、前述のようにす
ることにより、素子部に蓄積された電荷を基板を通して
アースに放出することができ、作製の途中における破壊
を防止することができる。

【００７２】本発明の第４の実施例についても５０００
個のヘッドについてその効果を評価した。その結果、バ
ルクハウゼンノイズが発生したヘッドは０．５％（２５
個）、再生出力が出ないあるいは低下したヘッドが１．
５％（７６個）、出力の対称性劣化を生じたヘッドは
２．０％（１０３個）、記録特性の劣化したヘッドは約
０．２％（１０個）であり、第１〜第３の実施例より高
い効果を得ることができた。

【００７３】前述した本発明の第１〜第４の実施例は、
記録再生分離型複合ヘッドを製造するものとして説明し
たが、本発明は、磁気抵抗効果型ヘッドの製造にも適用
することができる。この場合、前述した各実施例におい
て、磁気抵抗効果型ヘッド素子を基板上に形成した状態
から、切り離しの工程を行うようにすればよい。

【００７４】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、磁
気抵抗効果型ヘッド及び記録再生分離型複合ヘッドの素
子作製中における素子の絶縁破壊を防止して高い歩留り
で作製可能な、高密度の記録再生のために使用して好適
な磁気抵抗効果型ヘッド及び記録再生分離型複合ヘッド
を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例による記録再生分離型複
合ヘッドの断面構造を示す図である。

【図２】本発明の第２の実施例による記録再生分離型複
合ヘッドの構造を示す斜視図である。

【図３】本発明の第４の実施例による記録再生分離型複
合ヘッドの断面構造を示す図である。

【図４】従来技術による記録再生分離型複合ヘッドの構
造を説明するする斜視図である。

【図５】再生用磁気抵抗効果型ヘッドの構造を説明する
図である。

【図６】基板上に形成される磁気ヘッド群を説明する図
である。

【図７】記録再生分離複合ヘッドの作製プロセスを説明
する図である。

【図８】上部ギャップ膜形成時の破壊のメカニズムを説
明する図である。

【図９】保護アルミナ膜形成時の破壊のメカニズムを説
明する図である。

【符号の説明】

１基板１−１ベースアルミナ２下部シールド膜３上部シールド膜４下部ギャップ膜５上部ギャップ膜６ＭＲ複合膜７磁区制御膜８電極９ギャップ膜１０コイル１１絶縁層１２磁極１３保護膜１４、１５上部端子１６、１９スルーホール１７バックギャップ１８下部端子４１〜４４リード線

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】上部、下部シールド膜、磁気抵抗効果
膜、該磁気抵抗効果膜にバイアス磁界を印加するための
バイアス膜、前記磁気抵抗効果膜に電気的に接続された
電極、前記磁気抵抗効果膜及び電極と前記上部、下部シ
ールド膜との間に形成された上部、下部ギャップ膜、バ
ルクハウゼンノイズ抑止のために磁気抵抗効果膜と磁気
的に接続され、かつ、その両端に形成された磁区制御膜
等からなる磁気抵抗効果型ヘッド素子、または、前記磁
気抵抗効果型ヘッド素子と誘導型薄膜磁気ヘッド素子と
からなる記録再生分離型複合ヘッド素子の複数個を、前
記電極と上部及び下部シールド膜とを電気的に接続して
基板上に形成し、基板上に形成された前記磁気抵抗効果
型ヘッド素子または記録再生分離型複合ヘッド素子を１
個ずつ切り離し、前記電極と上部及び下部シールド膜と
の電気的な接続を切り離すことを特徴とする磁気ヘッド
の製造方法。
【請求項２】上部、下部シールド膜、磁気抵抗効果
膜、該磁気抵抗効果膜にバイアス磁界を印加するための
バイアス膜、前記磁気抵抗効果膜に電気的に接続された
電極、前記磁気抵抗効果膜及び電極と前記上部、下部シ
ールド膜との間に形成された上部、下部ギャップ膜、バ
ルクハウゼンノイズ抑止のために磁気抵抗効果膜と磁気
的に接続され、かつ、その両端に形成された磁区制御膜
等からなる磁気抵抗効果型ヘッド素子、または、前記磁
気抵抗効果型ヘッド素子と誘導型薄膜磁気ヘッド素子と
からなる記録再生分離型複合ヘッド素子の複数個が、前
記電極と上部及び下部シールド膜とを電気的に接続して
基板上に形成されていることを特徴とする磁気ヘッド素
子群を有する基板。
【請求項３】上部、下部シールド膜、磁気抵抗効果
膜、該磁気抵抗効果膜にバイアス磁界を印加するための
バイアス膜、前記磁気抵抗効果膜に電気的に接続された
電極、前記磁気抵抗効果膜及び電極と前記上部、下部シ
ールド膜との間に形成された上部、下部ギャップ膜、バ
ルクハウゼンノイズ抑止のために磁気抵抗効果膜と磁気
的に接続され、かつ、その両端に形成された磁区制御膜
を順次形成する工程を含み、前記下部ギャップ膜、及
び、上部ギャップ膜の形成時、これらの膜にスルーホー
ルを設け、該スルーホールを介して前記電極と上部及び
下部シールド膜とを電気的に接続することを特徴とする
磁気ヘッド素子群を有する基板の製造方法。