CN1132896A - 制造带有基片上形成元件的磁头及带有磁头的基片的方法 - Google Patents

Abstract

为了以高产率制造磁阻磁头元件和读/写分离型双重磁头元件时能防止由静电导致其绝缘击穿的目的；每个磁阻磁头元件的电极连接到屏蔽膜，或者，每个磁阻磁头元件的所述电极电连接到屏蔽膜并连接到电感型薄膜磁头元件的磁极，由此基片上形成许多磁头元件。分别切下这样形成的磁头元件，以便由此断开那些电连接。这些磁头元件以这种方式就可能防止在制造期间易遭受到的由静电引起的绝缘击穿，这样还可以高产率制造磁头。

Description

制造带有基片上形成 元件的磁头及带 有磁头的基片的方法

本发明涉及一种用于制造磁头的方法、一种具有一组形成在其上的磁头的基片以及一种用于制造这样一种基片的方法。更具体地说，本发明属于一种用于制造磁头的方法，该磁头例如是磁阻磁头、有效地用于磁盘单元、录像机(VTR)或诸如此类的东西的读/写分离型双重磁头，本发明是关于一种具有一组形成在其上的这样的一些磁头的基片以及用于制造这样一种基片的方法。

这些年中，因磁存储器存储容量的增加，它的记录密度也已增加。进一步，已经要求这样一种磁存府器的尺寸减小。同时，也已使得记录介质关于磁头的相对速度降低。

例如，关于磁盘单元，近来的趋势是道的宽度基本上减少到小至几微米的值，而且使盘的直径小于3.5英寸2.5英寸且进一步到2英寸或更小。以这种方式，为了满足关于尽可能窄地记录信号且以高的信噪比(S/N)再现该信号的需要，针对读/写分离型双重磁头的发展越来越强有力，其中，电感型薄膜磁头用于写入或记录，而磁阻磁头用于再现或读出。

例如，在杂志IEEE Trans.Magn.，26，P.1689，1990上公开了这种类型的现有技术的磁头之一。

将参照附图说明这种读/写分离型的现有技术的双重磁头。

图4是用于说明现有技术的读/写分离型双重磁头的结构的透视图。图5是从该磁头的它的气垫表面(它的磁头盘的缝隙侧)看，该读/写分离型双重磁头的剖面的前视图，图6是用于说明一组磁头的一幅图，而图7是用于说明制造该读/写分离型双重磁头的过程的一幅图。在图4至6中，参考标号1表示一个基片，2表示一个下屏蔽膜，3是一个上屏蔽膜，4是一个下部缝隙膜，5是一个上部缝隙膜，6是一个磁阻(MR)复合膜，7是一个磁畴控制膜，8是一个电极，9是一个缝隙膜，10是一个线圈，11是一个绝缘层，12是一个磁极，19是一个保护膜。

如图4所示，读/写分离型双重磁头包括一用作读出磁头的磁阻磁头A和用作叠合在磁阻磁头A上的写入磁头的一感应磁头B。感应磁头B本身又有线圈10、绝缘层11和磁极12。另一方面，如图5清楚所示出的那样，磁阻读出磁头A有上和下屏蔽膜3和2、MR复合膜6、磁畴控制膜7，磁畴控制膜7形成在MR复合膜6及下和上部缝隙膜4和5这两者的端部。

在磁阻磁头中的那些膜各自都是很薄的。例如，MR复合膜6和磁畴控制膜7都在数十毫微米的数量级，而下和上部缝隙膜4和5都是在约100至300毫微米的数量级。为了达到获得更高记录密度的目的，趋向于使这些膜的厚度更薄。

如图6(a)所示，样一种薄膜磁头形成为同时形成在基片1上的众多磁头之一。此后，该基片经受切割和抛光工序成为独立的磁头块。如图6(b)所示，把这些磁头块加工成滑块。

下面将参照图7与在一个基片上形成这样一种磁头的步骤一起说明制造上述读/写分离型双重磁头的各个过程。

(1)制备一个基片1，例如一个Al₂O₃-TiC基片。而一个Al₂O₃膜形成在基片1上作为一个打底膜。

(2)形成在上述打底膜上的是一个与一个下部缝隙膜4一起的下屏蔽膜2。

(3)形成在所述基片上的是一个磁畴控制膜7、一个MR复合膜6和一个电极8。

(4)形成在上述基片上的是一个与一个上部缝隙膜5一起的上屏蔽膜3。

(5)一个电感型薄膜磁头单元装在所述基片上，该单元包括线圈10、绝缘层11和磁极12。

(6)一个保护膜13和一个接头14形成在上述磁头单元上，这样制成了一个读/写分离型双重磁头。

这样制造的读/写分离型双重磁头有一个大问题，当制造包括一磁阻读出磁头和一个电感型薄膜写入磁头的组合且一个磁头装在另一个上的双重磁头时，该磁阻磁头在写入磁头装在基片上的阶段易遭受到绝缘损坏，并导致它的损坏。

例如，在出版物JP-A-61-77114中公开了用于防止在上述制造过程中引起的磁阻磁头的绝缘损坏的已知技术。这种技术打算通过使在其间插入了一个电极的一对防护膜的电位高度相等并把该相等的电位接地以便消除在所述电极感应电荷，来防止磁头的绝缘击穿。该技术在解决使用磁头时防止磁头损坏的问题上是有效的，但在制造磁头元件时不能采用。

也就是说，现有技术的磁头有在制造磁头元件期间所感应的静电导致磁头中绝缘击穿的问题。

进一步，尽管已经说明了关于磁阻读出磁头的绝缘损坏，电感型薄膜写入磁头也有类似的问题。也就是说，电感型薄膜磁头趋于在上述线圈和磁极之间导致类似的现象。不过，由于薄至数毫微米的一个绝缘膜配置在所述线圈和磁芯之间，电感型磁头比磁阻磁头更不易受到绝缘击穿。

本发明的一个目的是提供一种用于制造磁阻磁头元件和读/写分离型双重磁头元件的方法，该方法解决了现有技术中的上述问题，这方法能防止在制造所述那些元件期间它们的绝缘击穿，这些元件能以高产率制造，且能适用于高密度记录/再现，而且还提供了一种在元件制造期间有一些磁头元件形成在其上的基片以及制造具有那些磁头元件的所述基片的方法。

根据本发明，通过先电连接一个下屏蔽膜、一些电极和一个夹在磁头的上和下缝隙膜之间的上屏蔽膜，且还通过电连接除了在那些读/写分离型双重磁头元件中上述那些元件外的一磁极来达到上述目的。

根据本发明，提供了一种用于制造磁阻元件的方法，该磁阻元件包括上和下屏蔽膜、一个磁阻膜、一个用于把一个偏置磁场施加到该磁阻膜上的偏磁膜、一些电连接到所述磁阻膜上的电极、形成在上述磁阻膜、电极以及上和下屏蔽膜两两之间的上和下部缝隙膜、以及形成在上述磁阻膜两端以便磁耦合该磁阻膜为了抑制Barkhausen噪声的一个磁畴控制膜；还提供了一种用于制造一些读/写分离型双重磁头元件的方法，这些元件的每一个都包括磁阻磁头元件和一个电感型薄膜磁头元件，而其特征是，许多这样的薄膜磁头元件形成在一个基片上，且它的那些电极及上和下屏蔽膜相互电连接，而形成在所述基片上的那些磁阻磁头元件或读/写分离型双重磁头元件分别从所述基片上切开，以便电切断所述那些电极以及上和下屏蔽膜的相互电连接。

在本发明中，在形成位于基片上的那些磁头元件的各自的膜时，在下和上部缝隙膜中的某个预定位置制作一个通孔，下屏蔽膜、一些电极、以及夹在这些缝隙膜中间的上屏蔽膜、还有磁极相互电连接，以便具有相等电位。

结果，可以制造磁阻磁头和读/写分离型双重磁头，这些磁头可以防止在两两膜之间的绝缘损坏，该损坏是由在等离子工艺过程期间在各个功能性膜中产生的静电引起，所述等离子工艺过程例如是在上述那些制造步骤中的溅射、反应离子刻蚀或离子研磨工艺，还可以高产量进行制造且同时防止了在制造元件期间上述那些元件的绝缘的损坏，而且可适用于高密度记录/再现。

图8是用于说明在形成上部缝隙膜时损坏机制的一幅图，而图9是说明在形成氧化铝防护膜时损坏机制的一幅图。将参照图8和9说明在制造磁头元件期间磁头的损坏机制。

将首先参照图8说明在形成上部缝隙膜时的损坏。当在图7的制造步骤之一中形成上部缝隙膜5时，聚集在上部缝隙膜5的表面上的电荷引起的电极8和下部缝隙膜4的表面上静电感应出电荷。这导致在上部缝隙膜5和电极8或下屏蔽膜2的表面之间及在电极8和下屏蔽膜2两者之间，在绝缘趋向易于发生损坏的那些部分，出现一些大的电位差。

其次，参照图9说明在形成保护膜13时磁头的损坏。保护膜13一般用溅射工艺形成厚度约为50μm。然而，在这种情况下，由于它的溅射率低，形成保护膜13需要很多时间。为了避免这一点，已经采取了各种方法。例如，在溅射工序期间，提供更大的功率，以便增加溅射率，不过，提供更大的功率也更加激活等离子体，而且增加电子数，这样，升高了基片表面上的电位。

这导致显著损坏磁阻磁头。且甚至在这种情况下，绝缘损坏趋向于易发生在电极8和下屏蔽膜2之间。进一步，甚至当通过离子研磨工艺形成MR复合膜6及电极8时，绝缘损坏也变得显著，在该情况下，绝缘损坏发生在MR复合膜6或电极8和下屏蔽膜2之间。

如上所述，代表读/写分离型双重磁头的薄膜磁头是基于半导体工艺制造的，而形成它的膜是通过溅射、反应性离子刻蚀(RIE)、离子研磨工艺或类似的工艺，在许多情况下是采用基于等离子体的一些设备来进行的。一般说来，等离子体是由中性粒子、等离子体离子及负电子组成的。当基片暴露在这样一种等离子体的气氛中时，电荷聚集在所述那些膜的表面上，这导致这样的事实，即出现上述的这样一些电位差和绝缘损坏。

图1显示了本发明的第一个实施例中的读/写分离型双重磁头的一种结构的剖面图；

图2是本发明的第二个实施例的读/写分离型双重磁头的一种结构的透视图；

图3是本发明的第三个实施例的读/写分离型双重磁头的一种结构的透视图；

图4是用于说明现有技术的读/写分离型双重磁头的结构的、该磁头的透视图；

图5是磁阻读出磁头的一种结构的剖面图；

图6是一些用于说明形成在一个基片上的一组磁头的图；

图7是用于说明在制造读/写分离型双重磁头的过程中的那些步骤的一幅图；

图8是用于说明在形成上部缝隙膜时磁头的损坏机制的一幅图；以及

图9是用于说明在形成氧化铝保护膜时磁头的损坏机制的一幅图。

将参照附图详述本发明的磁阻磁头和读/写分离型双重磁头的实施例。

首先参考图1，图1示出了本发明的第一实施例中的读/写分离型双重磁头的一种结构的剖面图，该磁头包括一个保护膜13、上部接头14和15、一个通孔16和一个背部缝隙膜17，而其中其它的标号与图4和5中的标号相同。

图1所示的双重磁头包括磁阻读出磁头，该磁头包括形成在基片1上(通常是在叠合在基片1的氧化铝基底膜1-1上)的下和上屏蔽膜2和3，用于避免干扰磁场导致的影响，所述磁阻读出磁头还包括下部和上部缝隙膜4和5、由一些磁阻层、分离层和偏磁层以其电阻变化、用于组成的MR复合膜6、检测信号磁场，随一个用作使读出电流通过的电极8、以及一个用于抑制Barkhausen噪声的磁畴控制膜7。

而上述读/写分离型双重磁头是由具有上述这样一种结构的磁阻读出磁头和一个叠合在该读出磁头上的电感型薄膜磁膜组成。该感应型薄膜磁头包括一个用于输出记录信号的线圈10、一个磁柱12和一个绝缘层11。电极8通过一个下部端子18和上部端子14连接到外部线路。线圈10也连接到外部线路。

在已经形成上述磁阻磁头、电感型薄膜磁头和上部端子14之后，通过射频溅射工艺形成保护膜13。如上面已经说明的那样，不仅在形成保护膜13期间，而且即使在其它基于等离子体的工艺中当然也易于发生元件损坏。

在有图1所示的这样一种结构的磁头元件中，最易于发生绝缘击穿的区域是由电极8以及上和下屏蔽膜3和2所确定的上部和下部缝隙膜5和4。这是因为上部和下部缝隙膜的厚度一般极薄，达到100nm至300nm。

在本发明的第一个实施例中，在制造它的过程中，电极8、下和上屏蔽膜2和3、以及磁极12预先在磁头元件上彼此电连接。结果，在第一个实施例中，确定上和下部缝隙膜5和4的电极8可具有与下和上屏蔽膜2和3以及磁极12相同的电位，这样，防止了在它们两两之间产生绝缘击穿。然后，从基片上切下在该基片上制作的元件，并抛光该元件到图1中点划线所示的位置，一直到由此获得一个磁头。结果，能够消除前述经由通孔16的那些连接部件，这使得能实现高性能，而且同时防止了在制造过程中产生任何绝缘击穿。

下面将说明用于制造具有如图1所示的这样一种结构的读/写分离型双重磁头的方法。

(1)首先，下屏蔽2形成在预先形成在基片1上的氧化铝基底膜1-1上。基片1由铝—钛—碳化物制成，而由1μm厚的NiFe合金制成的下屏蔽膜2用溅射工艺形成。在某些应用中，下屏蔽膜2也可以由最好是非晶合金例如，CoNbZr或CoTaZr的薄膜制成。该非晶合金薄膜有这样一种性质，使得此非晶膜因为它表面的光滑性更少损坏磁阻膜的性能。下屏蔽膜2采用离子研磨工艺使用光滞蚀膜作为掩膜形成预定结构的图形。

(2)然后，形成下部缝隙膜4。在这种情况下，下部缝隙膜4由氧化铝材料制成，且厚度为0.2μm。用溅射工艺形成膜，并且去除在图1中的虚线所围绕的那个区域的下部中的下部缝隙膜4，以便制成通孔16并使下屏蔽膜2暴露。

(3)连接地顺序形成构成MR复合膜6的偏磁、分防和磁阻层。分别使这些层的厚度为20nm、15nm和25nm。进一步，这些层由NiFeCoNb合金、Ta及NiFe合金制成。用溅射工艺形成这些层。

(4)MR复合膜6经受离子研磨工艺，以便形成具20μm×5μm尺寸的所需要的图案。

(5)然后，形成磁畴控制膜7和电极8。在这种连接中，该电极由两层组成，以便减少它的电阻并改进它的S/N比。基于顶离(Lift-off)方法来进行图案形成。磁畴控制膜7由FeMn合金制成。磁畴控制膜7在某些情况下，可以有效地由相应于FeMn和Ru、Ir或Rh的混合物的合金制成，或也可由这样的硬磁材料，如CoPt或CoPtCr制成。电极8由Ta/Au/Ta分层的复合材料制成，而Ta、Au和Ta层的厚度分别作成5nm、100nm和5nm。使相应于一个道宽度的在两电极之间的间隔为2.5μm。在形成磁畴控制膜7和电极8时，电极8通过在上述步骤(2)中形成的下部缝隙膜4的通孔16电连接到下屏蔽膜2。

(6)形成上部缝隙膜5、在这种情况下，上部缝隙膜5由氧化铝制成，且使其厚度为0.19μm。用溅射工艺进行该上部缝隙膜的形成。为了使上屏蔽膜3(要在下面的步骤(7)中形成)与电极8及下屏蔽膜2电连接的目的，用离子研磨工艺预先去除由图1中虚线所围绕的那些区域的氧化铝膜以及所述那些接头部件的氧化铝膜，以便形成通孔16。需要的话，通孔16的制作还可以有效地采用顶离工艺。

(7)形成上屏蔽膜3。在这种情况下，用溅射工艺把上屏蔽膜3制成为由NiFe合金制成的且厚度为1μm的薄膜。

通过至今所述的那些步骤，可以制成一种磁阻磁头，其中，下屏蔽膜2、电极8和上屏蔽膜3彼此电连接。而通过下面这些步骤，将制造一种电感型薄膜写入磁头。

形成缝隙膜9。在这种情况下，缝隙膜9由氧化铝制成，且使其厚度为0.6μm。用溅射工艺进行该缝隙膜的形成。为了使上屏蔽膜3与磁极12(要在后续的步骤(11)中形成)电连接的目的，用离子研磨工艺预先去除由图1中的虚线所围绕的那些区域的背面缝隙膜17，以便形成一个通孔16。需要的话，通孔16的制作也可以有效地采用顶离工艺。

(9)形成线圈10。在这种情况下，线圈10的圈数是17。用镀层工艺形成由Cu制成的线圈10。在线圈10下面形成一个Cr层，以增强它对该线圈的附着力。整个膜的厚度为3.5μm。

(10)涂覆光阻材料并使其退火，以便形成绝缘层11。绝缘层11的厚度为12μm。

(11)形成磁极12。在这种情况下，磁极12由NiFe合金制成，且用溅射工艺来进行它的形成。使磁极12厚度为4μm。此后，采用保护膜作为掩膜进入磁极12，使该磁极经受离子研磨工艺。

通过至今所说明的那些步骤，可以获得一种磁阻读出磁头，其中，下屏蔽膜2、电极8和上屏蔽膜3彼此电连接，以及一种电感型薄膜写入磁头。而通过下面这些步骤，将形成接头和保护膜。

(12)下部接头18形成到上述磁阻磁头的电极8和电感型薄膜磁头的线圈10上。在这种情况下，用涂覆工艺制成下部接头18。下部接头18的材料和厚度分别为Cu和60μm。

(13)形成保护膜13。保护膜13由氧化铝制成，且用溅射工艺来进行它的形成。使保护膜13的厚度为70μ。通过这个步骤，整个基片被保护膜19复盖。

(14)下一步，用抛光工艺抛光保护膜13，以便暴露下部接头18。

(15)用涂覆工艺形成上述磁阻磁头的上部接头14和电感型薄膜磁头的上部接头15。这些接头由Au制成，并使其厚度为10μm。

通过上述那些步骤，可以形成许多读/写分离型双重磁头元件，其中，下屏蔽膜2、电极8、上屏蔽膜3及磁极12在基片1上相互电连接。在图1中一系列虚线所示的这样一个位置的范围内，分别从基片上切开这些磁头元件，并使这些磁头元件经受抛光工艺，以便得到一些分开的读/写分离型双重磁头。

通过上述那些本发明的第一个实施例的步骤所得到的磁阻磁头的受损坏评估检验，该检验结果如下。就此而论，是在读/写特性的基础上判断损坏的鉴定。也就是说，如果在制造磁头期间出现任何绝缘损坏，它一定是以该磁阻磁头中所因有的Barkhausen噪声的产生、降低的输出对称性、或者再现了的输出或记录效率的降低的形成出现。由于这个原因，关于5000个磁头进行了评估。

结果，在通过前述那些步骤所制造的本发明的第一个实施例中那些磁头中，30个(0.6％)磁头有Barkhausen噪声出现在其中，1505(3％)磁头没有或降低了再现了的输出，80个(1.6％)磁头有变坏了的输出，而有49个(约1％)磁头有变坏了的记录特性。

为了比较本发明和现有技术的目的，还同时制造与本发明的磁头相同数目(即5000个)的现有技术的磁头，用于比较评估。这导致了在5000个现有技术的磁头中，分别有400个(8％)、650个(13％)、500个(10％)及50个(1％)磁头具有与本发明的磁头相同的问题。

图2中所示的是本发明的第二个实施例中的一种读/写分离型双重磁头的一种结构的透视图，其中，参考标号41至44分别表示一个用于下屏蔽膜的引线、一个用于电极的引线、一个用于上屏蔽膜的引线及一个用于磁极的引线。其它的标号与图1中的标号相同。

在前面的本发明的第一个实施例中，对于每个形成在基片1上的磁头元件，下屏蔽膜2、电极8、上屏蔽膜3及磁极12已相互电连接。不过，比较好的是，当使下屏蔽膜2、电极8、上屏蔽膜3及磁极12可有相同电位时，可以消除总是使这些元件相互电连接的需要。第二个实施例将实施这一点。

如图2所示，制造本发明的第二个实施例，这使得许多磁头元件的下屏蔽膜2通过引线相互电连接；类似地，电极8、上屏蔽膜3和磁极12分别通过引线相互电连接；而且，从下屏蔽膜2、电极8、上屏蔽膜3和磁极12引出的导线相互电连接。当考虑到制造基片期间的损坏时，本实施例中，这样相互连接的部分的数目优选地是多个和4个。

例如，在这种制造方法中，在形成下屏蔽膜2期间形成引线41。要达到这个目的，在本发明的第二个实施例中，修改了本发明的第一个实施你的前述步骤(1)中所用的光掩膜的结构(步骤1)。同样地，甚至当形成上述那些电极、上屏蔽膜3和磁极12时，通过修改在上述各个步骤中所用的光掩膜的结构，可以形成各自的导线42、43和44。而这些引线连接到基片的许多部分。在这之后，如在第一个实施例中那样，形成下部接头18、保护膜13以及上部接头14和15。

根据本发明的第二个实施例，上述那些导线的制造和相互连接可只需要修改前述第一个实施例中所用的光掩膜的图案，并可消除附加新步骤的需要。以第一个实施例中同样的方式进行从基片上切开那些磁头元件，并抛光它们。

5000个按照本发明的第二个实施例制造的磁头元件也就它们的效果经受了评估检验。该评估检验的结果是，5000个磁头中，25个(0.5％)磁头有Barkhausen噪声出现在其中，150个(3％)磁头没有或降低了再现的输出，130个(2.6％)磁头有变坏了的输出，且有30个(约0.6％)磁头有变坏了的记录特性，基本上与第一个实施例中的结果相同。

在前述本发明的第二个实施例中，配置到下屏蔽膜2、电极8、上屏蔽膜3和磁极12上的上述那些引线已经连接到基片的所述许多部分。不过，由于在本实施例中，上述4个引线垂直和水平地配置在基片上，有时可以减少图案阵列的设计灵活性。

本发明的第三实施例打算解决这个问题。为此目的，第三实施例相应于前述第一和第二实施例的一种组合。

本发明的发明点在于使下屏蔽膜2、电极8、上屏蔽膜3和磁极12有相同的电位。这样，某些下屏蔽膜2、电极8、上屏蔽膜3和磁极12可以在磁头元件上预先互相电连接。从这样一种观点看，这样安排本发明的第三实施例，使得下屏蔽膜2、上屏蔽膜3及磁极12在磁头元件中互相电连接，而这样就只需配置两条导线，即一条用于电极8，而另一条用于下屏蔽膜2、上屏蔽膜3和磁极12。

因此，根据本发明的第三个实施例，可以使在基片上的必需的引线数目只有第二个实施例的引线数目的一半，而这样就可以避免减少图案阵列的灵活性，且基本上与第一和第二个实施例有同样的效果。

图3示出了本发明的第四实施例的读/写分离型双重磁头的一种结构的一幅剖面图，其中，参考标号19表示一个通孔，而其它标号与图1中的那些标号相同。

在图3的第四实施例中，那些磁头元件基本上以和前述第一至第三实施例中相同的方式、采用溅射和光刻工艺顺序形成一个氧化铝基底膜1-1上。在本实施例中，下屏蔽膜12、电极8、上屏蔽膜3和磁极12通过保护膜19电连接到基片上。

在本发明的第四实施例中，当按上述这样一种方式制作所述那些磁头元件时，存储在所述那些元件中的电荷可以通过基片放电接地，这样就防止了在制造元件期间的毁坏。

5000个按照本发明的第四实施例制成的磁头元件也对于它们的效果进行了评估检验。评估结果是，在5000个磁头中，25(0.5％)磁头有Barkhausen噪声出现在其中，76个(1.5)磁头设有或降低了再现了的输出，103个(2.0％)磁头有变坏了的输出，而10个(约0.2％)磁头有变坏了的记录特性，而且效果比第一至第二实施例中的效果更好。

尽管上面已对本发明的第一至第四实施例中制造读/写分离型双重磁头的情况作了说明，本发明可应用于制造磁阻磁头。在后和种情况下，在已经在基片上制成磁阻磁头元件后，在各个实施例中，这些元件从该基片上切开。

如在前面已经说明的那样，根据本发明，提供了一种磁阻磁头和一种读/写分离型双重磁头，在制造这些磁头期间，可以防止它们的绝缘击穿，可以高产率制造这些磁头，而且这些磁头可适用于高密度的记录/再现。

Claims (5)

1.一种用于制造包括磁阻磁头元件的磁头的方法，其特征是每个所述磁阻磁头元件包括：

上和下屏蔽膜；

磁阻膜；

用于给所述磁阻膜施加一偏置磁场的偏磁膜；

一些电连接到所述磁阻膜的电极；

分别形成在所述磁阻膜和电极与所述上和下屏蔽膜之间的上部和下部缝隙膜；和

形成在磁阻膜的两端的磁畴控制膜被磁耦合用于抑制Barkhausen噪声，以及

许多磁阻磁头元件形成在基片上，使得所述电极能被电连接到所述上和下防护膜，所述那些形成在上述基片上的磁阻磁头元件各自被分别切开，以断开在所述那些电极以及所述上和下防护膜之间的相互电连接。

2.如权利要求1所述的用于制造磁头的方法，其特征是所述磁阻磁头元件和电感型薄膜读出磁头元件以与所述电感应型薄膜磁头元件共用的所述下屏蔽膜成叠层关系设置。

3.一种具有许多包括一些磁阻磁头元件的磁头元件的基片，其特征是每个所述磁阻磁头元件包括：

上和下屏蔽膜；

—磁阻膜；

—用于给所述磁阻膜施加一偏置磁场的偏磁膜；

一些电连接到所述磁阻膜的电极；

分别形成在所述磁阻膜和电极与所述上和下防护膜之间的上部和下部缝隙膜；和

形成在磁阻膜两端的一磁畴控制膜被磁耦合用于抑制Barkhansen噪声，以及

许多磁阻磁头元件形成在一个基片上，使得所述那些电极能被电连接到所述上和下屏蔽膜，所述那些形成在上述基片上的磁阻磁头元件各自被分别切开，以便断开在所述那些电极以及所述上和下屏蔽膜之间的相互电连接。

4.一种如权利要求3所述的具有许多磁头元件的基片，其特征是所述磁阻磁头元件和一电感型薄膜读出磁头元件以与所述电感型薄膜磁头元件共用的所述下屏蔽膜成叠层关系设置。

5.一种用于制造具有许多磁头元件的基片的方法，其特征是每个所述磁头元件包括：

上和下屏蔽膜；

—磁阻膜；

—用于给所述磁阻膜施加一偏置磁场的偏磁膜；

一些电连接到所述磁阻膜的电极；

分别形成在所述磁阻膜和电极以及所述上和下屏蔽膜之间的上部和下部缝隙膜；和

形成在要被磁耦合用于抑制Barkhausen噪声的磁阻膜两端的一磁畴控制膜；以及

所述方法包括顺序形成所述那些膜和电极的步骤，以及

在形成所述上部和下部缝隙膜的所述步骤中，一个通孔配置在所述上部和下部缝隙膜是，而所述那些电极通过所述通孔电连接到所述上和下屏蔽膜。

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