JP2971207B2 - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JP2971207B2 JP2971207B2 JP22841491A JP22841491A JP2971207B2 JP 2971207 B2 JP2971207 B2 JP 2971207B2 JP 22841491 A JP22841491 A JP 22841491A JP 22841491 A JP22841491 A JP 22841491A JP 2971207 B2 JP2971207 B2 JP 2971207B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気変換素子が単極性
パルスで駆動される薄膜磁気ヘッドに関し、下部磁性膜
とコイル膜との間に得られる静電容量値及び上部磁性膜
とコイル膜との間に得られる静電容量値を、ほぼ同一に
することにより、ポ−ル部と媒体との間の放電によるコ
モンモ−ドノイズの影響を少なくしたものである。
パルスで駆動される薄膜磁気ヘッドに関し、下部磁性膜
とコイル膜との間に得られる静電容量値及び上部磁性膜
とコイル膜との間に得られる静電容量値を、ほぼ同一に
することにより、ポ−ル部と媒体との間の放電によるコ
モンモ−ドノイズの影響を少なくしたものである。
【０００２】
【従来の技術】この種の薄膜磁気ヘッドは、スライダ
と、薄膜磁気変換素子とを有し、薄膜磁気変換素子があ
る電位に保たれるコイル膜と、コイル膜と共に薄膜磁気
回路を構成する磁性膜とを有しており、磁性膜とコイル
膜との間にキャパシタが発生する。
と、薄膜磁気変換素子とを有し、薄膜磁気変換素子があ
る電位に保たれるコイル膜と、コイル膜と共に薄膜磁気
回路を構成する磁性膜とを有しており、磁性膜とコイル
膜との間にキャパシタが発生する。
【０００３】一方、最近の小型ＨＤＤでは、パソコン搭
載を考慮してパソコン電源である５ボルト、１２ボルト
をそのまま利用すべく、小型ＨＤＤ用の読み書き用ＩＣ
も５ボルトまたは１２ボルトの片電源を用いるようにな
っている。このため、薄膜磁気ヘッドは一定電圧、具体
的には、６ボルトの正電圧で常時バイアスされる。その
結果、キャパシタはバイアス電圧により常時一方向に電
荷が蓄積される。
載を考慮してパソコン電源である５ボルト、１２ボルト
をそのまま利用すべく、小型ＨＤＤ用の読み書き用ＩＣ
も５ボルトまたは１２ボルトの片電源を用いるようにな
っている。このため、薄膜磁気ヘッドは一定電圧、具体
的には、６ボルトの正電圧で常時バイアスされる。その
結果、キャパシタはバイアス電圧により常時一方向に電
荷が蓄積される。
【０００４】キャパシタに蓄積された電荷はポ−ル部と
媒体との接触等による放電により放出され、磁性膜の電
位が変動する。この電位変動によりコモンモードノイズ
が発生し、読み取りデ−タにエラ−を生じる。かかる放
電防止技術に関する先行技術文献としては、例えば、特
開平２−２４６０４８号公報等がある。この先行技術に
おいては、薄膜磁気ヘッドのバイアス電位と媒体の電位
とを等しくして放電を生じさせないようにしてある。
媒体との接触等による放電により放出され、磁性膜の電
位が変動する。この電位変動によりコモンモードノイズ
が発生し、読み取りデ−タにエラ−を生じる。かかる放
電防止技術に関する先行技術文献としては、例えば、特
開平２−２４６０４８号公報等がある。この先行技術に
おいては、薄膜磁気ヘッドのバイアス電位と媒体の電位
とを等しくして放電を生じさせないようにしてある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た先行技術では、薄膜磁気ヘッドのバイアス電位と媒体
の電位とを等しくするために、回転する媒体に薄膜磁気
ヘッドと同電位にする手段を設けることが必須になるの
で、磁気ディスク装置の構造が複雑となり、大型化を招
くと共に、高価になっている。
た先行技術では、薄膜磁気ヘッドのバイアス電位と媒体
の電位とを等しくするために、回転する媒体に薄膜磁気
ヘッドと同電位にする手段を設けることが必須になるの
で、磁気ディスク装置の構造が複雑となり、大型化を招
くと共に、高価になっている。
【０００６】そこで、本発明は、上述する従来の課題を
解決し、薄膜磁気ヘッドやこれを駆動する駆動回路に特
別の構造を付加することなしに、ポ−ル部と媒体との間
の放電によるコモンモ−ドノイズの影響を減少させ、読
み取りエラ−の発生を防止し得る薄膜磁気ヘッドを提供
することである。
解決し、薄膜磁気ヘッドやこれを駆動する駆動回路に特
別の構造を付加することなしに、ポ−ル部と媒体との間
の放電によるコモンモ−ドノイズの影響を減少させ、読
み取りエラ−の発生を防止し得る薄膜磁気ヘッドを提供
することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明は、基体上に磁気変換素子を有し、前記磁気
変換素子が単極性パルスで駆動される薄膜磁気ヘッドで
あって、前記磁気変換素子は、下部磁性膜と、上部磁性
膜と、コイル膜と、絶縁膜とを有しており、前記下部磁
性膜及び前記上部磁性膜は、先端部が変換ギャップを構
成するポ−ル部となっていて、前記ポ−ル部に連なるヨ
−ク部の後方側が磁気回路を完成するように結合されて
おり、前記コイル膜は、結合部の回りに渦巻き状に設け
られており、前記絶縁膜は、前記下部磁性膜及び前記上
部磁性膜と前記コイル膜との間を絶縁しており、前記下
部磁性膜と前記コイル膜との間で得られる静電容量値及
び前記上部磁性膜と前記コイル膜との間で得られる静電
容量値は、ほぼ同一であることを特徴とする。
め、本発明は、基体上に磁気変換素子を有し、前記磁気
変換素子が単極性パルスで駆動される薄膜磁気ヘッドで
あって、前記磁気変換素子は、下部磁性膜と、上部磁性
膜と、コイル膜と、絶縁膜とを有しており、前記下部磁
性膜及び前記上部磁性膜は、先端部が変換ギャップを構
成するポ−ル部となっていて、前記ポ−ル部に連なるヨ
−ク部の後方側が磁気回路を完成するように結合されて
おり、前記コイル膜は、結合部の回りに渦巻き状に設け
られており、前記絶縁膜は、前記下部磁性膜及び前記上
部磁性膜と前記コイル膜との間を絶縁しており、前記下
部磁性膜と前記コイル膜との間で得られる静電容量値及
び前記上部磁性膜と前記コイル膜との間で得られる静電
容量値は、ほぼ同一であることを特徴とする。
【０００８】
【作用】下部磁性膜とコイル膜との間で得られる静電容
量値及び上部磁性膜とコイル膜との間で得られる静電容
量値は、ほぼ同一であるから、コイル膜に対してインピ
−ダンスのバランスをとることができる。このため、同
相ノイズ除去比が大きくなり、ポ−ル部と媒体との間の
放電によるコモンモ−ドノイズの影響を最も少なくでき
るので、読み取りエラ−の発生が防止される。
量値及び上部磁性膜とコイル膜との間で得られる静電容
量値は、ほぼ同一であるから、コイル膜に対してインピ
−ダンスのバランスをとることができる。このため、同
相ノイズ除去比が大きくなり、ポ−ル部と媒体との間の
放電によるコモンモ−ドノイズの影響を最も少なくでき
るので、読み取りエラ−の発生が防止される。
【０００９】
【実施例】図１は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの断面図
である。図１は構造の概略を示すために用いられている
もので、各部寸法は誇張されている。本実施例は面内記
録再生用の薄膜磁気ヘッドを示している。図１におい
て、１は基体、２は磁気変換素子である。
である。図１は構造の概略を示すために用いられている
もので、各部寸法は誇張されている。本実施例は面内記
録再生用の薄膜磁気ヘッドを示している。図１におい
て、１は基体、２は磁気変換素子である。
【００１０】基体１はスライダ部材となり、Al2O3-Tic
等で構成される基体部分１０１及びその上に形成された
アルミナ等の絶縁膜１０２を有している。
等で構成される基体部分１０１及びその上に形成された
アルミナ等の絶縁膜１０２を有している。
【００１１】磁気変換素子２は、下部磁性膜２２と、上
部磁性膜２６と、コイル膜２５と、絶縁膜２４１、２４
２とを有している。下部磁性膜２２及び上部磁性膜２６
は、通常、パーマロイ等で構成されている。下部磁性膜
２２及び上部磁性膜２６は、先端部が変換ギャップＧを
構成するポ−ル部２２１、２６１となっていて、ポ−ル
部２２１、２６１に連なるヨ−ク部２２２、２６２の後
方側２２３、２６３が磁気回路を完成するように結合さ
れている。ポール部２２１、２６１はアルミナ等でなる
ギャップ膜２３により隔てられている。コイル膜２５
は、下部磁性膜２２及び上部磁性膜２６の結合部２２
３、２２６の回りに渦巻き状に設けられている。コイル
膜２５と下部磁性膜２２及びコイル膜２５と上部磁性膜
２６との間は、絶縁膜２４１、２４２により絶縁されて
いる。絶縁膜２４１、２４２は、通常、ノボラック樹脂
等の有機樹脂で構成される。このため、下部磁性膜２２
とコイル膜２５との対向部分には分布容量Ｃ1 が得ら
れ、上部磁性膜２６とコイル膜２５との対向部分には分
布容量Ｃ2 が得られる。上部磁性膜２６はアルミナ等の
保護膜２７により覆われている。
部磁性膜２６と、コイル膜２５と、絶縁膜２４１、２４
２とを有している。下部磁性膜２２及び上部磁性膜２６
は、通常、パーマロイ等で構成されている。下部磁性膜
２２及び上部磁性膜２６は、先端部が変換ギャップＧを
構成するポ−ル部２２１、２６１となっていて、ポ−ル
部２２１、２６１に連なるヨ−ク部２２２、２６２の後
方側２２３、２６３が磁気回路を完成するように結合さ
れている。ポール部２２１、２６１はアルミナ等でなる
ギャップ膜２３により隔てられている。コイル膜２５
は、下部磁性膜２２及び上部磁性膜２６の結合部２２
３、２２６の回りに渦巻き状に設けられている。コイル
膜２５と下部磁性膜２２及びコイル膜２５と上部磁性膜
２６との間は、絶縁膜２４１、２４２により絶縁されて
いる。絶縁膜２４１、２４２は、通常、ノボラック樹脂
等の有機樹脂で構成される。このため、下部磁性膜２２
とコイル膜２５との対向部分には分布容量Ｃ1 が得ら
れ、上部磁性膜２６とコイル膜２５との対向部分には分
布容量Ｃ2 が得られる。上部磁性膜２６はアルミナ等の
保護膜２７により覆われている。
【００１２】図２は図１に示す薄膜磁気ヘッドの分布容
量をモデル化した等価回路図である。３は磁気ディス
ク、３０は磁気ディスク３と薄膜磁気ヘッドとの間に発
生する分布容量、３１は読み書き回路である。以下、図
１及び図２を参照して説明する。上述したように、下部
磁性膜２２及び上部磁性膜２６とコイル膜２５との間に
は分布容量Ｃ１、Ｃ２が得られるが、説明の都合上、分
布容量Ｃ１、 Ｃ２を集中定数のコンデンサ２８、コンデ
ンサ２９に変換して説明する。下部磁性膜２２と上部磁
性膜２６は、ヨ−ク部２２２、２６２の後方側２２３、
２６３が結合され電気的に同電位となっているから、コ
ンデンサ２８、２９とコイル膜２５との接続関係は、コ
ンデンサ２８の一端側２８１と、コンデンサ２９の一端
側２９１とを互いに接続すると共に、コンデンサ２８、
２９の他端側２８２、２９２のそれぞれを、コイル膜２
５の一端側２５ａ、２５ｂに各別に接続した等価回路と
して表せる。ポ−ル部２２１及び２６１の一端２２０、
２６０は媒体３と対向し、分布容量Ｃ３を発生する。分
布容量Ｃ３はコンデンサ３０として表す。コイル膜２５
の一端側２５ａは接地されている。読み取り時にコイル
膜２５に発生する誘導電圧は読み書き回路３１に入力さ
れる。
量をモデル化した等価回路図である。３は磁気ディス
ク、３０は磁気ディスク３と薄膜磁気ヘッドとの間に発
生する分布容量、３１は読み書き回路である。以下、図
１及び図２を参照して説明する。上述したように、下部
磁性膜２２及び上部磁性膜２６とコイル膜２５との間に
は分布容量Ｃ１、Ｃ２が得られるが、説明の都合上、分
布容量Ｃ１、 Ｃ２を集中定数のコンデンサ２８、コンデ
ンサ２９に変換して説明する。下部磁性膜２２と上部磁
性膜２６は、ヨ−ク部２２２、２６２の後方側２２３、
２６３が結合され電気的に同電位となっているから、コ
ンデンサ２８、２９とコイル膜２５との接続関係は、コ
ンデンサ２８の一端側２８１と、コンデンサ２９の一端
側２９１とを互いに接続すると共に、コンデンサ２８、
２９の他端側２８２、２９２のそれぞれを、コイル膜２
５の一端側２５ａ、２５ｂに各別に接続した等価回路と
して表せる。ポ−ル部２２１及び２６１の一端２２０、
２６０は媒体３と対向し、分布容量Ｃ３を発生する。分
布容量Ｃ３はコンデンサ３０として表す。コイル膜２５
の一端側２５ａは接地されている。読み取り時にコイル
膜２５に発生する誘導電圧は読み書き回路３１に入力さ
れる。
【００１３】最近の磁気ディスクは小型化の要請から電
源が電池駆動となり、駆動回路は従来の双極性パルスに
よる書き込みから、図３に示すように正の単極性パルス
による書き込みに変化してきた。具体的には、従来の書
き込み電流Ｉbiasだけオフセットさせた書き込み電流で
駆動している。このため、コンデンサ２８及びコンデン
サ２９は、書き込み時にコイル膜２５に印加される単極
性のパルスまたは読み取り時にコイル膜２５に発生する
誘導電圧により、常に単方向に充電され、その蓄積電荷
により、ポ−ル部２２１、２６１と媒体３との間で放電
が発生する。下部磁性膜２２とコイル膜２５との間で得
られる静電容量値Ｃ１及び上部磁性膜２６とコイル膜２
５との間で得られる静電容量値Ｃ２はほぼ同一であるか
ら、コイル膜２５に対してインピ−ダンスのバランスを
とることができる。このため、同相ノイズ除去比が大き
くなり、ポ−ル部２２１、２６１と媒体３との間の放電
によるコモンモ−ドノイズの影響を最も小さくできるの
で、読み取りエラ−の発生を防止できる。
源が電池駆動となり、駆動回路は従来の双極性パルスに
よる書き込みから、図３に示すように正の単極性パルス
による書き込みに変化してきた。具体的には、従来の書
き込み電流Ｉbiasだけオフセットさせた書き込み電流で
駆動している。このため、コンデンサ２８及びコンデン
サ２９は、書き込み時にコイル膜２５に印加される単極
性のパルスまたは読み取り時にコイル膜２５に発生する
誘導電圧により、常に単方向に充電され、その蓄積電荷
により、ポ−ル部２２１、２６１と媒体３との間で放電
が発生する。下部磁性膜２２とコイル膜２５との間で得
られる静電容量値Ｃ１及び上部磁性膜２６とコイル膜２
５との間で得られる静電容量値Ｃ２はほぼ同一であるか
ら、コイル膜２５に対してインピ−ダンスのバランスを
とることができる。このため、同相ノイズ除去比が大き
くなり、ポ−ル部２２１、２６１と媒体３との間の放電
によるコモンモ−ドノイズの影響を最も小さくできるの
で、読み取りエラ−の発生を防止できる。
【００１４】下部磁性膜２２とコイル膜２５との間で得
られる静電容量値Ｃ１及び上部磁性膜２６とコイル膜２
５との間で得られる静電容量値Ｃ２は、下部磁性膜２２
のヨ−ク部２２２及び上部磁性膜２６のヨ−ク部２６２
とコイル膜２５との実効的な対向面積をＳ１、Ｓ２と
し、間隔をｄ１、ｄ２とし、絶縁膜２４１、２４２の誘
電率をεとすると、 Ｃ１＝（ε＊Ｓ１）／ｄ１ Ｃ２＝（ε＊Ｓ２）／ｄ２ として求められる。従って、対向面積Ｓ１、Ｓ２、間隔
ｄ１、ｄ２及び誘電率εの選定によって、静電容量値Ｃ
１及び静電容量値Ｃ２を等しくすることができる。具体
的には、コイル膜２５との実効的な対向面積Ｓ１、Ｓ２
を互いに等しくすると共に、間隔ｄ１、ｄ２を互いに等
しくすることが有効である。
られる静電容量値Ｃ１及び上部磁性膜２６とコイル膜２
５との間で得られる静電容量値Ｃ２は、下部磁性膜２２
のヨ−ク部２２２及び上部磁性膜２６のヨ−ク部２６２
とコイル膜２５との実効的な対向面積をＳ１、Ｓ２と
し、間隔をｄ１、ｄ２とし、絶縁膜２４１、２４２の誘
電率をεとすると、 Ｃ１＝（ε＊Ｓ１）／ｄ１ Ｃ２＝（ε＊Ｓ２）／ｄ２ として求められる。従って、対向面積Ｓ１、Ｓ２、間隔
ｄ１、ｄ２及び誘電率εの選定によって、静電容量値Ｃ
１及び静電容量値Ｃ２を等しくすることができる。具体
的には、コイル膜２５との実効的な対向面積Ｓ１、Ｓ２
を互いに等しくすると共に、間隔ｄ１、ｄ２を互いに等
しくすることが有効である。
【００１５】図４は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの別の
実施例を示す断面図である。図において、図１と同一参
照符号は同一性ある構成部分を示している。本実施例
は、コイル膜を複数層とした場合を示している。コイル
層は図示の２層に限らず、３層以上であってもよい。下
部磁性膜２２のヨーク部２２２と最下層のコイル膜２５
１とは、絶縁膜２４１により絶縁され、実効的な対向面
積Ｓ１及び間隔ｄ１を隔てて対向している。コイル膜２
５１とコイル膜２５２は絶縁膜２４３により絶縁され、
連結部２５３を介して直列に接続されている。コイル膜
２５２と上部磁性膜２６とは、最上層の絶縁膜２４２に
より絶縁されて、上部磁性膜２６のヨーク部２６２と最
上層のコイル膜２５１とは、絶縁膜２４２により絶縁さ
れ、実効的な対向面積Ｓ２及び間隔ｄ２を隔てて対向し
ている。
実施例を示す断面図である。図において、図１と同一参
照符号は同一性ある構成部分を示している。本実施例
は、コイル膜を複数層とした場合を示している。コイル
層は図示の２層に限らず、３層以上であってもよい。下
部磁性膜２２のヨーク部２２２と最下層のコイル膜２５
１とは、絶縁膜２４１により絶縁され、実効的な対向面
積Ｓ１及び間隔ｄ１を隔てて対向している。コイル膜２
５１とコイル膜２５２は絶縁膜２４３により絶縁され、
連結部２５３を介して直列に接続されている。コイル膜
２５２と上部磁性膜２６とは、最上層の絶縁膜２４２に
より絶縁されて、上部磁性膜２６のヨーク部２６２と最
上層のコイル膜２５１とは、絶縁膜２４２により絶縁さ
れ、実効的な対向面積Ｓ２及び間隔ｄ２を隔てて対向し
ている。
【００１６】下部磁性膜２２とコイル膜２５１との間で
絶縁膜２４１による分布容量Ｃ１が得られ、上部磁性膜
とコイル膜２５２との間で絶縁膜２４２による分布容量
Ｃ２が得られる。コイル膜２５２と下部磁性膜２２との
間及びコイル膜２５１と上部磁性膜２６との間でも分布
容量が得られるが、分布容量Ｃ１及び分布容量Ｃ２と比
較して容量値が小さいので無視できる。
絶縁膜２４１による分布容量Ｃ１が得られ、上部磁性膜
とコイル膜２５２との間で絶縁膜２４２による分布容量
Ｃ２が得られる。コイル膜２５２と下部磁性膜２２との
間及びコイル膜２５１と上部磁性膜２６との間でも分布
容量が得られるが、分布容量Ｃ１及び分布容量Ｃ２と比
較して容量値が小さいので無視できる。
【００１７】図５に図１に示す薄膜磁気ヘッドの分布容
量をモデル化した等価回路図を示す。図５において、図
３と同一参照符号は同一性ある構成部分を示している。
説明の都合上、分布容量Ｃ１、Ｃ２を集中定数のコンデ
ンサ２８、コンデンサ２９に変換し、コンデンサ２８及
びコンデンサ２９の一端側２８１、２９１を互いに接続
し、コンデンサ２８の他端側２８２をコイル膜２５１の
一端側２５１ａに接続し、コンデンサ２９の他端側２９
２をコイル膜２５２の他端側２５２ｂに接続した等価回
路として表示してある。
量をモデル化した等価回路図を示す。図５において、図
３と同一参照符号は同一性ある構成部分を示している。
説明の都合上、分布容量Ｃ１、Ｃ２を集中定数のコンデ
ンサ２８、コンデンサ２９に変換し、コンデンサ２８及
びコンデンサ２９の一端側２８１、２９１を互いに接続
し、コンデンサ２８の他端側２８２をコイル膜２５１の
一端側２５１ａに接続し、コンデンサ２９の他端側２９
２をコイル膜２５２の他端側２５２ｂに接続した等価回
路として表示してある。
【００１８】コンデンサ２８及びコンデンサ２９の静電
容量値Ｃ１、Ｃ２は、ほぼ同一になっている。コンデン
サ２８及びコンデンサ２９は、図１に示す実施例と同
様、ポ−ル部２２１、２６１と媒体３との間に放電が発
生した時、コモンモ−ドノイズの影響を減少させ、読み
取りエラ−の発生を防止する。
容量値Ｃ１、Ｃ２は、ほぼ同一になっている。コンデン
サ２８及びコンデンサ２９は、図１に示す実施例と同
様、ポ−ル部２２１、２６１と媒体３との間に放電が発
生した時、コモンモ−ドノイズの影響を減少させ、読み
取りエラ−の発生を防止する。
【００１９】静電容量値Ｃ１、Ｃ２をほぼ同一にするた
めの具体的な手段として、前述した対向面積Ｓ１、Ｓ２
及び間隔ｄ１、ｄ２に関し、Ｓ１＝Ｓ２、ｄ１＝ｄ２を
満たすように設定するのが有効である。
めの具体的な手段として、前述した対向面積Ｓ１、Ｓ２
及び間隔ｄ１、ｄ２に関し、Ｓ１＝Ｓ２、ｄ１＝ｄ２を
満たすように設定するのが有効である。
【００２０】
【発明の効果】以上述べたように、本発明は、下部磁性
膜とコイル膜との間で得られる静電容量値及び上部磁性
膜とコイル膜との間で得られる静電容量値は、ほぼ同一
にしたから、同相ノイズ除去比が大きくすることがで
き、薄膜磁気ヘッドやこれを駆動する駆動回路に特別の
構造を付加することなしに、ポ−ル部と媒体との間の放
電によるコモンモ−ドノイズの影響を減少させ、読み取
りエラ−の発生を防止し得る薄膜磁気ヘッドを提供でき
る。
膜とコイル膜との間で得られる静電容量値及び上部磁性
膜とコイル膜との間で得られる静電容量値は、ほぼ同一
にしたから、同相ノイズ除去比が大きくすることがで
き、薄膜磁気ヘッドやこれを駆動する駆動回路に特別の
構造を付加することなしに、ポ−ル部と媒体との間の放
電によるコモンモ−ドノイズの影響を減少させ、読み取
りエラ−の発生を防止し得る薄膜磁気ヘッドを提供でき
る。
【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図２】図１に示す薄膜磁気ヘッドの分布容量をモデル
化した等価回路図である。
化した等価回路図である。
【図３】薄膜磁気ヘッドの書き込み駆動方法を説明する
図である。
図である。
【図４】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの別の実施例に係
る断面図である。
る断面図である。
【図５】図４に示す薄膜磁気ヘッドの分布容量をモデル
化した等価回路図である。
化した等価回路図である。
１ 基体 ２ 磁気変換素子 ２２ 下部磁性膜 ２６ 上部磁性膜 ２２１、２６１ ポ−ル部 ２２２、２６２ ヨ−ク部 ２４１、２４２ 絶縁膜 ２５ コイル膜 Ｃ１、Ｃ２ 分布容量
Claims (3)
- 【請求項１】 基体上に磁気変換素子を有し、前記磁気
変換素子が単極性パルスで駆動される薄膜磁気ヘッドで
あって、 前記磁気変換素子は、下部磁性膜と、上部磁性膜と、コ
イル膜と、絶縁膜とを有しており、 前記下部磁性膜及び前記上部磁性膜は、先端部が変換ギ
ャップを構成するポ−ル部となっていて、前記ポ−ル部
に連なるヨ−ク部の後方側が磁気回路を完成するように
結合されており、 前記コイル膜は、結合部の回りに渦巻き状に設けられて
おり、 前記絶縁膜は、前記下部磁性膜及び前記上部磁性膜と前
記コイル膜との間を絶縁しており、 前記下部磁性膜と前記コイル膜との間で得られる静電容
量値及び前記上部磁性膜と前記コイル膜との間で得られ
る静電容量値は、ほぼ同一であることを特徴とする薄膜
磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記コイル膜は、１層であり、 前記下部磁性膜の前記ヨ−ク部及び前記上部磁性膜の前
記ヨ−ク部は、コイル膜との実効的な対向面積が等し
く、かつ、間隔が等しいことを特徴とする請求項１に記
載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記コイル膜は、複数層となっており、 前記下部磁性膜の前記ヨ−ク部及び前記上部磁性膜の前
記ヨ−ク部は、最下層のコイル膜及び最上層のコイル膜
との実効的な対向面積が等しく、かつ、間隔が等しいこ
とを特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22841491A JP2971207B2 (ja) | 1991-08-13 | 1991-08-13 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22841491A JP2971207B2 (ja) | 1991-08-13 | 1991-08-13 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0546933A JPH0546933A (ja) | 1993-02-26 |
| JP2971207B2 true JP2971207B2 (ja) | 1999-11-02 |
Family
ID=16876103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22841491A Expired - Fee Related JP2971207B2 (ja) | 1991-08-13 | 1991-08-13 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2971207B2 (ja) |
-
1991
- 1991-08-13 JP JP22841491A patent/JP2971207B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0546933A (ja) | 1993-02-26 |
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| JPH0376535B2 (ja) |
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