JP3296442B2 - 薄膜磁気ヘッドの放電防止方法及び薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの放電防止方法及び薄膜磁気ヘッドInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、浮上型の薄膜磁気ヘッ
ドの放電防止方法及び薄膜磁気ヘッドに関し、更に詳し
くは、磁性膜及びコイル膜を絶縁する絶縁膜の持つキャ
パシタの蓄積電荷に起因する放電を防止できるようにし
た薄膜磁気ヘッドの放電防止方法及び薄膜磁気ヘッドに
係る。
ドの放電防止方法及び薄膜磁気ヘッドに関し、更に詳し
くは、磁性膜及びコイル膜を絶縁する絶縁膜の持つキャ
パシタの蓄積電荷に起因する放電を防止できるようにし
た薄膜磁気ヘッドの放電防止方法及び薄膜磁気ヘッドに
係る。
【０００２】
【従来の技術】従来より知られている薄膜磁気ヘッド
は、薄膜磁気変換素子が、ある電位に保たれるコイル
膜、コイル膜と共に磁気回路を構成する導電性を有する
磁性膜及び両者を隔てる絶縁膜を有しており、磁性膜と
コイル膜との間に絶縁膜によるキャパシタが発生する。
一方、最近の小型ハード．ディスク．ドライブ装置（以
下ＨＤＤと称する）では、パソコン搭載を考慮して、パ
ソコン電源である５Ｖ、１２Ｖをそのまま利用すべく、
小型ＨＤＤの読み書き回路も５Ｖ、１２Ｖの片電源を用
いるようになっている。このため、薄膜磁気ヘッドは一
定電圧で常時一方向にバイアスされ、キャパシタに常時
一方向の電荷が蓄積される。
は、薄膜磁気変換素子が、ある電位に保たれるコイル
膜、コイル膜と共に磁気回路を構成する導電性を有する
磁性膜及び両者を隔てる絶縁膜を有しており、磁性膜と
コイル膜との間に絶縁膜によるキャパシタが発生する。
一方、最近の小型ハード．ディスク．ドライブ装置（以
下ＨＤＤと称する）では、パソコン搭載を考慮して、パ
ソコン電源である５Ｖ、１２Ｖをそのまま利用すべく、
小型ＨＤＤの読み書き回路も５Ｖ、１２Ｖの片電源を用
いるようになっている。このため、薄膜磁気ヘッドは一
定電圧で常時一方向にバイアスされ、キャパシタに常時
一方向の電荷が蓄積される。
【０００３】キャパシタに蓄積された電荷は、磁性膜の
一部であるポール部と磁気ディスクとの接触などによる
放電により放出され、それに伴ない磁性膜の電位が変動
する。磁性膜の電位変動によりコモンモードノイズが発
生し、読み取りデータにエラーを発生する。読み書き回
路は、通常、差動アンプ型の（Ｒ／Ｗ）ＩＣで構成され
ているから、対の差動入力にコモンモードノイズに起因
する電位差を生じ、より一層、エラーを生じ易くなる。
また放電を繰返すと、ポールが損傷し、電磁変換特性が
劣化する。
一部であるポール部と磁気ディスクとの接触などによる
放電により放出され、それに伴ない磁性膜の電位が変動
する。磁性膜の電位変動によりコモンモードノイズが発
生し、読み取りデータにエラーを発生する。読み書き回
路は、通常、差動アンプ型の（Ｒ／Ｗ）ＩＣで構成され
ているから、対の差動入力にコモンモードノイズに起因
する電位差を生じ、より一層、エラーを生じ易くなる。
また放電を繰返すと、ポールが損傷し、電磁変換特性が
劣化する。
【０００４】かかる問題点解決を目的とした先行技術と
しては、例えば特開平２ー２４６０４８号公報に記載さ
れた発明がある。この先行技術においては、薄膜磁気ヘ
ッドのバイアス電位と磁気ディスクの電位とを等しくし
て放電を生じないようにさせてある。
しては、例えば特開平２ー２４６０４８号公報に記載さ
れた発明がある。この先行技術においては、薄膜磁気ヘ
ッドのバイアス電位と磁気ディスクの電位とを等しくし
て放電を生じないようにさせてある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
２−２４６０４８号では、回転する磁気ディスクに、薄
膜磁気ヘッドに印加される直流電圧と等しい直流電圧を
印加する回路が特別に必要になるため、磁気ディスク装
置の構造が複雑になると共に、コスト高になる難点があ
る。
２−２４６０４８号では、回転する磁気ディスクに、薄
膜磁気ヘッドに印加される直流電圧と等しい直流電圧を
印加する回路が特別に必要になるため、磁気ディスク装
置の構造が複雑になると共に、コスト高になる難点があ
る。
【０００６】そこで本発明の課題は、上述する従来の問
題点を解決し、比較的簡単な手段によって、ポール部と
媒体との間の放電発生頻度を減少させ得る薄膜磁気ヘッ
ドの放電防止方法及び薄膜磁気ヘッドを提供することで
ある。
題点を解決し、比較的簡単な手段によって、ポール部と
媒体との間の放電発生頻度を減少させ得る薄膜磁気ヘッ
ドの放電防止方法及び薄膜磁気ヘッドを提供することで
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの放電防止方法は、ス
ライダと、薄膜磁気変換素子とを有し、前記薄膜磁気変
換素子が、コイル膜、前記コイル膜と共に磁気回路を構
成する磁性膜及び両者を隔てる絶縁膜を有して前記スラ
イダ上に設けられた薄膜磁気ヘッドにおいて、前記コイ
ル膜と前記磁性膜との間における前記絶縁膜の抵抗値を
５００ＧΩ以上に選定して、前記絶縁膜の持つキャパシ
タの蓄積電荷に起因する放電を防止することを特徴とす
る。
め、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの放電防止方法は、ス
ライダと、薄膜磁気変換素子とを有し、前記薄膜磁気変
換素子が、コイル膜、前記コイル膜と共に磁気回路を構
成する磁性膜及び両者を隔てる絶縁膜を有して前記スラ
イダ上に設けられた薄膜磁気ヘッドにおいて、前記コイ
ル膜と前記磁性膜との間における前記絶縁膜の抵抗値を
５００ＧΩ以上に選定して、前記絶縁膜の持つキャパシ
タの蓄積電荷に起因する放電を防止することを特徴とす
る。
【０００８】
【作用】コイル膜と磁性膜との間の絶縁膜の抵抗値が５
００ＧΩ以上であると、放電発生頻度を著しく減少でき
ることが、実験によって確認された。これは、絶縁膜の
抵抗値が５００ＧΩ以上であると、絶縁膜の有するキャ
パシタンス及び抵抗値によって定まる充電時定数が大き
くなり、絶縁膜のキャパシタンスの充電電位が放電可能
電位に達するまでの時間が長くなるためと推測される。
従来、薄膜磁気ヘッドにおいて、コイル膜と磁性膜との
間の絶縁膜の抵抗値は、例えば１０ＭΩ前後であれば、
磁気記録再生の機能上問題はないとされ、最大でもＭΩ
オーダで、ＧΩオーダの絶縁抵抗値を持つものは知られ
ていなかった。従って、５００ＧΩ以上という絶縁抵抗
値は、従来との比較において、著しく際立って異なった
数値である。
００ＧΩ以上であると、放電発生頻度を著しく減少でき
ることが、実験によって確認された。これは、絶縁膜の
抵抗値が５００ＧΩ以上であると、絶縁膜の有するキャ
パシタンス及び抵抗値によって定まる充電時定数が大き
くなり、絶縁膜のキャパシタンスの充電電位が放電可能
電位に達するまでの時間が長くなるためと推測される。
従来、薄膜磁気ヘッドにおいて、コイル膜と磁性膜との
間の絶縁膜の抵抗値は、例えば１０ＭΩ前後であれば、
磁気記録再生の機能上問題はないとされ、最大でもＭΩ
オーダで、ＧΩオーダの絶縁抵抗値を持つものは知られ
ていなかった。従って、５００ＧΩ以上という絶縁抵抗
値は、従来との比較において、著しく際立って異なった
数値である。
【０００９】
【実施例】図１は薄膜磁気変換素子部分の拡大断面図で
ある。図は構造の概略を示すために用いられているもの
で、各部寸法は誇張されている。１はスライダ、２は薄
膜磁気変換素子である。
ある。図は構造の概略を示すために用いられているもの
で、各部寸法は誇張されている。１はスライダ、２は薄
膜磁気変換素子である。
【００１０】スライダ１はAl2O3-Tic 等の導電性を有す
る材料で構成された基体１０１の上に、アルミナ等の絶
縁膜１０２を有している。基体１０１はフェライト磁性
体等の絶縁抵抗の高い材料によって構成することもで
き、このような場合には、絶縁膜１０２は省略すること
もできる。スライダ１は媒体対向面１０３にレールを有
し、レールの表面を空気ベアリング面として利用するタ
イプや、媒体対向面１０３がレール部を持たない平面状
の空気ベアリング面となっているタイプ等が知られてお
り、何れのタイプでも用いることができる。
る材料で構成された基体１０１の上に、アルミナ等の絶
縁膜１０２を有している。基体１０１はフェライト磁性
体等の絶縁抵抗の高い材料によって構成することもで
き、このような場合には、絶縁膜１０２は省略すること
もできる。スライダ１は媒体対向面１０３にレールを有
し、レールの表面を空気ベアリング面として利用するタ
イプや、媒体対向面１０３がレール部を持たない平面状
の空気ベアリング面となっているタイプ等が知られてお
り、何れのタイプでも用いることができる。
【００１１】薄膜磁気変換素子２は、コイル膜２１、下
部磁性膜２２、上部磁性膜２３、ギャップ膜２４及び絶
縁膜２５１〜２５３を有し、スライダ１を構成する絶縁
膜１０２の端面上に設けられている。２６はアルミナ等
でなる保護膜である。
部磁性膜２２、上部磁性膜２３、ギャップ膜２４及び絶
縁膜２５１〜２５３を有し、スライダ１を構成する絶縁
膜１０２の端面上に設けられている。２６はアルミナ等
でなる保護膜である。
【００１２】下部磁性膜２２及び上部磁性膜２３は、通
常、パーマロイ等の導電性を有する磁性材料で構成さ
れ、先端部が変換ギャップを構成するポ−ル部２２１、
２３１となっている。ポ−ル部２２１、２３１に連なる
ヨ−ク部２２２、２３２の後方側が磁気回路を完成する
ように結合されている。ポール部２２１、２３１はアル
ミナ等でなるギャップ膜２４により隔てられている。コ
イル膜２１は、下部磁性膜２２及び上部磁性膜２３の結
合部の回りに渦巻き状に設けられている。
常、パーマロイ等の導電性を有する磁性材料で構成さ
れ、先端部が変換ギャップを構成するポ−ル部２２１、
２３１となっている。ポ−ル部２２１、２３１に連なる
ヨ−ク部２２２、２３２の後方側が磁気回路を完成する
ように結合されている。ポール部２２１、２３１はアル
ミナ等でなるギャップ膜２４により隔てられている。コ
イル膜２１は、下部磁性膜２２及び上部磁性膜２３の結
合部の回りに渦巻き状に設けられている。
【００１３】コイル膜２１と下部磁性膜２２及びコイル
膜２１と上部磁性膜２３との間は、絶縁膜２５１〜２５
３により絶縁されている。絶縁膜２５１〜２５３は、通
常、有機樹脂で構成され、ある電位に保たれるコイル膜
２１と、下部磁性膜２２及び上部磁性膜２３との間でキ
ャパシタを発生させる。そして、このキャパシタがコイ
ル膜２１と下部磁性膜２２及び上部磁性膜２３との間の
電位差によって常時一方向に充電され、その蓄積電荷が
ポール部２２１、２３１と磁気ディスクとの接触などに
よる放電により放出され、コモンモードノイズが発生
し、読み取りデータにエラーを発生することは前述した
通りである。
膜２１と上部磁性膜２３との間は、絶縁膜２５１〜２５
３により絶縁されている。絶縁膜２５１〜２５３は、通
常、有機樹脂で構成され、ある電位に保たれるコイル膜
２１と、下部磁性膜２２及び上部磁性膜２３との間でキ
ャパシタを発生させる。そして、このキャパシタがコイ
ル膜２１と下部磁性膜２２及び上部磁性膜２３との間の
電位差によって常時一方向に充電され、その蓄積電荷が
ポール部２２１、２３１と磁気ディスクとの接触などに
よる放電により放出され、コモンモードノイズが発生
し、読み取りデータにエラーを発生することは前述した
通りである。
【００１４】本発明では、上述した放電現象の発生回数
を減少させる手段として、絶縁膜２５１〜２５３は、コ
イル膜２１と磁性膜２２、２３との間の抵抗値が５００
ＧΩ以上となるように設定する。これにより、放電発生
頻度を著しく減少できる。絶縁膜２５１〜２５３の絶縁
抵抗値は、絶縁材料の組成、ベーキングプロセス、層数
または厚み等の選定によってコントロールできる。
を減少させる手段として、絶縁膜２５１〜２５３は、コ
イル膜２１と磁性膜２２、２３との間の抵抗値が５００
ＧΩ以上となるように設定する。これにより、放電発生
頻度を著しく減少できる。絶縁膜２５１〜２５３の絶縁
抵抗値は、絶縁材料の組成、ベーキングプロセス、層数
または厚み等の選定によってコントロールできる。
【００１５】図２は単位時間当りの放電ノイズ発生回数
を示す実測データである。図２の縦軸には１分間当り放
電ノイズ発生回数をとり、横軸にコイル膜２１と磁気デ
ィスクとの間の電位差をとってある。
を示す実測データである。図２の縦軸には１分間当り放
電ノイズ発生回数をとり、横軸にコイル膜２１と磁気デ
ィスクとの間の電位差をとってある。
【００１６】図３は図２の実測データを得るために用い
られた測定回路で、３は薄膜磁気ヘッド、４は読み書き
用ＩＣ、５は可変の強制バイアス用直流電源、６は磁気
ディスク等の媒体、７はピークディテクタ、８はカウン
タ、＋５Ｖ及び＋１２Ｖは動作電源電圧である。コイル
膜２１と媒体６との間の電位差を直流電源５によって変
え、その時の１分間当りの放電ノイズ発生回数を調べ
た。放電ノイズの測定に当っては、発生した放電ノイズ
をピークディテクタ７によりパルス化し、カウンタ８で
カウントした。３００μＶ0-P （ヘッド出力換算）以下
のノイズは、他のノイズと区別できないため、３００μ
Ｖ0-P にスライスレベルを設定した。
られた測定回路で、３は薄膜磁気ヘッド、４は読み書き
用ＩＣ、５は可変の強制バイアス用直流電源、６は磁気
ディスク等の媒体、７はピークディテクタ、８はカウン
タ、＋５Ｖ及び＋１２Ｖは動作電源電圧である。コイル
膜２１と媒体６との間の電位差を直流電源５によって変
え、その時の１分間当りの放電ノイズ発生回数を調べ
た。放電ノイズの測定に当っては、発生した放電ノイズ
をピークディテクタ７によりパルス化し、カウンタ８で
カウントした。３００μＶ0-P （ヘッド出力換算）以下
のノイズは、他のノイズと区別できないため、３００μ
Ｖ0-P にスライスレベルを設定した。
【００１７】図２の曲線Ｌ１は絶縁膜２５１〜２５３の
抵抗値を２７０ＧΩに設定したときの特性、曲線Ｌ２は
同じく２８０ＧΩに設定したときの特性、曲線Ｌ３は同
じく４９０ＧΩに設定したときの特性、曲線Ｌ３は同じ
く１ＴΩに設定したときの特性、曲線Ｌ５は同じく１．
３ＴΩに設定したときの特性、曲線Ｌ６は同じく２．１
ＴΩに設定したときの特性、曲線Ｌ７は同じく１６ＴΩ
に設定したときの特性をそれぞれ示している。
抵抗値を２７０ＧΩに設定したときの特性、曲線Ｌ２は
同じく２８０ＧΩに設定したときの特性、曲線Ｌ３は同
じく４９０ＧΩに設定したときの特性、曲線Ｌ３は同じ
く１ＴΩに設定したときの特性、曲線Ｌ５は同じく１．
３ＴΩに設定したときの特性、曲線Ｌ６は同じく２．１
ＴΩに設定したときの特性、曲線Ｌ７は同じく１６ＴΩ
に設定したときの特性をそれぞれ示している。
【００１８】図２に示すように、絶縁膜２５１〜２５３
の抵抗値が５００ＧΩ以上に設定されている特性Ｌ３〜
Ｌ７では、絶縁膜２５１〜２５３の抵抗値が５００ＧΩ
に満たない範囲の特性Ｌ１〜Ｌ３と比較して、１分間当
りの放電ノイズの発生回数が著しく減少している。
の抵抗値が５００ＧΩ以上に設定されている特性Ｌ３〜
Ｌ７では、絶縁膜２５１〜２５３の抵抗値が５００ＧΩ
に満たない範囲の特性Ｌ１〜Ｌ３と比較して、１分間当
りの放電ノイズの発生回数が著しく減少している。
【００１９】電位差を大きくするにつれて、放電ノイズ
の発生回数が増加する傾向にあるが、絶縁膜２５１〜２
５３の抵抗値が５００ＧΩ以上の範囲に設定されている
特性Ｌ４〜Ｌ７では、電位差増大に対する放電ノイズの
発生回数の増加率が低く、電位差５０Ｖでも放電ノイズ
の発生回数が２０００回／１分間の抑えられる。これに
対して絶縁膜２５１〜２５３の抵抗値が５００ＧΩに満
たない範囲に設定されている特性Ｌ１〜Ｌ３では、電位
差増大に対する放電ノイズの発生回数の増加率が極めて
大きく、電位差５０Ｖでは４０００〜１１５００回／１
分間の放電ノイズを発生している。
の発生回数が増加する傾向にあるが、絶縁膜２５１〜２
５３の抵抗値が５００ＧΩ以上の範囲に設定されている
特性Ｌ４〜Ｌ７では、電位差増大に対する放電ノイズの
発生回数の増加率が低く、電位差５０Ｖでも放電ノイズ
の発生回数が２０００回／１分間の抑えられる。これに
対して絶縁膜２５１〜２５３の抵抗値が５００ＧΩに満
たない範囲に設定されている特性Ｌ１〜Ｌ３では、電位
差増大に対する放電ノイズの発生回数の増加率が極めて
大きく、電位差５０Ｖでは４０００〜１１５００回／１
分間の放電ノイズを発生している。
【００２０】本発明は、図示した面内記録再生用薄膜磁
気ヘッドに限らず、例えば垂直記録再生用薄膜磁気ヘッ
ド等、他のタイプの薄膜磁気ヘッドにも適用できる。
気ヘッドに限らず、例えば垂直記録再生用薄膜磁気ヘッ
ド等、他のタイプの薄膜磁気ヘッドにも適用できる。
【００２１】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、比
較的簡単な手段によって、ポール部と媒体との間の放電
発生頻度を著しく減少させ得る薄膜磁気ヘッドの放電防
止方法及び薄膜磁気ヘッドを提供することができる。
較的簡単な手段によって、ポール部と媒体との間の放電
発生頻度を著しく減少させ得る薄膜磁気ヘッドの放電防
止方法及び薄膜磁気ヘッドを提供することができる。
【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの薄膜磁気変換素
子部分の拡大断面図である。
子部分の拡大断面図である。
【図２】単位時間当りの放電ノイズ発生回数を示す実測
データである。
データである。
【図３】図２の実測データを得るために用いられた測定
回路である。
回路である。
１ スライダ ２ 薄膜磁気変換素子 ２１ コイル膜 ２２、２３ 磁性膜 ２５１〜２５３ 絶縁膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−246048（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−154306（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】 薄膜磁気ヘッドの放電防止方法であっ
て、前記薄膜磁気ヘッドは、スライダと、薄膜磁気変換
素子とを有しており、前記薄膜磁気変換素子は、コイル
膜、前記コイル膜と共に磁気回路を構成する磁性膜及び
両者を隔てる絶縁膜を有して前記スライダ上に設けられ
ており、 前記コイル膜と前記磁性膜との間における前記絶縁膜の
抵抗値を５００ＧΩ以上に選定して、前記絶縁膜の持つ
キャパシタの蓄積電荷に起因する放電を防止することを
特徴とする薄膜磁気ヘッドの放電防止方法。 - 【請求項２】 スライダと、薄膜磁気変換素子とを有す
る薄膜磁気ヘッドであって、 前記薄膜磁気変換素子は、コイル膜、前記コイル膜と共
に磁気回路を構成する磁性膜及び両者を隔てる絶縁膜を
有して前記スライダ上に設けられており、 前記コイル膜と前記磁性膜との間における前記絶縁膜の
抵抗値を５００ＧΩ以上とした薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34397191A JP3296442B2 (ja) | 1991-12-02 | 1991-12-02 | 薄膜磁気ヘッドの放電防止方法及び薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34397191A JP3296442B2 (ja) | 1991-12-02 | 1991-12-02 | 薄膜磁気ヘッドの放電防止方法及び薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05159231A JPH05159231A (ja) | 1993-06-25 |
| JP3296442B2 true JP3296442B2 (ja) | 2002-07-02 |
Family
ID=18365654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34397191A Expired - Lifetime JP3296442B2 (ja) | 1991-12-02 | 1991-12-02 | 薄膜磁気ヘッドの放電防止方法及び薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3296442B2 (ja) |
-
1991
- 1991-12-02 JP JP34397191A patent/JP3296442B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05159231A (ja) | 1993-06-25 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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