JPH0344811A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH0344811A JPH0344811A JP18111389A JP18111389A JPH0344811A JP H0344811 A JPH0344811 A JP H0344811A JP 18111389 A JP18111389 A JP 18111389A JP 18111389 A JP18111389 A JP 18111389A JP H0344811 A JPH0344811 A JP H0344811A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気記憶装置の磁気ヘッドに関するもので、特
に記録及び再生兼用であり、高再生出方低記録電流をも
つ高性能薄膜磁気ヘッドに関するものである。
に記録及び再生兼用であり、高再生出方低記録電流をも
つ高性能薄膜磁気ヘッドに関するものである。
従来の技術
従来の薄膜ヘッドの構造を第３は 第４図に基づき説明
すも 第３図は巻線型薄膜ヘッドの一例を示しその断面
図である。図示のごとく基板１上の下部磁性体磁極２と
、その上にギャップ層３を介して形成される第１の絶縁
層４とその上に形成される導電コイル５と、その上に形
成される第２の絶縁層６と、その上に形成される上部磁
性体磁極８とを積層して構成される。
すも 第３図は巻線型薄膜ヘッドの一例を示しその断面
図である。図示のごとく基板１上の下部磁性体磁極２と
、その上にギャップ層３を介して形成される第１の絶縁
層４とその上に形成される導電コイル５と、その上に形
成される第２の絶縁層６と、その上に形成される上部磁
性体磁極８とを積層して構成される。
第３図のごとき巻線型のヘッドにおいてζよ その再生
出力を増大させるには媒体との相対速度を増加させるか
巻線数を増加させねばならず、その製造技術は限界に近
づきつつある。
出力を増大させるには媒体との相対速度を増加させるか
巻線数を増加させねばならず、その製造技術は限界に近
づきつつある。
このような問題を解決するために 第４図に示すような
巻線型と磁気抵抗効果型を合わせた薄膜磁気ヘッドが提
案されている（特開昭６１−４８１１６号公報）。この
ヘッド（上 第３図に示した巻線型のヘッドの磁気回路
を形成する下部磁性体磁極２あるいは上部磁性体磁極８
の一部に磁気抵抗効果素子７が挿入されたものであり、
記録は導電コイル５に通電して行１．％ 再生は磁気
抵抗効果によるものである。このような複合型薄膜磁気
ヘッドでは再生出力は巻線型に比較して約１０倍大きく
、しかも記録も可能である。
巻線型と磁気抵抗効果型を合わせた薄膜磁気ヘッドが提
案されている（特開昭６１−４８１１６号公報）。この
ヘッド（上 第３図に示した巻線型のヘッドの磁気回路
を形成する下部磁性体磁極２あるいは上部磁性体磁極８
の一部に磁気抵抗効果素子７が挿入されたものであり、
記録は導電コイル５に通電して行１．％ 再生は磁気
抵抗効果によるものである。このような複合型薄膜磁気
ヘッドでは再生出力は巻線型に比較して約１０倍大きく
、しかも記録も可能である。
本発明が解決しようとする課題
しかよ 巻線型と磁気抵抗効果型を合わせた従来の複合
型薄膜磁気ヘッドには以下のような問題点かあっｔも
記録時に十分大きな記録磁界を得るためには下部磁性
体磁極および上部磁性体磁極は磁気飽和を防ぐために膜
厚を厚くする必要があも一方、再生時には膜厚を厚くす
ると磁気抵抗効果素子が挿入された磁性体磁極の切り欠
き部において、再生磁束が磁気抵抗効果素子を通らずに
磁性体磁極の端面から漏れる量が多くなり再生出力が低
下すも また磁気抵抗効果を利用したヘッドにおいては
再生出力の直線性を良くするためにバイアス磁界が必要
であも 前記の従来例で４ｉ 導電コイルに微小電流
を流すことによってこれを行なうことが提案されている
力交 このとき同時に発生する磁気ギャップからの漏れ
磁界によって、記録媒体に記録された信号磁化が再生中
に減磁するおそれがあも 特に磁気抵抗効果素子が挿入
されている方の磁性体磁極の膜厚が厚い場合に磁気抵抗
効果素子にバイアス磁界がかかりにくくなり、導電コイ
ルに流す電流を大きくしなければならず、磁気ギャップ
からの漏れ磁界が大きくなん本発明は前記磁気ヘッドの
課題を解決し 高性能な薄膜磁気ヘッドを提供すること
を目的とするものであも 課題を解決するための手段 本発明（上 下部磁性体磁極 第１の絶Ｉｔ慝 導電
コイ／ｋ 第２の絶縁凰 上部磁性体磁極が順次積層し
て形成される薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下部磁性体
磁極あるいは上部磁性体磁極の一部か切り欠かれており
、切り欠かれた部分に磁気抵抗効果素子が挿入され 前
記磁気抵抗効果素子が挿入された方の磁性体磁極が高透
磁率の磁性体と低透磁率の磁性体が積層されてなり、前
記磁気抵抗効果素子が挿入されてない方の磁性体磁極が
高透磁率の磁性体からなる薄膜磁気ヘッドであんまな
前記下部磁性体磁極あるいは上部磁性体磁極の切り欠か
れた部分に低透磁率の磁性体が埋め込まれている薄膜磁
気ヘッドによってもなされる。
型薄膜磁気ヘッドには以下のような問題点かあっｔも
記録時に十分大きな記録磁界を得るためには下部磁性
体磁極および上部磁性体磁極は磁気飽和を防ぐために膜
厚を厚くする必要があも一方、再生時には膜厚を厚くす
ると磁気抵抗効果素子が挿入された磁性体磁極の切り欠
き部において、再生磁束が磁気抵抗効果素子を通らずに
磁性体磁極の端面から漏れる量が多くなり再生出力が低
下すも また磁気抵抗効果を利用したヘッドにおいては
再生出力の直線性を良くするためにバイアス磁界が必要
であも 前記の従来例で４ｉ 導電コイルに微小電流
を流すことによってこれを行なうことが提案されている
力交 このとき同時に発生する磁気ギャップからの漏れ
磁界によって、記録媒体に記録された信号磁化が再生中
に減磁するおそれがあも 特に磁気抵抗効果素子が挿入
されている方の磁性体磁極の膜厚が厚い場合に磁気抵抗
効果素子にバイアス磁界がかかりにくくなり、導電コイ
ルに流す電流を大きくしなければならず、磁気ギャップ
からの漏れ磁界が大きくなん本発明は前記磁気ヘッドの
課題を解決し 高性能な薄膜磁気ヘッドを提供すること
を目的とするものであも 課題を解決するための手段 本発明（上 下部磁性体磁極 第１の絶Ｉｔ慝 導電
コイ／ｋ 第２の絶縁凰 上部磁性体磁極が順次積層し
て形成される薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下部磁性体
磁極あるいは上部磁性体磁極の一部か切り欠かれており
、切り欠かれた部分に磁気抵抗効果素子が挿入され 前
記磁気抵抗効果素子が挿入された方の磁性体磁極が高透
磁率の磁性体と低透磁率の磁性体が積層されてなり、前
記磁気抵抗効果素子が挿入されてない方の磁性体磁極が
高透磁率の磁性体からなる薄膜磁気ヘッドであんまな
前記下部磁性体磁極あるいは上部磁性体磁極の切り欠か
れた部分に低透磁率の磁性体が埋め込まれている薄膜磁
気ヘッドによってもなされる。
以上のヘッドにおいては前記下部磁性体磁極および上部
磁性体磁極の飽和磁束密度と膜厚との積を略等しくする
ことが望ましく１ また 前記低透磁率の磁性体をトラ
ック幅方向と略直角方向に磁化容易軸を有する磁性体で
構成することが可能である。
磁性体磁極の飽和磁束密度と膜厚との積を略等しくする
ことが望ましく１ また 前記低透磁率の磁性体をトラ
ック幅方向と略直角方向に磁化容易軸を有する磁性体で
構成することが可能である。
作用
この様な構成によれ（ヱ 記録時は導電コイルに通電す
ることにより高透磁率の磁性体に加え低透磁率の磁性体
も磁化されるので、磁気ギャップからは大きな漏れ磁界
が発生し記録媒体に記録できる。ここで下部磁性体磁極
と上部磁性体磁極の飽和磁束密度と膜厚との積を略等し
くしておけば一方の磁性体磁極が先に飽和して記録磁界
が飽和することが防げる。また 磁気抵抗効果素子が挿
入された切り欠き部分に低透磁率の磁性体を埋め込んで
おけば更に記録効率を上げることができも再生時には高
透磁率の磁性体にのみ再生磁束が流れるので磁気抵抗効
果素子が挿入された切り欠き部分で磁性体磁極の端面か
ら漏れる磁束が減少し再生出力が増大すも また 導電
コイルに微小電流を流して磁気抵抗効果素子にバイアス
磁界を印加する場合においても低透磁率の磁性体はほと
んど磁化されず切り欠き部分で磁性体磁極の端面から漏
れる磁束はほとんどなく、磁気抵抗効果素子に効率良く
バイアス磁界が印加でき、磁気ギャップからの漏れ磁界
は減少する。このため記録媒体に記録された信号磁化の
再生時の減磁は抑えられも 低透磁率の磁性体として、磁性体の磁化容易軸方向をト
ラック幅方向と略直角方向に配置して構成すると、磁性
体の保磁力以下の低磁界では透磁率はほぼ１であるので
再生時には低透磁率で、記録時には磁化することができ
も 実施例 以下、本発明の実施例を第１阻 第２図に基づいて説明
する。第１は 第２図中で、第３虱 第４図と同一記号
は同一構成物を示も 第１図において、基板ｌの上に下部磁性体磁極２を形成
し 所定形状にバターニングすも 次に前記下部磁性体
磁極２上のヘッドギャップが構成される部分に 所定厚
のギャップ層３を形成上その上に第１の絶縁層４を形成
し その上に導電コイル５を形成すも 更に 第２の絶
縁層６を形成よ その上に磁気抵抗効果素子７および上
部磁性体磁極８を形成する。上部磁性体磁極８は高透磁
率の磁性体９と低透磁率の磁性体１０を積層して形成さ
れ 磁気抵抗効果素子７と高透磁率の磁性体９を近接し
て配置する。下部磁性体磁極２と上部磁性体磁極８の膜
厚は同じに形成する。
ることにより高透磁率の磁性体に加え低透磁率の磁性体
も磁化されるので、磁気ギャップからは大きな漏れ磁界
が発生し記録媒体に記録できる。ここで下部磁性体磁極
と上部磁性体磁極の飽和磁束密度と膜厚との積を略等し
くしておけば一方の磁性体磁極が先に飽和して記録磁界
が飽和することが防げる。また 磁気抵抗効果素子が挿
入された切り欠き部分に低透磁率の磁性体を埋め込んで
おけば更に記録効率を上げることができも再生時には高
透磁率の磁性体にのみ再生磁束が流れるので磁気抵抗効
果素子が挿入された切り欠き部分で磁性体磁極の端面か
ら漏れる磁束が減少し再生出力が増大すも また 導電
コイルに微小電流を流して磁気抵抗効果素子にバイアス
磁界を印加する場合においても低透磁率の磁性体はほと
んど磁化されず切り欠き部分で磁性体磁極の端面から漏
れる磁束はほとんどなく、磁気抵抗効果素子に効率良く
バイアス磁界が印加でき、磁気ギャップからの漏れ磁界
は減少する。このため記録媒体に記録された信号磁化の
再生時の減磁は抑えられも 低透磁率の磁性体として、磁性体の磁化容易軸方向をト
ラック幅方向と略直角方向に配置して構成すると、磁性
体の保磁力以下の低磁界では透磁率はほぼ１であるので
再生時には低透磁率で、記録時には磁化することができ
も 実施例 以下、本発明の実施例を第１阻 第２図に基づいて説明
する。第１は 第２図中で、第３虱 第４図と同一記号
は同一構成物を示も 第１図において、基板ｌの上に下部磁性体磁極２を形成
し 所定形状にバターニングすも 次に前記下部磁性体
磁極２上のヘッドギャップが構成される部分に 所定厚
のギャップ層３を形成上その上に第１の絶縁層４を形成
し その上に導電コイル５を形成すも 更に 第２の絶
縁層６を形成よ その上に磁気抵抗効果素子７および上
部磁性体磁極８を形成する。上部磁性体磁極８は高透磁
率の磁性体９と低透磁率の磁性体１０を積層して形成さ
れ 磁気抵抗効果素子７と高透磁率の磁性体９を近接し
て配置する。下部磁性体磁極２と上部磁性体磁極８の膜
厚は同じに形成する。
以上の各薄膜プロセスにおいて、下部磁性体磁極２およ
び上部磁性体磁極８のうち高透磁率の磁性体９としては
パーマロイ、センダスト、アモルファスなどの真空蒸着
膜もしくはスパッタ膜が磁化容易軸がトラック幅方向に
なるように形成され上部磁性体磁極８のうち低透磁率の
磁性体１０は同じ膜が磁化容易軸が略トラック幅方向と
直角方向になるように形成される。磁気異方性は磁界中
で真空蒸着もしくはスパッタして、あるいは磁界中で熱
処理して付与すも 磁気抵抗効果素子材料としてはパー
マロイやＮｉ−Ｃｏの真空蒸着膜もしくはスパッタ膜力
上 また導電コイル層５、 リードとしてｉ、ｔ、
Ｃｕ、 ＡＬ Ａｕなどの真空蒸着膜もしくは電着
膜力支 絶縁層４としてはＳｉＯ２やＡｈ０３のスパッ
タ膜もしくはフォトレジスト等の有機絶縁材が用いられ
る。
び上部磁性体磁極８のうち高透磁率の磁性体９としては
パーマロイ、センダスト、アモルファスなどの真空蒸着
膜もしくはスパッタ膜が磁化容易軸がトラック幅方向に
なるように形成され上部磁性体磁極８のうち低透磁率の
磁性体１０は同じ膜が磁化容易軸が略トラック幅方向と
直角方向になるように形成される。磁気異方性は磁界中
で真空蒸着もしくはスパッタして、あるいは磁界中で熱
処理して付与すも 磁気抵抗効果素子材料としてはパー
マロイやＮｉ−Ｃｏの真空蒸着膜もしくはスパッタ膜力
上 また導電コイル層５、 リードとしてｉ、ｔ、
Ｃｕ、 ＡＬ Ａｕなどの真空蒸着膜もしくは電着
膜力支 絶縁層４としてはＳｉＯ２やＡｈ０３のスパッ
タ膜もしくはフォトレジスト等の有機絶縁材が用いられ
る。
第２図の実施例は第１図の実施例において磁気抵抗効果
素子７が挿入されている上部磁性体磁極９の切り欠き部
分に絶縁層１１を介して低透磁率の磁性体ＩＯを埋め込
んだものである。
素子７が挿入されている上部磁性体磁極９の切り欠き部
分に絶縁層１１を介して低透磁率の磁性体ＩＯを埋め込
んだものである。
前記実施例に述べたヘッドの動作について述べる。記録
時は 導電コイル５に信号電流を流すことにより、低透
磁率の磁性体ｌＬ１２も磁化され磁気ギャップからの強
い漏れ磁界で記録媒体を磁化する。再生時（友 導電コ
イル５に微小電流を流して磁気抵抗効果素子７にバイア
ス磁界を印加して再生する。このとき低透磁率の磁性体
１１．１２は磁化されず効率良く磁気抵抗効果素子７に
バイアス磁界が印加できも 磁気ギャップから流入した
信号磁束は低透磁率の磁性体１１、１２には流れず、効
率良く磁気抵抗効果素子７に導かれる。
時は 導電コイル５に信号電流を流すことにより、低透
磁率の磁性体ｌＬ１２も磁化され磁気ギャップからの強
い漏れ磁界で記録媒体を磁化する。再生時（友 導電コ
イル５に微小電流を流して磁気抵抗効果素子７にバイア
ス磁界を印加して再生する。このとき低透磁率の磁性体
１１．１２は磁化されず効率良く磁気抵抗効果素子７に
バイアス磁界が印加できも 磁気ギャップから流入した
信号磁束は低透磁率の磁性体１１、１２には流れず、効
率良く磁気抵抗効果素子７に導かれる。
発明の詳細
な説明したように本発明によると、記録時には高透磁率
の磁性体に加え低透磁率の磁性体も磁化されるた△ 有
効な磁性体磁極厚が厚くなったことになり磁性体磁極の
磁気飽和が抑えら花 記録効率のよい巻線型薄膜磁気ヘ
ッドが得らる。また 再生時には高透磁率の磁性体のみ
が磁化されるたべ 有効な磁性体磁極厚が薄くなったこ
とになり、磁気抵抗効果素子が挿入された磁性体磁極の
切り欠き部分において磁性体磁極端面から漏れる磁束が
減少し高い再生出力の磁気抵抗効果型・＼ラドが得られ
る。さら阪 導電コイルに微小電流を流して磁気抵抗効
果素子にバイアス磁界を印加する場合においてＬ 高透
磁率の磁性体のみが磁化されるたム 切り欠き部分にお
いて磁性体磁極端面から漏れることなく磁気抵抗効果素
子に効率良くバイアス磁界が印加でき、再生時に磁気ギ
ャップからの漏れ磁界によって記録媒体に記録された信
号磁化を減磁することが抑えられる。
の磁性体に加え低透磁率の磁性体も磁化されるた△ 有
効な磁性体磁極厚が厚くなったことになり磁性体磁極の
磁気飽和が抑えら花 記録効率のよい巻線型薄膜磁気ヘ
ッドが得らる。また 再生時には高透磁率の磁性体のみ
が磁化されるたべ 有効な磁性体磁極厚が薄くなったこ
とになり、磁気抵抗効果素子が挿入された磁性体磁極の
切り欠き部分において磁性体磁極端面から漏れる磁束が
減少し高い再生出力の磁気抵抗効果型・＼ラドが得られ
る。さら阪 導電コイルに微小電流を流して磁気抵抗効
果素子にバイアス磁界を印加する場合においてＬ 高透
磁率の磁性体のみが磁化されるたム 切り欠き部分にお
いて磁性体磁極端面から漏れることなく磁気抵抗効果素
子に効率良くバイアス磁界が印加でき、再生時に磁気ギ
ャップからの漏れ磁界によって記録媒体に記録された信
号磁化を減磁することが抑えられる。
第１図は本発明による薄膜磁気ヘッドの一実施例を示す
断面阻 第２図は本発明による薄膜磁気ヘッドの他の実
施例を示す断面は 第３図および第４図は従来の薄膜磁
気ヘッドの断面図である。 １・・・基板、 ２・・・下部磁性体磁極 ３・・・ギ
ヤツブ胤 ４、６、１１・・・絶縁慝 ５・・・導電コ
イル、７・・・磁気抵抗効果素子、 ８・・・上部磁性
体磁極９・・・高透磁率の磁性体 １０・・・低透磁率
の磁性慨
断面阻 第２図は本発明による薄膜磁気ヘッドの他の実
施例を示す断面は 第３図および第４図は従来の薄膜磁
気ヘッドの断面図である。 １・・・基板、 ２・・・下部磁性体磁極 ３・・・ギ
ヤツブ胤 ４、６、１１・・・絶縁慝 ５・・・導電コ
イル、７・・・磁気抵抗効果素子、 ８・・・上部磁性
体磁極９・・・高透磁率の磁性体 １０・・・低透磁率
の磁性慨
Claims (4)
- （１）下部磁性体磁極、第１の絶縁層、導電コイル、第
２の絶縁層、上部磁性体磁極が順次積層して形成される
薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下部磁性体磁極あるいは
上部磁性体磁極の一部が切り欠かれており、切り欠かれ
た部分に磁気抵抗効果素子が挿入され、前記磁気抵抗効
果素子が挿入された方の磁性体磁極が、高透磁率の磁性
体と低透磁率の磁性体を積層したものであり、前記磁気
抵抗効果素子が挿入されてない方の磁性体磁極が、高透
磁率の磁性体からなることを特徴とする薄膜磁気ヘッド
。 - （２）下部磁性体磁極あるいは上部磁性体磁極の切り欠
かれた部分に低透磁率の磁性体が埋め込まれていること
を特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。 - （３）下部磁性体磁極および上部磁性体磁極の飽和磁束
密度と膜厚との積が略等しいことを特徴とする請求項１
又は２に記載の薄膜磁気ヘッド。 - （４）低透磁率の磁性体がトラック幅方向と略直角方向
に磁化容易軸を有する磁性体であることを特徴とする請
求項１、２又は３記載の薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18111389A JPH0344811A (ja) | 1989-07-12 | 1989-07-12 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18111389A JPH0344811A (ja) | 1989-07-12 | 1989-07-12 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0344811A true JPH0344811A (ja) | 1991-02-26 |
Family
ID=16095075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18111389A Pending JPH0344811A (ja) | 1989-07-12 | 1989-07-12 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0344811A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6078479A (en) * | 1993-08-10 | 2000-06-20 | Read-Rite Corporation | Magnetic tape head with flux sensing element |
| JP2009182168A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Tdk Corp | 磁性薄膜および薄膜磁気デバイス |
-
1989
- 1989-07-12 JP JP18111389A patent/JPH0344811A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6078479A (en) * | 1993-08-10 | 2000-06-20 | Read-Rite Corporation | Magnetic tape head with flux sensing element |
| JP2009182168A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Tdk Corp | 磁性薄膜および薄膜磁気デバイス |
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