JPH0766510B2 - 磁気記録体及びその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、データを磁気的に記録する磁気記録体に関
し、特に垂直磁気記録によりデータを記録する磁気記録
体に関し、詳しくは高トラック密度で問題となるトラッ
クキング精度に係わるオフトラック特性を改善した磁気
記録体及びその製造方法に関する。

（従来技術とその問題点） 磁気記録装置の記録密度の向上は斯界の変わらぬ趨勢で
ある。従来磁気記録装置で用いられる磁気記録体は一般
に記録媒体の長手方向に磁化し記録再生を行なうが、密
度の増大とともに反磁界の影響により記録密度に限界が
あり、より高密度化が可能となる記録媒体の媒体面に垂
直に磁化する垂直磁気記録方式が提案され従来の記録密
度の１桁以上の値を達成している。

ここで用いられる垂直磁気記録媒体としては、スパッタ
法，蒸着法によって形成したCoCr単層垂直媒体及びパー
マロイ（NiFe）を下地膜としたCoCr/NiFe2層膜媒体があ
る。なかでも２層膜垂直媒体は、磁束のリターンパスを
具備した単磁極型の垂直ヘッドの組み合せにより理想的
な垂直記録が可能であり高密度記録が達成されている。

このように垂直磁気記録方式においては、媒体に垂直磁
気異方性を持たせることにより記録媒体面上トラック方
向の線密度を大幅に向上させることが可能であるが、こ
れをさらに光ディスク並に密度を向上させるためには、
トラック密度を１桁以上増大させる必要がある。トラッ
ク密度の増大にともなって十分なトラッキング精度が得
られないことにより消去残りによるノイズの発生、また
隣接トラックのトラッキングづれによるクロストークの
ノイズによるS/N比（S:信号,N:雑音）の低下の問題が生
じてくる。

（発明の目的） 本発明の目的は、上記問題点を解決し、基体上に形成さ
れた軟磁性膜の表面に垂直に磁気異方性を有する磁性膜
を形成し、データトラック下の軟磁性膜の残留磁化の大
きさをガードバンドトラック下の軟磁性膜の残留磁化の
値よりも大きくすることにより、ノイズが防止され、S/
N比が向上する磁気記録媒体およびその製造方法を提供
することにある。

（発明の構成） 本発明は、基体上に50Oe以下の保磁力の軟磁性膜が形成
され、該軟磁性膜上に膜面に垂直に磁気異方性を有する
磁性膜が形成された磁気記録体において、前記軟磁性膜
のデータトラック下で前記磁性膜に近接する部分の残留
磁化の大きさが前記データトラック間のガードバンドト
ラック下の部分の残留磁化の大きさよりも大きいことを
特徴とする。

本発明の磁気記録体の製造方法は、基体上に軟磁性膜を
形成する軟磁性膜形成手段と、該軟磁性膜上に膜面に垂
直に磁気異方性を有する磁性膜を形成する磁性膜形成手
段と、少くとも前記軟磁性膜が形成された前記基体のデ
ータトラックに相当する領域に光を照射して加熱し前記
軟磁性膜の当該領域で前記磁性膜に近接する部分の残留
磁化を増大させる加熱手段とを含んで構成される。

（実施例） 次に本発明について図面を用いて説明する。

第１図，第２図はそれぞれ本発明の一実施例の磁気ディ
スクの一部を切断して模式的に示す斜視図と製造方法を
示す斜視図である。

無電解または電解メッキによりアルミ合金等の基体６の
表面に比較的低温（150〜200℃）のアニールで磁性が出
現もしくは大きくなるニッケルリン膜４を軟磁性膜とし
て形成し、ニッケルリン膜４上に垂直に磁気異方性を有
する磁性膜３を形成したのち、もしくは磁性膜３の形成
に先立ち、データトラック１に相当する領域に第２図に
示すようにレーザー光を照射し加熱することにより、ニ
ッケルリン膜４のデータトラック１の下の部分を結晶さ
せ、残留磁化を増大させかつ軟磁化させた高残留磁化領
域５を設ける。

この第１図に示す実施例に主磁極励磁型の垂直ヘッドを
用いた場合、データトラック１においてはニッケルリン
膜４の高残留磁化領域５の軟磁性化により、記録，再生
感度が大幅に増大し高出力が得られ、かつ高密度記録が
可能となる。

これによりトラッキング偏倚によりデータトラック１間
のガードバンドトラック２への記録からの出力はデータ
トラック１からの出力に較べて十分小さくでき、隣接ト
ラックでのトラッキング偏倚による記録領域からのクロ
ストーク等も抑制することができ、S/Nの大きい信号が
得られる。

第１図に示す実施例では、アルミ合金の基板６上に無電
解メッキ法によりニッケルリン膜４を10μｍ形成した。
形成したニッケルリン膜４の残留磁化は30emu/ccであっ
た。ニッケルリン膜４を被覆した基板は、研磨により通
常磁気ディスク基板として使用される表面粗さに加工仕
上げを行った。

研磨仕上げを行った基板上にCoCrをターゲットとしてス
パッタにより膜厚0.2μｍの磁性膜３を形成した。この
磁性膜３の残留磁化Msは300emu/cc,垂直の保磁力Hc⊥が
500Oeであった。

次に第２図に示すように基板を回転させ、予め決められ
たトラック密度に対応するデータトラック１上にCO₂レ
ーザー照射装置８からのレーザー光７をレンズ９により
集光して照射し、加熱した。同一条件のレーザー光で加
熱した領域のニッケルリン膜の残留磁化は200emu/eeに
増加し、保磁力は10Oeであった。

効果を確認するために、第１図に示す実施例のデータト
ラック１とガードバンドトラック２の記録再生特性を主
磁極から媒体への磁束のリターンパス構造を有した主磁
極励磁型の垂直磁気ヘッドを用いて測定した。主磁極膜
には膜厚0.3μｍのCoZrNb膜を用いた。その結果は、第
３図（曲線10がデータトラック1,曲線11がガードバンド
トラック２の特性を示す）に示すようにデータトラック
１上では弧立波出力の1/2となる出力の記録密度D₅₀は80
KFRPIであり、一方ガードバンドトラック２上では弧立
波出力の1/2となる出力の記録密度D₅₀は50KFRPIであっ
た。また出力はデータトラック１上ではガードバンドト
ラック２上より2.3倍大きかった。

したがってデータトラック１上で50KFRPI以上の記録密
度ではガードバンドトラック２からの再生出力はデータ
トラック１の出力に較べて十分小さくでき、データトラ
ック１を媒体面で規定することにより良好なオフトラッ
ク特性を得ることが出来た。

また第１図に示す実施例の記録再生出力は、軟磁性膜４
の保磁力にも依存し、第４図に示すように軟磁性膜４の
保磁力が50Oe以下で増大した。

なお第１図に示す実施例の製造方法では、基板上ニッケ
ルリン膜４に続いて磁性膜３を形成した後レーザー光７
により加熱してもよいし、基板６上にニッケル・リン膜
４を形成してレーザー光７により加熱した後に磁性膜３
を形成しても良い。

（発明の効果） 本発明は以上説明したように、軟磁性膜の上に膜面に垂
直に磁気異方性を有する磁性膜を形成し、軟磁性膜のデ
ータトラック下の部分の残留磁化の大きさをガードバン
ドトラック下の部分の残留磁化の大きさよりも大きくす
ることにより、ガードバンドトラックからの再生出力を
十分小さくでき、隣接トラックからのクロストークを抑
制できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図はそれぞれ本発明の一実施例の一部
を示す斜視図およびその製造方法を示す斜視図、第３図
および第４図はそれぞれ第１図に示す実施例の記録再生
出力の記録密度との関係を示すグラフおよびニッケルリ
ン膜の保磁力との関係を示すグラフである。 １……データトラック、２……ガードバンドトラック、
３……磁性膜、４……ニッケルリン膜、５……高残留磁
化領域、６……基板、７……レーザ光、８……レーザ照
射装置、９……レンズ。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基体上に50Oe以下の保磁力の軟磁性膜が形
   成され、該軟磁性膜上に膜面に垂直に磁気異方性を有す
   る磁性膜が形成された磁気記録体において、前記軟磁性
   膜のデータトラック下で前記磁性膜に近接する部分の残
   留磁化の大きさが前記データトラック間のガードバンド
   トラックの下の部分の残留磁化の大きさよりも大きいこ
   とを特徴とする磁気記録体。
2. 【請求項２】軟磁性膜はニッケルリン膜である特許請求
   の範囲第１項記載の磁気記録体。
3. 【請求項３】基体上に軟磁性膜を形成する軟磁性膜形成
   手段と、該軟磁性膜上に膜面に垂直に磁気異方性を有す
   る磁性膜を形成する磁性膜形成手段と、前記軟磁性膜が
   形成された前記基体のデータトラックに相当する領域に
   光を照射して加熱し前記軟磁性膜の当該領域で前記磁性
   膜に近接する部分の残留磁化を増大させる加熱手段とを
   含むことを特徴とする磁気記録体の製造方法。
4. 【請求項４】軟磁性膜はニッケルリン膜である特許請求
   の範囲第３項記載の磁気記録体の製造方法。