JPS59165220A - 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPS59165220A JPS59165220A JP3891283A JP3891283A JPS59165220A JP S59165220 A JPS59165220 A JP S59165220A JP 3891283 A JP3891283 A JP 3891283A JP 3891283 A JP3891283 A JP 3891283A JP S59165220 A JPS59165220 A JP S59165220A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic body
- lower magnetic
- film
- conductor
- edge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は薄膜磁気へ、ドおよびその製造方法に係り、特
にトラック幅精度の向上、導体乗り上は部の段切れ防止
を可能とする薄膜磁気ヘヅドの構造および製造方法に関
する。
にトラック幅精度の向上、導体乗り上は部の段切れ防止
を可能とする薄膜磁気ヘヅドの構造および製造方法に関
する。
薄膜磁気ヘッドは基板上に下部磁性体、ギヤ、プ材、導
体コイル、絶縁膜、上部磁性体、保護膜を薄膜技術を用
いて順次積層してゆくことによ多形成される。下部磁性
体のエツジが急峻なテーパ角で形成されると、下部磁性
体に乗り上がる導体コイルに段切れが生じるため、下部
磁性体のエツジはゆるやかなテーパ角になるように形成
するのが望ましい。しかしながら、下。
体コイル、絶縁膜、上部磁性体、保護膜を薄膜技術を用
いて順次積層してゆくことによ多形成される。下部磁性
体のエツジが急峻なテーパ角で形成されると、下部磁性
体に乗り上がる導体コイルに段切れが生じるため、下部
磁性体のエツジはゆるやかなテーパ角になるように形成
するのが望ましい。しかしながら、下。
部磁性体のエツジがゆるやかなテーパを持って″いると
、トラック幅の精度が劣化し高記録密度。
、トラック幅の精度が劣化し高記録密度。
化の妨げになる。また、トラック幅精度が劣化。
すると上部磁性体がずれ落ちる可能性もある。
本発明の目的は、前述の従来の問題点を解決・すること
であシ、トラック幅が高精度で、下部・磁性体上の導体
コイルに段切れが生じない薄腋磁気ヘッドおよびその製
造方法を提供することである。
であシ、トラック幅が高精度で、下部・磁性体上の導体
コイルに段切れが生じない薄腋磁気ヘッドおよびその製
造方法を提供することである。
本発明の特徴とするところは、下部磁性体のトラック幅
を決める部分のエツジは急峻なテーパ角とし、導体コイ
ル乗り上は部のエツジはゆるやかなテーパ角とするとこ
ろにある。
を決める部分のエツジは急峻なテーパ角とし、導体コイ
ル乗り上は部のエツジはゆるやかなテーパ角とするとこ
ろにある。
また、基板上に形成された磁性膜上に、ポジ型ホトレジ
ストを塗布し、このポジ型ホトレジ゛ストを導体乗シ上
げ部に相当する形状に露光。
ストを塗布し、このポジ型ホトレジ゛ストを導体乗シ上
げ部に相当する形状に露光。
現像し、この現像されたポジ型ホトレジストをポストベ
ークによシ硬化し、さらに磁性膜上に再度ポジ型ホトレ
ジストを塗布し、このポジ型ホトレジストをトラック幅
部分に相当する形状に露光、現像し、この状態でイオン
ミーリングによりエツチングして下部磁性体を形成する
ところにある。
ークによシ硬化し、さらに磁性膜上に再度ポジ型ホトレ
ジストを塗布し、このポジ型ホトレジストをトラック幅
部分に相当する形状に露光、現像し、この状態でイオン
ミーリングによりエツチングして下部磁性体を形成する
ところにある。
以下本発明の一実施例を図面を参照して詳細に説明する
。第１図〜第９図は薄膜磁気ヘッドの製造方法を工程順
に示したもめで、第１図および第５図〜第９図は断面図
、第２図（ａ）は平面図第２図（ｂ）は第２図（ａ）の
Ａ−Ａ’線断面図、第３図（ａ）は平面図、第６図（ｂ
）は第３図（ａ）のＢ−Ｂ’線断面図、第４図（ａ）は
平面図、第４図（ｂ）は第４図（ａ）のＣ−Ｃ’線断面
図、第４図（ｃ）は第４図（ａ）のＤ−α線断面図であ
る。
。第１図〜第９図は薄膜磁気ヘッドの製造方法を工程順
に示したもめで、第１図および第５図〜第９図は断面図
、第２図（ａ）は平面図第２図（ｂ）は第２図（ａ）の
Ａ−Ａ’線断面図、第３図（ａ）は平面図、第６図（ｂ
）は第３図（ａ）のＢ−Ｂ’線断面図、第４図（ａ）は
平面図、第４図（ｂ）は第４図（ａ）のＣ−Ｃ’線断面
図、第４図（ｃ）は第４図（ａ）のＤ−α線断面図であ
る。
初めに第１図に示すように、基板１上に絶縁膜２を形成
し、この上にスバ、タリングあるいは蒸着等で下部磁性
体となる磁性膜６を形成する。次に第２図に示すように
、磁性膜３の上にポジ型ホトレジスト４を磁性膜３の厚
さの約１．５゜倍の膜厚となるようにスピン塗布し、温
度９０℃で２０分間プリベータを行ってポジ型ホトレジ
スト４を半硬化状態にし、この後導体コイルが乗り上は
交差する部分の下部磁性体パターンを露光、現像して形
成する。さらに温度１４Ｑ℃で２０′分間ボストベーク
を行ってポジ型ホトレジストを硬化させる。このとき、
第２図（ｂ）に示す如くポジ型ホトレジスト４はポスト
ベークによるフロー現象によりそのエツジ部になだらか
なテーパが形成される。
し、この上にスバ、タリングあるいは蒸着等で下部磁性
体となる磁性膜６を形成する。次に第２図に示すように
、磁性膜３の上にポジ型ホトレジスト４を磁性膜３の厚
さの約１．５゜倍の膜厚となるようにスピン塗布し、温
度９０℃で２０分間プリベータを行ってポジ型ホトレジ
スト４を半硬化状態にし、この後導体コイルが乗り上は
交差する部分の下部磁性体パターンを露光、現像して形
成する。さらに温度１４Ｑ℃で２０′分間ボストベーク
を行ってポジ型ホトレジストを硬化させる。このとき、
第２図（ｂ）に示す如くポジ型ホトレジスト４はポスト
ベークによるフロー現象によりそのエツジ部になだらか
なテーパが形成される。
次に第６図に示すように、再度ポジ型ホトレ。
シスト４′を磁性膜３の２．５〜６倍の膜厚となるよう
にスピン塗布し、前工程と同様のプリベータを行ってポ
ジ型ホトレジスト４′を半硬化状態にし、この後トラッ
ク幅部分の下部磁性体パターンを露光、現像して形成す
る。このとき、前工程にてポストベークしたポジ型ホト
レジスト４は現像されることはない。この状態でのポジ
型ホトレジスト４′のエツジ部は第３図（ｂ）に示す如
く垂直に近いテーパ角となっている、ここで両パターン
の位置合わせは、図面のＹ方向に関しては高精度に行う
必要があるが、Ｘ方向に関しては、両パターンがつなが
れば良込のでそれほど精度は要求されない。
にスピン塗布し、前工程と同様のプリベータを行ってポ
ジ型ホトレジスト４′を半硬化状態にし、この後トラッ
ク幅部分の下部磁性体パターンを露光、現像して形成す
る。このとき、前工程にてポストベークしたポジ型ホト
レジスト４は現像されることはない。この状態でのポジ
型ホトレジスト４′のエツジ部は第３図（ｂ）に示す如
く垂直に近いテーパ角となっている、ここで両パターン
の位置合わせは、図面のＹ方向に関しては高精度に行う
必要があるが、Ｘ方向に関しては、両パターンがつなが
れば良込のでそれほど精度は要求されない。
次に第４図に示すよ・うに、イオンミーリング装置を用
い、Ａｒ圧力１．６ Ｘ １０ ’ Ｔｏｒｒ、加速電
圧５００Ｖ、イオン入射角２０°の条件でエツチングを
行う。エツチング後の磁性膜６は、ポジ型ホトレジスｌ
−４、４’が形成されている下部磁性体パターンが残シ
、この下部磁性体のエツジ部には、ポジ１７ｊ−、ｈレ
ジスト４．４’のエツジのテーパ角が転写される。従っ
て下部磁性体のトラック幅部分では第４図（ｃ）の如く
垂直に近いテーパ角になシ、導体コイル乗り上げ部分で
は第４図（ｂ）の如くゆるやかなテーパ角となる。この
後残っているポジ型ホトレジスト４，４′を除去する。
い、Ａｒ圧力１．６ Ｘ １０ ’ Ｔｏｒｒ、加速電
圧５００Ｖ、イオン入射角２０°の条件でエツチングを
行う。エツチング後の磁性膜６は、ポジ型ホトレジスｌ
−４、４’が形成されている下部磁性体パターンが残シ
、この下部磁性体のエツジ部には、ポジ１７ｊ−、ｈレ
ジスト４．４’のエツジのテーパ角が転写される。従っ
て下部磁性体のトラック幅部分では第４図（ｃ）の如く
垂直に近いテーパ角になシ、導体コイル乗り上げ部分で
は第４図（ｂ）の如くゆるやかなテーパ角となる。この
後残っているポジ型ホトレジスト４，４′を除去する。
第４図（ａ）においてＥは後工程において形成され゛る
導体コイルの位置を示す。
導体コイルの位置を示す。
次に第５図に示すように、下部磁性体乙の上゛にギャッ
プ材となる絶縁層５を形成する。続いて第６図に示すよ
うに、絶縁層５の上に導体膜を形成し、これを工、チン
グによシバタ＝ニン゛グして導体コイル６を形成する。
プ材となる絶縁層５を形成する。続いて第６図に示すよ
うに、絶縁層５の上に導体膜を形成し、これを工、チン
グによシバタ＝ニン゛グして導体コイル６を形成する。
続いて第７図゛に示すように導体コイル６の導体間に絶
縁体７゛を充填し、さらにその上に絶縁体７を堆積する
。
縁体７゛を充填し、さらにその上に絶縁体７を堆積する
。
この絶縁体７を平坦化した後、第８図に示すよ・・うに
上部磁性体８を後部において下部磁性体３・と接続され
、前部において磁気ギヤ、ツブｇを構。
上部磁性体８を後部において下部磁性体３・と接続され
、前部において磁気ギヤ、ツブｇを構。
成するように形成し、最後に第９図に示すように保護膜
９を全体を被うように形成することに。
９を全体を被うように形成することに。
よシ薄膜磁気ヘッドが完成する。
このよう１（シて製造された薄膜磁気へ、ンドは２、下
部磁性体のトラック幅部分の工、ッジが垂直に。
部磁性体のトラック幅部分の工、ッジが垂直に。
近いテーバ角で高精度に形成されるため、高密。
度の記録が可能となり、また、この部分に乗っ。
ている上部磁性体がずれ落ちるようなことはな。
い。さらに導体乗り上げ部分の下部磁性体のエツジがな
めらかな子−バ角を有するため、導体コイルの段切れも
発生しない。
めらかな子−バ角を有するため、導体コイルの段切れも
発生しない。
本発明によれば、トラ、り幅を高精度で形成でき、同時
に導体コイルの段切れも防止できるので、高性能かつ高
信頼性の薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
に導体コイルの段切れも防止できるので、高性能かつ高
信頼性の薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
第１図〜第９図は本発明の一実施例による薄膜磁気ヘッ
ドの製造工程を示す図で、第１図は基板上に絶縁膜を介
して磁性膜を形成した状態の断面図、第２図は磁性膜の
導体束シ上げ部分にポジ型ホトレジストを塗布し硬化し
た状態を示す図で、第２図（ａ）は平面図、第２図（ｂ
）は第２図（ａ）のＡ −Ａ’線断面図、第３図は磁性
膜のトラ、り幅部分にポジ型ホトレジストを塗布し現像
した状態を示す図で、第３図（ａ）は平面図、第６図（
ｂ）は第３図（ａ）のＢ −Ｂ’線断面図、第４図は工
、チング後の下部磁性体パターンを示す図で、第４図（
ａ）は平面図、第４図（ｂ）はｃ −ｃ’線断面図、第
４図（ｅ）は第４図（＆）のＤ−Ｄ’線断面図、第５図
はギヤ、・プ材を形成した状態の断面図、第６図は導体
コイルを形成した状態の断面図、第７図は絶縁膜を形成
した状態の断面図、第８図は上部磁性体を形成した状態
の断面図、第９図は保護膜を形成した状態の断面図であ
る。 １・・・基板、 ２・・・絶縁膜、３・・・
下部磁性体、４．４’・・・ポジ型ホトレジスト、
５・・・ギャップ材、６・・・導体コイル
、 ７・・・絶縁膜、８・・・上部磁性体、
９・・・保護膜。
ドの製造工程を示す図で、第１図は基板上に絶縁膜を介
して磁性膜を形成した状態の断面図、第２図は磁性膜の
導体束シ上げ部分にポジ型ホトレジストを塗布し硬化し
た状態を示す図で、第２図（ａ）は平面図、第２図（ｂ
）は第２図（ａ）のＡ −Ａ’線断面図、第３図は磁性
膜のトラ、り幅部分にポジ型ホトレジストを塗布し現像
した状態を示す図で、第３図（ａ）は平面図、第６図（
ｂ）は第３図（ａ）のＢ −Ｂ’線断面図、第４図は工
、チング後の下部磁性体パターンを示す図で、第４図（
ａ）は平面図、第４図（ｂ）はｃ −ｃ’線断面図、第
４図（ｅ）は第４図（＆）のＤ−Ｄ’線断面図、第５図
はギヤ、・プ材を形成した状態の断面図、第６図は導体
コイルを形成した状態の断面図、第７図は絶縁膜を形成
した状態の断面図、第８図は上部磁性体を形成した状態
の断面図、第９図は保護膜を形成した状態の断面図であ
る。 １・・・基板、 ２・・・絶縁膜、３・・・
下部磁性体、４．４’・・・ポジ型ホトレジスト、
５・・・ギャップ材、６・・・導体コイル
、 ７・・・絶縁膜、８・・・上部磁性体、
９・・・保護膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 下部磁性体と、該下部磁性体上圧当該下部磁性体
と交差するように配置された導体コイルと、該導体コイ
ルおよび前記下部磁性体上に一端が下部磁性体に接続さ
れ他端にギャップを構成するように配置された上部磁性
体とからなる薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下部磁性体
のトラ、Ｖり幅部分のエツジのテーバ角を大きくし、導
体乗シ上げ部分のエツジのテーバ角を前記トラック幅部
分のエツジのテーバ角よシ小さくしたことを特徴とする
薄膜磁気ヘッド。 ２、 基板上に磁性族を形成し、該磁性膜上にボ１ジ型
ホトレジストを塗布し、該ポジ型ホトレジストを導体乗
シ上げ部に相当する形状に露光。 現像し、現像され大ポジ型ホトレジストをボストベーク
によシ硬化し、前記磁性膜上に再度ポジ型ホトレジスト
を塗布し、該ポジ型ホトレジストをトラック幅部分に担
当する形状に露光。 現像し、これら硬化および現像され大ポジ型ホトレジス
ト上からイオンミーリングによシエ。 チングして下部磁性体を形成し、該下部磁性体上に絶縁
体を介して導体コイルを形成し、該導体コイルおよび前
記下部磁性体上に絶縁体をＡ ′して一端において下部
磁性体と接続されるよう上部磁性体を形成することを特
徴とする薄膜磁気ヘヅドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3891283A JPS59165220A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3891283A JPS59165220A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59165220A true JPS59165220A (ja) | 1984-09-18 |
Family
ID=12538413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3891283A Pending JPS59165220A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59165220A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61271609A (ja) * | 1985-05-28 | 1986-12-01 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPH04221411A (ja) * | 1990-12-21 | 1992-08-11 | Nec Ibaraki Ltd | 薄膜磁気ヘッドおよび薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
-
1983
- 1983-03-11 JP JP3891283A patent/JPS59165220A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61271609A (ja) * | 1985-05-28 | 1986-12-01 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPH04221411A (ja) * | 1990-12-21 | 1992-08-11 | Nec Ibaraki Ltd | 薄膜磁気ヘッドおよび薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
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