JPS62140214A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPS62140214A JPS62140214A JP28090285A JP28090285A JPS62140214A JP S62140214 A JPS62140214 A JP S62140214A JP 28090285 A JP28090285 A JP 28090285A JP 28090285 A JP28090285 A JP 28090285A JP S62140214 A JPS62140214 A JP S62140214A
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- Japan
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- magnetic
- film
- insulating film
- magnetic head
- organic insulating
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野］
本発明は、薄膜磁気ヘッドの製造方法に関し、特に良好
な電気特性を持つヘッドを製造するのに好適な有機絶縁
膜形成プロセスに関するものである。
な電気特性を持つヘッドを製造するのに好適な有機絶縁
膜形成プロセスに関するものである。
従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、基板の上に下部保
護膜を形成し、その上に下部磁性膜、ギャップ材を順次
積層し、導体コイルの絶縁を図るため１層間絶縁膜を形
成し、その上に上部磁性膜を積層した構成で、その上に
上部保護膜を最終的に積層してヘッドを保護するように
し、さらに遮蔽膜を導体コイル上に形成する方法が知ら
れている（特開昭５９−３０２２１号公報参照）。しか
し、この従来の方法では、ギャップ材を形成してホトエ
ツチングを行った後、有機絶縁膜を形成するだけで、有
機絶縁膜のテーパ角については、配慮されていなかった
。
護膜を形成し、その上に下部磁性膜、ギャップ材を順次
積層し、導体コイルの絶縁を図るため１層間絶縁膜を形
成し、その上に上部磁性膜を積層した構成で、その上に
上部保護膜を最終的に積層してヘッドを保護するように
し、さらに遮蔽膜を導体コイル上に形成する方法が知ら
れている（特開昭５９−３０２２１号公報参照）。しか
し、この従来の方法では、ギャップ材を形成してホトエ
ツチングを行った後、有機絶縁膜を形成するだけで、有
機絶縁膜のテーパ角については、配慮されていなかった
。
本発明の目的は、このような従来配慮されていなかった
点を改善し、有機絶縁膜のテーパ角を安定して形成でき
、かつ、ヘット電気特性の優れたヘッドを得られる薄膜
磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
点を改善し、有機絶縁膜のテーパ角を安定して形成でき
、かつ、ヘット電気特性の優れたヘッドを得られる薄膜
磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明では、基板上に下部
磁性体、ギャップ材、第１層有機絶縁膜、導体コイル、
第２層有機絶縁膜、上部磁性体および保護膜を順次形成
する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、上記ギャップ
材のホトエッチング工程を上記第２層有機絶縁膜を形成
した後に行うことに特徴がある。
磁性体、ギャップ材、第１層有機絶縁膜、導体コイル、
第２層有機絶縁膜、上部磁性体および保護膜を順次形成
する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、上記ギャップ
材のホトエッチング工程を上記第２層有機絶縁膜を形成
した後に行うことに特徴がある。
以下、本発明の一実施例を、図面により詳細に説明する
。
。
まず、本発明の詳細な説明をする。
薄膜磁気ヘッドの製造工程において、ポリイミド系有機
絶縁膜は、ウェットエツチングする際、下地膜の材質に
よりエツチング終点時間が異なる。
絶縁膜は、ウェットエツチングする際、下地膜の材質に
よりエツチング終点時間が異なる。
従って、従来方法により、有機絶縁膜を形成する場合、
エツチング終点をエツチング時間の長い下部磁性体−Ｌ
の磁気コア接続部」二に合わせると、ギャップ材」二の
有機絶縁膜はオーバエツチングとなり、所定のテーパ角
を得ることは困難となる。したがって、安定したテーパ
角を得るためには、エツチング終点の均一化が必要とな
り、下地材質を統一することで改善することができる。
エツチング終点をエツチング時間の長い下部磁性体−Ｌ
の磁気コア接続部」二に合わせると、ギャップ材」二の
有機絶縁膜はオーバエツチングとなり、所定のテーパ角
を得ることは困難となる。したがって、安定したテーパ
角を得るためには、エツチング終点の均一化が必要とな
り、下地材質を統一することで改善することができる。
第１図（ａ）〜（ｆ）は、本発明の一実施例を示す薄膜
磁気ヘットの製造プロセス工程図である。
磁気ヘットの製造プロセス工程図である。
第１図（ａ）〜（ｆ）において、１は基板、２はその基
板１の上に形成された下地膜、３は下地膜２上に形成さ
れた下部磁性体、４は磁気ギャップを形成するギャップ
材、５は第１層有機絶縁膜、６は下部磁性体３と上部磁
性体１０の間に貫通するように配置された導体コイル、
７は第１層有機絶縁膜５の上に形成された第２層有機絶
縁膜、８はネガ型ホトレジスト、９はポジ型ホトレジス
ト、１０は下部磁性体１」−に積層され、一端が下部磁
性体３の一端に結合され、他端が下部磁性体３の他端に
所定のギャップ材４を介して対向している」二部磁性体
、１１は上部磁性体１０と導体コイル６を被膜する保護
膜である。
板１の上に形成された下地膜、３は下地膜２上に形成さ
れた下部磁性体、４は磁気ギャップを形成するギャップ
材、５は第１層有機絶縁膜、６は下部磁性体３と上部磁
性体１０の間に貫通するように配置された導体コイル、
７は第１層有機絶縁膜５の上に形成された第２層有機絶
縁膜、８はネガ型ホトレジスト、９はポジ型ホトレジス
ト、１０は下部磁性体１」−に積層され、一端が下部磁
性体３の一端に結合され、他端が下部磁性体３の他端に
所定のギャップ材４を介して対向している」二部磁性体
、１１は上部磁性体１０と導体コイル６を被膜する保護
膜である。
第１図（ａ）に示すように、まず、下地膜（絶縁膜）２
を有する基板１」二に、下部コア材となる磁性膜（下部
磁性体）３をスパッタリング、蒸着、メッキ等の方法で
形成し、ホトエツチングを行い、１パターンを得る。同
様の手法を用いてこの」二にギャップ材４を形成するが
、ホトエツチングは行わない。
を有する基板１」二に、下部コア材となる磁性膜（下部
磁性体）３をスパッタリング、蒸着、メッキ等の方法で
形成し、ホトエツチングを行い、１パターンを得る。同
様の手法を用いてこの」二にギャップ材４を形成するが
、ホトエツチングは行わない。
次に、第１図（ｂ）に示すように、第１層有機絶縁膜５
をスピン塗布、熱硬化する。さら番３、この上に導体コ
イル６を磁性膜（下部磁性膜）３と同等の手法で形成す
る。
をスピン塗布、熱硬化する。さら番３、この上に導体コ
イル６を磁性膜（下部磁性膜）３と同等の手法で形成す
る。
この上に再度、第２層有機絶縁膜７をスピン塗布、熱硬
化し、ネガ型ホトレジスト８を４μ届膜厚になるように
スピン塗布し、温度９０°Ｃで３０分間プリベークを行
って、ネガ型ホトレジスト８を半硬化状態にし１、この
後、磁気コア形成部のノ（ターンを露光、現像、ポスト
ベークして形成する。
化し、ネガ型ホトレジスト８を４μ届膜厚になるように
スピン塗布し、温度９０°Ｃで３０分間プリベークを行
って、ネガ型ホトレジスト８を半硬化状態にし１、この
後、磁気コア形成部のノ（ターンを露光、現像、ポスト
ベークして形成する。
次に、ヒドラジンヒトラード７容、エチレンジアミン３
容の液温４０℃の混液に浸漬し、エツチングを行うと、
磁気ギャップとなるＡ点と磁気コア接続部となるＢ点が
ほぼ同じ時間でエツチングすることができる。したがっ
て、所定のテーノ（角に合わせてエツチング時間を設定
することができ、第１図（Ｃ）に示すように、安定した
形状を得ることができる。
容の液温４０℃の混液に浸漬し、エツチングを行うと、
磁気ギャップとなるＡ点と磁気コア接続部となるＢ点が
ほぼ同じ時間でエツチングすることができる。したがっ
て、所定のテーノ（角に合わせてエツチング時間を設定
することができ、第１図（Ｃ）に示すように、安定した
形状を得ることができる。
さらに、ネガ型ホトレジスト８を除去後、第１図（ｄ）
に示すように磁気コア接続部のホトエツチング、第１図
（、）に示すように上部磁性体１０、第１図（ｆ）に示
すように保護膜１１を形成し、薄膜磁気ヘッド素子を得
る。
に示すように磁気コア接続部のホトエツチング、第１図
（、）に示すように上部磁性体１０、第１図（ｆ）に示
すように保護膜１１を形成し、薄膜磁気ヘッド素子を得
る。
このように、本実施例においては、有機絶縁膜のテーパ
角を安定して形成することができる。
角を安定して形成することができる。
以上説明したように、本発明によれば、有機絶縁膜のテ
ーパ角に安定して形成することができるので、ヘッド電
気特性の優れた薄膜磁気ヘッドを形成することができる
。
ーパ角に安定して形成することができるので、ヘッド電
気特性の優れた薄膜磁気ヘッドを形成することができる
。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す薄膜磁気ヘッドの製造
プロセス工程図である。
プロセス工程図である。
Claims (1)
- （１）基板上に下部磁性体、ギャップ材、第１層有機絶
縁膜、導体コイル、第２層有機絶縁膜、上部磁性体およ
び保護膜を順次形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法にお
いて、上記ギャップ材のホトエッチング工程を上記第２
層有機絶縁膜を形成した後に行うことを特徴とする薄膜
磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28090285A JPS62140214A (ja) | 1985-12-16 | 1985-12-16 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28090285A JPS62140214A (ja) | 1985-12-16 | 1985-12-16 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62140214A true JPS62140214A (ja) | 1987-06-23 |
Family
ID=17631534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28090285A Pending JPS62140214A (ja) | 1985-12-16 | 1985-12-16 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62140214A (ja) |
-
1985
- 1985-12-16 JP JP28090285A patent/JPS62140214A/ja active Pending
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