JPH083887B2 - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH083887B2 JPH083887B2 JP62120695A JP12069587A JPH083887B2 JP H083887 B2 JPH083887 B2 JP H083887B2 JP 62120695 A JP62120695 A JP 62120695A JP 12069587 A JP12069587 A JP 12069587A JP H083887 B2 JPH083887 B2 JP H083887B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photoresist
- coil conductor
- thin film
- conductor layer
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は薄膜磁気ヘッドの製造方法に関し、コイル
導体層との絶縁層とを交互に成膜する場合に下地の凹凸
の影響を受けることなく微細パターンで形成できるよう
にしたものである。
導体層との絶縁層とを交互に成膜する場合に下地の凹凸
の影響を受けることなく微細パターンで形成できるよう
にしたものである。
磁気ヘッドのひとつである薄膜磁気ヘッドは、フォト
リソグラフィ技術を用いて磁性層やコイル導体層を成膜
して作られたものであり、製造上、バルク形ヘッドを機
械加工で製作するのに比べ、多量生産や寸法の微小化に
適するほか、高周波損失やマルチトラックとした場合の
トラック間漏話が少ないなどの特長を備えている。
リソグラフィ技術を用いて磁性層やコイル導体層を成膜
して作られたものであり、製造上、バルク形ヘッドを機
械加工で製作するのに比べ、多量生産や寸法の微小化に
適するほか、高周波損失やマルチトラックとした場合の
トラック間漏話が少ないなどの特長を備えている。
このような薄膜磁気ヘッドの構造は、例えば第２図お
よび第３図に示すように、非磁性体あるいは磁性体の基
板１上に下部磁性層２を成膜し、この上にギャップを形
成するための非磁性体のギャップ層３を形成し、さらに
絶縁層４とコイル導体層５とを交互に形成し、最上部に
先端部がギャップ層３を介して下部磁性層２と対向し且
つ基端部が下部磁性層２と磁気的に結合される上部磁性
層６が成膜された積層構造となっている。
よび第３図に示すように、非磁性体あるいは磁性体の基
板１上に下部磁性層２を成膜し、この上にギャップを形
成するための非磁性体のギャップ層３を形成し、さらに
絶縁層４とコイル導体層５とを交互に形成し、最上部に
先端部がギャップ層３を介して下部磁性層２と対向し且
つ基端部が下部磁性層２と磁気的に結合される上部磁性
層６が成膜された積層構造となっている。
そして、この薄膜磁気ヘッドの製造にあたっては、交
互に積層されるコイル導体層５の第１層のコイル導体層
51の接続部51aと第２層のコイル導体層52の接続部52aと
を積層過程で接続するようにしなければならない。
互に積層されるコイル導体層５の第１層のコイル導体層
51の接続部51aと第２層のコイル導体層52の接続部52aと
を積層過程で接続するようにしなければならない。
このため第１層のコイル導体層51を絶縁する絶縁層42
のコイル導体層51の接続部51aに対応する部分を露出さ
せておく必要がある。
のコイル導体層51の接続部51aに対応する部分を露出さ
せておく必要がある。
ところが、従来から行なわれている薄膜磁気ヘッドの
製造方法では、例えば第４図に示すように、まず、第１
層のコイル導体層51と、これを覆う２層目の絶縁層42と
を所定の形状に形成する（第４図（ａ）参照）。
製造方法では、例えば第４図に示すように、まず、第１
層のコイル導体層51と、これを覆う２層目の絶縁層42と
を所定の形状に形成する（第４図（ａ）参照）。
次に、第４図（ｂ）に示すように、２層目の絶縁層42
の上にフォトレジスト（ポジ型）７を塗布する。
の上にフォトレジスト（ポジ型）７を塗布する。
すると、絶縁層42の表面には、凹凸があるためフォト
レジスト７は一定の厚さに塗布されず、絶縁層42上は厚
さがａと比較的薄く、凹部となる接続部51a上は厚さが
ｂと比較的厚くなってしまう。
レジスト７は一定の厚さに塗布されず、絶縁層42上は厚
さがａと比較的薄く、凹部となる接続部51a上は厚さが
ｂと比較的厚くなってしまう。
このうち、第４図（ｃ）に示すように、第２層のコイ
ル導体層52のコイルパターンに対応した穴が形成された
通常のマスク８を当てて露光する。
ル導体層52のコイルパターンに対応した穴が形成された
通常のマスク８を当てて露光する。
そして、露光後のフォトレジスト７を現像し、第２層
のコイル導体層52のコイルパターンに対応した部分のフ
ォトレジスト７を除去する（第４図（ｄ）参照）。
のコイル導体層52のコイルパターンに対応した部分のフ
ォトレジスト７を除去する（第４図（ｄ）参照）。
ところが、絶縁層42上のフォトレジストの７の厚さａ
に合わせて露光時間を調整すると、凹部の厚さｂ部分の
フォトレジスト７が露光不足となって現像後に残ってし
まい、第４図（ｅ）に示すように、次工程での第２層の
コイル導体層52をめっきする場合に接続部51aと接続部5
2aとが接続されず断線状態となってしまう。
に合わせて露光時間を調整すると、凹部の厚さｂ部分の
フォトレジスト７が露光不足となって現像後に残ってし
まい、第４図（ｅ）に示すように、次工程での第２層の
コイル導体層52をめっきする場合に接続部51aと接続部5
2aとが接続されず断線状態となってしまう。
一方、露光時間を凹部の厚さｂ部分のフォトレジスト
７に合わせて調整すると、絶縁層42上の厚さａ部分のフ
ォトレジスト７については露光オーバーとなり、現像除
去することなく残す必要があるフォトレジスト７まで現
像除去されてしまいコイルショートの原因となってしま
う。このため露光時間を長くしてもコイルショートが起
らないよう現像後残す必要があるフォトレジスト７の幅
と広くするようにしなければならず、コイル導体層52の
コイルパターンの密度を高め微細化することができず、
しかも下部磁性層２の上部磁性層６との磁気的結合部か
ら磁気ギャップ基端までの磁路長Ｌが長くなって高性能
化のさまたげとなるという問題がある。
７に合わせて調整すると、絶縁層42上の厚さａ部分のフ
ォトレジスト７については露光オーバーとなり、現像除
去することなく残す必要があるフォトレジスト７まで現
像除去されてしまいコイルショートの原因となってしま
う。このため露光時間を長くしてもコイルショートが起
らないよう現像後残す必要があるフォトレジスト７の幅
と広くするようにしなければならず、コイル導体層52の
コイルパターンの密度を高め微細化することができず、
しかも下部磁性層２の上部磁性層６との磁気的結合部か
ら磁気ギャップ基端までの磁路長Ｌが長くなって高性能
化のさまたげとなるという問題がある。
この発明がかかる従来技術の問題点に鑑みてなされた
もので、コイルパターンの集積度を高め、磁路長を短く
することで高性能化をはかることができる薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法を提供しようとするものである。
もので、コイルパターンの集積度を高め、磁路長を短く
することで高性能化をはかることができる薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法を提供しようとするものである。
〔問題点を解決するための手段〕 上記問題点を解決するためこの発明は、一端部がギャ
ップ層を介して対向しかつ他端部が結合された下部磁性
層と上部磁性層との間に複数層のコイル導体層と絶縁層
とが交互に積層された薄膜磁気ヘッドを製造するに際
し、コイル導体層上に絶縁層を形成したのち、フォトレ
ジストを塗布し、このフォトレジスト上に次層のコイル
導体層のコイルパターンに対応したマスクを用いて露光
し、さらにフォトレジストの露光不足部分のみを補助マ
スクを用いて露光し、次いで、このフォトレジストを現
像したのち、次層のコイル導体層を形成するようにした
こを特徴とするものである。
ップ層を介して対向しかつ他端部が結合された下部磁性
層と上部磁性層との間に複数層のコイル導体層と絶縁層
とが交互に積層された薄膜磁気ヘッドを製造するに際
し、コイル導体層上に絶縁層を形成したのち、フォトレ
ジストを塗布し、このフォトレジスト上に次層のコイル
導体層のコイルパターンに対応したマスクを用いて露光
し、さらにフォトレジストの露光不足部分のみを補助マ
スクを用いて露光し、次いで、このフォトレジストを現
像したのち、次層のコイル導体層を形成するようにした
こを特徴とするものである。
コイル導体層上に絶縁層を形成したのち次層のコイル
導体層を成膜する際、フォトレジストを塗布し、露光、
現像して所定のコイルパターンを形成するが、通常のマ
スクのほかに補助マウクを使用して露光するようにし、
フォトレジストに下地の凹凸による厚さの変化があって
も露光時間を調整できるようにしており、コイルパター
ンの集積度を高め、磁路長が短く高性能で多層の薄膜磁
気ヘッドを製造することができるようにしている。
導体層を成膜する際、フォトレジストを塗布し、露光、
現像して所定のコイルパターンを形成するが、通常のマ
スクのほかに補助マウクを使用して露光するようにし、
フォトレジストに下地の凹凸による厚さの変化があって
も露光時間を調整できるようにしており、コイルパター
ンの集積度を高め、磁路長が短く高性能で多層の薄膜磁
気ヘッドを製造することができるようにしている。
以下、この発明の一実施例を図面に基づき詳細に説明
する。
する。
第１図はこの発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実
施例にかかる工程図である。
施例にかかる工程図である。
この薄膜磁気ヘッドの製造方法では、従来と同様の工
程で第１層のコイル導体層51と、これを覆う２層目の絶
縁層42とを所定の形状に形成する（第１図（ａ）参
照）。
程で第１層のコイル導体層51と、これを覆う２層目の絶
縁層42とを所定の形状に形成する（第１図（ａ）参
照）。
すなわち、非磁性体あるいは磁性体の基板１（第２図
および第３図参照）上にパーマロイ等の磁性体をスパッ
タ法等で成膜して磁性膜を形成し、フォトリソグラフィ
およびイオンエッチング法等で所定の形状の下部磁性層
２を形成し、この上にギャップを形成するためSiO2等を
蒸着またはスパッタ法により成膜し、所定の形状に形成
し、上部磁性槽６との磁性的結合部となる部分のSiO2等
をドライエッチングあるいはウェットエッチングで除去
してギャップ槽３とし、さらに、この上に１層目の絶縁
層41を形成するためレジストをスピンコートにより塗布
したのち、所定の形状にするため露光現像し、この上に
第１層のコイル導体層51をめっきし、２層目の絶縁層42
を所定の形状にして第１図（ａ）の状態とする。
および第３図参照）上にパーマロイ等の磁性体をスパッ
タ法等で成膜して磁性膜を形成し、フォトリソグラフィ
およびイオンエッチング法等で所定の形状の下部磁性層
２を形成し、この上にギャップを形成するためSiO2等を
蒸着またはスパッタ法により成膜し、所定の形状に形成
し、上部磁性槽６との磁性的結合部となる部分のSiO2等
をドライエッチングあるいはウェットエッチングで除去
してギャップ槽３とし、さらに、この上に１層目の絶縁
層41を形成するためレジストをスピンコートにより塗布
したのち、所定の形状にするため露光現像し、この上に
第１層のコイル導体層51をめっきし、２層目の絶縁層42
を所定の形状にして第１図（ａ）の状態とする。
この状態では、コイル導体層51が絶縁層42で覆われる
が、上部磁性層６との磁気的結合部およびコイル導体層
51の接続部51aが露出され、絶縁層42に凹凸が形成され
ている。
が、上部磁性層６との磁気的結合部およびコイル導体層
51の接続部51aが露出され、絶縁層42に凹凸が形成され
ている。
次に、第１図（ｂ）に示すように、２層目の絶縁層42
の上にポシ型のフォトレジスト７をスピンコート等で塗
布する。すると、絶縁層42の表面には、凹部が形成され
ているため一定の厚さにフォトレジスト７が塗布され
ず、絶縁層42上は所定の厚さａとなり、凹部となってい
る接続部51a上は厚さがｂと厚くなっている。
の上にポシ型のフォトレジスト７をスピンコート等で塗
布する。すると、絶縁層42の表面には、凹部が形成され
ているため一定の厚さにフォトレジスト７が塗布され
ず、絶縁層42上は所定の厚さａとなり、凹部となってい
る接続部51a上は厚さがｂと厚くなっている。
こののち、第１図（ｃ）に示すように、第２層のコイ
ル導体層52のコイルパターンに対応した穴が形成された
通常のマスク８を使用してコイルパターンを露光する。
この場合の露光時間はフォトレジスト７の厚さが所定の
厚さａになっている部分に対応した長さに調整する。す
ると、フォトレジスト７の厚さがｂと厚い部分は露光不
足となり、現像後に接続部51aを露出させることができ
ない。
ル導体層52のコイルパターンに対応した穴が形成された
通常のマスク８を使用してコイルパターンを露光する。
この場合の露光時間はフォトレジスト７の厚さが所定の
厚さａになっている部分に対応した長さに調整する。す
ると、フォトレジスト７の厚さがｂと厚い部分は露光不
足となり、現像後に接続部51aを露出させることができ
ない。
そこで、第１図（ｄ）に示すように、フォトレジスト
７が厚くなっている接続部51aに対応する部分のみに穴
が形成された補助マスク９を使用して再露光する。この
場合の露光時間は、通常のマスク８を使用して行なった
露光時間に加えて厚さｂのフォトレジスト７を現像除去
するのに必要な長さに調整する。すると、フォトレジス
ト７に厚さの異なる部分があっても、それぞれの厚さa,
bに必要な露光時間で十分露光されることになる。
７が厚くなっている接続部51aに対応する部分のみに穴
が形成された補助マスク９を使用して再露光する。この
場合の露光時間は、通常のマスク８を使用して行なった
露光時間に加えて厚さｂのフォトレジスト７を現像除去
するのに必要な長さに調整する。すると、フォトレジス
ト７に厚さの異なる部分があっても、それぞれの厚さa,
bに必要な露光時間で十分露光されることになる。
こののち、第１図（ｅ）に示すように、露光後のフォ
トレジスト７を現像し、第２層のコイル導体層52のコイ
ルパターンに対応した部分のフォトレジスト７を除去す
る。すると、フォトレジスト７の厚さa,bにかかわら
ず、絶縁層42上には、コイル導体の絶縁に必要なフォト
レジスト７が残されるとともに、接続部51a上のフォト
レジスト７は完全に除去される。
トレジスト７を現像し、第２層のコイル導体層52のコイ
ルパターンに対応した部分のフォトレジスト７を除去す
る。すると、フォトレジスト７の厚さa,bにかかわら
ず、絶縁層42上には、コイル導体の絶縁に必要なフォト
レジスト７が残されるとともに、接続部51a上のフォト
レジスト７は完全に除去される。
こうしてフォトレジスト７を所定の形状に現像除去し
たのち、第１図（ｆ）に示すように、第２層のコイル導
体層52をめっきしたのち、フォトレジスト７を除去する
ことで第２層のコイル導体層52が完了する。
たのち、第１図（ｆ）に示すように、第２層のコイル導
体層52をめっきしたのち、フォトレジスト７を除去する
ことで第２層のコイル導体層52が完了する。
こののち、必要に応じ、絶縁層およびコイル導体層
を、上述の工程と同様にして、順次積層し、最上層のコ
イル導体層の上に絶縁層を形成し、最上部に先端部がギ
ャップ層３を挟んで下部磁性層２と対向し、基端部が磁
気的結合部を介して下部磁性層２と結合される上部磁性
層６を成膜して薄膜磁気ヘッドが完成する。
を、上述の工程と同様にして、順次積層し、最上層のコ
イル導体層の上に絶縁層を形成し、最上部に先端部がギ
ャップ層３を挟んで下部磁性層２と対向し、基端部が磁
気的結合部を介して下部磁性層２と結合される上部磁性
層６を成膜して薄膜磁気ヘッドが完成する。
こうして、第２層以降のコイル導体層５を通常のマス
ク８と補助マスク９とを使用してフォトレジスト７の厚
さa,bに応じた露光時間に調整しながら形成するように
しているので、フォトレジスト７の厚さが厚いｂ部分だ
けの露光時間だけを長くすることができ、厚さが薄いａ
部分に悪影響を及ぼすことがなく、コイルパターンを高
集積化して微細としてもコイルショートが生ずることが
なくなるとともに、磁路長Ｌが短くすることができ、コ
イルの巻数の増大も可能となる。
ク８と補助マスク９とを使用してフォトレジスト７の厚
さa,bに応じた露光時間に調整しながら形成するように
しているので、フォトレジスト７の厚さが厚いｂ部分だ
けの露光時間だけを長くすることができ、厚さが薄いａ
部分に悪影響を及ぼすことがなく、コイルパターンを高
集積化して微細としてもコイルショートが生ずることが
なくなるとともに、磁路長Ｌが短くすることができ、コ
イルの巻数の増大も可能となる。
また、第１層のコイル導体層51の接続部51aと次層の
コイル導体層52の接続部52aとの接続も、接続部51a上の
フォトレジスト７が完全に除去されているので、接続不
良や断線状態となることなく、完全に接続されることに
なる。
コイル導体層52の接続部52aとの接続も、接続部51a上の
フォトレジスト７が完全に除去されているので、接続不
良や断線状態となることなく、完全に接続されることに
なる。
なお、上部実施例では、コイル導体層を２層構造とす
る場合で説明したが、３層以上とする場合にも適用でき
る。
る場合で説明したが、３層以上とする場合にも適用でき
る。
また、フォトレジストの厚くなる部分をコイル導体層
の接続部の凹部として説明したが、薄膜磁気ヘッドの構
造上、フォトレジストが厚くなる部分が形成される場合
に広く適用することができ、この部分に対応した形状の
補助マスクを使用すれば良い。
の接続部の凹部として説明したが、薄膜磁気ヘッドの構
造上、フォトレジストが厚くなる部分が形成される場合
に広く適用することができ、この部分に対応した形状の
補助マスクを使用すれば良い。
以上、一実施例とともに具体的に説明したようにこの
発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、コイル導体
層上に絶縁層を形成したのち、次層のコイル導体層を成
膜する際、フォトレジストを塗布したのち所定のコイル
パターンに露光・現像するが、通常のマスクのほかに補
助マスクを使用し、フォトレジストの厚さに応じて露光
時間を調整するようにしたので、フォトレジストを塗布
する下地部分に凹凸があってもこれに対応した露光を行
なうことができ、フォトリソグラフィー技術の難点を解
消し、コイル導体層を微細パターンで形成して高集積化
を図ることができ、磁路長を短くし、コイルの巻数を増
加できるなど、高性能の薄膜磁気ヘッドを製造すること
ができる。
発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、コイル導体
層上に絶縁層を形成したのち、次層のコイル導体層を成
膜する際、フォトレジストを塗布したのち所定のコイル
パターンに露光・現像するが、通常のマスクのほかに補
助マスクを使用し、フォトレジストの厚さに応じて露光
時間を調整するようにしたので、フォトレジストを塗布
する下地部分に凹凸があってもこれに対応した露光を行
なうことができ、フォトリソグラフィー技術の難点を解
消し、コイル導体層を微細パターンで形成して高集積化
を図ることができ、磁路長を短くし、コイルの巻数を増
加できるなど、高性能の薄膜磁気ヘッドを製造すること
ができる。
第１図はこの発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施
例にかかる工程図、第２図および第３図はこの発明の製
造対象である薄膜磁気ヘッドの一例の平面図および縦断
面図、第４図は従来の製造方法にかかる工程図である。 １……基板、２……下部磁性層、３……ギャップ層、4,
41，42，43……絶縁層、5,51，52……コイル導体層、６
……上部磁性層、７……フォトレジスト、８……マス
ク、９……補助マスク。
例にかかる工程図、第２図および第３図はこの発明の製
造対象である薄膜磁気ヘッドの一例の平面図および縦断
面図、第４図は従来の製造方法にかかる工程図である。 １……基板、２……下部磁性層、３……ギャップ層、4,
41，42，43……絶縁層、5,51，52……コイル導体層、６
……上部磁性層、７……フォトレジスト、８……マス
ク、９……補助マスク。
Claims (1)
- 【請求項１】一端部がギャップ層を介して対向しかつ他
端部が結合された下部磁性層と上部磁性層との間に複数
層のコイル導体層と絶縁層とが交互に積層された薄膜磁
気ヘッドを製造するに際し、コイル導体層上に絶縁層を
形成したのち、フォトレジストを塗布し、このフォトレ
ジスト上に次層のコイル導体層のコイルパターンに対応
したマスクを用いて露光し、さらにフォトレジストの露
光不足部分のみを補助マスクを用いて露光し、次いで、
このフォトレジストを現像したのち、次層のコイル導体
層を形成するようにしたことを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62120695A JPH083887B2 (ja) | 1987-05-18 | 1987-05-18 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62120695A JPH083887B2 (ja) | 1987-05-18 | 1987-05-18 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63285716A JPS63285716A (ja) | 1988-11-22 |
| JPH083887B2 true JPH083887B2 (ja) | 1996-01-17 |
Family
ID=14792685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62120695A Expired - Lifetime JPH083887B2 (ja) | 1987-05-18 | 1987-05-18 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH083887B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04134711A (ja) * | 1990-09-26 | 1992-05-08 | Nec Corp | 薄膜磁気ヘッド |
| US7089651B2 (en) * | 2001-10-05 | 2006-08-15 | Headway Technologies, Inc. | Process of manufacturing coil layers using a novel combination of photoexposure and thermal curing to achieve shape control of a photoresist material |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4713711A (en) * | 1985-05-08 | 1987-12-15 | International Business Machines | Thin film magnetic transducer having center tapped winding |
| JPS6219860A (ja) * | 1985-07-18 | 1987-01-28 | Fujitsu Ltd | ホトレジストパタ−ンの作成方法 |
-
1987
- 1987-05-18 JP JP62120695A patent/JPH083887B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63285716A (ja) | 1988-11-22 |
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