JPS6219860A - ホトレジストパタ−ンの作成方法 - Google Patents
ホトレジストパタ−ンの作成方法Info
- Publication number
- JPS6219860A JPS6219860A JP60159084A JP15908485A JPS6219860A JP S6219860 A JPS6219860 A JP S6219860A JP 60159084 A JP60159084 A JP 60159084A JP 15908485 A JP15908485 A JP 15908485A JP S6219860 A JPS6219860 A JP S6219860A
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- Japan
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- exposure
- photoresist
- pattern
- mask
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70475—Stitching, i.e. connecting image fields to produce a device field, the field occupied by a device such as a memory chip, processor chip, CCD, flat panel display
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
露光・現像によって感光性樹脂（ホトレジスト）からホ
トレジストパターンを作る場合、２枚の露光マスクによ
ってホトレジストを多重露光することによって、ホトレ
ジストの段差部における露光不足を防止し、露光・現像
によって作られるホトレジストのパターン精度を向上し
たもの。
トレジストパターンを作る場合、２枚の露光マスクによ
ってホトレジストを多重露光することによって、ホトレ
ジストの段差部における露光不足を防止し、露光・現像
によって作られるホトレジストのパターン精度を向上し
たもの。
本発明は露光・現像によるホトレジストパターンの作成
方法に関するものである。
方法に関するものである。
磁気記憶装置の磁気ヘッドには、一括生産によるコスト
ダウン、ならびに加工精度の向上および磁気的性質の劣
化防止による高密度記録化等の面から、写真食刻等によ
る薄膜技術によって製造した薄膜磁気ヘッドが用いられ
るようになった。
ダウン、ならびに加工精度の向上および磁気的性質の劣
化防止による高密度記録化等の面から、写真食刻等によ
る薄膜技術によって製造した薄膜磁気ヘッドが用いられ
るようになった。
ホトレジストパターンは、被処理面上にスピンコーティ
ング等によってホトレジストを塗布し。
ング等によってホトレジストを塗布し。
その上に所望のパターンを描いた露光マスク（ホトマス
ク）を重ねるなどして、紫外線等の光によって選択的に
露光し、光が当たった部分あるいは当たらなかった部分
を現像および洗浄によって取り除くことによって作成す
るものであり、その結果得られたものをマスクとして、
鍍金・蒸着・スパッタリング等によって、所望の材料に
よる所望のパターンの層を積み重ねることによって薄膜
磁気ヘッドが作られる。
ク）を重ねるなどして、紫外線等の光によって選択的に
露光し、光が当たった部分あるいは当たらなかった部分
を現像および洗浄によって取り除くことによって作成す
るものであり、その結果得られたものをマスクとして、
鍍金・蒸着・スパッタリング等によって、所望の材料に
よる所望のパターンの層を積み重ねることによって薄膜
磁気ヘッドが作られる。
薄膜磁気ヘッドは、従来のバルク形磁気へ・ノドのよう
にコイルを用いるものと、磁気抵抗効果素子を用いるも
のとに大別されるが、コイルを用いるものには、所要の
起磁力を得るため、導体をスパイラル状に形成すること
によってコイル捲数を増加したものがある。
にコイルを用いるものと、磁気抵抗効果素子を用いるも
のとに大別されるが、コイルを用いるものには、所要の
起磁力を得るため、導体をスパイラル状に形成すること
によってコイル捲数を増加したものがある。
第６図はコイルをスパイラル状のに形成したスパイラル
コイル形の薄膜磁気ヘッドの要部構成図であり、１は基
板、２は下部磁極、３は上部磁極。
コイル形の薄膜磁気ヘッドの要部構成図であり、１は基
板、２は下部磁極、３は上部磁極。
４は読み書きギャップを表す。
また５ａと５ｂはコイル５の部分を表し＋ ５ａは下部
磁極２と上部磁極３とに囲まれた内側を通る部分であり
、下部磁極２上に絶縁層（図示省略）を介して形成され
ている。これに対して５ｂは、下部磁極２と上部磁極４
との外側を通る部分であり基板１上に形成されている。
磁極２と上部磁極３とに囲まれた内側を通る部分であり
、下部磁極２上に絶縁層（図示省略）を介して形成され
ている。これに対して５ｂは、下部磁極２と上部磁極４
との外側を通る部分であり基板１上に形成されている。
すなわち、コイル５を作る際に使用するマスクは１段差
のある二つの被処理面の上に作られることになるのであ
るが、この際２段差部においてマスクのパターン精度が
低下することは好ましくない。
のある二つの被処理面の上に作られることになるのであ
るが、この際２段差部においてマスクのパターン精度が
低下することは好ましくない。
従来は１段差の有無にかかわらず９作成すべきマスクの
パターンに対応する一種類の露光マスクのみを用いてホ
トレジスト膜の露光を行っており。
パターンに対応する一種類の露光マスクのみを用いてホ
トレジスト膜の露光を行っており。
ホトレジストに段差部がある場合には、露光時間を増加
する。あるいは露光・現像を複数回繰り返す等の方法が
採られていた。
する。あるいは露光・現像を複数回繰り返す等の方法が
採られていた。
上記従来例によると、たとえば第６図におけるコイル５
用のマスクを作る場合、ホトレジス１−６に、第７図（
ａｌに示すような段差が生ずる。
用のマスクを作る場合、ホトレジス１−６に、第７図（
ａｌに示すような段差が生ずる。
これを同図（′ｂ）のような露光マスク（ハツチングを
施した部分が遮蔽部）によって露光すると、同図（Ｃ）
のように、露光マスクの遮蔽部に対応する領域■の他に
２段差部には領域■の近傍に■のような不完全露光領域
が残る。
施した部分が遮蔽部）によって露光すると、同図（Ｃ）
のように、露光マスクの遮蔽部に対応する領域■の他に
２段差部には領域■の近傍に■のような不完全露光領域
が残る。
ホトレジストにはポジ形とネガ形があり、たとえばポジ
形の場合には露光された部分が現像の際に取り除かれる
ので、第７図（Ｃ）の■のような不完全露光部があると
、出来上がったホトレジストパターンに同じ形の残存部
が余分に出来るため、たとえばこのようなパターンを用
い鍍金等によってコイル５を作ると１段差部でコイル５
の断面積が減少するという問題点がある。
形の場合には露光された部分が現像の際に取り除かれる
ので、第７図（Ｃ）の■のような不完全露光部があると
、出来上がったホトレジストパターンに同じ形の残存部
が余分に出来るため、たとえばこのようなパターンを用
い鍍金等によってコイル５を作ると１段差部でコイル５
の断面積が減少するという問題点がある。
すなわち本発明の目的は、ホトレジストの下地に段差が
ある場合に通したホトレジストパターンの作成方法を提
供することにある。
ある場合に通したホトレジストパターンの作成方法を提
供することにある。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
第１図は本発明の原理図であり。
１１はホトレジスト塗布工程、１２は露光工程である。
露光工程１２では７作成すべきパターンと合同な主露光
マスクを用いる主露光工程１２ａと、主露光工程１２ａ
によって露光不足が生ずる見込みのある部分を露光する
ように成形した副露光マスクを用いる副露光工程１２ｂ
とによってホトレジスト膜を多重露光する。
マスクを用いる主露光工程１２ａと、主露光工程１２ａ
によって露光不足が生ずる見込みのある部分を露光する
ように成形した副露光マスクを用いる副露光工程１２ｂ
とによってホトレジスト膜を多重露光する。
すなわち、ホトレジストの露光工程において。
作成すべきパターンに対応する主露光マスクのほかに、
主露光マスクによる露光において露光不足が生ずる可能
性のある部分を露光するように形成した副露光マスクを
用いることによって１段差部におけるホトレジストの露
光不足を解消したものである。
主露光マスクによる露光において露光不足が生ずる可能
性のある部分を露光するように形成した副露光マスクを
用いることによって１段差部におけるホトレジストの露
光不足を解消したものである。
第２図（ａｌおよび（ｂｌは、それぞれ第一の実施例お
よび第二の実施例の工程図であり、第１図と共通の符号
のはか１３は現（象洗浄工程を示す。
よび第二の実施例の工程図であり、第１図と共通の符号
のはか１３は現（象洗浄工程を示す。
第一の実施例と第二の実施例との相違は露光工程１２に
おける主露光工程１２ａと副露光工程１２ｂの順序の相
違であり、第一の実施例では主露光工程１２ａを先に行
い、また第二の実施例では副露光工程１２ｂを先に行っ
ている。
おける主露光工程１２ａと副露光工程１２ｂの順序の相
違であり、第一の実施例では主露光工程１２ａを先に行
い、また第二の実施例では副露光工程１２ｂを先に行っ
ている。
第３図（ａ）および（ｂ）は、それぞれ、第７図（Ｃ１
の■の部分を遮光部とするマスクを、ポジ形ホトレジス
トから作る場合に使用する主露光マスクのパターンおよ
び副露光マスクのパターンであり、第４図は同じくネガ
形ホトレジストから作る場合のものである。
の■の部分を遮光部とするマスクを、ポジ形ホトレジス
トから作る場合に使用する主露光マスクのパターンおよ
び副露光マスクのパターンであり、第４図は同じくネガ
形ホトレジストから作る場合のものである。
なお、第７図（Ｃ）の■の部分を遮蔽部とするマスクを
ネガ形ホトレジストから作る場合には、第５図のように
９段差部においてオーバーラツプするような二つの露光
マスクを用いてもよい。
ネガ形ホトレジストから作る場合には、第５図のように
９段差部においてオーバーラツプするような二つの露光
マスクを用いてもよい。
また、他の実施例として、現像・洗浄工程１３を主露光
工程１２ａおよび副露光工程１２ｂ毎に別々に行っても
よい。
工程１２ａおよび副露光工程１２ｂ毎に別々に行っても
よい。
なお、実施例では薄膜磁気ヘッドのコイル形成の場合を
取り上げたが１本発明は、薄膜磁気ヘッドの他工程ある
いは半導体プロセスなど９段差を有する部分の精密ホト
レジストパターン形成の際にも適用できることは明らか
である。
取り上げたが１本発明は、薄膜磁気ヘッドの他工程ある
いは半導体プロセスなど９段差を有する部分の精密ホト
レジストパターン形成の際にも適用できることは明らか
である。
以上説明したように１本発明によれば段差部におけるホ
トレジストの露光不足を防止し、ホトレジストから作っ
たマスクのパターン精度の低下を防止することができる
。
トレジストの露光不足を防止し、ホトレジストから作っ
たマスクのパターン精度の低下を防止することができる
。
第１図は本発明の原理図。
第２図（ａｌは第一・の実施例の工程図。
第２図（ｂ）は第二の実施例の工程図。
第３（ａ）（ｂｌ〜５図（ａ） （ｂ）は露光マスクの
パターンの例。 ５はコイル、 ６はホトレジスト。 １１はホトレジスト塗布工程。 １２は露光工程、１２ａは主露光工程。 革ＩＺ ｆ９そマズ７の存−Ｊ オ光ズス７の
夕・ｊ尿３回 １４
パターンの例。 ５はコイル、 ６はホトレジスト。 １１はホトレジスト塗布工程。 １２は露光工程、１２ａは主露光工程。 革ＩＺ ｆ９そマズ７の存−Ｊ オ光ズス７の
夕・ｊ尿３回 １４
Claims (1)
- 作成すべきホトレジストのパターンと合同な主露光マス
クを用いる主露光工程（１２ａ）と、主露光工程（１２
ａ）によって露光不足が生ずる見込みのある部分を露光
するように成形した副露光マスクを用いる副露光工程（
１２ｂ）とによって、ホトレジストからパターンを作成
することを特徴とするホトレジストパターンの作成方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60159084A JPS6219860A (ja) | 1985-07-18 | 1985-07-18 | ホトレジストパタ−ンの作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60159084A JPS6219860A (ja) | 1985-07-18 | 1985-07-18 | ホトレジストパタ−ンの作成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6219860A true JPS6219860A (ja) | 1987-01-28 |
Family
ID=15685877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60159084A Pending JPS6219860A (ja) | 1985-07-18 | 1985-07-18 | ホトレジストパタ−ンの作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6219860A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63285716A (ja) * | 1987-05-18 | 1988-11-22 | Yamaha Corp | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS599922A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-19 | インタ−ナシヨナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−シヨン | 露光装置 |
| JPS5987454A (ja) * | 1982-11-10 | 1984-05-21 | Fujitsu Ltd | レジストパタ−ンの形成方法 |
-
1985
- 1985-07-18 JP JP60159084A patent/JPS6219860A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS599922A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-19 | インタ−ナシヨナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−シヨン | 露光装置 |
| JPS5987454A (ja) * | 1982-11-10 | 1984-05-21 | Fujitsu Ltd | レジストパタ−ンの形成方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS63285716A (ja) * | 1987-05-18 | 1988-11-22 | Yamaha Corp | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
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