JPS5877228A - フオトエツチング方法 - Google Patents
フオトエツチング方法Info
- Publication number
- JPS5877228A JPS5877228A JP17457581A JP17457581A JPS5877228A JP S5877228 A JPS5877228 A JP S5877228A JP 17457581 A JP17457581 A JP 17457581A JP 17457581 A JP17457581 A JP 17457581A JP S5877228 A JPS5877228 A JP S5877228A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- thin film
- light
- film
- etched
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はフォトエツチング方法、特忙微細パターンの形
成を容易にしたフォトエツチング方法に関するものであ
る。
成を容易にしたフォトエツチング方法に関するものであ
る。
従来のフォトエツチング方法は、第１図に要部断面図に
示すように基板１上に被着形成された袖エツチング薄膜
２上Ｖｃ７オトレジスト！ＩＩ３を塗布形成し、この７
オトレジスト膜３上に、透光性マスクプレート４にパタ
ーン（遮光膜）５が形成されたフォトマスク６を密着配
置してこのフォトマスク６の上方から光Ｔを照射させた
後、現像することｋより、光Ｔが照射され九部分のフォ
トレジストを侵し、または逆に光７が照射され九部分の
フォトレジストを除去し、その後、所要のエツチング液
やイオンミーリングの手段により、被エツチング薄膜２
に所望のパターンを形成する。
示すように基板１上に被着形成された袖エツチング薄膜
２上Ｖｃ７オトレジスト！ＩＩ３を塗布形成し、この７
オトレジスト膜３上に、透光性マスクプレート４にパタ
ーン（遮光膜）５が形成されたフォトマスク６を密着配
置してこのフォトマスク６の上方から光Ｔを照射させた
後、現像することｋより、光Ｔが照射され九部分のフォ
トレジストを侵し、または逆に光７が照射され九部分の
フォトレジストを除去し、その後、所要のエツチング液
やイオンミーリングの手段により、被エツチング薄膜２
に所望のパターンを形成する。
しかしながら、上鮎７オトエツチング法において、第２
図に要部断面図で示すように被エツチング薄膜２の下地
が平坦でない場合、照射された光Ｔは被エツチング薄膜
２０表面で横方向に反射されるため、被エツチング薄膜
２にけフォトマスク６のパターン５と形状が異なるパタ
ーンが形成されるという欠点があつ九。
図に要部断面図で示すように被エツチング薄膜２の下地
が平坦でない場合、照射された光Ｔは被エツチング薄膜
２０表面で横方向に反射されるため、被エツチング薄膜
２にけフォトマスク６のパターン５と形状が異なるパタ
ーンが形成されるという欠点があつ九。
したがって本発明は、被エツチング薄膜の表面に光反射
防止膜を設けることｋより、光の横方向への反射を防止
し、フォトマスクと同等寸法のパターンが得られるフォ
トエツチング方法を提供することを目的としている。以
下図面を用いて本発明の詳細な説明する。
防止膜を設けることｋより、光の横方向への反射を防止
し、フォトマスクと同等寸法のパターンが得られるフォ
トエツチング方法を提供することを目的としている。以
下図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第３図は本発明によるフォトエツチング方法を磁気バブ
ルメモリ素子のパーマロイパターン形成方法に適用した
場合の一例を説明する要部断面図であ）、前述の図と同
記号は同一要素となるのでその説明は省略する。同図に
おいて、基板１上には導電性のコンダクタパターン８が
所要形状で破着形成され、このコンダクタパターン８の
端部は傾斜して形成されている。そして、このコンダク
タパターン８の上面には絶縁膜９を介して前配被エツチ
ング薄膜２に相当するパーマロイ薄膜２′が被着形成さ
れている。この場合、この被エッチンクハーマロイ薄１
１２’は下層のコンダクタパターン８端部の段差の影響
を受けてほぼ同等の傾斜面倉有して形成されている。そ
して、このパーマロイ薄１１２’をフォトマスク６を用
いて露光する場合、このパーマロイ薄膜ｌ上に例えば酸
化クロムをスパッタリング法により５０Ａ〜１０００
Ａの厚さに反射防止膜１０を被着形成した後、この反射
防止膜１０上にホトレジスト膜３を塗布形成し、フォト
マスク６を密着配置して光７を照射させて露光する。以
後従来と同様の方法でパーマロイ薄膜２に所望のパター
ンを形成する。
ルメモリ素子のパーマロイパターン形成方法に適用した
場合の一例を説明する要部断面図であ）、前述の図と同
記号は同一要素となるのでその説明は省略する。同図に
おいて、基板１上には導電性のコンダクタパターン８が
所要形状で破着形成され、このコンダクタパターン８の
端部は傾斜して形成されている。そして、このコンダク
タパターン８の上面には絶縁膜９を介して前配被エツチ
ング薄膜２に相当するパーマロイ薄膜２′が被着形成さ
れている。この場合、この被エッチンクハーマロイ薄１
１２’は下層のコンダクタパターン８端部の段差の影響
を受けてほぼ同等の傾斜面倉有して形成されている。そ
して、このパーマロイ薄１１２’をフォトマスク６を用
いて露光する場合、このパーマロイ薄膜ｌ上に例えば酸
化クロムをスパッタリング法により５０Ａ〜１０００
Ａの厚さに反射防止膜１０を被着形成した後、この反射
防止膜１０上にホトレジスト膜３を塗布形成し、フォト
マスク６を密着配置して光７を照射させて露光する。以
後従来と同様の方法でパーマロイ薄膜２に所望のパター
ンを形成する。
このような方法によれば、フォトマスク６の上方から光
Ｔが照射されると、この先Ｔけフォトマスク６を通過し
てフォトレジスト膜３Ｉ／ｃ照射される。そして、この
先Ｔの一部はフォトレジスト膜３を通過し、反射防止Ｍ
１Ｇまで達するが、この反射防止１１１０で光吸収され
て反射が起らないので、光の当る部分が増加することな
く、７オ）−ｒスフ６のパターンと一致したパーマロイ
薄膜パターンを形成することができる。
Ｔが照射されると、この先Ｔけフォトマスク６を通過し
てフォトレジスト膜３Ｉ／ｃ照射される。そして、この
先Ｔの一部はフォトレジスト膜３を通過し、反射防止Ｍ
１Ｇまで達するが、この反射防止１１１０で光吸収され
て反射が起らないので、光の当る部分が増加することな
く、７オ）−ｒスフ６のパターンと一致したパーマロイ
薄膜パターンを形成することができる。
第４図は磁気バブルメモリ素子のレプリケートゲート回
路のパターンの一例を示す要部拡大平面図である。同図
において、１１，１２．１３．１も１５゜１・はパーマ
ロイ薄膜により形成された微細パターンを所定形状に配
列させて磁気バブル転送回路１７．１８を構成する転送
回路パターン、１９けＡｊ−Ｃａ、Ａｎ−Ｃｒ等の非磁
性導体薄１［ｋより形成されてゲート電流を流すコンダ
クタパターンである。
路のパターンの一例を示す要部拡大平面図である。同図
において、１１，１２．１３．１も１５゜１・はパーマ
ロイ薄膜により形成された微細パターンを所定形状に配
列させて磁気バブル転送回路１７．１８を構成する転送
回路パターン、１９けＡｊ−Ｃａ、Ａｎ−Ｃｒ等の非磁
性導体薄１［ｋより形成されてゲート電流を流すコンダ
クタパターンである。
このように構成されたレプリケートゲート回路において
、最も微細なパターンであゐ棒状パターン１４を上述し
た反射防止１１１Ｇを用いたフォトエツチング方法で形
成した場合、第５図に示すように横軸にフォトマスク６
０図示しないパターン寸法をｔｌとし、縦軸に上記棒状
パターン１４の寸法をｔ２とすると、特性Ｉに示す従来
方法に比較して特性■で示すようにフォトマスク６のパ
ターン寸法ｔ１と同郷の寸法（匂＝ｔ１）を有する棒状
パターン１４を形成することができた。
、最も微細なパターンであゐ棒状パターン１４を上述し
た反射防止１１１Ｇを用いたフォトエツチング方法で形
成した場合、第５図に示すように横軸にフォトマスク６
０図示しないパターン寸法をｔｌとし、縦軸に上記棒状
パターン１４の寸法をｔ２とすると、特性Ｉに示す従来
方法に比較して特性■で示すようにフォトマスク６のパ
ターン寸法ｔ１と同郷の寸法（匂＝ｔ１）を有する棒状
パターン１４を形成することができた。
以上説明したように本発明によるフォトエツチング方法
によれば、下地に凸凹があっても７オトマスクパターン
と同等の寸法を有する微細パターンが極めて容易に得る
ことができる。また、フォトマスタの補正手段が不要と
なり、したがって、これに伴なう実験手段も不要となる
ので、生産性良く高品質の微細パターンが得られるとい
う極めて優れた効果を有する。
によれば、下地に凸凹があっても７オトマスクパターン
と同等の寸法を有する微細パターンが極めて容易に得る
ことができる。また、フォトマスタの補正手段が不要と
なり、したがって、これに伴なう実験手段も不要となる
ので、生産性良く高品質の微細パターンが得られるとい
う極めて優れた効果を有する。
第１図、第２図は従来のフォトエツチング方法の一例を
説明する要部断面図、第３図は本発明によるフォトエツ
チング方法の一例を説明する要部断面図、第４図は本発
明によるフォトエツチング法で形成した磁気パズルメモ
リ素子のレプリケート回路の一例を示す要部拡大平面図
、第５図は従来および本発明によるフォトエツチング法
の効果を示す特性図である。 １・Φ・争基板、２−・・・被エツチング被膜、２′・
・・・パーマロイ薄膜、３・・・・フォトレジスト膜、
４・・・・マスクプレート、５・・・・パターン（Ｒ光
ＩＩ）、Ｉ・・・・フォトマスク、７・・−・光、８・
・・・コンダクタパターン、９・・・・絶縁膜、１０・
・・・反射防止膜、１１゜１２．１３，１４，１５．１
ｆｊ ・・・・転送回路パターン、１７．１８・・
・・磁気バブル転送回路、１９・・・・コンダクタパタ
ーン。 第３図 ７ 第４図
説明する要部断面図、第３図は本発明によるフォトエツ
チング方法の一例を説明する要部断面図、第４図は本発
明によるフォトエツチング法で形成した磁気パズルメモ
リ素子のレプリケート回路の一例を示す要部拡大平面図
、第５図は従来および本発明によるフォトエツチング法
の効果を示す特性図である。 １・Φ・争基板、２−・・・被エツチング被膜、２′・
・・・パーマロイ薄膜、３・・・・フォトレジスト膜、
４・・・・マスクプレート、５・・・・パターン（Ｒ光
ＩＩ）、Ｉ・・・・フォトマスク、７・・−・光、８・
・・・コンダクタパターン、９・・・・絶縁膜、１０・
・・・反射防止膜、１１゜１２．１３，１４，１５．１
ｆｊ ・・・・転送回路パターン、１７．１８・・
・・磁気バブル転送回路、１９・・・・コンダクタパタ
ーン。 第３図 ７ 第４図
Claims (1)
- 被エツチング薄膜の上面にフォトレジスト膜を被着形成
し、フォトマスクを介して露光するフォトエツチング方
法において、前記被エツチング薄膜の上面に光反射防止
膜を形成配置することを特徴としたフォトエツチング方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17457581A JPS5877228A (ja) | 1981-11-02 | 1981-11-02 | フオトエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17457581A JPS5877228A (ja) | 1981-11-02 | 1981-11-02 | フオトエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5877228A true JPS5877228A (ja) | 1983-05-10 |
Family
ID=15980950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17457581A Pending JPS5877228A (ja) | 1981-11-02 | 1981-11-02 | フオトエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5877228A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5933827A (ja) * | 1982-08-19 | 1984-02-23 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US5998300A (en) * | 1992-10-23 | 1999-12-07 | Yamaha Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device using antireflection coating |
-
1981
- 1981-11-02 JP JP17457581A patent/JPS5877228A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5933827A (ja) * | 1982-08-19 | 1984-02-23 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US5998300A (en) * | 1992-10-23 | 1999-12-07 | Yamaha Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device using antireflection coating |
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