JPS63168812A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPS63168812A JPS63168812A JP44087A JP44087A JPS63168812A JP S63168812 A JPS63168812 A JP S63168812A JP 44087 A JP44087 A JP 44087A JP 44087 A JP44087 A JP 44087A JP S63168812 A JPS63168812 A JP S63168812A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- polyimide resin
- insulating layer
- magnetic head
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 21
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 28
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 17
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 29
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は薄膜磁気ヘッドの、導体コイルの絶縁膜として
用いられるポリイミド樹脂のパターン端部のテーパ加工
方法に係り、特に、下部磁性体上の絶縁膜端部のテーパ
形状が、再現性良く、高精度なものが得られる*I!I
磁気ヘッドの製造方法に関する。
用いられるポリイミド樹脂のパターン端部のテーパ加工
方法に係り、特に、下部磁性体上の絶縁膜端部のテーパ
形状が、再現性良く、高精度なものが得られる*I!I
磁気ヘッドの製造方法に関する。
薄膜磁気ヘッドは、第3図、第4図に示すように、上・
下の磁性g2.8間に絶縁層4を介してうず巻状の導体
コイル5をはさんだ構造をしている。上・下の磁性体は
パックギャップ部9でつながっている。絶縁層は導体コ
イル形成の前後に分けて形成され、4のような形状で、
しがも端部はテーパ形状に加工される。しかし、このテ
ーパ加工において、磁気ヘッド先端部の磁性膜上のテー
パ角度は、磁気ヘッドの電気的特性に影響を与えるため
、35〜45°の角度に加工しなければならない。そこ
で、従来のテーパ角の加工は、第2図(、)に示すよう
に、第一層のポリイミド樹脂膜上に導体コイル5を形成
し、その上にスピンナを用いてポリイミド樹脂を塗布し
、熱硬化させてポリイミド樹脂膜の絶縁層4を得る。次
に(b)のようにポリイミド樹脂膜上にホトレジスト7
を塗布し、ホトリン技術を用いて(c)のように所定の
ホトレジスト形状を得る0次に(d)のようにホトレジ
スト下をマスクにして、ウェットエツチング法によりテ
ーパ形状に加工し、その後、ホトレジストをはく離して
テーパ形状を得ていた。
下の磁性g2.8間に絶縁層4を介してうず巻状の導体
コイル5をはさんだ構造をしている。上・下の磁性体は
パックギャップ部9でつながっている。絶縁層は導体コ
イル形成の前後に分けて形成され、4のような形状で、
しがも端部はテーパ形状に加工される。しかし、このテ
ーパ加工において、磁気ヘッド先端部の磁性膜上のテー
パ角度は、磁気ヘッドの電気的特性に影響を与えるため
、35〜45°の角度に加工しなければならない。そこ
で、従来のテーパ角の加工は、第2図(、)に示すよう
に、第一層のポリイミド樹脂膜上に導体コイル5を形成
し、その上にスピンナを用いてポリイミド樹脂を塗布し
、熱硬化させてポリイミド樹脂膜の絶縁層4を得る。次
に(b)のようにポリイミド樹脂膜上にホトレジスト7
を塗布し、ホトリン技術を用いて(c)のように所定の
ホトレジスト形状を得る0次に(d)のようにホトレジ
スト下をマスクにして、ウェットエツチング法によりテ
ーパ形状に加工し、その後、ホトレジストをはく離して
テーパ形状を得ていた。
ここで、目的とするテーパ角を得るには、ホトレジスト
はエツチング液を通すが溶解されないものを用いれば、
エツチングの進行は樹脂の膜厚方向と共に膜厚方向と直
角方向にも生じることを利用している。すなわち、第5
図に示すように、エツチングの膜厚方向の進行と共に、
ホトレジストの膜厚が均一ならば、エツチング時間に比
例してしみこみ量が大きくなり、それに伴って、テーパ
角が変化するので、このエツチング時間としみこみ量と
テーパ角との関係より、目的のテーパ角度を得ていた。
はエツチング液を通すが溶解されないものを用いれば、
エツチングの進行は樹脂の膜厚方向と共に膜厚方向と直
角方向にも生じることを利用している。すなわち、第5
図に示すように、エツチングの膜厚方向の進行と共に、
ホトレジストの膜厚が均一ならば、エツチング時間に比
例してしみこみ量が大きくなり、それに伴って、テーパ
角が変化するので、このエツチング時間としみこみ量と
テーパ角との関係より、目的のテーパ角度を得ていた。
しかし、第2図に示すようにポリイミド樹脂は、導体コ
イル上に塗布されるので、コイルの先端部には大きな段
差を生じる。ホトレジストはこの段差のある上に塗布さ
れるが、段差部では第2図(b)のようにホトレジスト
の膜厚は不均一となり、特に、段差ののり上げ部では変
動がはげしい。こののり上げ部が第2図(c)のように
ホトレジストパターンの端部になるので、エツチング時
のみこみ量(しみこみ速度)が安定せず、テーパ形状を
所定の範囲に加工することができない、すなわち、第6
図に示すように、エツチング時間に比例してしみこみ量
は増大せず、ある時間から急速に増大し、ホトレジスト
下のポリイミド樹脂が大幅にエツチングされ、導体コイ
ルの露出、ホトレジストのはく離等の現象が生じる。
イル上に塗布されるので、コイルの先端部には大きな段
差を生じる。ホトレジストはこの段差のある上に塗布さ
れるが、段差部では第2図(b)のようにホトレジスト
の膜厚は不均一となり、特に、段差ののり上げ部では変
動がはげしい。こののり上げ部が第2図(c)のように
ホトレジストパターンの端部になるので、エツチング時
のみこみ量(しみこみ速度)が安定せず、テーパ形状を
所定の範囲に加工することができない、すなわち、第6
図に示すように、エツチング時間に比例してしみこみ量
は増大せず、ある時間から急速に増大し、ホトレジスト
下のポリイミド樹脂が大幅にエツチングされ、導体コイ
ルの露出、ホトレジストのはく離等の現象が生じる。
上記従来技術は、段差のあるポリイミド樹脂膜上に形成
されるホトレジストパターンの膜厚を均一にする点につ
いて考慮されておらず、特に、パターン端部の膜厚が不
均一なため、エツチング時間としみこみ量の関係が安定
せず、テーパ角が基板内および基板間でばらつく、導体
が露出し、不良となる等の問題があった。
されるホトレジストパターンの膜厚を均一にする点につ
いて考慮されておらず、特に、パターン端部の膜厚が不
均一なため、エツチング時間としみこみ量の関係が安定
せず、テーパ角が基板内および基板間でばらつく、導体
が露出し、不良となる等の問題があった。
本発明の目的は、ホトレジストパターンの膜厚を均一に
し、所定のテーパ形状が安定して得られる薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法を提供することにある。
し、所定のテーパ形状が安定して得られる薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するために、ポリイミド樹脂膜の段差部
の低部にホトリソ技術を用いてJ感光性樹脂からなるダ
ミーパターンを形成することによりポリイミド樹脂をエ
ツチングする際のマスクに用いるホトレジストパターン
の膜厚に影響を与える部分の段差を極力小さくし、ホト
レジストが均一に形成できるようにする。
の低部にホトリソ技術を用いてJ感光性樹脂からなるダ
ミーパターンを形成することによりポリイミド樹脂をエ
ツチングする際のマスクに用いるホトレジストパターン
の膜厚に影響を与える部分の段差を極力小さくし、ホト
レジストが均一に形成できるようにする。
ダミーパターンにより、段差が小さくなり、コイル先端
直上のポリイミド樹脂膜上に塗布されるホトレジストの
乗り上げ部の影響が、はとんどなくなり、ホトレジスト
パターンの端部も中央部も膜厚が均一となるので、第5
図に示す関係と同様にエツチング時間としみこみ量の比
例的関係が得られるのでテーパ角を所定の角度に加工す
ることができる。また、しみこみ量が急速に増大し、異
常エツチングされることがなくなる。
直上のポリイミド樹脂膜上に塗布されるホトレジストの
乗り上げ部の影響が、はとんどなくなり、ホトレジスト
パターンの端部も中央部も膜厚が均一となるので、第5
図に示す関係と同様にエツチング時間としみこみ量の比
例的関係が得られるのでテーパ角を所定の角度に加工す
ることができる。また、しみこみ量が急速に増大し、異
常エツチングされることがなくなる。
以下、本発明の一実施例を第1図により説明する。(a
)のように基板1上に下部磁性体2.ギャップ材3を形
成した上に第一の絶縁層として日立化成製のポリイミド
樹脂(PIQ)をスピンで塗布し350℃で熱硬化させ
て形成し、その上に銅からなる高さ4μmの導体コイル
5を形成し。
)のように基板1上に下部磁性体2.ギャップ材3を形
成した上に第一の絶縁層として日立化成製のポリイミド
樹脂(PIQ)をスピンで塗布し350℃で熱硬化させ
て形成し、その上に銅からなる高さ4μmの導体コイル
5を形成し。
さらに、その上に、絶縁層の厚さが12μmになるよう
にPIQを塗布、硬化して、ポリイミド樹脂からなる絶
縁層4を形成した0次に、(b)のように、絶縁層の段
差部にホトリソ技術を利用して、高さが、コイル上のP
TQ上の高さとほぼ同じになるようにダミーパターン6
を形成した。ダミーパターン6にはポジ型のホトレジス
トAZ−1300を用いた6次に(c)この上に、東京
応化袋のネガ型ホトレジストOMR−83を、スピンナ
で塗布した。塗布膜厚は1.2 μmである。このホト
レジストを(d)のようにホトリソ技術を用いて所定形
状にパターニングした。そして(d)のようにポリイミ
ド樹脂絶縁層4をヒドラジンとエチレンジアミンの混合
溶液でエツチングし、テーパ形状を得た。この際、ダミ
ーパターン6のホトレジストAZ−1300はアルカリ
に溶解されるが、実施例で用いたヒドラジンとエチレン
ジアミンの混合溶液はアルカリであるので、ポリイミド
のエツチング時に容易に溶解され、エツチングに悪影響
を及ぼすことはなかった。なお、ダミーパターンは(d
)のホトレジストパターン7を形成後、はく離してもよ
いことは言うまでもない。
にPIQを塗布、硬化して、ポリイミド樹脂からなる絶
縁層4を形成した0次に、(b)のように、絶縁層の段
差部にホトリソ技術を利用して、高さが、コイル上のP
TQ上の高さとほぼ同じになるようにダミーパターン6
を形成した。ダミーパターン6にはポジ型のホトレジス
トAZ−1300を用いた6次に(c)この上に、東京
応化袋のネガ型ホトレジストOMR−83を、スピンナ
で塗布した。塗布膜厚は1.2 μmである。このホト
レジストを(d)のようにホトリソ技術を用いて所定形
状にパターニングした。そして(d)のようにポリイミ
ド樹脂絶縁層4をヒドラジンとエチレンジアミンの混合
溶液でエツチングし、テーパ形状を得た。この際、ダミ
ーパターン6のホトレジストAZ−1300はアルカリ
に溶解されるが、実施例で用いたヒドラジンとエチレン
ジアミンの混合溶液はアルカリであるので、ポリイミド
のエツチング時に容易に溶解され、エツチングに悪影響
を及ぼすことはなかった。なお、ダミーパターンは(d
)のホトレジストパターン7を形成後、はく離してもよ
いことは言うまでもない。
また、ダミーパターンの感光性樹脂は、エツチングマス
クに用いるホトレジストに悪影響を与えず、さらに、ホ
トレジストに溶解されないものでも、主成分等の性質の
異なるものがよい。
クに用いるホトレジストに悪影響を与えず、さらに、ホ
トレジストに溶解されないものでも、主成分等の性質の
異なるものがよい。
本発明によれば、ホトレジストパターンの膜厚が均一に
なり、安定したエツチングが得られ、基板内、基板間の
テーパ角のばらつきが少なくなり歩留りが向上する。
なり、安定したエツチングが得られ、基板内、基板間の
テーパ角のばらつきが少なくなり歩留りが向上する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、下部磁性体、絶縁層、導体コイル、上部磁性体等か
ら構成され、前記絶縁層にポリイミド樹脂を用いる薄膜
磁気ヘッドにおいて、 前記薄膜磁気ヘッドの前記絶縁層の端部をテーパ形状に
加工するに際し、前記導体コイル上に前記絶縁膜を形成
する第一の工程と、前記導体コイルの周辺に形成された
前記絶縁膜の段差部の低部に感光性樹脂からなるダミー
パターンを形成する第二の工程と、前記絶縁膜と前記ダ
ミーパターン上に前記感光性樹脂膜を塗布する第三の工
程と、前記感光性樹脂膜をホトエツチング技術により所
定の形状にする第四の工程と、前記第四の工程の感光性
樹脂膜をマスクに、前記第二の工程の前記ダミーパター
ンの前記感光性樹脂膜と前記絶縁層を選択的にエツチン
する工程とを具備することを特徴とする薄膜磁気ヘッド
の製造方法。 2、特許請求の範囲第1項において前記第二の工程と前
記第三の工程の前記感光性樹脂は互いに性質の異なる樹
脂であることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP44087A JPS63168812A (ja) | 1987-01-07 | 1987-01-07 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP44087A JPS63168812A (ja) | 1987-01-07 | 1987-01-07 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63168812A true JPS63168812A (ja) | 1988-07-12 |
Family
ID=11473866
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP44087A Pending JPS63168812A (ja) | 1987-01-07 | 1987-01-07 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63168812A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6906893B2 (en) | 2002-10-08 | 2005-06-14 | Hitachi Global Storage Technologies | Magnetic head coil and structure for protecting same during pole notch processing |
-
1987
- 1987-01-07 JP JP44087A patent/JPS63168812A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6906893B2 (en) | 2002-10-08 | 2005-06-14 | Hitachi Global Storage Technologies | Magnetic head coil and structure for protecting same during pole notch processing |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS5819129B2 (ja) | ハンドウタイソウチノ セイゾウホウホウ | |
CN101969098A (zh) | 一种磁阻传感器的制造方法 | |
JPS62245509A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
JP2553079B2 (ja) | ヴァイア形成方法 | |
US5776663A (en) | Method for electroplating a conductive layer on a substrate | |
US4089766A (en) | Method of passivating and planarizing a metallization pattern | |
JPS63168812A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
JPS63146205A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
JP2666393B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPS5893270A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH09232321A (ja) | バンプ電極及びその製造方法 | |
JPS604221A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0447886B2 (ja) | ||
JP2720511B2 (ja) | ヴィアフィル形成方法 | |
JP2654147B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
JPH0438157B2 (ja) | ||
JPS6025236A (ja) | 段差表面の平滑化方法 | |
JPH09198624A (ja) | 複合型磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
JPS60224227A (ja) | レジスト膜のパタ−ン形成方法 | |
JPS61287146A (ja) | 多層配線の形成方法 | |
JPH01128528A (ja) | 配線パターンの形成方法 | |
JPH0247004B2 (ja) | Hakumakujikihetsudonoseizohoho | |
JPH02262393A (ja) | 回路パターンの形成方法 | |
JPS62140214A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
JPS60173712A (ja) | 薄膜パタ−ン付設基板の表面平担化方法 |