JPS63146205A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は薄膜磁気ヘッドに係り、特に、導体コイルの絶
縁膜として用いられているポリイミド樹脂絶縁膜の先端
のテーパ角が高精度なものが得ら　゛れる薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法に関する。

〔従来の技術〕

薄膜磁気ヘッドは、第３図に示すように、絶縁膜をもつ
基板１上に下部磁性体２．ギャップ材３゜ポリイミド樹
脂絶縁膜４．４’、導体コイル５゜上部磁性体６、およ
び保護膜７を順次形成することによって製造される。ポ
リイミド樹脂絶縁膜は導体コイル形成の前後に分けて形
成され、先端部をテーパ形状に加工する。このテーパ部
の角度は磁気ヘッドの電気的特性及び信頼性の点から４
０°±３°の高精度に加工しなけ九ばならない。

そこで、従来のテーパ角の加工は、第４図（ａ）に示す
ように、ポリイミド樹脂膜を図示していないが導体コイ
ルをはさんで、スピン塗布、熱硬化等の工程を経て形成
した上に（ｂ）のようにホトレジストパターンを形成し
１次に（ｃ）のようにホトレジスト８をマスクにして、
抱水ヒドラジ、ンを含む溶液でウェットエツチングして
、テーパ形状に加工し、エツチング終了後、ホトレジス
ト８をはく離することにより（ｄ）に示すようにポリイ
ミド樹脂膜のテーパ形状を得ていた。ここで、目的とす
るテーパ角を得るために、（ｂ）のホトレジストは東京
応化層のＯＭＲレジストのようにヒドラジンは通すが溶
解されるものを用い、このホトレジストとポリイミド樹
脂層の界面にエツチング液がしみこみ、ポリイミド膜を
溶解する量Δ０かかわることを利用して、このしみこみ
量ΔΩとポリイミド樹脂膜の膜厚との関係より、目・、
的のテーパ角度を得ていた。ここで、しみこみ量はエツ
チング時間とともに変化し、それによってテーパ角は第
５図のように、エツチング時間とともに変るので、定め
られた範囲のテーパ角を得るためには、しみこみ量を一
定に押えなければならない、そのため、テーパ形状加工
プロセスでは、エツチング時間を管理しているが、１枚
の基板内には数百の素子が並んでおり、それらすべての
角度を同一にする必要がある。同一基板内でも、ホトレ
ジストの膜厚及びポリイミド樹脂のエツチング速度にば
らつきがあり、エツチング時間を管理、してもしみこみ
量を基板内すべての素子で同一にすることができないの
で、テーパ角度のばらつきが大きい。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記従来技術は、薄膜磁気ヘッドのポリイミド樹脂絶縁
膜パターン先端のテーパ加工方法において、基板内にホ
トレジスト及びポリイミド樹脂のエツチング速度のばら
つきがあっても、ホトレジストとポリイミド樹脂との界
面へのエツチング液がしみこむしみこみ量を一定に保つ
ことに考慮がなされておらず、基板内の素子間のテーパ
角度のばらつきが大きく、電気的特性が良好で、信頼性
の高い磁気ヘッドを製造するためには歩留りが低く問題
であった。

本発明の目的は、基板内の数百の素子すべてに、目的と
する範囲のテーパ角が得られる薄膜磁気ヘッドの製造方
法を提供することにある。　　　　　゛〔作用〕 本発明は上記目的を達成するために、ポリイミド樹脂を
パターニングするマスクに用いられるホトレジストを二
層にし、ポリイミド樹脂上の第一層目のホトレジストは
ヒドラジンを通さない材質のものを用いる。しかも、ホ
トレジストパターンの大きさは、第二層目のホトレジス
トパターンの大きさより、しみこみ量だけ小さいパター
ンを形成することにより、第一層目のホトレジストパタ
ーンを、エツチング液のしみこみのストッパとさせるこ
とにより、第二層目のホトレジストの膜厚やポリイミド
膜のエツチング速度のばらつきにより、エツチング時間
がずれても、しみこみ量が変らないようにすることによ
り、テーパ角度のばらつきを減少させる。

〔実施例〕

以下本発明を実施例を用いて、詳細に説明する。

第１図（ａ）のように基板上に下部磁性体、ＡＱｚＯ８
１１１のギャップ材３上に日立化成製のポリイミド樹脂
であるＰＩＱをスピンナで、導体コイル（図示していな
い）をはさんで合計１２μｍの膜をスピンナで塗布し３
５０℃で熱硬化させて形成した６次に、（ｂ）のように
ポリイミド樹脂上に、しみこみのストッパとなるホトレ
ジストパターン９を形成した。このパターンは（Ｃ）で
はこの上に形成するホトレジストパターン８よりしみこ
み量ΔΩだけ小さい形状に形成している。第一層のホト
レジストは東京応化層のホトレジスト０ＮＮＲ−２０を
使用した。また、膜厚は０．５ｐｍ。

しみこみ量はΔ塁は１０μｍとした０次に（ｃ）のよう
に第一層のホトレジストパターン９上に所定のパターン
を形成する第二層目のホトレジスト８を塗布し、露光、
現像のホトリン工程２パターンを形成した。このホトレ
ジストは、東京応化層のホトレジストＯＭＲ−８３を使
用した。塗布膜厚は３．２μｍである。そして両者の膜
を１４０℃でポストベークし、（ｄ）のようにポリイミ
ド樹脂層４を抱水ヒドラジンとエチレンジアミンの混合
溶液でエツチングした０次に、第一層と第二層のホトレ
ジストを同時にはく離しくｅ）のようにポリイミド樹脂
層の端部をテーパ形状に加工したものを得た。第２図は
本発明の実施例の方法で、テーパ加工を行ったときのエ
ツチング時間とテーパ角の関係を示す。しみこみ量はし
みこみ量を１０μｍにするようにストッパ層を設けてい
るので、エツチング時間が３８ｍ１ｎ以上によるとしみ
こみ量は１０μｍにするようにストッパ層を設けている
ので、エツチング時間が３８ｍ１ｎ以上になるとしみこ
み量は１０μｍでほぼ一定となる。そのため、テーパ角
も、従来法の第５図では、エツチング時間が長くなると
、テーパ角は大きく低下、するのに対し１本方法では、
テーパ角の変化は少なくエツチング時間が長、くなると
若干大きくなるが変化量は小さい。また、第６図に基板
内の素子のテーパ角の分布を示すが、３９±２“以内に
ほとんどの素子が入っている。

〔発明の効果〕

本発明によれば、しみこみ量を一定に押えることができ
るので、基板内のテーパ角度のばらつきが少なくなり、
テーパ角の均一な薄膜ヘッドを製造することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例のポリイミド樹脂のテーパ加
工方法の工程図、第２図は本発明実施例のエツチング時
間とテーパ角の関係図、第３図は薄膜磁気ヘッドの断面
図、第４図は従来のテーパ加工方法の工程図、第５図は
従来のエツチング時間とテーパ角の関係を表わす図、第
６図は本発明の実施例を用いてポリイミド樹脂をテーパ
加工した場合の基板内素子のテーパ角の分布図である。 １・・・基板、２・・・下部磁性体、３・・・ギャップ
材、４゜４′・・・ポリイミド樹脂絶縁膜、５・・・導
体コイル、６・・・下部磁性体、７・・・保護膜、８・
・・ホトレジスト、９・・・しみこみのストッパとなる
ホトレジスト。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、下部磁性体、絶縁層、導体コイル、上部磁性体等か
   ら構成され、前記絶縁層にポリイミド樹脂を用い、前記
   ポリイミド樹脂を感光性樹脂膜をマスクにして、抱水ヒ
   ドラジンを含む溶液により、選択的にテーパ形状に加工
   する工程を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法において、 前記感光性樹脂膜を二層にし、一方の感光性樹脂膜はヒ
   ドラジンを通さない材質のものを用いることを特徴とす
   る薄膜磁気ヘッドの製造方法。 ２、特許請求の範囲第１項において、前記二層の前記感
   光性樹脂膜の一方のヒドラジンを通さない膜のパターン
   形状が、他方に比べて小さいことを特徴とする薄膜磁気
   ヘッドの製造方法。