JPH02244663A - リードフレームの製造方法 - Google Patents

リードフレームの製造方法

Info

Publication number
JPH02244663A
JPH02244663A JP6432989A JP6432989A JPH02244663A JP H02244663 A JPH02244663 A JP H02244663A JP 6432989 A JP6432989 A JP 6432989A JP 6432989 A JP6432989 A JP 6432989A JP H02244663 A JPH02244663 A JP H02244663A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
etching
lead frame
lead
resist
base material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6432989A
Other languages
English (en)
Inventor
Masakatsu Saigo
西郷 正勝
Nobuhito Iizuka
飯塚 信仁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toppan Printing Co Ltd filed Critical Toppan Printing Co Ltd
Priority to JP6432989A priority Critical patent/JPH02244663A/ja
Publication of JPH02244663A publication Critical patent/JPH02244663A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は工、チング加工を利用したリードフレームの製
造方法に係わル、特に加工寸法精度を向上させ、微細な
ノ々ターニングを可能とするリードフレームの製造方法
に関する。
(従来の技術) 半導体チップの実装において、ワイヤ?ンデング精度、
インナーリード先端部の接着強度等の観点からリードフ
レームの各インナーリード部の先端表面の巾は80〜9
0μm以上確保することが必要とされている。
ところ′で、エツチング加工により、リードフレーム金
製造する従来の方法は金属板から々るIJ−ドフレーム
基材の上下面に両面同一ないしは別々の寸法のマスクパ
ターンを形成し1両面から同時に1回ないし複数回のエ
ツチングをおこなつ方法が用いられていた。しかし、こ
の従来の方法はリードフレームの各リード部の上下面の
エツチングがほぼ同一速度で進行するため、インナーリ
ード部の上面側の巾を80〜90μm以上確保しようと
すると、リードフレームの厚み方向中間部のふくらみが
大きくなり、よシ密なノ々ターンのリードフレームを作
るのには限界があっ念。
(発明が解決しようとする課題〕 本発明はし比がって、リードフレームの各インナーリー
ド先端部の巾を高寸法精度を以って80〜90μm以上
確保することができ、かつインナーリードの微細化を同
時に達成することができ、さらにアウターリードの曲げ
加工強度を十分に保持することができるリードフレーム
の製造方法を提供することを目的とする。
(課題を解決する九めの手段) 本発明の方法はリードフレーム基材の上下面に所定のレ
ジストパターンを形成し念のち、第1回目のエツチング
により所定のノ・−フエッチング全おこなったのち、?
ンデング予定部の面積を確保するため上面部のみ耐エツ
チング性物質で被覆し。
その状態で第2回目のエツチングをおこない各リードを
形成する手段を採用し、上記課題の解決を図らんとする
ものである。
さらに具体的に述べると本発明はシート状のリードフレ
ーム基材の上下面にレジスト膜全施す工程と、核上下面
のレジスト膜上にそれぞれ所定のマスクノダターンヲ設
ケてレジストノ中ターンヲ形成する工程と、#、レジス
トノ量ターンf−rスクとしてリードフレーム基材の上
面に所望のリード巾が残灰する程度までハーフエツチン
グする工程と、該リードフレーム基材上面のハーフエッ
チングにより形成され九凹部を少なくとも被覆するよう
にして耐エツチング膜をリードフレーム基材上面に施す
工程と、該リードフレーム基材の下面の上記マスクl平
ターンをマスクとして、該下面のみの工。
チング全少なくとも上記凹部の耐エツチング膜に達する
までおこなう工程と、上記耐エツチング膜及びレゾスト
を除去する工程と、金へ偏してなるリードフレームの製
造方法を提供するものである。
(作用〕 本発明の方法においては第1回目のエツチング工程は各
リード部の上面の所定寸法を確保する±めのものであり
、この上面の所定寸法を最後まで確保するため樹脂等の
耐エツチング性物質でこのエツチングされた上面を被覆
し、この状態で2回目以降のエツチング工程を継続する
ようにし九から、インナーリード先端のワイヤデンデン
グ部の面積を寸法精度良く確保することができ、したが
ってインナーリード部の微細化を促進させることが可能
となる。
(実施例) 以下1本発明を図示の実施例を参照して詳述する。
まず、81図に示す如く厚みが例えばO,15amのり
−ドフレーム用金属板1の上下面にレジスト(例/Lば
カゼイン、Iリピニルアルコール等に七ンシタイザーを
添加したもの)2を厚み例えば3〜1.5 、m、l!
布する。ついで、@2図に示す如くレジスト2上面にマ
スクパターン3をそれぞれ上下互いに対応させて形成す
る。この場合、下面側のレジスト2上に形成されるマス
クパターン3の開口部は上面側より若干狭いものとする
ことが一般に好ましい0次にこのマスクパターン3を介
して露光をおこなったのち、S光され念部分のレジスト
2を溶媒を用いて除去し、第3図に示すようなレジス)
 /?パターン?a、2bi形成する。
次に、このレジストパターン2 a 、 2 b k介
して金属板1に対する第1回目の工、チング金上下両面
からおこなう。この第1回目のエツチングは金属板1の
上面側のレジストパターン2&を介してエツチングが予
め設定し之インナーリー ド上面の巾ツで達し念ときに
停止する。このとき金属板1の上下面にはレゾストパタ
ーン2*、2bの下方の一部がサイドエツチングされ次
状態の溝4m。
4bが形成される(第4図参照]。
次に、第5図に示す如く金属板1の上面にのみ耐エツチ
ング性物質5′t−例えば厚さ1μmとなるようにして
塗布する。なお、この場合、耐工、チング性物質5とし
ては樹脂、その他有機材料、無機材料等を適宜選択し得
る。又、この耐工、チング性物質5は上述の如き全面塗
布に限らず溝4息部分が少なくとも被覆されるように塗
布してもよい。
溝41部分をこのように例えば樹脂止めしたのち、金属
板1に対する第2回目のエツチングをおこなう。この第
2回目のエツチングにおいては金属板1の下面のみがレ
ジストパターン2bt−マスクとしてエツチングされ、
溝4bが拡大されて溝4a内の耐エツチング性物質5が
少なくとも露出するまでおこなわれる(第6図参照ン。
ついで耐エツチング性物質5を溶剤を用いて除去しく第
7図参照)、さらにレジストノ母ターン2*、2bf同
じく溶剤を用いて除去する(第8図)、なお、耐エツチ
ング性物質5及びレジストパターンff1a。
2bの除去を同一溶剤を用いて同時に除去するようにし
てもよい。
以上の如き2回のエツチングによシ第8図に示す如き所
望のリードフレーム6が形成される。このリードフレー
ム6は各リード7の上面の巾@1が例えば80〜901
gm f以りて確保され、各リード7相互間の間隔′″
b”6例えば50μmに高精度に制御することができる
なお、インナーリード先端部は必然的に巾が狭くなると
ともにリード相互間のピッチも小さくなシ、その几め断
面積が小さく、エツチング加工時に変形のおそれがある
が、これはインナーリード先端部が相互に連結されたま
まの形状にエツチングし、エツチング処理終了後にイン
ナーリード先端部より先の余分な部分を機械的に切断す
ることによシ、上記問題点の解決を図ることができる。
(発明の効果〕 本発明の方法によればリード形成の九めの工。
チングt−2回に分け、第1回目の工、チング工程で各
リード部上面を所定寸法まで工、チングし。
この所定寸法を樹脂等によシエッチング止めすることよ
シいりたん確保した状態で第2回目のエツチングをおこ
ない、リード部を形成するようにし念から、インナーリ
ード先端部のワイヤデンデング部の所要面積を寸法精度
良く確保することが可能となる。同時に、アウターリー
ド部においても良好な寸法精度を以りて工、チング加工
できるため1曲げ加工強度を十分に保持させることがで
きる。
し九がって、リードフレームのリードパターンの微細化
を一層促進させることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第8図は本発明の方法を工程層に説明するた
めの断面図である。 図中、1・・・リードフレーム用金属板、2・・・レジ
スト、2g、2b・・・レジストパターン、3・・・マ
スクツ々ターン、4h、4b・・・溝、5・・・耐工、
チング性物質、6・・・リードフレーム、7・・・リー
ド。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)シート状のリードフレーム基材の上下面にレジス
    ト膜を施す工程と、 該上下面のレジスト膜上にそれぞれ所定のマスクパター
    ンを設けてレジストパターンを形成する工程と、 該レジストパターンをマスクとしてリードフレーム基材
    の上面に所望のリード巾が残留する程度までハーフエッ
    チングする工程と、 該リードフレーム基材上面のハーフエッチングにより形
    成された凹部を少なくとも被覆するようにして耐エッチ
    ング膜をリードフレーム基材上面に施す工程と、 該リードフレーム基材の下面の上記マスクパターンをマ
    スクとして、該下面のみのエッチングを少なくとも上記
    凹部の耐エッチング膜に達するまでおこなう工程と、 上記耐エッチング膜及びレジストを除去する工程と、 を具備してなるリードフレームの製造方法。
  2. (2)レジストパターンの形成工程はリードフレーム基
    材下面のレジストパターンの開口部の巾がリードフレー
    ム基材上面のレジストパターンの開口部の巾より小さく
    形成することを特徴とする請求項1記載のリードフレー
    ムの製造方法。
JP6432989A 1989-03-16 1989-03-16 リードフレームの製造方法 Pending JPH02244663A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6432989A JPH02244663A (ja) 1989-03-16 1989-03-16 リードフレームの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6432989A JPH02244663A (ja) 1989-03-16 1989-03-16 リードフレームの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02244663A true JPH02244663A (ja) 1990-09-28

Family

ID=13255091

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6432989A Pending JPH02244663A (ja) 1989-03-16 1989-03-16 リードフレームの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH02244663A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03136268A (ja) * 1989-10-20 1991-06-11 Shinko Electric Ind Co Ltd リードフレームの製造方法
US5230144A (en) * 1991-04-03 1993-07-27 Seiko Epson Corporation Method of producing lead frame
KR100745511B1 (ko) * 2006-02-25 2007-08-02 삼성테크윈 주식회사 리드프레임과 그 제조방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03136268A (ja) * 1989-10-20 1991-06-11 Shinko Electric Ind Co Ltd リードフレームの製造方法
US5230144A (en) * 1991-04-03 1993-07-27 Seiko Epson Corporation Method of producing lead frame
KR100745511B1 (ko) * 2006-02-25 2007-08-02 삼성테크윈 주식회사 리드프레임과 그 제조방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH02244663A (ja) リードフレームの製造方法
US4690880A (en) Pattern forming method
JPH0458167B2 (ja)
JPS6211491B2 (ja)
JPS61288426A (ja) アルミニウム膜のテ−パエツチング方法
JPH02254746A (ja) リードフレームの製造方法
JPS62194628A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH01105538A (ja) フォトレジストパターン形成方法
JPS5860421A (ja) 薄膜磁気ヘツド
JPS6240862B2 (ja)
JPS5856422A (ja) パタ−ン形成法
JPS61219158A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS60240148A (ja) リ−ドフレ−ムの製造方法
JPS58219738A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS61148819A (ja) マスク合わせパタ−ン構造
JP2811724B2 (ja) エッチング方法
JPH0282527A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS63244627A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS63221628A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS6013318A (ja) 薄膜磁気ヘツドの製造方法
JPH06112112A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS5696845A (en) Manufacture of semiconductor device
JPH0330332A (ja) パターン形成方法
JPH03127827A (ja) 半導体装置の製造法
JPS628511B2 (ja)