JPS5860421A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS5860421A JPS5860421A JP15998381A JP15998381A JPS5860421A JP S5860421 A JPS5860421 A JP S5860421A JP 15998381 A JP15998381 A JP 15998381A JP 15998381 A JP15998381 A JP 15998381A JP S5860421 A JPS5860421 A JP S5860421A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating layer
- etching
- resist
- pattern
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気ディスク装置、磁気テープ装置の記録・再
生に使用される薄膜磁気ヘッドに関し、特に複数巻線型
薄膜磁気ヘッド（マルチターンヘッド）に於ける新規な
構造に関するものである。
生に使用される薄膜磁気ヘッドに関し、特に複数巻線型
薄膜磁気ヘッド（マルチターンヘッド）に於ける新規な
構造に関するものである。
従来のマルチターンヘッドの平面図を第１図（ａ）に示
し、側面断面図を第１図（ｂ）に示す。磁性体基板１上
に複数巻線型第１導体層（マルチターンリード）２が形
成され、該第１導体層２上に第１絶縁層３が被覆される
。第２導体層４は前記第１絶縁層３の一部切矢部分を介
して第１導体層２とコンタクトする。前記第２導体層４
及び前記第１絶縁層３」二に第２絶縁層５が被覆される
。磁性体層６は前記第２絶縁層５上に被覆され、前記第
１絶縁層３及び前記第２絶縁層５の切欠部分を介して前
記磁性体基板１と接触する。又、このヘッドの先端部で
前記磁性体層６は前記第２絶縁層５を介して前記磁性体
基板１と対向し、この第２絶縁層５の厚みがヘッドギャ
ップ部Ａを形成する。このギヤツブは第１絶縁層と第２
絶縁層の両方で構成するようにしてもよい。前記第２導
体層４と前記Ｍ Ｉ 導体ｆｆ１Ｊ ２とのコンタクト
部分（リードコンタクト部）Ｂでは前記第１絶縁層３を
エツチング除去した前記第１導体層２の領域に前記第２
導体層４を重ねて被着することにより電気的接続がなさ
れる。前記磁性体層６゛と前記磁性体基板１との接触部
分即ちバックコア部Ｃでは前記第１絶縁層と前記第２絶
縁層を共にエソチンゲ除去した領域に前記磁性体層６を
被着することにより磁気的接続がなされる。
し、側面断面図を第１図（ｂ）に示す。磁性体基板１上
に複数巻線型第１導体層（マルチターンリード）２が形
成され、該第１導体層２上に第１絶縁層３が被覆される
。第２導体層４は前記第１絶縁層３の一部切矢部分を介
して第１導体層２とコンタクトする。前記第２導体層４
及び前記第１絶縁層３」二に第２絶縁層５が被覆される
。磁性体層６は前記第２絶縁層５上に被覆され、前記第
１絶縁層３及び前記第２絶縁層５の切欠部分を介して前
記磁性体基板１と接触する。又、このヘッドの先端部で
前記磁性体層６は前記第２絶縁層５を介して前記磁性体
基板１と対向し、この第２絶縁層５の厚みがヘッドギャ
ップ部Ａを形成する。このギヤツブは第１絶縁層と第２
絶縁層の両方で構成するようにしてもよい。前記第２導
体層４と前記Ｍ Ｉ 導体ｆｆ１Ｊ ２とのコンタクト
部分（リードコンタクト部）Ｂでは前記第１絶縁層３を
エツチング除去した前記第１導体層２の領域に前記第２
導体層４を重ねて被着することにより電気的接続がなさ
れる。前記磁性体層６゛と前記磁性体基板１との接触部
分即ちバックコア部Ｃでは前記第１絶縁層と前記第２絶
縁層を共にエソチンゲ除去した領域に前記磁性体層６を
被着することにより磁気的接続がなされる。
以上の様な構造のマルチターンヘッドのへソドギャッフ
部Ａ ＋リードコンタクト部Ｂ、パックコア部Ｃの加工
精度はいずれも絶縁層のエツチング加工精度によって決
まる。これら三部分に於ける絶縁層の加工子１１１ｆｆ
ｉは、ヘッドギャップ部Ａでは全く絶縁層をエツチング
しないか又は第１絶縁層のみをエツチング加工する。リ
ードコンタクト部Ｂでは第１絶縁層のみをエツチング加
圧する。バックコア部Ｃでは第１絶縁層及び第２絶縁層
の両方をエツチング加工する。
部Ａ ＋リードコンタクト部Ｂ、パックコア部Ｃの加工
精度はいずれも絶縁層のエツチング加工精度によって決
まる。これら三部分に於ける絶縁層の加工子１１１ｆｆ
ｉは、ヘッドギャップ部Ａでは全く絶縁層をエツチング
しないか又は第１絶縁層のみをエツチング加工する。リ
ードコンタクト部Ｂでは第１絶縁層のみをエツチング加
圧する。バックコア部Ｃでは第１絶縁層及び第２絶縁層
の両方をエツチング加工する。
以上の如くマルチターンヘッドの製造に際し絶縁層の加
工は極めて重要なものである。
工は極めて重要なものである。
次に従来の一般的な絶縁層の加工手順について説明する
。薄膜磁気ヘッドの絶縁層としてはＳｉｎ。
。薄膜磁気ヘッドの絶縁層としてはＳｉｎ。
５１０２のスパッタ膜が多く用いられる。この中Ｓ、ｉ
０２膜のエツチング加工には弗酸系のエツチング液を使
用する湿式エツチング法とフロン系ガスのプラズマ中で
エツチングを行なう乾式エツチング法とがある。しかし
厚さが１０〜２０μｍ程度の５Ｉ０２膜を１０〜２０μ
ｍ程度のテーパとサイドエッチの精度にて加工したい場
合は加工精度の優れた乾式エツチング法が用いられる。
０２膜のエツチング加工には弗酸系のエツチング液を使
用する湿式エツチング法とフロン系ガスのプラズマ中で
エツチングを行なう乾式エツチング法とがある。しかし
厚さが１０〜２０μｍ程度の５Ｉ０２膜を１０〜２０μ
ｍ程度のテーパとサイドエッチの精度にて加工したい場
合は加工精度の優れた乾式エツチング法が用いられる。
第２図は５ｉ０２のスパッタ膜をプラズマエツチングで
加工した段差部の断面を示す。１は磁性体基板、３は絶
縁層、７はレジストである。℃１はテーパーの長さ、必
２はサイドエッチの長さを示す。これらｐ、１．ｘ２の
長さはエツチングの条件により変化するが一定のエツチ
ング条件においては絶縁層３の厚さが厚い程大きい。
加工した段差部の断面を示す。１は磁性体基板、３は絶
縁層、７はレジストである。℃１はテーパーの長さ、必
２はサイドエッチの長さを示す。これらｐ、１．ｘ２の
長さはエツチングの条件により変化するが一定のエツチ
ング条件においては絶縁層３の厚さが厚い程大きい。
ここで、前記マルチターンヘッドの構造を見れば、バッ
クコア部Ｃでは第１絶縁層及び第２絶縁層の両方をエツ
チング加工する必要があり、その為」−記１１．．！’
２は大きくなり加工精度上の問題が生ずる。例えばプラ
ズマガスとしてＣＦ４ ９５％。
クコア部Ｃでは第１絶縁層及び第２絶縁層の両方をエツ
チング加工する必要があり、その為」−記１１．．！’
２は大きくなり加工精度上の問題が生ずる。例えばプラ
ズマガスとしてＣＦ４ ９５％。
０２５％の組成のガスを用い円筒形プラズマエツチング
装置で一層の５ｉ０２のエツチングを行なった場合」−
記℃１ と２２の和は５ｉＯｚの膜厚しのほぼ２倍に等
しく、二層の８１０２のエツチング場合においても例え
ば第４絶縁層の厚さを２．０８ｍ１第２絶縁層の厚さを
１．０μｍとして従来の一般的なバンクコア形成法によ
り１回のプラズマエツチングで形成する場合、℃１＋℃
２の和は６０μｍ程度になるのでハックコアパターンの
両側で１．２ ｔｔ ｔｎにも広がる。この為バックコ
ア部の加工マージンを大きくする必要から、ヘッド素子
サイズを大型化したりマルチターンリードの巻数を減少
したりといった磁気ヘッドに不利な構成を余儀無くされ
る状況が生じる。
装置で一層の５ｉ０２のエツチングを行なった場合」−
記℃１ と２２の和は５ｉＯｚの膜厚しのほぼ２倍に等
しく、二層の８１０２のエツチング場合においても例え
ば第４絶縁層の厚さを２．０８ｍ１第２絶縁層の厚さを
１．０μｍとして従来の一般的なバンクコア形成法によ
り１回のプラズマエツチングで形成する場合、℃１＋℃
２の和は６０μｍ程度になるのでハックコアパターンの
両側で１．２ ｔｔ ｔｎにも広がる。この為バックコ
ア部の加工マージンを大きくする必要から、ヘッド素子
サイズを大型化したりマルチターンリードの巻数を減少
したりといった磁気ヘッドに不利な構成を余儀無くされ
る状況が生じる。
本発明は以−にの様な従来問題点に鑑みなされたもので
ある。そして本発明の目的は絶縁層の加工に関する技術
的改善を施すことにより、高精度に加工された薄膜磁気
ヘッドを提供することにある。
ある。そして本発明の目的は絶縁層の加工に関する技術
的改善を施すことにより、高精度に加工された薄膜磁気
ヘッドを提供することにある。
ここで第２図によって示した絶縁層加工技術に鑑み、バ
ックコア部Ｃにおける第１絶縁層及び第２絶縁層の両方
をエツチング加工する場合は、二層の絶縁層のエツチン
グを２回に分割した方がエツチング工程における５ｉ０
２膜のテーパー或いはサイドエッチの長さは小さいこと
がわかる。
ックコア部Ｃにおける第１絶縁層及び第２絶縁層の両方
をエツチング加工する場合は、二層の絶縁層のエツチン
グを２回に分割した方がエツチング工程における５ｉ０
２膜のテーパー或いはサイドエッチの長さは小さいこと
がわかる。
第３図に二層の絶縁層のエツチングを２回に分割した場
合の製造手順を示す。同図（ａ）は第２絶縁層のエツチ
ング前、同図（１））は第２絶縁層のエツチング後の状
態を示す。同図でレジスト７は１回目のエツチング即ち
第１絶縁層のエツチングと２回目のエツチング即ち第２
絶縁層のエツチングとで同じパターンを使う。ところで
、この様にレジストパターンの寸法を変えない場合は第
２絶縁層５をエツチング加工する際に５ｉ０２の段差部
においてレジストで被覆されない部分にプラズマガスが
侵入する結果エツチングパターンのエッヂの形状が乱れ
パターンの直線部分が蛇行したりコーナ一部がふくらむ
ことがある。
合の製造手順を示す。同図（ａ）は第２絶縁層のエツチ
ング前、同図（１））は第２絶縁層のエツチング後の状
態を示す。同図でレジスト７は１回目のエツチング即ち
第１絶縁層のエツチングと２回目のエツチング即ち第２
絶縁層のエツチングとで同じパターンを使う。ところで
、この様にレジストパターンの寸法を変えない場合は第
２絶縁層５をエツチング加工する際に５ｉ０２の段差部
においてレジストで被覆されない部分にプラズマガスが
侵入する結果エツチングパターンのエッヂの形状が乱れ
パターンの直線部分が蛇行したりコーナ一部がふくらむ
ことがある。
従って、本発明においては二層の絶縁層のエツチングを
２回に分割するとともに１回目のエツチングレジストと
２回目のエツチングのレジストとを異なるパターンとし
た。
２回に分割するとともに１回目のエツチングレジストと
２回目のエツチングのレジストとを異なるパターンとし
た。
以下、本発明に係わる薄膜磁気ヘッドの−実施例の製造
工程を詳細に説明する。第４図はその製造工程の説明図
である。同図（ａ）は磁性体基板］」―に第１絶縁層３
を被覆しその一部をエツチング除去後第２絶縁層５を被
覆した状態、同図（１））は第２絶縁層５上に所定のパ
ターンにてレジストアを波器した状態、同図（ｃ）は第
２絶縁層５のレジス）・７を除く部分をエツチング除去
した状態、同図（ｃｌ）はレジスト７を除去した状態を
示す。ここで、同図に示される箇所において前記第２絶
縁層５上のレジスｌ−７のパターンは、第１絶縁層３１
−のレジストのパターン（図示せず）より面積を多く被
覆する。又、エツチングは同筒形プラズマエツチング装
置にて行なう。従って同箇所において第２絶縁層の除去
される面積は第１絶縁層の除去される面積より小さい。
工程を詳細に説明する。第４図はその製造工程の説明図
である。同図（ａ）は磁性体基板］」―に第１絶縁層３
を被覆しその一部をエツチング除去後第２絶縁層５を被
覆した状態、同図（１））は第２絶縁層５上に所定のパ
ターンにてレジストアを波器した状態、同図（ｃ）は第
２絶縁層５のレジス）・７を除く部分をエツチング除去
した状態、同図（ｃｌ）はレジスト７を除去した状態を
示す。ここで、同図に示される箇所において前記第２絶
縁層５上のレジスｌ−７のパターンは、第１絶縁層３１
−のレジストのパターン（図示せず）より面積を多く被
覆する。又、エツチングは同筒形プラズマエツチング装
置にて行なう。従って同箇所において第２絶縁層の除去
される面積は第１絶縁層の除去される面積より小さい。
よって同図（ｂ）に示される如く第２絶縁層のエツチン
グ時に８１０２の段差部は完全にレジストにて被覆され
る為にパターンエッヂの形状の乱れが発生しない。
グ時に８１０２の段差部は完全にレジストにて被覆され
る為にパターンエッヂの形状の乱れが発生しない。
以」−の様にすれば薄膜磁気ヘッドのバックコア部Ｃに
おける第１絶縁層及び第２絶縁層のエツチングを良好に
行ない得る。このバックコア部Ｃにおける第１絶縁層の
エツチング時にヘッドギャップ部Ａあるいはリードコン
タクト部Ｂの第１絶縁層のエツチングを行なうようにし
てもよい。又、」二記実施例では同筒形プラズマエツチ
ング装置を用いたが、平行平板形プラズマエツチング装
置を用いてもよい。又、絶縁層はＳ ｉ ３Ｎ４でもよ
い。
おける第１絶縁層及び第２絶縁層のエツチングを良好に
行ない得る。このバックコア部Ｃにおける第１絶縁層の
エツチング時にヘッドギャップ部Ａあるいはリードコン
タクト部Ｂの第１絶縁層のエツチングを行なうようにし
てもよい。又、」二記実施例では同筒形プラズマエツチ
ング装置を用いたが、平行平板形プラズマエツチング装
置を用いてもよい。又、絶縁層はＳ ｉ ３Ｎ４でもよ
い。
以上説明した本発明によれば、二層の絶縁層の加工を精
度良く行なうことができるものであり、特にバツクファ
部の精度を良好にできる。
度良く行なうことができるものであり、特にバツクファ
部の精度を良好にできる。
第１図は従来のマルチターンヘッドを示し同図（ａ）は
平面図、同図（ｂ）は側面断面図、第２図は絶縁膜の加
工説明図、＄３図は二層絶縁膜の加工工程図、第４図は
本発明に係わるヘッドの二層絶縁膜の加工工程図を示す
。 図中、 １：磁性体基板 ２゛第１導体層３：第１絶
縁層 ４：第２導体層 ５、第２絶縁層 、・６ 磁性体層 ７：し７ジスト 代理人 弁理士 福 士 変 彦
平面図、同図（ｂ）は側面断面図、第２図は絶縁膜の加
工説明図、＄３図は二層絶縁膜の加工工程図、第４図は
本発明に係わるヘッドの二層絶縁膜の加工工程図を示す
。 図中、 １：磁性体基板 ２゛第１導体層３：第１絶
縁層 ４：第２導体層 ５、第２絶縁層 、・６ 磁性体層 ７：し７ジスト 代理人 弁理士 福 士 変 彦
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、巻線用導体を被覆する第１の絶縁層と、該第１の絶
縁層の切欠部分を介し前記巻線用導体と接触するり一ド
導体と、 該リード導体及び前記第１の絶縁層を被覆する第２の絶
縁層とを備え、 前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層の共通位置に切欠
部分を備えるとともに該位置における前記第１の絶縁層
の切欠面積が前記第２の絶縁層の切欠面積より大きいこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15998381A JPS5860421A (ja) | 1981-10-06 | 1981-10-06 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15998381A JPS5860421A (ja) | 1981-10-06 | 1981-10-06 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5860421A true JPS5860421A (ja) | 1983-04-09 |
Family
ID=15705432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15998381A Pending JPS5860421A (ja) | 1981-10-06 | 1981-10-06 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5860421A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007069602A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-03-22 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 固体撮像素子収納用ケース、その製造方法、及び、固体撮像装置 |
| JPWO2008029870A1 (ja) * | 2006-09-06 | 2010-01-21 | 株式会社プライムポリマー | 射出成形用金型および成形品 |
| US9733439B2 (en) | 2014-03-19 | 2017-08-15 | Enplas Corporation | Optical receptacle and optical module |
| EP3000576B1 (de) | 2014-09-26 | 2018-05-09 | Michel Thorsten | Werkzeug mit oberflächenrauhigkeit an der bindenahtstelle |
-
1981
- 1981-10-06 JP JP15998381A patent/JPS5860421A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007069602A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-03-22 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 固体撮像素子収納用ケース、その製造方法、及び、固体撮像装置 |
| JPWO2008029870A1 (ja) * | 2006-09-06 | 2010-01-21 | 株式会社プライムポリマー | 射出成形用金型および成形品 |
| US8133047B2 (en) | 2006-09-06 | 2012-03-13 | Prime Polymer Co., Ltd. | Injection molding metal mold and shaped article |
| US9733439B2 (en) | 2014-03-19 | 2017-08-15 | Enplas Corporation | Optical receptacle and optical module |
| EP3000576B1 (de) | 2014-09-26 | 2018-05-09 | Michel Thorsten | Werkzeug mit oberflächenrauhigkeit an der bindenahtstelle |
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