JPH0256711A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、記録媒体に電磁気的に情報を書き込み、ま
たはこれを読み出す薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する
ものである。

〔従来の技術〕

第４図は１例えば特開昭５８一括１４０９号公報に示さ
れた従来の薄膜磁気ヘッドの要部断面図であり、図にお
いて、基板（１１は１例えばＡＬｚＯｓ　−ＴｉＣ糸の
もので、この基板（１）の上に下部磁極（２）が設けら
れている。下部磁極（２）の上に設けられているギヤツ
ブ絶ｋ　ａ　（３）は、例えばＡｌ２Ｏ５膜からなって
いる。このギャップ絶縁膜（３）および下部磁極（２）
の上には有機絶縁膜からなる第１の層間絶縁膜（４）が
設けられている。（５）はこの第１の層間絶縁膜（４）
の上に所定間隔で配置されたコイル、例えば銅コイルで
ある。第１の層間絶縁膜（４）の上にコイル（５）を覆
って有機絶＃＆映からなる第２の層間絶縁膜（６）が設
けられている。下部磁極（２）、ギャップ絶縁膜（３）
、第１の層間絶縁膜（４）および第２の層間絶縁膜（６
）を覆う上部磁極（７）の上には、保護膜例えばＡｔｚ
Ｏｓ保護膜（８）が設けられている。

第５図は第４図に示された薄膜磁気ヘッドの、保護膜（
８）が形成される前で、かつ、ヘッド先端部が研磨され
る前の磁極先端部近傍の拡大平面図であり、図において
（４ａ通ま磁極先端部近傍で突出している第１の層間絶
縁膜（４）の突出部である。なお、この図のＡ−Ａ線の
部分は、第４図のヘッド先端部に対応しており、第６図
は第４図のＡ−Ａ線に沿った平面での断面図である。第
６図において、例えば特開昭５５−８７３２３号公報に
示されたラップアラウンドの防止のため、上部磁極（７
）は下部磁極（２）の中心に関して中心対称をなすよう
に形成され、そのトラック幅寸法（７ｂ）は、下部磁極
（２）のトラック幅寸法（２ｂ）よりも狭（なっている
。

以上の構成になる従来の薄膜磁気ヘッドは次のようにし
て製造される。まず、表面にＡｔｚＯ３スパッタ膜が形
成されて鏡面仕上げされたＡｔ２０３−ＴｉＣ系の基板
（１）の上に、めっき用電極膜としてのパーマロイ膜を
スパッタ法などによって形成した後、写真製版によって
磁極寸法を規定するレジストフレームを形成する。次に
、めっき法によってノく−マロイ膜を数μｍ形成する。

その後、下部磁極（２）の不要部分を逆スパツタリング
と化学エツチングで除去して下部磁極（２）を形成する
。下部磁極（２）を形成した後、この下部磁極（２）の
上にギャップ絶縁膜（３）であるＡｔｚＯｘ膜をスパッ
タ法で形成し、下部磁極（２）および上部磁極（７）の
接続部のＡｔ２０３膜を化学エツチングにより除去する
。さらＫ、ギャップ絶縁膜（３）の上に感光性ポジレジ
ストを写真製版によってバターニングした後、これを加
熱φ硬化して有機絶縁膜である第１の層間絶縁膜（４）
を形成する。この第１の層間絶縁膜（４）の上Ｋ、下部
磁極（２）を形成したときと同様の方法で鋼コイル（５
）を形成する。さらに、第２の絶縁膜（６）、上部磁極
（７）を順次形成した後、　Ａｌ２Ｏ３保護膜（８）を
形成する。その後、スライダ加工によって、ヘッド先端
部が高精度に研磨された薄膜磁気ヘッドに仕上げる。

なお、上記のほか、従来、薄膜磁気ヘッドの製造方法に
関しては、特に磁極を対象としたものとして、特開昭６
０−２０１５１６号公報および特開昭６２−９５７１２
号公報に開示されたものがあり、層間絶縁膜については
、鳴：公昭５９一括７６５号公報に開示されたものなど
がある。

〔発明が解決しようとする課題〕

以上のような従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、ヘ
ッド浮動面での上下磁極のトラック幅には数μｍの寸法
差が生じる。このトラック幅寸法差は磁気記録でのクロ
ストーク特性と関係しており、寸法差を小さくすること
によって特性の改善を図ることができる。この寸法差を
できるだけ小さくするには、ヘッド浮動面での上下磁極
のトラック寸法を同一にすることが必要である。また、
第１の層温絶縁膜（４）を形成する場合、下部磁極（２
）Ｋよる段差のために下部磁極（２）上とその周辺部に
膜厚差が生じる。この結果、第１の層間絶縁膜（４）を
写真製版によって形成した＃ｈ＝、下部磁極（２）や第
１の層間絶縁膜（４）の膜厚にもよるが、第５図に示す
ように、磁極先端近傍では第１の層間絶縁膜（４）が約
１μｍ突出して突出部（４ａ）を形成してしまう。薄膜
磁気ヘッドでは、優れたヘッド特性を得るためＫ、ヘッ
ド浮動面を下部磁極（２）上の第１の層間絶縁膜（４）
の先端位慨にできるだけ近くなるように加工することが
必要で、第６図に示すように、下部磁極（２）の周辺部
に形成された第１の層間絶縁膜（４）の突出部（４ａ）
がヘッド浮動面に露出するという問題点があった。さら
に、写真製版によって得られるレジストフレームは正テ
ーバ形状であるので、得られるめっき膜、すなわち、磁
極の端面は逆テーバ形状となり、保護膜形成において嘆
欠陥が生じやすく、信頼性が低下するなどの問題点もあ
った。

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、ヘッド浮動面での上下磁極のトラック幅寸法
が同一であるとともに、第１の層間絶縁膜の突出部がヘ
ッド浮動面に露出せず、さらに、ヘッド浮動面近傍の上
下磁極の端面形状が正テーバである薄膜磁気ヘッドの製
造方法を得ることを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、上下磁極
のトラック幅を所定の寸法よりも大きな寸法で形成して
おき、コイルやその上の層間絶縁膜がエツチングで損傷
を受けないようにマスクで保護して、所定トラック幅以
外の上下磁極および磁極先端周辺部の層間絶縁膜をイオ
ンビームエツチングによって除去する。

〔作　用〕

この発明においては、イオンビームエツチング加工によ
りヘッド浮動面のギャップを挾む上下磁極のトラック幅
寸法を同一にし、また、ヘッド浮動面近傍の層間絶縁膜
を除去し、ヘッド浮動面に層間絶縁膜を露出しなくなり
、さらに、上下磁極の端面形状を正テーパとすることが
できる。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を第１図〜第３図をいて、（
９）はイオンビームエツチングのためのフォトレジスト
マスクである。＠２因は磁極先端およびその周辺部のイ
オンビームエツチング用のフォトレジストマスク（９）
の形状を示す外観図であり、この図のＢ−Ｂ線の部分は
第４図のヘッド先端部に対応している。第３図は磁極形
成におけるイオンビームエツチング後の磁極先端および
その周辺部の素子形状を示す外観図であり、図において
、（２ａ）はイオンビームエツチング前の下部磁極（２
）の位置、（４ｂ）はイオンビームエツチング前の第１
の層間絶縁層（４）の位置、（７ａ）はイオンビームエ
ツチング前の上部磁極（７）の位置である。

その他、第４図〜第６図におけると同一符号は同一部分
を示している。

次に製造方法について詳しく説明する。表面ＫＡｔ２０
ｓスパッタ膜が形成されて鏡面仕上げされたＡ１２ｏｓ
　−ＴｉＣ系の基板（１）上に、下部磁極（２）、ギャ
ップ絶縁膜（３）、第１の層間絶縁膜（４）、コイル（
５）、第２の層間絶＃ｌ膜（６）および上部磁極（７）
を順次、従来と同様な方法で形成する。イオンビームエ
ツチングのためのフォトレジストマスク（９）を上部磁
極（７）上に形成する際のラップアラウンド防止のため
、上部磁極（７）のトラック幅寸法は所定の、トラック
幅寸法よりも少なくとも３μａ以上広い寸法で形成して
おく。同様の理由で下部磁極（２）のトラック幅寸法は
、上部磁極（７）のトラック幅寸法よりも３μｍ程度広
くなっている。

以上のようにして上部磁極（７）の形成された薄膜磁気
ヘッドに、イオンビームエツチングのためのフォトレジ
ストマスク（９）を形成する。ヘッド素子の形成された
基板（１）全面Ｋ、フォトレジストを磁極先端近傍のＩ
Ｉ淳が約２０μｍとなるように塗布し、乾燥する。次Ｋ
、所定のパターンが形成されたガラスマスク（図示せず
）を用いてフォトレジストを部分的１１Ｃ＠光し、現像
液に可溶な部分と不溶な部分を形成する。現像処理によ
って現像液に可溶なフォトレジストを除去して、第１図
（ａ）　Ｋ示すような上部磁極（７）の中心に対して中
心対称をなすフォトレジストマスク（９）を形成する。

第２図は、以上のような方法で得られたフォトレジスト
マスク（９）の磁極先端およびその周辺部の形状を示し
、コイル（図示せず）およびコイル上の第２の層間絶縁
膜（６）をイオンビームエツチングによる損傷から保護
するため、第２の層間絶縁膜（６）上には７オトレジス
トマスク（９）が形成されている。所定のトラック幅寸
法よりも広いトラック幅寸法で形成された上、下磁極（
７）　（２）の所定トラック幅以外の部分、第１の層間
絶縁膜（４）の一部分ならびに第１の層間絶縁膜（４）
の突出部（４ａ）上にはフォトレジストマスクは形成さ
れておらず、エツチングにさらされる。次にイオンビー
ムエツチングを下部磁極（２）の所定トラック幅以外の
部分が完全に除去されるまで行い、エツチング完了後、
フォトレジストマスク（９）を有機溶剤に溶解させて除
去する。

第１図（ｂ）および第３因は、エツチング後の磁極およ
びその周辺部の素子形状を示し、ギャップ絶縁層（３）
を挾む上下磁極（７１（２）の寸法はほぼ同一となって
おり、第１の層間絶縁層（４）の突出部もヘッド浮動面
位＃（ＢＢ１％りよりも後退するまでエツチングされて
いる。

以上のような方法による磁極の形成後、従来と同様の方
法によって薄膜磁気ヘッドを完成させる。

〔発明の効果〕

以上のようＫ、この発明によれば、薄膜磁気ヘッドの上
、下磁極のトラック幅をそわぞれ所定の寸法よりも大き
な寸法で形成しておき、コイルやその上の層間絶縁膜が
エツチングで損傷を受けないようにマスクで保護して、
所定トラック幅以外の上、下磁極および磁極先端周辺部
の層間絶縁膜をイオンビームエツチングによって加工す
るととＫより、ヘッド浮動面のギャップを挾む上、下磁
極のトラック幅寸法が同一となり、また、ヘッド浮動面
近傍の層間絶縁膜が除去され、ヘッド浮動面に層間絶縁
膜が露出しな（なり、さらＫ、上下磁極の端面形状が正
テーパとなる。そのため、クロストーク特性に優れ、か
つ、信頼性の高いものが得られる効果がある。

【図面の簡単な説明】 第１図〜第３図はこの発明の一実施例を説明するための
もので、第１図は磁極製造を示す断面図、第２図は磁極
製造におけるイオンビームエツチングでのレジストマス
クの形状を示す外観図、第３図は薄膜磁気ヘッドの形状
を示す外観図である。 第４図は従来の薄膜磁気ヘッドの要部断面図、第５図は
従来の薄膜磁気ヘッドの形状を示す外観図、第６図は従
来の薄膜磁気ヘッドの形状をヘッド浮動面から見た図で
ある。 （１１−一基板、（２）・・下部磁極、（３）・・ギャ
ップ・・保護膜、（９）・・フォトレジストマスク。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 第１図 （ａ） 兜２図 罵３図 （ｂ） 事件の表示 特願昭６３−２０６３２６号 発明の名称 薄膜磁気ヘッドの製造方法 補正をする者 事件との関係　　特許出願人 住　所　　　　　東京都千代田区丸の内二丁目２番３号
名　称　　（６０１）三菱電機株式会社代表者　志岐守
哉

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 表面に無機絶縁膜を付着した非磁性基板上に、下部磁極
   、ギャップ絶縁膜、第１の層間絶縁膜、コイル、第２の
   層間絶縁膜、上部磁極および保護膜を順次形成する薄膜
   磁気ヘッドの製造方法において、前記上、下磁極のトラ
   ック幅をそれぞれ所定の仕上り寸法よりも大きな寸法で
   形成しておき、ヘッド浮動面に近い前記層間絶縁膜を含
   む磁極先端に限つてイオンビームエッチング加工して前
   記所定トラック幅以外の前記上、下磁極部分をイオンビ
   ームエッチングによつて一括に加工して、前記ヘッド浮
   動面に露出する前記ギャップ絶縁膜を挾む前記上、下磁
   極の前記トラック幅を同一にするとともに、前記磁極先
   端周辺部の前記層間絶縁膜を前記ヘッド浮動面位置より
   も後退するまで除去することを特徴とする薄膜磁気ヘッ
   ドの製造方法。