JPS60173737A - 光学デイスク用スタンパ−の製造方法 - Google Patents
光学デイスク用スタンパ−の製造方法Info
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- JPS60173737A JPS60173737A JP2073284A JP2073284A JPS60173737A JP S60173737 A JPS60173737 A JP S60173737A JP 2073284 A JP2073284 A JP 2073284A JP 2073284 A JP2073284 A JP 2073284A JP S60173737 A JPS60173737 A JP S60173737A
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- photoresist
- stamper
- glass substrate
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B7/261—Preparing a master, e.g. exposing photoresist, electroforming
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は１光学デイスク用スタンバーの製造方法に関し
、詳細にはガラス基゛・板面に形成したＡｌ 、 Ｃｒ
ｌ Ｆｅ 、 Ｇｅ 、 Ｍｏ 、 Ｎｂ ｌ Ｓｂ
、 Ｓｅ ｌ Ｓｔ ｌ Ｓｍ Ｉ Ｔａ ｔＴｅ、
Ｔｉ、Ｖ、Ｗの元素及びこれら元素の酸化物。
、詳細にはガラス基゛・板面に形成したＡｌ 、 Ｃｒ
ｌ Ｆｅ 、 Ｇｅ 、 Ｍｏ 、 Ｎｂ ｌ Ｓｂ
、 Ｓｅ ｌ Ｓｔ ｌ Ｓｍ Ｉ Ｔａ ｔＴｅ、
Ｔｉ、Ｖ、Ｗの元素及びこれら元素の酸化物。
窒化物、ハロゲン化物から成る薄膜上へのトラツキング
サーボ用プレグルーブｔ−［接形成することによるスタ
ンパ−の製造方法及びこのプレグルーブ付薄膜形成ガラ
ス基板を原盤として用′いた電鋳法によるＮｉスタンパ
−の製造方法に関するものである。
サーボ用プレグルーブｔ−［接形成することによるスタ
ンパ−の製造方法及びこのプレグルーブ付薄膜形成ガラ
ス基板を原盤として用′いた電鋳法によるＮｉスタンパ
−の製造方法に関するものである。
第１図に示すように透明ディスク基板ｌの片面に元エネ
ルギーによって変化可能なＴｅ系等の蒸着膜からなる情
報記録層３′ｆ、形成し、その露出側にＡｌ咎の金属被
核層４及びその上に保護層５１に形成してディスク面側
からレーザー光線を照射し、情報を再生するタイプの情
報・記録再生用ディスクとしてビデオディスクやオーデ
ィオディスク等が開発され、最近、急速な発展を見せて
いる。この種のディスク材料としては。
ルギーによって変化可能なＴｅ系等の蒸着膜からなる情
報記録層３′ｆ、形成し、その露出側にＡｌ咎の金属被
核層４及びその上に保護層５１に形成してディスク面側
からレーザー光線を照射し、情報を再生するタイプの情
報・記録再生用ディスクとしてビデオディスクやオーデ
ィオディスク等が開発され、最近、急速な発展を見せて
いる。この種のディスク材料としては。
ガラス及びポリカーボネート系樹脂、アクリル系樹脂、
硬質塩化ビニル系樹脂、４−メチルペンテン系樹脂等の
透明性プラスチック材料が検討され、このうちポリカー
ボネート系樹脂、アクリル系樹脂については一部で実用
化が進められている。
硬質塩化ビニル系樹脂、４−メチルペンテン系樹脂等の
透明性プラスチック材料が検討され、このうちポリカー
ボネート系樹脂、アクリル系樹脂については一部で実用
化が進められている。
一方、光学ヘッドのトラッキングサーボのため、第１図
に示すように、情報記録層側のディスク基板面に微細な
プレグルーブ２を形成しておく方法が有効とされ採用さ
れてきた。ディスク基板面へのプレグルーブ２の形成は
、従来、第２図忙記す方法によっている。すなわち表面
積置および平面精度の優れたガラス原盤にフォトレジス
トｔ−所定の厚さにスピンコードし、レーザー元＠によ
りプレグルーブを露光′・現像後。
に示すように、情報記録層側のディスク基板面に微細な
プレグルーブ２を形成しておく方法が有効とされ採用さ
れてきた。ディスク基板面へのプレグルーブ２の形成は
、従来、第２図忙記す方法によっている。すなわち表面
積置および平面精度の優れたガラス原盤にフォトレジス
トｔ−所定の厚さにスピンコードし、レーザー元＠によ
りプレグルーブを露光′・現像後。
このプレグルーブ付ガラス原盤から電鋳法によりＮｉス
タンパ−を製造し、このＮｉスタンパ−を母型として、
２ Ｐ （Ｐｈｏｔｏ−ｐｏｌｙｍｅｒ）法、射出成
形法。
タンパ−を製造し、このＮｉスタンパ−を母型として、
２ Ｐ （Ｐｈｏｔｏ−ｐｏｌｙｍｅｒ）法、射出成
形法。
押出し一圧縮成形法等の各種グラスチック成形法により
プラスチックディスク基板面にプレグルーブを転写する
方法である。しかしながら。
プラスチックディスク基板面にプレグルーブを転写する
方法である。しかしながら。
このようなプレグルーブ形成法には下記の欠点が存在し
、将来的に実用性を高めでいくうえで大きな障害となっ
ている。すなわち ｉｌｌ プレグルーブの深さ全決定するうえで重要なフ
ォトレジストの膜厚を正確にコントロールすることが困
難である。。
、将来的に実用性を高めでいくうえで大きな障害となっ
ている。すなわち ｉｌｌ プレグルーブの深さ全決定するうえで重要なフ
ォトレジストの膜厚を正確にコントロールすることが困
難である。。
（２）転写工程が多いため、エラーの原因となる欠陥が
増大する。。
増大する。。
（３）電鋳工程においてＮｉ面に表面欠陥が生じやすく
、また、Ｎｉ面内に発生する応力のためフォトレジスト
面に形成されているプレグルーブ形状がＮｉスタンパ−
面に正確に転写されない。
、また、Ｎｉ面内に発生する応力のためフォトレジスト
面に形成されているプレグルーブ形状がＮｉスタンパ−
面に正確に転写されない。
＋４１ Ｎｌスタンパ−の板厚が０．３ｓ程度と薄いた
め、射出成形法のように圧力のかかるプラスチック成形
法においてスタンパ−にゆがみを生じたり、プラスチッ
ク成形品の平面精度低下１ｋまねく３、 本発明は１光学ディスク用スタンパーの製造方法におけ
るこれらの問題点を解決するため。
め、射出成形法のように圧力のかかるプラスチック成形
法においてスタンパ−にゆがみを生じたり、プラスチッ
ク成形品の平面精度低下１ｋまねく３、 本発明は１光学ディスク用スタンパーの製造方法におけ
るこれらの問題点を解決するため。
ガラス基板面に形成したＡ／ 、 Ｃｒ 、 Ｆｅ 、
Ｇｅ 、 ＭＯ。
Ｇｅ 、 ＭＯ。
Ｎｂ、Ｓｂ、Ｓｅ、Ｓｉ 、、Ｓｍ、Ｔａ、Ｔｅ、Ｔｉ
ｔＶ 、 Ｗの元素及びこれら元素の酸化物、窒化物
、ノ・ロゲン化物から成る薄膜上へのプレグルーブを直
接形成することによるスタンパ−の製造及びこのプレグ
ルーブ付薄膜形成ガラス基板を原盤として用いたＮｉ電
鋳法によるスタンパ−の製造を可能にしたもので、以下
１図面について本発明方法を詳細に説明する。
ｔＶ 、 Ｗの元素及びこれら元素の酸化物、窒化物
、ノ・ロゲン化物から成る薄膜上へのプレグルーブを直
接形成することによるスタンパ−の製造及びこのプレグ
ルーブ付薄膜形成ガラス基板を原盤として用いたＮｉ電
鋳法によるスタンパ−の製造を可能にしたもので、以下
１図面について本発明方法を詳細に説明する。
第３図および第４図は本発明におけるガラス基板を下地
としたＭｓ Ｃｒ ＊ Ｆｅ Ｉ Ｇｅ ＋ ＭＯ＋
Ｎｂ＊Ｓｂ、Ｓｓ、Ｓｉ＋Ｓｍ＋Ｔａ、Ｔｅ、Ｔｉ＋Ｖ
、 Ｗの元素及びこれら元素の酸化物、窒化物、ハロ
ゲン化物から成る薄膜上へのプレグルーブを直接形成す
る方法を示す概略工程図及び各工程における成形体の説
明図であるがＳまず０．０１μｍ程度まで表面研磨され
たガラス基板６の上に加工性の優れた薄膜７をスパッタ
リング等の手法で形成する。ここで薄膜７の厚さは所望
のプレグルーブ深さ以上にしておく必要がある。次いで
、この薄膜７の上にフォトレジスト８を所定の厚さにス
ピンコードする。この際、°・薄膜７とフォトレジスト
８との密着性を高めるため、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジ
シラサザン）やＢＳＡ（ビスアセトアシド）等の７ラン
カツプリング剤を用いることが有効であり、フォトレジ
ストとして−はポジ形レジストの力がエッヂの切れが良
く解像力が優れている。次にフォトレジスト面にレーザ
ー光線により幅１μｍ程朋０同心円又はスパイラル状の
竪元帯９を記録し、現像した後。
としたＭｓ Ｃｒ ＊ Ｆｅ Ｉ Ｇｅ ＋ ＭＯ＋
Ｎｂ＊Ｓｂ、Ｓｓ、Ｓｉ＋Ｓｍ＋Ｔａ、Ｔｅ、Ｔｉ＋Ｖ
、 Ｗの元素及びこれら元素の酸化物、窒化物、ハロ
ゲン化物から成る薄膜上へのプレグルーブを直接形成す
る方法を示す概略工程図及び各工程における成形体の説
明図であるがＳまず０．０１μｍ程度まで表面研磨され
たガラス基板６の上に加工性の優れた薄膜７をスパッタ
リング等の手法で形成する。ここで薄膜７の厚さは所望
のプレグルーブ深さ以上にしておく必要がある。次いで
、この薄膜７の上にフォトレジスト８を所定の厚さにス
ピンコードする。この際、°・薄膜７とフォトレジスト
８との密着性を高めるため、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジ
シラサザン）やＢＳＡ（ビスアセトアシド）等の７ラン
カツプリング剤を用いることが有効であり、フォトレジ
ストとして−はポジ形レジストの力がエッヂの切れが良
く解像力が優れている。次にフォトレジスト面にレーザ
ー光線により幅１μｍ程朋０同心円又はスパイラル状の
竪元帯９を記録し、現像した後。
エンチングにより薄膜７上にプレグルーブ２を形成し、
プレグルーブ付薄膜形成ガラス基板１０を製造すること
ができる。プレグルーブ２の深さはエツチング条件によ
りコントロールされる。
プレグルーブ付薄膜形成ガラス基板１０を製造すること
ができる。プレグルーブ２の深さはエツチング条件によ
りコントロールされる。
エツチングは湿式法及び感式法があるが、ＣＦ４雰囲気
におけるプラズマエツチング法（乾式法）がエンチング
効率やプレグルーブ形状の面で有効である１、この際、
プラズマ−エツチングによりフォトレジストも同時にエ
ツチングされるが。
におけるプラズマエツチング法（乾式法）がエンチング
効率やプレグルーブ形状の面で有効である１、この際、
プラズマ−エツチングによりフォトレジストも同時にエ
ツチングされるが。
第５図に例示するように、 Ｓｔ及びＳｉＯ□のエツチ
ング速度はフォトレジストのそれと比較し。
ング速度はフォトレジストのそれと比較し。
Ｓｉでほぼ２倍相度大きりＳｉＯ□でほは同程度である
ため、フォトレジスト膜厚は少くともプレグルーブ２の
深さが所望値に達つするまで、感光していないフォトレ
ジスト下にある薄膜７面が露出しない程度の値にしてお
けばよく、特にコントロールする必要にない。また、エ
ツチング後の余分なフォトレジストは０□雰囲気におけ
るプラズマアツンングによジ容易に除去することができ
、このアツゾング工程においては薄膜７に対して何らの
影響もない。
ため、フォトレジスト膜厚は少くともプレグルーブ２の
深さが所望値に達つするまで、感光していないフォトレ
ジスト下にある薄膜７面が露出しない程度の値にしてお
けばよく、特にコントロールする必要にない。また、エ
ツチング後の余分なフォトレジストは０□雰囲気におけ
るプラズマアツンングによジ容易に除去することができ
、このアツゾング工程においては薄膜７に対して何らの
影響もない。
第６図および第７図は１以上のようにして製造１．たプ
レグルーブ付薄膜形成ガラス基板１０ケ用いたプラスチ
ック基板面へのプレグルーブ転写工程を示す概略工程１
及び第６図の各工程における成形体の説明図であって、
第６図は（４）０３） ２つの転写工程に分かれている
。工程（４）ではプレグルーブ付薄膜形成ガラス基板１
０を直接スタンパ−として用い、セルキャスト法、２Ｐ
法、躬出成形法、押出し一圧縮成形法等のプラスナック
成形法によりプラスチック基板上にプレグルーブを転写
し、プレゲル゛−シ付７ラステツク基板１１を製造する
ことができる。従って。
レグルーブ付薄膜形成ガラス基板１０ケ用いたプラスチ
ック基板面へのプレグルーブ転写工程を示す概略工程１
及び第６図の各工程における成形体の説明図であって、
第６図は（４）０３） ２つの転写工程に分かれている
。工程（４）ではプレグルーブ付薄膜形成ガラス基板１
０を直接スタンパ−として用い、セルキャスト法、２Ｐ
法、躬出成形法、押出し一圧縮成形法等のプラスナック
成形法によりプラスチック基板上にプレグルーブを転写
し、プレゲル゛−シ付７ラステツク基板１１を製造する
ことができる。従って。
従来のＮ１スタンパ−？用いた転写の場合と比較し、転
写工程がかなり省略できるため、大幅なエラー率の向上
を図ることができる。そのうえ。
写工程がかなり省略できるため、大幅なエラー率の向上
を図ることができる。そのうえ。
プレグルーブ２の深さは主としてエツチング条件に依存
するため、レジスト膜厚を正確にコントロールする必要
がないという利点もある。また、ガラス基板の板厚を任
意に選択できるため。
するため、レジスト膜厚を正確にコントロールする必要
がないという利点もある。また、ガラス基板の板厚を任
意に選択できるため。
圧力のかかるようなプラスチック成形法においてスタン
パ−に割れやゆがみの生じる危険性のある場合には、ス
タンパ−の厚さを大きくとることにより平面精度の優れ
た成形品を得ることができる。工程（（２）ではプレグ
ルーブ付薄膜形成ガラス基板１０を原盤として用い、従
来のＮ ｉ ％：鋳法によりＮｉスタンパ−を作製し、
工程（イ）と同様に、各種プラスチック成形法によシブ
ラスチック基板上にプレグルーブ２を転写する。この場
合には、転写工程が多いためエラー率の向上は期待でき
ないが、従来技術におけるフォトレジスト面に形成され
たプレグルーブ２を電鋳によりＮｉ面に転写する場合と
異な９１強度の大きす薄膜面に形成されたプレグルーブ
２を電鋳ニよ５Ｎｉ面に転写するため、電鋳時において
生じるＮｉ面内応力によりプレグルーブが変形しないと
いう利点がある。
パ−に割れやゆがみの生じる危険性のある場合には、ス
タンパ−の厚さを大きくとることにより平面精度の優れ
た成形品を得ることができる。工程（（２）ではプレグ
ルーブ付薄膜形成ガラス基板１０を原盤として用い、従
来のＮ ｉ ％：鋳法によりＮｉスタンパ−を作製し、
工程（イ）と同様に、各種プラスチック成形法によシブ
ラスチック基板上にプレグルーブ２を転写する。この場
合には、転写工程が多いためエラー率の向上は期待でき
ないが、従来技術におけるフォトレジスト面に形成され
たプレグルーブ２を電鋳によりＮｉ面に転写する場合と
異な９１強度の大きす薄膜面に形成されたプレグルーブ
２を電鋳ニよ５Ｎｉ面に転写するため、電鋳時において
生じるＮｉ面内応力によりプレグルーブが変形しないと
いう利点がある。
次に本発明の実施例を示すが、これらはもとより本発明
を限定するものではない。
を限定するものではない。
し実施例１」
表面研磨されたガラス基板上にＳｉを８００Ａｓ度の厚
ざにスパッタリンブレ、このｓｉ 薄ｉ形成ガラス基板
のＳｉ薄膜面に第３図に示すプロセスに従ってプレグル
ーブ全形成した。３まスＳｌ薄膜面にネガ形レジスト（
東京応化社製０ＦＰＲ８００）と希釈液（東京応化社製
シンナー）との３＝７混合液をスピンコード（１０００
ｒｐｍ、２０秒）し、８００Ａ程度の厚さのレジスト膜
を形成した後プリベーク（９０°Ｃ１３０分）Ｎ７た。
ざにスパッタリンブレ、このｓｉ 薄ｉ形成ガラス基板
のＳｉ薄膜面に第３図に示すプロセスに従ってプレグル
ーブ全形成した。３まスＳｌ薄膜面にネガ形レジスト（
東京応化社製０ＦＰＲ８００）と希釈液（東京応化社製
シンナー）との３＝７混合液をスピンコード（１０００
ｒｐｍ、２０秒）し、８００Ａ程度の厚さのレジスト膜
を形成した後プリベーク（９０°Ｃ１３０分）Ｎ７た。
次いでマニプレータ−（ミカサ社製ＭＡ −ＶｆＪ、
）によりレジスト膜面に幅５μｍ のパターンを露光し
現像した。現像液としては０ＦＰＲ用現°像＃ｉ、＜東
京応化社製ＤＥ−３）ｔ−用い、２倍に希釈したもので
現像時間は１分とした。アフターベーク（１４０℃。
）によりレジスト膜面に幅５μｍ のパターンを露光し
現像した。現像液としては０ＦＰＲ用現°像＃ｉ、＜東
京応化社製ＤＥ−３）ｔ−用い、２倍に希釈したもので
現像時間は１分とした。アフターベーク（１４０℃。
３０分）後１．平行平板型プラズマエツチング装置（日
宙、アネルバ社製ＤＥＭ−４５１）によシＣＦ４雰囲気
においてＳｉ薄膜のエツチング を行い。
宙、アネルバ社製ＤＥＭ−４５１）によシＣＦ４雰囲気
においてＳｉ薄膜のエツチング を行い。
８００Ａの深さヶ持つプレグルーブ全形成したＳｉ薄膜
を持つガラス基板を得た。エツチング条件は第５図から
１００Ｗａｔｔ 、２分とした。Ｓｉ薄膜上の余分なレ
ジストは０２ 雰囲気下におけるプラズマエツチングに
よυ除去した。
を持つガラス基板を得た。エツチング条件は第５図から
１００Ｗａｔｔ 、２分とした。Ｓｉ薄膜上の余分なレ
ジストは０２ 雰囲気下におけるプラズマエツチングに
よυ除去した。
〔実施例２」
表面研磨されたガラス基板上Ｋ ５ｉ０２ｋ ８００Ａ
程度の厚さにスパッタリングし、このＳｌＯ□薄膜形成
ガラス基板のＳｉＯ□ 薄膜面に第３図に示すプロセス
に従ってプレグルーブを形成した。使用したフォトレジ
スト、スピンコード条１’Ｆ、グリベーク条件、パター
ン露光条件、現像条件。
程度の厚さにスパッタリングし、このＳｌＯ□薄膜形成
ガラス基板のＳｉＯ□ 薄膜面に第３図に示すプロセス
に従ってプレグルーブを形成した。使用したフォトレジ
スト、スピンコード条１’Ｆ、グリベーク条件、パター
ン露光条件、現像条件。
アフターベーク条Ｐ！Ｆｈ実施例１と同様である。
ＣＦ４ 雰囲気におけるＳｉＯ２のエツチング条件は第
５図から１００Ｗａｔｔ 、 ４分とし、８００Ａの深
さのプレグルーブ全形成した５ｉ０２薄膜を持つガラス
基板を得た。
５図から１００Ｗａｔｔ 、 ４分とし、８００Ａの深
さのプレグルーブ全形成した５ｉ０２薄膜を持つガラス
基板を得た。
以上１図面に示した実施例とともに説明したように１本
発明はおおむね以上のように構成されているから。
発明はおおむね以上のように構成されているから。
＋ｌ） ガラス基板面に形成したｈｉｔ 、 Ｃｒ 、
Ｆｅ ＋ Ｇｅ 。
Ｆｅ ＋ Ｇｅ 。
Ｍｏ ＋ Ｎｂ ｔ Ｓｂ ＊ Ｓｅ 、 Ｓｔ 、
Ｓｍ 、 Ｔａ 、 Ｔｅ ＋ Ｔｉ ＊ Ｖ ＋Ｗの
元素及びこれら元素の酸化物、窒化物、ハロゲン化物か
ら成る薄膜上にプレグルーブを直接形成できるため、プ
レグルーブ付薄膜形成ガラス基板を直接プレグルーブ転
写用のスタンバ−として使用し、セルキャスト法。
Ｓｍ 、 Ｔａ 、 Ｔｅ ＋ Ｔｉ ＊ Ｖ ＋Ｗの
元素及びこれら元素の酸化物、窒化物、ハロゲン化物か
ら成る薄膜上にプレグルーブを直接形成できるため、プ
レグルーブ付薄膜形成ガラス基板を直接プレグルーブ転
写用のスタンバ−として使用し、セルキャスト法。
２Ｐ法、射出成形法、押出し一圧縮成形法等のプラスチ
ック成形法によりプラスチック基板上にプレグルーブを
転写でき、また、従来のＮｉスタンバ−の場合と比較１
転写工程が少いため、大幅なエラー率の向上が図れる。
ック成形法によりプラスチック基板上にプレグルーブを
転写でき、また、従来のＮｉスタンバ−の場合と比較１
転写工程が少いため、大幅なエラー率の向上が図れる。
（２）薄膜上のプレグルーブ深さは主としてエツチング
条件のみに依存するため、従来のＮ１電鋳用ガラス原盤
上における°・よりにフォトレジスト膜厚を正確にコン
トロールする必要性がない。
条件のみに依存するため、従来のＮ１電鋳用ガラス原盤
上における°・よりにフォトレジスト膜厚を正確にコン
トロールする必要性がない。
（３） ガラス卆板の板厚を任意に選択できるため。
剛性のある平面精度の優れたスタンバ−を使用すること
ができ、圧力のかかるようなプラスチック成形法におい
てスタンバ−に割れやゆがみを生じたり、転写後のグラ
スチック成形品の平面精度が低下しタリすることがない
。
ができ、圧力のかかるようなプラスチック成形法におい
てスタンバ−に割れやゆがみを生じたり、転写後のグラ
スチック成形品の平面精度が低下しタリすることがない
。
（４） プレグルーブ付薄膜形成ガラス基板を電鋳用の
原盤として用いることにより、従来、電鋳工程において
問題となっていたプレグルーブ形状に及ぼすＮｉ面内応
力の影響を小さくおさえることができる。 “
原盤として用いることにより、従来、電鋳工程において
問題となっていたプレグルーブ形状に及ぼすＮｉ面内応
力の影響を小さくおさえることができる。 “
第１図は丸字ディスクの断面図、第２図は従来法による
プレグルーブ付プラスチック基板の製造法を示す工程図
、第３図はガラス基板面に形成された簿膜上へのプレグ
ルーブ形成法を例示する概略工程図、第４図は第３図の
各工程における成形体の説明図、第５図はＳｌ及び５ｉ
ｏ２とフォトレジストのプラズマエツチング特性を示す
グラフ、第６図はプレグルーブ付薄膜形成ガラス基板を
用いたプラスチック基板面へのプレグルーブ転写法を例
示する概略工程図、第７図は第６図の各工程における成
形体の説明図である。 図面中。 １は透明ディスク基板。 ２はプレグルーブ。 ３は情報記録層。 ４は金属被覆層。 ５は保護層。 ６はガラス基板。 ７は薄＃。 ８はフォトレジスト。 ９は感光帯。 １０はプレグルーブ付薄膜形成ガラス基板。 １１はプレグルーブ付プラスチック基板。 特許出願人 日本電信電話公社 代理人 弁理士 光 石 士 部（他１名） 第３図 第４図 第５図 エツチング時間（ｍｉｎ） 第６図 第７図 （ｄ） （ｅ）
プレグルーブ付プラスチック基板の製造法を示す工程図
、第３図はガラス基板面に形成された簿膜上へのプレグ
ルーブ形成法を例示する概略工程図、第４図は第３図の
各工程における成形体の説明図、第５図はＳｌ及び５ｉ
ｏ２とフォトレジストのプラズマエツチング特性を示す
グラフ、第６図はプレグルーブ付薄膜形成ガラス基板を
用いたプラスチック基板面へのプレグルーブ転写法を例
示する概略工程図、第７図は第６図の各工程における成
形体の説明図である。 図面中。 １は透明ディスク基板。 ２はプレグルーブ。 ３は情報記録層。 ４は金属被覆層。 ５は保護層。 ６はガラス基板。 ７は薄＃。 ８はフォトレジスト。 ９は感光帯。 １０はプレグルーブ付薄膜形成ガラス基板。 １１はプレグルーブ付プラスチック基板。 特許出願人 日本電信電話公社 代理人 弁理士 光 石 士 部（他１名） 第３図 第４図 第５図 エツチング時間（ｍｉｎ） 第６図 第７図 （ｄ） （ｅ）
Claims (2)
- （１） 元情報記録用光学ディスクにおける平面性およ
び表面精度の優れたガラス基板の片面にｈｌ、 ｃｒ
＊ Ｆｅ 、 Ｇｅ 、 ＭＯ、Ｎｂ 、ｓｂ 、 ３
ｅ ｌ Ｓｔ Ｉ Ｓｍ 。 ’ｌ’ａ、’ｌ’ｅ、Ｔｉ 、Ｖ 、 ｗの元素及びこ
れら元素の酸化物、窒化物、ハロゲン化物から成る薄膜
をスパッタリング等の手法で形成するとともに、この薄
膜露出側にフオトレジスＩｆスピンコードしレーザー光
線で前記フォトレジスト面を露光・現像した後プラズマ
エツチング等の手法で前記薄膜面にトラッキングサーボ
用の微細なプレグルーブを形成する一力、このプレグル
ーブ付薄膜形成ガラス基板を直接。 プラスチック基板面へのプレグルーブ転写用スタンパ−
として用いることを特徴とする光学ティスフ用スタンパ
−の製造方法。 - （２） Ｋ情報記録用光学ディスクにおける平面性およ
び表面精度の優れたガラス基板の片面にＡ６．Ｃｒ、Ｆ
ｅ 、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｓｂ、Ｓｅ、Ｓｉ 、Ｓｍ。 Ｔａ、’ｌ’ｅ、Ｔｉ 、Ｖ 、 Ｗ＋７）元素及びこ
れらの元素の酸化物、窒化物、ハロゲン化物から成る薄
膜をスパッタリング等の手法で形成するとともに、この
薄膜露出側にフォトレジストミスピンコードしレーザー
光線で前記フォトレジスト面を露光・現像した後プラズ
マエツチング等の手法で前記薄膜面にトラッキングサー
ボ用の微細なプレグルーブを形成する一力。 このプレグルーブ付薄膜形成ガラス基板を電鋳用原盤と
して用い、Ｎｉスタンパ−を製造することを特徴とする
光学ディスク用スタンパ−の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2073284A JPS60173737A (ja) | 1984-02-09 | 1984-02-09 | 光学デイスク用スタンパ−の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2073284A JPS60173737A (ja) | 1984-02-09 | 1984-02-09 | 光学デイスク用スタンパ−の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60173737A true JPS60173737A (ja) | 1985-09-07 |
Family
ID=12035354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2073284A Pending JPS60173737A (ja) | 1984-02-09 | 1984-02-09 | 光学デイスク用スタンパ−の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60173737A (ja) |
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1984
- 1984-02-09 JP JP2073284A patent/JPS60173737A/ja active Pending
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