JPS60173736A - 光学デイスク用スタンパの製造方法 - Google Patents
光学デイスク用スタンパの製造方法Info
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- JPS60173736A JPS60173736A JP1844584A JP1844584A JPS60173736A JP S60173736 A JPS60173736 A JP S60173736A JP 1844584 A JP1844584 A JP 1844584A JP 1844584 A JP1844584 A JP 1844584A JP S60173736 A JPS60173736 A JP S60173736A
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B7/261—Preparing a master, e.g. exposing photoresist, electroforming
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光学ディスク用スタンパの製造方法に関し、
詳細にはＡ／ 、 Ｃｒ 、 Ｆｅ 、 Ｇｅ 、 Ｍ
ｏ 、 Ｎｂ 。
詳細にはＡ／ 、 Ｃｒ 、 Ｆｅ 、 Ｇｅ 、 Ｍ
ｏ 、 Ｎｂ 。
Ｓｂ、Ｓｅ、Ｓｔ、Ｓｍ、Ｔａ、Ｔｅ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ
およびこれら元素の酸化物、窒化物、ハロゲン化物から
成る基板面へのプレグルーブを直接形成することによる
スタンバの製造方法及びこのプレグルーブ付基板を電鋳
用原盤として用いたＮｉスタンバの製造方法に関するも
のである。
およびこれら元素の酸化物、窒化物、ハロゲン化物から
成る基板面へのプレグルーブを直接形成することによる
スタンバの製造方法及びこのプレグルーブ付基板を電鋳
用原盤として用いたＮｉスタンバの製造方法に関するも
のである。
第１図に示すように透明ディスク基板ｌの片面に光エネ
ルギーによって変化可能なＴｅ系等の蒸着膜からなる情
報記録層３を形成し、その露出側にＭ等の金属被覆層４
及びその上に保護層５を形成してディスク面側からレー
ザー光線を照射し、情報を再生するタイプの情報記録再
生用ディスクとしてビデオディスクやオーディオディス
ク等が開発され、最近、急速な発展を見せている。この
種のディスク材料としては、ガラス及びポリカーボネー
ト系樹脂、アクリル系樹脂、硬質塩化ビニル系樹脂、４
−メチルペンテン系樹脂等の透明性プラスチック材料が
検討さね、このうちポリカーボネート系樹脂、アクリル
系樹脂については一部で実用化が進めら社ている。
ルギーによって変化可能なＴｅ系等の蒸着膜からなる情
報記録層３を形成し、その露出側にＭ等の金属被覆層４
及びその上に保護層５を形成してディスク面側からレー
ザー光線を照射し、情報を再生するタイプの情報記録再
生用ディスクとしてビデオディスクやオーディオディス
ク等が開発され、最近、急速な発展を見せている。この
種のディスク材料としては、ガラス及びポリカーボネー
ト系樹脂、アクリル系樹脂、硬質塩化ビニル系樹脂、４
−メチルペンテン系樹脂等の透明性プラスチック材料が
検討さね、このうちポリカーボネート系樹脂、アクリル
系樹脂については一部で実用化が進めら社ている。
一方、光学ヘッドのトラッキングサーブのため、第１図
に示すように情報記録層３側のディスク基板面ｌに微細
なプレグルーブ２を形成しておく方法が有効とされ採用
されてきた。ディスク基板面ｌへのプレグルーブ２の形
成は、従来、第２図に示すように、表面精度および平面
精度の優れたガラス原盤にフォトレジストを所定の厚さ
にスピンコードし、レーザー光線によりプレグルーブを
露光現像後、このプレグルーブ付ガラス原盤から電鋳法
によシＮｉスタンバを製造し、このＮｉスタンパを母型
として２Ｐ（Ｐｈｏｔｏ −Ｐｏｌｙｍｅｒ ）法、射
出成形法、押出し一圧縮成形法等の各種プラスチック成
形法によシブラスチック基板面にプレグルーブを転写す
る方法でおる。しかしながら、このようなプレグルーブ
形成法には以下に示すような欠点が存在し、将来的に実
用性を高めていくうえで大きな障害となっている。すな
わち （１） プレグルーブの深さを決定するうえで重要なフ
ォトレジストの膜厚を正確にコントロールすることが困
難である。
に示すように情報記録層３側のディスク基板面ｌに微細
なプレグルーブ２を形成しておく方法が有効とされ採用
されてきた。ディスク基板面ｌへのプレグルーブ２の形
成は、従来、第２図に示すように、表面精度および平面
精度の優れたガラス原盤にフォトレジストを所定の厚さ
にスピンコードし、レーザー光線によりプレグルーブを
露光現像後、このプレグルーブ付ガラス原盤から電鋳法
によシＮｉスタンバを製造し、このＮｉスタンパを母型
として２Ｐ（Ｐｈｏｔｏ −Ｐｏｌｙｍｅｒ ）法、射
出成形法、押出し一圧縮成形法等の各種プラスチック成
形法によシブラスチック基板面にプレグルーブを転写す
る方法でおる。しかしながら、このようなプレグルーブ
形成法には以下に示すような欠点が存在し、将来的に実
用性を高めていくうえで大きな障害となっている。すな
わち （１） プレグルーブの深さを決定するうえで重要なフ
ォトレジストの膜厚を正確にコントロールすることが困
難である。
（２）転写工程が多いため、エラーの原因となる欠陥が
増大する。
増大する。
（３）電鋳工程においてＮ１面に表面欠陥が生じやすく
、また、Ｎ１面内に発生する応力のため７オ）Ｌ／シス
ト面に形成されているプレグルーブ形状がＮｉスタンパ
面に正確に転写されない。
、また、Ｎ１面内に発生する応力のため７オ）Ｌ／シス
ト面に形成されているプレグルーブ形状がＮｉスタンパ
面に正確に転写されない。
（４） Ｎｉスタンパの板厚が０．３朋程度と薄いため
、射出成形法のように圧力のかかるプラスチック成形法
においてスタンパにゆがみを生じたり、プラスチック成
形品の平面精度低下をまねく。
、射出成形法のように圧力のかかるプラスチック成形法
においてスタンパにゆがみを生じたり、プラスチック成
形品の平面精度低下をまねく。
本発明は、光学ディスク用スタンパの製造方法における
前記問題点を解決するため、平面性および表面精度の優
れたＡＩ 、 Ｃｒ 、 Ｆｅ 、 Ｇｅ 、 Ｍｏ
。
前記問題点を解決するため、平面性および表面精度の優
れたＡＩ 、 Ｃｒ 、 Ｆｅ 、 Ｇｅ 、 Ｍｏ
。
Ｎｂ＋Ｓｂ＋Ｓｅ、Ｓｉ、Ｓｍ、Ｔａ、Ｔｅ、Ｔｉ 、
Ｖ、Ｗ及びこれら元素の酸化物、窒化物、ハロゲン化物
から成る基板面へのプレグルーブを直接形成することに
よるスタンパの製造法及びプレグルーブ付基板を電鋳用
原盤として用いてＮｉスタンパの製造を可能にしたもの
で、以下、図面について詳細に説明する。
Ｖ、Ｗ及びこれら元素の酸化物、窒化物、ハロゲン化物
から成る基板面へのプレグルーブを直接形成することに
よるスタンパの製造法及びプレグルーブ付基板を電鋳用
原盤として用いてＮｉスタンパの製造を可能にしたもの
で、以下、図面について詳細に説明する。
第３図および第４図は本発明におけるＭ。
Ｃｒ 、 Ｆｅ 、 Ｇｅ 、 Ｍｏ 、 Ｎｂ 、
Ｓｂ 、 Ｓｅ 、 Ｓｔ 、 Ｓｍ 、 Ｔａ 。
Ｓｂ 、 Ｓｅ 、 Ｓｔ 、 Ｓｍ 、 Ｔａ 。
Ｔｅ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ及びこれら元素の酸化物、窒化物、
ハロゲン化物から成る基板面へのプレグルーブを直接形
成する方法を示すものであるが、まず０．Ｏ１μｍ程度
まで表面研磨した基板６上にノオトレジストアを所定の
厚さにスピンコードする。この際、基板６と７オトレジ
スト７との密着性を高めるため、ＨＭＤＳ（ヘキサメチ
ルジシラサザン）やＢＳＡ（ビスアセトアシド）等のシ
ランカップリング剤を用いることが有効であり、フォト
レジストとしてはポジ形レジストの方がエッヂの切れが
良く解像力が優ねている。
ハロゲン化物から成る基板面へのプレグルーブを直接形
成する方法を示すものであるが、まず０．Ｏ１μｍ程度
まで表面研磨した基板６上にノオトレジストアを所定の
厚さにスピンコードする。この際、基板６と７オトレジ
スト７との密着性を高めるため、ＨＭＤＳ（ヘキサメチ
ルジシラサザン）やＢＳＡ（ビスアセトアシド）等のシ
ランカップリング剤を用いることが有効であり、フォト
レジストとしてはポジ形レジストの方がエッヂの切れが
良く解像力が優ねている。
次にフォトレジスト面にＡｒ等のレーザー光線によシ幅
１μｍ程度の同心円又はスパイラル状の感光帯８を露光
し現像した後、エツチングにより基板６上にプレグルー
ブ２を形成し、プレグルーブ付基板９を製造することが
できる。また、プレグルーブ２の深さはエツチングの条
件によシコントロールされる。エツチングは湿式法及び
乾式法があるが、ＣＦ４雰囲気にふ；けるプラズマエツ
チング法（乾式法）がエツチング効率やプレグルーブ形
状の面で有効である。この際、プラズマエラ、チンダに
より７オトレジストも同時にエツチングされるが、第５
図に例示するようにＳｉ及びＳｉｎ、のエツチング速度
はフォトレジストのそれと比較しＳｔでほぼ２倍程度大
きくＳｉｎ、でほぼ同程度であるため、フォトレジスト
膜厚は少くともプレグルーブの深さが所望値に達するま
で未感光のフォトレジスト下にある基板面が露出しない
程度の値にしておけばよく、特にコントロールする必要
はない。また、エツチング後の余分なフォトレジストは
０．雰囲気におけるプラズマアッシングにより容易に除
去することができ、このアクシング工程においては基板
に対して何らの影響もない。
１μｍ程度の同心円又はスパイラル状の感光帯８を露光
し現像した後、エツチングにより基板６上にプレグルー
ブ２を形成し、プレグルーブ付基板９を製造することが
できる。また、プレグルーブ２の深さはエツチングの条
件によシコントロールされる。エツチングは湿式法及び
乾式法があるが、ＣＦ４雰囲気にふ；けるプラズマエツ
チング法（乾式法）がエツチング効率やプレグルーブ形
状の面で有効である。この際、プラズマエラ、チンダに
より７オトレジストも同時にエツチングされるが、第５
図に例示するようにＳｉ及びＳｉｎ、のエツチング速度
はフォトレジストのそれと比較しＳｔでほぼ２倍程度大
きくＳｉｎ、でほぼ同程度であるため、フォトレジスト
膜厚は少くともプレグルーブの深さが所望値に達するま
で未感光のフォトレジスト下にある基板面が露出しない
程度の値にしておけばよく、特にコントロールする必要
はない。また、エツチング後の余分なフォトレジストは
０．雰囲気におけるプラズマアッシングにより容易に除
去することができ、このアクシング工程においては基板
に対して何らの影響もない。
第６図および第７図は以上のようにして製造したプレグ
ルーブ付基板を用いたプラスチック基板面へのプレグル
ーブ転写工程及び各工程における成形体を説明するもの
であるが、転写工程は（４）、 ＣＢ） ２つに分かれ
ている。工程（４）ではプレグルーブ付基板９を直接ス
タンバとして用い。
ルーブ付基板を用いたプラスチック基板面へのプレグル
ーブ転写工程及び各工程における成形体を説明するもの
であるが、転写工程は（４）、 ＣＢ） ２つに分かれ
ている。工程（４）ではプレグルーブ付基板９を直接ス
タンバとして用い。
セルキャスト法、２Ｐ法、射出成形法、押出し−圧縮成
形法等のプラスチック成形法によシブラスチック基板上
にプレグルーブを転写し、プレグルーブ付プラスチック
基板ｌＯを製造することができる。従って、従来のＮｉ
スタンノくを用いた転写の場合と比較し、転写工程がか
なシ省略できるため大幅なエラー率の向上を図ることが
できる。そのうえ、プレグルーブの深さは主としてエツ
チング条件に依存するため、レジスト膜厚を正確にコン
トロールする必要がないという利点もある。ｉた、基板
の板厚を任意に選択できるため、圧力のかかるようなプ
ラスチック成形法においてスタンバに割れやゆがみの生
じる危険性のある場合にはスタンパの厚さを大きくとる
ことによシ平面精度の優れた成形品を得ることができる
。工程の）ではプレグルーブ付基板を原盤として用い、
従来のＮＬ電鋳法によシＮｉスタンパを製造し、工程（
４）と同様に各種のプラスチック成形法によりグラス゛
・チタク基板上にプレグルーブを転写する。この場合に
は転写工程が多いためエラー率の向上は期待できないが
、従来技術に砕けるフォトレジスト面に形成されたプレ
グルーブを電鋳によシＮ１面に転写する場合と異なシ、
強度の大きな基板面に形成されたプレグルーブを電鋳に
よ９８１面に転写するため、電鋳時において生じるＮｉ
面内応力によｐプレグルーブが変形しないという利点が
ある。
形法等のプラスチック成形法によシブラスチック基板上
にプレグルーブを転写し、プレグルーブ付プラスチック
基板ｌＯを製造することができる。従って、従来のＮｉ
スタンノくを用いた転写の場合と比較し、転写工程がか
なシ省略できるため大幅なエラー率の向上を図ることが
できる。そのうえ、プレグルーブの深さは主としてエツ
チング条件に依存するため、レジスト膜厚を正確にコン
トロールする必要がないという利点もある。ｉた、基板
の板厚を任意に選択できるため、圧力のかかるようなプ
ラスチック成形法においてスタンバに割れやゆがみの生
じる危険性のある場合にはスタンパの厚さを大きくとる
ことによシ平面精度の優れた成形品を得ることができる
。工程の）ではプレグルーブ付基板を原盤として用い、
従来のＮＬ電鋳法によシＮｉスタンパを製造し、工程（
４）と同様に各種のプラスチック成形法によりグラス゛
・チタク基板上にプレグルーブを転写する。この場合に
は転写工程が多いためエラー率の向上は期待できないが
、従来技術に砕けるフォトレジスト面に形成されたプレ
グルーブを電鋳によシＮ１面に転写する場合と異なシ、
強度の大きな基板面に形成されたプレグルーブを電鋳に
よ９８１面に転写するため、電鋳時において生じるＮｉ
面内応力によｐプレグルーブが変形しないという利点が
ある。
次に本発明による実施例を示すが、下記はもとよシ本発
明を限定するものではない。
明を限定するものではない。
〔実施例１〕
表面研磨されたＳｉＯ□基板面に第３図に示すプロセス
に従ってプレグルーブを形成した。まずＳｉｎ、基板面
にネガ形フォトレジスト（東京応化社製０ＦＰＲ８００
）と希釈液（東京応化社製シンナー８００）との３ニア
混合液をスピンコード（１０００ｒｐｍ 、 ２０秒）
し、８００人程夏の厚さの７オトンジスト膜を形成した
後、プリベーク（９０℃。
に従ってプレグルーブを形成した。まずＳｉｎ、基板面
にネガ形フォトレジスト（東京応化社製０ＦＰＲ８００
）と希釈液（東京応化社製シンナー８００）との３ニア
混合液をスピンコード（１０００ｒｐｍ 、 ２０秒）
し、８００人程夏の厚さの７オトンジスト膜を形成した
後、プリベーク（９０℃。
３０分）シた。次いでマニプレータ（ミカサ社製ＭＡ−
ｖ型）によりフォトレジスト膜面に幅５μｍのパターン
を露光し現像した。現像液としては０ＦＰＲ用現像液（
東京応化社製ＤＥ−３）を用い、２倍に希釈したもので
現像時間は１分とした。アフターベーク（１４℃、３０
分）後、平行平板！ブラズヤエッチング装置（日電アネ
ルハ社製ＤＥＭ−４５１）によジＣＦ４雰囲気において
Ｓｌｙ。
ｖ型）によりフォトレジスト膜面に幅５μｍのパターン
を露光し現像した。現像液としては０ＦＰＲ用現像液（
東京応化社製ＤＥ−３）を用い、２倍に希釈したもので
現像時間は１分とした。アフターベーク（１４℃、３０
分）後、平行平板！ブラズヤエッチング装置（日電アネ
ルハ社製ＤＥＭ−４５１）によジＣＦ４雰囲気において
Ｓｌｙ。
基板のエツチングを行い、５ｏｏＡの深さのプレグルー
ブを形成したＳｉｎ、基板を得た。エツチング条件は第
５図から１００Ｗａｔｔ 、 ４分とした。また、５ｉ
０２基板上の余分なフォトレジストはＯ１雰囲気下にお
けるプラズマエツチングによフ除去したＯ 〔実施例２〕 表面研磨されたＳｔ基板面へ実施例１と同様に第３図に
示すプロセスに従ってプレグルーブを形成した。使用し
たフォトレジスト、スピンコード条件、プリベーク条件
、パターン露光条件。
ブを形成したＳｉｎ、基板を得た。エツチング条件は第
５図から１００Ｗａｔｔ 、 ４分とした。また、５ｉ
０２基板上の余分なフォトレジストはＯ１雰囲気下にお
けるプラズマエツチングによフ除去したＯ 〔実施例２〕 表面研磨されたＳｔ基板面へ実施例１と同様に第３図に
示すプロセスに従ってプレグルーブを形成した。使用し
たフォトレジスト、スピンコード条件、プリベーク条件
、パターン露光条件。
現像条件、アフターベーク条件等は実施例１と同様であ
る。ＣＦ、雰囲気におけるＳｉのエツチング条件は第５
図から１００ Ｗａｔｔ 、 ’２分′とし、８００人
の深さのプレグルーブを形成したＳｔ基板を得た。
る。ＣＦ、雰囲気におけるＳｉのエツチング条件は第５
図から１００ Ｗａｔｔ 、 ’２分′とし、８００人
の深さのプレグルーブを形成したＳｔ基板を得た。
以上、図面に示した実施例にもとすいて説明したように
１１本発明は、 （リ スタンパ材としてのＡｌ 、 Ｃｒ 、 Ｆｅ
、 Ｇｅ 。
１１本発明は、 （リ スタンパ材としてのＡｌ 、 Ｃｒ 、 Ｆｅ
、 Ｇｅ 。
Ｍｏ 、 Ｎｂ 、 Ｓｂ 、 Ｓｅ 、 Ｓｔ 、
Ｓｔｎ 、 Ｔａ 、 Ｔｏ 、 Ｔｉ 、 Ｖ。
Ｓｔｎ 、 Ｔａ 、 Ｔｏ 、 Ｔｉ 、 Ｖ。
Ｗ及びこれら元素の酸化物、窒化物、ハロゲン化物から
成る基板面にプレグルーブを直接形成できるため、この
プレグルーブ付基板を直接プレグルーブ転写用のスタン
パとして使用し、セルキャスト法、２Ｐ法、射出成形法
、押出し一圧縮成形法等のプラスチック成形法によりプ
ラスチック基板上にプレグルーブを転写でき、また、従
来のＮ１スタンパの場合と比較し転写工程が少いため、
大幅なエラー率の向上が図れる。
成る基板面にプレグルーブを直接形成できるため、この
プレグルーブ付基板を直接プレグルーブ転写用のスタン
パとして使用し、セルキャスト法、２Ｐ法、射出成形法
、押出し一圧縮成形法等のプラスチック成形法によりプ
ラスチック基板上にプレグルーブを転写でき、また、従
来のＮ１スタンパの場合と比較し転写工程が少いため、
大幅なエラー率の向上が図れる。
（２）基板上のプレグルーブの深さは主としてエツチン
グ条件のみに依存するため、従来のＮｉ電鋳用ガラス原
盤上におけるように７オトレジスト膜厚を正確にコント
ロールする必要性がない。
グ条件のみに依存するため、従来のＮｉ電鋳用ガラス原
盤上におけるように７オトレジスト膜厚を正確にコント
ロールする必要性がない。
（３）基板の板厚を任意に選択できるため、剛性のある
平面精度の優れたスタンパを使用することができ、圧力
のかかるようなプラスチック成形法においてスタンパに
割損やゆがみを生じたり、転写後のプラスチック成形品
の平面精度が低下したシすることがない。
平面精度の優れたスタンパを使用することができ、圧力
のかかるようなプラスチック成形法においてスタンパに
割損やゆがみを生じたり、転写後のプラスチック成形品
の平面精度が低下したシすることがない。
（４） プレグルーブ付基板を電鋳用の原盤として用い
ることによシ、従来、電鋳工程において問題となってい
たプレグルーブＪｌに及ぼすＮｉ面内応力の影響を小さ
くおさえることができる。
ることによシ、従来、電鋳工程において問題となってい
たプレグルーブＪｌに及ぼすＮｉ面内応力の影響を小さ
くおさえることができる。
第１図は光学ディスクの断面図、第２図は従来法による
プレグルーブ付プラスチック基板の製造法を示す工程図
、第３図は基板面へのプレグルーブ形成法を例示する概
略工程図、第４図は第３図の各工程における成形体の説
明図、第５図はｓｔｏｗおよびＳｔと７オトレジストの
プラズマエツチングの特性を示すグ°・ララ、第６図は
プレグルーブ付基板を用いたプラスチック基板面へのプ
レグルーブ転写法を例示する概略工程図、第７図は第６
図の各工程における成形体の説明図である。 ｌは透明ディスク基板、 ２はプレグルーブ、 ３は情報記録層、 ４は金属被覆層、 ５は保護層、 ６は基板、 ７はフォトレジスト。 ８は感光帯、 ９はプレグルーブ付基板、 ｌＯはプレグルーブ付プラスチック基板である。′ 特許出願人 日本電信電話公社 代理人 弁理士 光 石 士 部 （他１名） 第５図 エツチング時間（ｍｉｎ） 第６図 第７図 （（１） （ｄ） （ｅ） 、、Ｃｆ１ ＤＺタ×ト１゜
プレグルーブ付プラスチック基板の製造法を示す工程図
、第３図は基板面へのプレグルーブ形成法を例示する概
略工程図、第４図は第３図の各工程における成形体の説
明図、第５図はｓｔｏｗおよびＳｔと７オトレジストの
プラズマエツチングの特性を示すグ°・ララ、第６図は
プレグルーブ付基板を用いたプラスチック基板面へのプ
レグルーブ転写法を例示する概略工程図、第７図は第６
図の各工程における成形体の説明図である。 ｌは透明ディスク基板、 ２はプレグルーブ、 ３は情報記録層、 ４は金属被覆層、 ５は保護層、 ６は基板、 ７はフォトレジスト。 ８は感光帯、 ９はプレグルーブ付基板、 ｌＯはプレグルーブ付プラスチック基板である。′ 特許出願人 日本電信電話公社 代理人 弁理士 光 石 士 部 （他１名） 第５図 エツチング時間（ｍｉｎ） 第６図 第７図 （（１） （ｄ） （ｅ） 、、Ｃｆ１ ＤＺタ×ト１゜
Claims (2)
- （１）光情報記録用光学ディスクのＡ／ 、 Ｃｒ 、
Ｆｅ 。 Ｇｅ 、 Ｍｏ 、 Ｎｂ 、 Ｓｂ 、 Ｓｅ 、
Ｓｔ 、 Ｓｍ 、 Ｔａ 、 Ｔｅ 、 Ｔｉ 。 ｖ、Ｗおよびこれら元素の酸化物、窒化物、ハロゲン化
物から成る基板の片面にフォトレジストをスピンコード
するとともに、このフォトレジスト面にトラッキングサ
ーヴ用のプレグルーブをレーザー光線で露光現像後、プ
ラズマエツチング等の手法で前記基板面にプレグルーブ
を形成する一方、このプレグルーブ付基板を直接、プラ
スチック基板面へのプレグルーブ転写用スタンバとして
用いることを特徴とする光学ディスク用スタンバの製造
方法。 - （２）光情報記録用光学ディスクのＡＩ！ 、 Ｃｒ
、 Ｆｅ 。 Ｇｅ 、 Ｍｏ 、 Ｎｂ 、 Ｓｂ 、 Ｓｅ 、
Ｓｉ 、 Ｓｍ 、 Ｔａ 、 Ｔｅ 、 Ｔｉ 。 Ｖ、Ｗおよびこれら元素の酸化物、窒化物、ハロゲン化
物から成る基板の片面にフォトレジストをスピンコード
するとともに、このフォトレジスト面にトラッキングサ
ーゲ用のプレグルーブをレーザー光線で露光現像後、プ
ラズマエツチング等の手法で前記基板面にプレグルーブ
を形成する一方、このプレグルーブ付基盤を原盤として
用い電鋳法によりニッケルスタンバを製造することを特
徴とする光学ディスク用スタンバの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1844584A JPS60173736A (ja) | 1984-02-06 | 1984-02-06 | 光学デイスク用スタンパの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1844584A JPS60173736A (ja) | 1984-02-06 | 1984-02-06 | 光学デイスク用スタンパの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60173736A true JPS60173736A (ja) | 1985-09-07 |
Family
ID=11971825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1844584A Pending JPS60173736A (ja) | 1984-02-06 | 1984-02-06 | 光学デイスク用スタンパの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60173736A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62130288A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-12 | Showa Alum Corp | 光デイスク用アルミニウム基板の製造方法 |
| JPS62130290A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-12 | Showa Alum Corp | 光デイスク用アルミニウム原盤の製造方法 |
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