JPH02204023A - 光学式ディスク用スタンパー及びその製造方法 - Google Patents
光学式ディスク用スタンパー及びその製造方法Info
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- JPH02204023A JPH02204023A JP2495189A JP2495189A JPH02204023A JP H02204023 A JPH02204023 A JP H02204023A JP 2495189 A JP2495189 A JP 2495189A JP 2495189 A JP2495189 A JP 2495189A JP H02204023 A JPH02204023 A JP H02204023A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分計
本発明は、光学式ディスク用スタンパ−及びその製造方
法に関し、光学式ビデオディスク、コンパクトディスク
、DRAWディスク、EDRAWディスク等の製造に適
用できるものである。
法に関し、光学式ビデオディスク、コンパクトディスク
、DRAWディスク、EDRAWディスク等の製造に適
用できるものである。
(ロ)従来の技術
現在使用されている光学式ディスクのスタンパ−はNi
製スタンパ−であり、次のようにして製造されている。
製スタンパ−であり、次のようにして製造されている。
第3図に示すように、ガラス原盤1の表面にポジ型フォ
トレジスト2を塗布する第1工程と、フォトレジスト塗
膜2に情報信号に応じたレーザ光を照射し、その感光部
を現像により取り除く第2工程と、第2工程で残存する
フォトレジスト塗膜2の表面及びガラス原盤】の露出部
にfill!3をスパッタリングにより形成する第31
程と、銀膜3上にN1メツキによりNi層4を形成する
第4工程と、Ni層4を剥離する第5工程とからなる。
トレジスト2を塗布する第1工程と、フォトレジスト塗
膜2に情報信号に応じたレーザ光を照射し、その感光部
を現像により取り除く第2工程と、第2工程で残存する
フォトレジスト塗膜2の表面及びガラス原盤】の露出部
にfill!3をスパッタリングにより形成する第31
程と、銀膜3上にN1メツキによりNi層4を形成する
第4工程と、Ni層4を剥離する第5工程とからなる。
このNi層4がスタンパーとなるものであるが、このス
タンパーの製造には、特に第、4]L程で7〜8時間要
し、長時間が必要となる欠点がある。一方、最近では光
学式ディスクの少量多棲種生産の要望が強くなっており
、この製造時間の短縮化の間組ヲ解決すべく、プラスチ
ック製スタンパーが考えられている(“光デイスク作製
用透明プラスチックスタンパ”宮村他、第48回応用物
理学術講演会18a−Zp−6,62年No月参照)。
タンパーの製造には、特に第、4]L程で7〜8時間要
し、長時間が必要となる欠点がある。一方、最近では光
学式ディスクの少量多棲種生産の要望が強くなっており
、この製造時間の短縮化の間組ヲ解決すべく、プラスチ
ック製スタンパーが考えられている(“光デイスク作製
用透明プラスチックスタンパ”宮村他、第48回応用物
理学術講演会18a−Zp−6,62年No月参照)。
これは、第3図の第2工程(レーザカッティング、現@
)までは、前述の従来例と同じであるが、その後の工程
においては、7オトボリマー法(2P法)によりスタン
パーを製造するものである。このスタンパーの製造にお
いては、従来のNiメツキ工程を必要としないため、製
造時間が短くなるが、スタンパーの材質がプラスチック
であるため、スタンパーとしての寿命が短い。ずなりち
、プラスチックスタンパ−から2P法を用いてレプリカ
を成形することができる数はせいぜい数Mショットであ
る。現在使用されているNi製スタンパーでは、射出成
形法を用いても、数万ショットの使用ができる。尚、プ
ラスチックスタンパーでは、Ni製スタンパーのように
射出成形1去でレプリカを成FEJtCない。
)までは、前述の従来例と同じであるが、その後の工程
においては、7オトボリマー法(2P法)によりスタン
パーを製造するものである。このスタンパーの製造にお
いては、従来のNiメツキ工程を必要としないため、製
造時間が短くなるが、スタンパーの材質がプラスチック
であるため、スタンパーとしての寿命が短い。ずなりち
、プラスチックスタンパ−から2P法を用いてレプリカ
を成形することができる数はせいぜい数Mショットであ
る。現在使用されているNi製スタンパーでは、射出成
形法を用いても、数万ショットの使用ができる。尚、プ
ラスチックスタンパーでは、Ni製スタンパーのように
射出成形1去でレプリカを成FEJtCない。
また、光学式ピイスク用スタンパーの製造において、石
笈基楡の表面に反応性イオンエツチングを用いて情報信
号ピットを形成するものも提案ξれている(“ドラ・f
エツチングを用いた光デイスク廃盤”加藤他、第48回
応用物理学術講演会、18a−Zp−5,62年]O月
参照)。
笈基楡の表面に反応性イオンエツチングを用いて情報信
号ピットを形成するものも提案ξれている(“ドラ・f
エツチングを用いた光デイスク廃盤”加藤他、第48回
応用物理学術講演会、18a−Zp−5,62年]O月
参照)。
このスタンパーの製造においても、Niメツキ工程が不
要なため、製造時間がNiメツキ工程を必要とする従来
法に比し短くなるが、基板が石英であるため、割れやす
く薄くすることができない欠点がある。
要なため、製造時間がNiメツキ工程を必要とする従来
法に比し短くなるが、基板が石英であるため、割れやす
く薄くすることができない欠点がある。
(ハ)発明が解決しようとする課題
本発明はかかる背景の下に発明されたものにして、Ni
メツキ工程を要することなく形成され、射出成形に耐え
るスタンパー及びその製造方法を提供しようとするもの
である。
メツキ工程を要することなく形成され、射出成形に耐え
るスタンパー及びその製造方法を提供しようとするもの
である。
(ニ)課題を解決するための手段
第1の発明は、金属又はSiの基板上に設けられた5i
Ot、5ijN+又はAlの膜の表面に情報信号ピット
又はプリグルーブが形成されてなる光学式ディスク用ス
タンパーである。
Ot、5ijN+又はAlの膜の表面に情報信号ピット
又はプリグルーブが形成されてなる光学式ディスク用ス
タンパーである。
第2の発明は、Si又はAI!の基板表面に情報信号ピ
ット又はプリグルーブが形成されてなる光学式ディスク
用スタンパーである。
ット又はプリグルーブが形成されてなる光学式ディスク
用スタンパーである。
第3の発明は、Ni基板上にネガ型フォトレジストを塗
布する第1工程と、このフォトレジストに対してレーザ
カッティングと現像を行う第2工程と、第2工程で得ら
れたフォトレジストの残存部をマスクとして、ハロゲン
化炭素の反応ガスを使用して、反応性イオンエツチング
によりNi基板表面に情報信号ピット又はプリグルーブ
を形成する第3工程と、前記残存部を除去する第4工程
と、を具備する光学式ディスク用スタンパーの製造方法
である。
布する第1工程と、このフォトレジストに対してレーザ
カッティングと現像を行う第2工程と、第2工程で得ら
れたフォトレジストの残存部をマスクとして、ハロゲン
化炭素の反応ガスを使用して、反応性イオンエツチング
によりNi基板表面に情報信号ピット又はプリグルーブ
を形成する第3工程と、前記残存部を除去する第4工程
と、を具備する光学式ディスク用スタンパーの製造方法
である。
(ホ)作 用
金属又はSiの基板上のS i(L、 S i !N4
又はAl膜よりなるスタンパーあるいは、Si又はA!
基板よりなるスタンパーは、従来例のような長時間のメ
ツキ工程を必要としないので、製造時間が短いものであ
る。これらのスタンパーはプラスチックスタンパーに比
し長寿命であり、又、石英製スタンパーに比し、割れに
くく薄くすることもできる。従って、Niスタンパーと
同様に射出成形にてレプリカを大量に成形することがで
きる。
又はAl膜よりなるスタンパーあるいは、Si又はA!
基板よりなるスタンパーは、従来例のような長時間のメ
ツキ工程を必要としないので、製造時間が短いものであ
る。これらのスタンパーはプラスチックスタンパーに比
し長寿命であり、又、石英製スタンパーに比し、割れに
くく薄くすることもできる。従って、Niスタンパーと
同様に射出成形にてレプリカを大量に成形することがで
きる。
また、本発明の製造方法は、メツキ工程を必要としない
ので、Ni製スタンパーを短時間で作製することができ
る。
ので、Ni製スタンパーを短時間で作製することができ
る。
(へ)実施例
本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
[第1実施例コ
第1図は実施例の製造工程を示す図である。この図面に
おいて、金属又はSiの基板10上に5IOIIl何1
1をCVD法により形成し、このSin、膜11を洗浄
した後この膜上にネガ型フォトレジスト嘆12をスピン
コードで200〜300nmの厚さに塗布形成し、プリ
ベークを行う(第1工程)。
おいて、金属又はSiの基板10上に5IOIIl何1
1をCVD法により形成し、このSin、膜11を洗浄
した後この膜上にネガ型フォトレジスト嘆12をスピン
コードで200〜300nmの厚さに塗布形成し、プリ
ベークを行う(第1工程)。
第2行程でレジスト膜12にパワー15m〜Vのアルゴ
ンガスレーザ光を集光し、基板10を線速1,2〜1
、4 m 、、7秒の一定速度で回転させなからレーザ
光を基板lOの半径方向に移動させながら、幅約o、g
l、ピンチ1.61の螺旋状の案内溝を記録し、現像す
る。この現像によりレジスト膜12の感光部が残存する
。
ンガスレーザ光を集光し、基板10を線速1,2〜1
、4 m 、、7秒の一定速度で回転させなからレーザ
光を基板lOの半径方向に移動させながら、幅約o、g
l、ピンチ1.61の螺旋状の案内溝を記録し、現像す
る。この現像によりレジスト膜12の感光部が残存する
。
第3工程では、レジスト膜12の残存部をマスクとして
、(、F +プラズマを用いて、露出している5iC)
zllt!11を反応性イオンエツチングする。このエ
ツチング工程は、エツチング装置を必要な真空度にして
CF、ガスをこの装置内に導入し、この装置の陰極上に
基板10を置き、高周波放電により、エツチング深さ1
000−1500人にエツチングする。エツチングレー
トは反応によっても異なるが数百〜数千人/′分である
ため、数分内で工/チングが完了する。このエツチング
工程時に揮発性生成物SiF4が生じ、このガスを吸引
しながら行う。
、(、F +プラズマを用いて、露出している5iC)
zllt!11を反応性イオンエツチングする。このエ
ツチング工程は、エツチング装置を必要な真空度にして
CF、ガスをこの装置内に導入し、この装置の陰極上に
基板10を置き、高周波放電により、エツチング深さ1
000−1500人にエツチングする。エツチングレー
トは反応によっても異なるが数百〜数千人/′分である
ため、数分内で工/チングが完了する。このエツチング
工程時に揮発性生成物SiF4が生じ、このガスを吸引
しながら行う。
第4工程では、レジスト膜12の残存部は、エツチング
装置内で0.プラズマにより灰化し除去する。この場合
、フォトレジスト材料によっても異なるが、数百〜数千
入/分のアッシング速度を有しているので、この工程も
数分内に完了する。
装置内で0.プラズマにより灰化し除去する。この場合
、フォトレジスト材料によっても異なるが、数百〜数千
入/分のアッシング速度を有しているので、この工程も
数分内に完了する。
かくして、ピット13を有するスタンパーが形成される
。
。
この実施例では、基板IO上にSin、慢11を設けた
が、このS r Oを膜に代わってSi*Ni膜又は/
l膜を使用してもよい、Al膜を用いるときには、エツ
チング装置におけるCF、プラズマにに代わってCC1
,プラズマを使用する。尚、この場合には、揮発性生成
物A I Cl 、が生ずる。
が、このS r Oを膜に代わってSi*Ni膜又は/
l膜を使用してもよい、Al膜を用いるときには、エツ
チング装置におけるCF、プラズマにに代わってCC1
,プラズマを使用する。尚、この場合には、揮発性生成
物A I Cl 、が生ずる。
[第2実施例]
第2図にこの実施例の製造工程を示す。この図面を第1
図と比較すれば明らかなように、この実施例は基板20
上にネガ型フォトレジストlI%12を形成しだらので
あり、基板20がSi板からなるものであり、この点を
除いて第1実施例と同じ条件でスタンパーを形成した。
図と比較すれば明らかなように、この実施例は基板20
上にネガ型フォトレジストlI%12を形成しだらので
あり、基板20がSi板からなるものであり、この点を
除いて第1実施例と同じ条件でスタンパーを形成した。
この第2実施例では、基板20の表面がイオンエツチン
グされる。
グされる。
また基板20として、Siに代わってAl板を使用して
らよい。
らよい。
[第3実施例]
第2実施例に比して、基板20としてNi板を用いる点
を除いて第2実施例と同様にしてNi製スタンパーを形
成した。
を除いて第2実施例と同様にしてNi製スタンパーを形
成した。
Si系基板の場合には、実施例では反応ガスとして、C
F、を用いたが、その他C,F6.CIF*、 CC
I F Ii CB r F H等のハロゲン化炭素
を用いることができる。また、Al基板の実施例では、
ccg、を用いたが、その他BC1,,(:、(:l。
F、を用いたが、その他C,F6.CIF*、 CC
I F Ii CB r F H等のハロゲン化炭素
を用いることができる。また、Al基板の実施例では、
ccg、を用いたが、その他BC1,,(:、(:l。
F8等の塩素系ガスを用いることができる。Ni基板の
場合には、ハロゲン化炭素(CX、、Xはハロゲン元素
を示す)を用いることができる。
場合には、ハロゲン化炭素(CX、、Xはハロゲン元素
を示す)を用いることができる。
(ト)発明の効果
本発明では、スタンパーの製造に際して、従来必要であ
った長時間のメノキ工程を必要としなく、短時間に製造
されるものであり、また、プラスチンクスタンバーに比
して長寿命であり、石英製スタンパーに比し、割れにく
く薄くすることが可能で、射出成形法でレプリカを作製
することができる。また、本発明により形成されたスタ
ンパーは、従来例のNi製スタンパーに比べてスタンパ
ー表面の平滑度がよく、レプリカの作製精度を高めるこ
とができる。
った長時間のメノキ工程を必要としなく、短時間に製造
されるものであり、また、プラスチンクスタンバーに比
して長寿命であり、石英製スタンパーに比し、割れにく
く薄くすることが可能で、射出成形法でレプリカを作製
することができる。また、本発明により形成されたスタ
ンパーは、従来例のNi製スタンパーに比べてスタンパ
ー表面の平滑度がよく、レプリカの作製精度を高めるこ
とができる。
第1図(A、)乃至(D)及び第2図(A)乃至(D)
は異なる実施例のスタンパーの製造工程図、第3図(A
)乃至(E)は従来のスタンパーの製造工程図である。 10、20・・・基板、11・・・膜、12・・・フォ
トレジスト膜。
は異なる実施例のスタンパーの製造工程図、第3図(A
)乃至(E)は従来のスタンパーの製造工程図である。 10、20・・・基板、11・・・膜、12・・・フォ
トレジスト膜。
Claims (3)
- (1)金属またはSiの基板上に設けられたSiO_2
、Si_3N_4またはAlの膜の表面に情報信号ピッ
ト又はプリグルーブが形成されてなる光学式ティスク用
スタンパー。 - (2)Si又はAlの基板表面に、情報信号ピット又は
プリグルーブが形成されてなる光学式ディスク用スタン
パー。 - (3)Ni基板上にネガ型フォトレジストを塗布する第
1工程と、 このフォトレジストに対してレーザカッティングと現像
を行う第2工程と、 第2工程で得られたフォトレジストの残存部をマスクと
して、ハロゲン化炭素の反応ガスを使用して、反応性イ
オンエッチングによりNi基板表面に情報信号ピット又
はプリグルーブを形成する第3工程と、 前記残存部を除去する第4工程と、 を具備する光学式ディスク用スタンパーの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1024951A JP2708847B2 (ja) | 1989-02-02 | 1989-02-02 | 光学式ディスク用スタンパー及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1024951A JP2708847B2 (ja) | 1989-02-02 | 1989-02-02 | 光学式ディスク用スタンパー及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02204023A true JPH02204023A (ja) | 1990-08-14 |
JP2708847B2 JP2708847B2 (ja) | 1998-02-04 |
Family
ID=12152306
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1024951A Expired - Lifetime JP2708847B2 (ja) | 1989-02-02 | 1989-02-02 | 光学式ディスク用スタンパー及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2708847B2 (ja) |
Cited By (4)
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CN104516138A (zh) * | 2013-09-29 | 2015-04-15 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 硅基液晶面板的制作方法 |
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-
1989
- 1989-02-02 JP JP1024951A patent/JP2708847B2/ja not_active Expired - Lifetime
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