JP3230313B2 - 反応性イオンエッチングによるパターニング加工物の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は反応性イオンエッチング
によるパターニング加工物の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】図10に反応性イオンエッチングによるパ
ターニング加工物の従来の製造方法を示す。例えば、光
ディスク用スタンパー（パターニング加工物の一種）を
反応性イオンエッチングにより製造する場合、原盤(3)
には表面が平滑に研磨された石英原盤あるいはガラス原
盤等を用い、最初に更に表面を精密洗浄する（前工
程）。

【０００３】次にガラス表面と次の工程で塗布するフォ
トレジスト(4) との密着性を向上させるためにシランカ
ップリング剤等のプライマーを原盤(3) 表面に塗布する
（図示せず）。次いでフォトレジスト(4) を塗布する
（第１工程) 。その後、フォトレジスト(4) の所定領域
Ａにガイド溝やＲＯＭ情報、プリフォーマット情報等を
表す所定パターンＡをＡｒレーザー光、Ｈｅ−Ｃｄレー
ザー光、電子ビーム、紫外線、遠紫外線等のエネルギー
線を用いて露光する（第２工程、図示せず）。

【０００４】次いで無機アルカリ等の現像液を用いて現
像処理し原盤表面に所定のレジストパターンＡを形成す
る（第３工程）。次に、そのレジストパターンＡをマス
クとしてＣＨＦ₃ ガスやＣＦ₄ ガスあるいはＣＦ₄ とＨ
₂ 又はＯ₂ 又はＮ₂ の混合ガス、ＡｒとＣＨＦ₃ の混合
ガス等の雰囲気中で反応性イオンエッチングを行う（第
４工程) 。エッチングが終了した原盤を加熱された濃硫
酸と過酸化水素水の混合液中に浸すことによって残った
レジストパターンＡ(4) を除去すると、原盤(3) の表面
に所定のパターンが刻まれたスタンパーが完成する（第
５工程) 。

【０００５】光ディスク基板やフォトマスク、ゾーンプ
レートやグレーティング、回折格子エンコーダーの符合
板等の光学部品などの場合にも同様にして基板表面や基
板の表面層に所定の凹凸パターンが形成される。このよ
うな、従来の製造方法で製造された基板の断面図を図７
に示す。図中所定領域Ａは、パターニングされる領域
（例えば、光ディスク又は光ディスク用スタンパーの場
合は、トラッキング用の溝又はプレピット）を示し、Ｂ
はその外側の従来パターニングされない領域を示す。図
７を光ディスク又は光ディスク用スタンパーとすると、
このＢの領域のうち一方の領域は光ディスクの中心付近
の内周部分に相当し、他方は外周部分に相当する。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明者は、従来の製
造方法でパターニングした光ディスク用スタンパーを用
い、光磁気記録媒体に用いる基板を複製し、これに記録
層を形成して記録再生を行った。その結果、トラッキン
グが良好に行われず、頻繁にトラッキングエラーが起こ
るという問題点が生じた。これに伴い再生信号のＣ／Ｎ
比も低いという問題点も生じた。

【０００７】この他に、同様にゾーンプレートを製造し
たが集光能力が低いという問題点が生じた。また、エン
コーダーに用いる符合板を製造したが、その解像度が低
いという問題点も生じた。更に、半導体素子を製造した
場合、電流−電圧特性が乱れたり、メモリーミスが生じ
る等の問題点も生じた。本発明は、これらの問題点が生
じないパターン寸法が均一な高精度のパターニング加工
品を効率良く、簡単な製造方法で製造することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者は、光ディスク
用スタンパー、光ディスクそのもの更にはゾーンプレー
ト等の光学部品、半導体素子等を製造し、その材料や製
造方法、使用方法等を検証し、それぞれの問題点が生じ
る原因を探った。光ディスク用スタンパーを製造して、
これをもとに光磁気記録媒体を製造し、記録再生を行っ
た場合に、トラッキングエラーが起こり再生信号のＣ／
Ｎ比が低くなる原因を突き止めるために、例えば、基板
の材質の差異に起因する反りの影響、記録再生時におけ
る基板の回転に伴い生じる偏心の影響、基板表面の平滑
度の差異で生じる記録層表面の平滑度の影響、更に、記
録時におけるレーザービームの照射強度の影響等の様々
な光記録媒体の製造工程及び記録再生過程中の考えられ
る各問題点について検討した。

【０００９】研究を進めた結果、トラッキングエラーが
起こり、再生信号のＣ／Ｎ比が低くなる領域とトラッキ
ングが良好に行われ、Ｃ／Ｎ比も低くならない領域が分
かれて存在することを突き止めた。これらの結果につい
て検討したところ、再生信号のＣ／Ｎ比は反射光量に比
例することから考えて、記録媒体の領域の違いにより反
射光量に差異があり、反射光量が少ない領域ではＣ／Ｎ
比が低く、トラッキングエラーが生じることを突き止め
た。

【００１０】これらのことから、本発明者は鋭意研究の
結果、トラッキングエラーの原因はスタンパーの溝の深
さが均一でないために、このスタンパーから製造された
光磁気記録媒体の溝の深さも不均一となり、溝の深さが
トラッキングに最適な深さ（λ／４ｎ、λ：光の波長、
ｎ：基板の屈折率）の領域ではトラッキングに必要な反
射光量が得られ、最適な深さでない領域では反射光量が
少なくなることからトラッキングエラーが生じ、再生信
号のＣ／Ｎ比にも影響が現れることを突き止めた。そし
て、これらを解決するためにはスタンパーの溝の深さを
均一に形成すればトラッキングエラーの生じない十分な
反射光量が得られる均一な溝深さを有する光磁気記録媒
体が製造でき、Ｃ／Ｎ比も全領域で高くできることが分
かった。

【００１１】更に溝の深さの制御をするにあたり、従来
において、トラッキングエラーが起こり、低Ｃ／Ｎ比に
なる領域の溝の深さは、最適な溝深さよりも浅く形成さ
れているのか、それとも深く形成されているのかを検討
する必要があり、この点についても検証した。その結
果、図９に示すように所定領域Ａの内部(1) よりもその
端部(2) では溝の深さが浅くなることが分かった。

【００１２】この原因について、図８を用いて説明す
る。所定領域Ａの端部(2) （光ディスクスタンパーの場
合は最内周部及び最外周部）が深くなる理由は、反応性
イオンエッチング時の反応性イオンやラジカル（エッチ
ャント）の濃度と関係している。図８に示すように、所
定パターン領域Ａの外側の領域Ｂは所定領域Ａと異なり
フォトレジストによってエッチングされる原盤 (3)の表
面が完全にマスクされているので原盤(3) はエッチャン
トから保護される。そのため、領域Ｂではエッチャント
の消費量が極めて少ない。従って、所定領域Ａと領域Ｂ
とが隣接している部分すなわち所定領域Ａの端部(2) で
はエッチャントの濃度が所定領域Ａの内部(1) と比較す
ると高濃度になる。エッチャントの濃度が高いとエッチ
ングが速く進行するため所定領域Ａの端部(2) のパター
ンの深さは所定領域Ａの内側(1) のパターンの深さより
深くなる。このために、光ディスクの最内周部及び最外
周部の溝の深さが所定パターン領域のそれよりも深くな
り、つまり溝の深さが不均一となる。そのためにトラッ
キングが良好に行われる領域とトラッキングエラーが生
じる領域とが存在し、これに伴いＣ／Ｎ比に影響が出る
ことが検証された。

【００１３】これらを解決するには、トラッキングエラ
ーが生じない均一な深さの溝を有するスタンパーを製造
すれば、良好なトラッキングが行える光ディスクが複製
できることを突き止め本発明をなすに至った。これによ
り光ディスク用スタンパーに限らず、凹凸パターンの深
さを均一にすれば集光能力が高いゾーンプレートが製造
でき、解像度が高い符合板を有するエンコーダーが製造
でき、電流−電圧特性が乱れたり、メモリーミスが生じ
ない半導体素子を製造できることも確かめた。

【００１４】そこで、本発明は、第１に、 「第１工程：原盤の表面にフォトレジストを塗布する工
程； 第２工程：塗布されたフォトレジストの所定領域Ａに対
し所定パターンＡを露光する工程； 第３工程：前記第２工程と同時に又は前若しくは後ろ
に、所定領域Ａ以外の領域Ｂに対しダミーパターンＢを
露光し、 第４工程：前記フォトレジストを現像処理し、前記所定
領域ＡにレジストパターンＡを、前記領域Ｂにレジスト
パターンＢを得る工程； 第５工程：前記レジストパターンＡ及びレジストパター
ンＢをマスクとして、反応性イオンエッチングをする工
程； 第６工程：残留したレジストを除去する工程； から成る所定パターン及びダミーパターンを備えたパタ
ーニング加工物の製造方法」を提供する。

【００１５】また、以下の発明を本願明細書で開示し、
提供する。「前記パターニング加工物が光ディスク又は
光ディスク用スタンパであることを特徴とする請求項１
記載の所定パターン及びダミーパターンを備えたパター
ンニング加工物の製造方法（請求項２）」を提供する。
「所定パターン及びダミーパターンを備えたパターンニ
ング加工物（請求項３）」を提供する。「所定パターン
及びダミーパターンを備えた光ディスク（請求項４）」
を提供する。「所定パターン及びダミーパターンを備え
た光ディスク用スタンパー。（請求項５）」を提供す
る。「前述の発明に記載したスタンパーを用いて製造さ
れた光ディスク。（請求項６）」を提供する。 「第１工程：表面層として金属窒化物を有する原盤の表
面にフォトレジストを塗布する工程； 第２工程：塗布されたフォトレジストに対しパターンを
露光する工程； 第３工程：前記フォトレジストを現像処理し、レジスト
パターンを得る工程； 第４工程：前記レジストパターンをマスクとしてエッチ
ングをする工程； 第５工程：残留したレジストを除去する工程； から成るパターンニング加工物の製造方法。（請求項
７）」を提供する。なお、本件出願の特許請求の範囲に
は記載されていないが、次の発明も本件出願は開示して
いる。第１に「パターンニング加工物の製造方法に使用
される原盤がスタンパー用のガラス原盤又は石英原盤又
はＳｉ原盤又は金属板であることを特徴とする製造方
法」を提供する。第２に「その原盤が表面層としてＳｉ
化合物又は金属又は金属化合物からなる単層膜を有する
スタンパー用原盤であることを特徴とする前述の発明の
パターニング加工物の製造方法」を提供する。

【００１６】第３に「パターンニング加工物の製造方法
に使用される前記原盤が表面層としてＳｉ化合物薄膜、
金属薄膜、金属化合物薄膜からなる群から選ばれた２種
以上の薄膜を積層してなる多層膜を有するスタンパー用
原盤であることを特徴とするパターンニング加工物の製
造方法」を提供する。第４に「その原盤がガラス基板又
は石英基板又はＳｉ基板又は金属基板又はプラスチック
基板からなる光ディスク用の基板であることを特徴とす
るパターニング加工物の製造方法」を提供する。

【００１７】第５に「前述の発明で用いられる原盤が表
面層としてＳｉ化合物又は金属又は金属化合物又は有機
系材料又は有機色素系材料又はフォトクロミック材料か
らなる単層膜を有する光ディスク用基板であることを特
徴とするのパターニング加工物の製造方法」を提供す
る。第６に「その原盤が表面層としてＳｉ化合物薄膜、
金属薄膜、金属化合物薄膜からなる多層膜を有する光デ
ィスク用基板であることを特徴とするパターニング加工
物の製造方法」を提供する。

【００１８】第７に「前述のパターンニング加工物の製
造方法に使用される前記原盤がガラス基板又は石英基板
又はＳｉ基板又は金属基板又はプラスチック基板又はCa
F₂基板からなるフォトマスクであることを特徴とするパ
ターニング加工物の製造方法」を提供する。第８に「そ
の原盤が表面層としてＳｉ化合物又は金属又は金属化合
物からなる単層膜を有するフォトマスクであることを特
徴とするパターニング加工物の製造方法」を提供する。

【００１９】第９に「前述のパターンニング加工物の製
造方法に使用される前記原盤が表面層にＳｉ化合物薄
膜、金属薄膜、金属化合物薄膜からなる多層膜を有する
フォトマスクであることを特徴とするパターニング加工
物の製造方法」を提供する。

【００２０】

【作用】図１は、本発明におけるパターニング加工物の
断面の概略図である。本発明では図２に示すように露光
の際、所定領域Ａの外側に、従来では溝を形成しない領
域ＢにダミーのレジストパターンＢを形成する。レジス
トパターンＢを形成するためには原盤(3) 上のレジスト
を露光する際に、所定領域Ａの外側の領域Ｂに、いわゆ
るダミーのパターンＢを露光する。ダミーのパターンＢ
の存在により反応性イオンエッチングの際、領域Ｂのエ
ッチャントの消費量は所定領域Ａの内部(1) の消費量と
ほぼ同じになる。よって、所定領域Ａとその外側の領域
Ｂに係るエッチャント濃度の差異が小さくなり、端部
(2) でも均一な深さにエッチングされる。

【００２１】

〔第１工程〕

まず、外径355 mm、厚さ６mmの表面が平滑に研磨された
ソーダライムガラス原盤をイソプロピルアルコール及び
加圧超純粋でスピン洗浄した後スピン乾燥し、次いでシ
ランカップリング剤をスピンコートする。その後、ポジ
型フォトレジスト（ヘキスト製ＡＺ1350）をスピンコー
トし、100 ℃のクリーンオーブン内で30分間プリベーク
した。本実施例において、フォトレジストの膜厚は約20
00Åであるが一般的には500 〜10000 Åである。 〔第２工程〕 次に、波長457.9 nmのＡｒレーザーを搭載したカッティ
ングマシンで原盤の半径29ｍｍから半径61ｍｍまでを露
光し、このとき露光パターンはら旋状の溝パターンＡで
ある。この領域が所定領域Ａである（図３参照）。さら
にスタンパー中心から半径23〜25mmの領域(B) 及び半径
68〜78mmの領域(B) をも露光し、このとき露光パターン
は、いわゆるダミーのパターンＢとした。所定領域Ａの
パターンＡ及びダミーのパターンＢ共に、溝ピッチは1.
6 μｍであり現像後に幅1.0 μｍの溝がら旋状に形成さ
れる。また、本実施例において溝幅は1.0 μｍであるが
一般的には0.4 〜1.2 μｍである。

【００２２】露光時のガラス原盤の回転数は、900 rpm
、露光ビームのスポット直径は、約1.3 μｍで、ビー
ムは連続照射した。 〔第３工程〕その後、無機アルカリ現像液（ヘキスト製
ＡＺデベロッパー）と超純水とを体積比１：２の割合で
混合し希釈した現像液でスピン現像した。このときの現
像条件は前純水塗布時間55秒、現像液塗布時間120 秒、
後純水シャワー時間90秒、スピン乾燥時間70秒である。

【００２３】次いで120 ℃のクリーンオーブン内で30分
間ポストベークした。これにより、レジストパターンＡ
とレジストパターンＢが形成された。 〔第４工程〕その後、反応性イオンエッチング装置（日
電アネルバ製ＤＥＡ５０６）チャンバー内に原盤を入れ
真空度1 ×10^-4Paまで排気した後、CHF₃及びArの混合ガ
スを導入し反応性イオンエッチングを行った。この時の
ガス流量はCHF₃：２sccm、Ar：10sccmでありガス圧力は
0.5 Pa、ＲＦ電力は500 W 、自己バイアス電圧は-800V
、エッチング時間は５分である。

【００２４】次に濃硫酸と過酸化水素水を体積比４：１
の割合で混合した液中に原盤を浸し残留フォトレジスト
を剥離した。この時の液温は100 ℃であり処理時間は５
分である。その後、イソプロピルアルコール及び加圧超
純水でスピン洗浄し、次いでスピン乾燥した。こうし
て、光ディスク用スタンパーが製造された。所定領域Ａ
（半径29〜61mm）の溝深さを触針式段差計（ランクテー
ラーホブソン製タリステップ）により測定した。測定結
果を図４に示す。この結果から本願発明の製造方法によ
り製造したスタンパーの溝深さは約700 Åで、ほぼ均一
に形成できることが分かる。

【００２５】このように製造されたスタンパーを用いて
光ディスクを製造し、これに記録再生を行った結果、ト
ラッキングエラーを生じることなく、全面安定したＣ／
Ｎ比を得ることができた。本実施例においては、原盤と
してはスタンパー用のガラス原盤を用いた。ガラス原盤
材料としてはソーダライムガラスの他に、アルミノシリ
ケートガラス、無アルカリガラス、低膨張ガラス、結晶
化ガラス等が挙げられる。またガラスに限らず合成石英
や溶融石英等の石英原盤またはＳｉ基板またはAl、Cu、
Fe等の金属板でもよい。原盤には表面層として、SiO₂、
Si₃N₄、SiON、SiAlON、 TiSi₂、TaSi₂、 MoSi₂、WSi₂
等のSi化合物の単層膜もしくはAl、Cu、Au、Ag、Pt、N
i、Co、Cr、Ta、Ti、W 、Mo、Nb、V 等の金属の単層膜
もしくは Al₂O₃、 AlN、CrO₂、TiO₂、TaO₂、TaO₅、Ta
₃N、V₂O₅等の金属化合物の単層膜が予め形成されていて
もよい。これらの単層膜の表面層は SiO₂/Si₃N₄、 SiO
₂/Al、 SiO₂/Si₃N₄/Al等のように前述の単層膜を２種以
上組み合わせて積層した多層構造に変えてもよい。

【００２６】

【比較例】比較のために従来の製造方法で光ディスク用
スタンパーを製造した。実施例の製造方法と異なるとこ
ろは、カッティングマシンでの露光の際に所定領域Ａの
みにパターンＡを露光し、これ以外の領域にはパターン
（ダミーのパターンＢ）は露光しない点である。その他
の製造条件は、全て実施例における条件と同じである。

【００２７】製造したスタンパーの断面を示す概念図を
図５に示す。本比較例においては、前記した通りにダミ
ーのレジストパターンＢの形成は行われず、スタンパー
中心から半径29〜61 mm の領域を所定領域Ａとした。こ
のようにしてスタンパーを製造した後、所定領域Ａの溝
深さを触針式段差計（ランクテーラーホブソン製タリス
テップ）により測定した。この測定結果を図６に示す。
スタンパーの溝深さは所定領域Ａ（半径29〜61mm）の内
側の領域では約700 Åで一定の溝深さになっているが、
その端部においては内側の領域よりも深くなっており、
所定領域Ａの最端部では800 Å以上あり、約100 Åも深
さに差異が生じ、実施例のスタンパーのように均一の溝
深さには形成できないことが分かる。

【００２８】このように製造されたスタンパーを用いて
光ディスクを製造し、これに記録再生を行った結果、ト
ラッキングエラーを生じ、全面安定したＣ／Ｎ比を得る
ことはできなかった。以上は光ディスク用スタンパーを
製造する場合の例であるが、パターニング加工物として
は光ディスク用スタンパーに限定されるわけではない。
すなわちプラスチック（アクリル樹脂等）の部品や素子
を射出成形するときに用いるスタンパー、または紫外線
硬化樹脂等を使った注型法に用いるスタンパー（鋳型）
などでもよい。

【００２９】また、目的物は、スタンパーに限らず光デ
ィスクそのもの又は基板でもよい。この場合、原盤とし
ては光ディスク用のガラス基板が使われる。 ガラス基
板材料としてはソーダライムガラス、アルミノシリケー
トガラス、無アルカリガラス、低膨張ガラス、結晶化ガ
ラス、半導体ドープガラス等が挙げられる。またガラス
に限らず合成石英や溶融石英等の石英基板またはSi基板
またはAl、Cu、Fe等の金属板でも良い。

【００３０】また、基板のコストを安くするためにポリ
カーボネートやアモルファスポリオレフィン、アクリル
樹脂等のプラスチック基板を用いてもよい。原盤には、
表面層としてSiO₂、 Si₃N₄、SiON、SiAlON、 TiSi₂、 T
aSi₂、MoSi₂、WSi₂等のSi化合物の単層膜もしくはAl、C
u、Au、Ag、Pt、Ni、Co、Cr、Ta、Ti、W 、Mo、Nb、
V、TbFeCo、GdTbFe、DyFeCo、PtCo、形状記憶合金等の
金属の単層膜もしくは Al₂O₃、 AlN、CrO₂、TiO₂、Ta
O₂、TaO₅、Ta₂N、V₂O₅等の金属化合物の単層膜もしくは
Ga、Ge、As、Se、In、Sn、Sb、Te、GaAs、AlGaAs、GeSb
Te等の半導体関連物質や相変化型物質の単層膜を形成し
ておいてもよい。

【００３１】また、有機系材料、有機色素系材料、フォ
トクロミック材料等の表面層を形成してもよい。この有
機系材料にはニトロセルロース、エチルヘキシルアクリ
レート、トリアクリレートオリゴマー等があり、有機色
素系材料としてはシアニン色素、ナフトキノン系色素、
フタロシアニン系色素等があげられ、フォトクロミック
材料にはハロゲン化銀、ハロゲン化鉛、ハロゲン化銀ガ
ラス等があげられる。

【００３２】これらの単層膜の表面層は SiO₂/Si₃N₄ 、
SiO₂/Al 、SiO₂/Si₃N₄/Al 等のように前述の単層膜を２
種以上組み合わせて積層した多層構造に変えてもよい。
また、目的物はフォトマスクでもよい。この場合、原盤
としてはフォトマスク用のガラス基板が使われる。ガラ
ス基板材料としてはソーダライムガラス、アルミノシリ
ケートガラス、無アルカリガラス、低膨張ガラス、結晶
化ガラス、半導体ドープガラス等があげられる。またガ
ラスに限らず合成石英や溶融石英等の石英基板またはCa
F₂基板でもよい。また、SiO₂、 Si₃N₄、SiON、SiAlON、
TiSi₂、TaSi₂、 MoSi₂、WSi₂等のSi化合物の表面層も
しくはAl、Cu、Au、Ag、Pt、Ni、Co、Cr、Ta、Ti、W 、
Mo、Nb、 V等の金属の表面層もしくは Al₂O₃、 AlN、Cr
O₂、TiO₂、TaO₂、TaO₅、Ta₂N、V₂O₅等の金属化合物の表
面層等の金属化合物の表面層を形成しておいても良い。
これらの単層膜の表面層はSiO₂/Si₃N₄、 SiO₂/Al、SiO₂
/Si₃N₄/Al等のように前述の単層膜を２種以上組み合わ
せて積層した多層構造にしてもよい。また、目的が半導
体素子でもよい。この場合は原盤としてはSi基板が使わ
れる。Si基板に限らずソーダライムガラス、アルミノシ
リケートガラス、無アルカリガラス、低膨張ガラス、結
晶化ガラス、半導体ドープガラス等のガラス基板または
合成石英や溶融石英等の石英基板またはAl、Cu、Fe等の
金属板を用いてもよい。また、SiO₂、 Si₃N₄、SiON、Si
AlON等のSi化合物の表面層もしくはAl、Cu、Au、Ag、P
t、Ni、Co、Cr、Ta、TbFeCo、GdTbFe、DyFeCo、PtCo、
形状記憶合金等の金属の表面層もしくはAi₂O₃ 、AlN 、
CrO₂、TaO₅等の金属化合物の表面層もしくはGa、Ge、A
s、Se、In、Sn、Sb、Te、GaAs、AlGaAs、等の半導体関
連物質の表面層を形成しておいても良い。また、前記し
た材料からなる有機系材料、有機色素系材料、フォトク
ロミック材料等の表面層を形成しておいてもよい。表面
層はSiO₂/Si₃N₄、SiO₂/Al 、SiO₂/Si₃N₄/Al 等のように
前述した物質を組み合わせて多層構造にしてもよい。

【００３３】反応性イオンエッチング時の反応性ガスと
しては、原盤の材料をガラスまたは石英とした場合もし
くは表面層がSiO₂を含む場合はCF₄ またはCHF₄またはC₂
F₆またはNF₃ またはCHF₃とArの混合ガスまたはCF₄ とH₂
の混合ガスまたはCF₄ とO₂の混合ガス等が使われる。表
面層がSi₃N₄ を含む場合は前記ガスの他に CH₂F₂または
CH₃F、またはCF₄ とN₂の混合ガスまたはNF₃ とN₂の混合
ガスでもよい。原盤をAl製金属板とした場合または表面
層にAlを含む場合またはGaAs等の半導体の場合は前述の
ガスの他にCCl₄を用いるかあるいは他のガスと混合して
使ってもよい。

【００３４】また、ここで述べている反応性イオンエッ
チングとしては反応性マグネトロンイオンエッチングや
反応性イオンビームエッチング等のような狭い意味での
反応性イオンエッチングを応用したドライエッチングを
も含んだ広い意味である。

【００３５】

【発明の効果】以上のように、本発明の製造方法のよう
に所定領域Ａの外側にダミーのレジストパターンを形成
すると、エッチングされて生じた凹凸パターンの深さが
均一になる。その結果、本発明の製造方法を光ディスク
用スタンパーの製造に応用すると、溝深さが均一なスタ
ンパーが得られ、トラッキングエラーの生じない、安定
したＣ／Ｎ比の光ディスクを複製できる。また、光ディ
スクそのものを製造した場合でもトラッキングエラーの
生じない、安定したＣ／Ｎ比の光ディスクを製造でき
る。更に、他のパターニング加工物に応用した場合、ゾ
ーンプレートの集光能力が高まり、エンコーダーの解像
度が高くなり、更に半導体の電流−電圧特性が向上し、
メモリーミスが生じなくなる。

【００３６】このように、 均一かつ精度の高い凹凸パ
ターンの形成が必要とされる各種エッチング加工物の製
造において、それぞれ加工物の特性を向上させることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】は、本発明に係わるパターニング加工物の断面
を示す概念図である。

【図２】は、本発明に係わるパターニング加工物の反応
性イオンエッチング時のエッチャントの作用を示す概念
図である。

【図３】は、実施例に係わる光ディスク用スタンパーの
断面を示す概念図である。

【図４】は、実施例に係わる光ディスク用スタンパーの
溝深さと半径位置の関係を示すグラフである。

【図５】は、比較例１に係わる光ディスク用スタンパー
の断面を示す概念図である、比較例１に係わる光ディス
ク用スタンパーの溝深さと半径位置の関係を示すグラフ
である。

【図６】は、従来の光ディスクスタンパーの溝深さと半
径位置の関係を示すグラフである。

【図７】は、従来のパターニング加工物の断面を示す概
念図である。

【図８】は、従来のパターニング加工物の反応性イオン
エッチング時のエッチャントの作業を説明する概念図で
ある。

【図９】は、従来のパターニング加工物のパターンの深
さとパターン位置の関係を示すグラフである。

【図１０】は、従来のパターニング加工物の製造工程図
である。

【符号の説明】

Ａ・・・・・所定領域Ａ Ｂ・・・・・所定領域Ａ以外の領域Ｂ １・・・・・所定領域Ａの内部 ２・・・・・所定領域Ａの外部 ３・・・・・原盤 ４・・・・・フォトレジスト 以 上

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】第１工程：原盤の表面にフォトレジストを
   塗布する工程； 第２工程：塗布されたフォトレジストの所定領域Ａに対
   し所定パターンＡを露光する工程； 第３工程：前記第２工程と同時に又は前若しくは後に、
   所定領域Ａ以外の領域Ｂに対しダミーパターンＢを露光
   し、 第４工程：前記フォトレジストを現像処理し、前記所定
   領域ＡにレジストパターンＡを、前記領域Ｂにレジスト
   パターンＢを得る工程； 第５工程：前記レジストパターンＡ及びレジストパター
   ンＢをマスクとして、反応性イオンエッチングをする工
   程； 第６工程：残留したレジストを除去する工程； から成る所定パターン及びダミーパターンを備えたパタ
   ーニング加工物の製造方法。
2. 【請求項２】 前記パターニング加工物が光ディスク又
   は光ディスク用スタンパーであることを特徴とする請求
   項１記載の所定パターン及びダミーパターンを備えたパ
   ターニング加工物の製造方法。
3. 【請求項３】 所定パターン及びダミーパターンを備え
   たパターニング加工物。
4. 【請求項４】 所定パターン及びダミーパターンを備え
   た光ディスク。
5. 【請求項５】 所定パターン及びダミーパターンを備え
   た光ディスク用スタンパー。
6. 【請求項６】 請求項５記載のスタンパーを用いて製造
   された光ディスク。
7. 【請求項７】第１工程：表面層として金属窒化物を有す
   る原盤の表面にフォトレジストを塗布する工程； 第２工程：塗布されたフォトレジストに対しパターンを
   露光する工程； 第３工程：前記フォトレジストを現像処理し、レジスト
   パターンを得る工程； 第４工程：前記レジストパターンをマスクとしてエッチ
   ングをする工程； 第５工程：残留したレジストを除去する工程； から成るパターニング加工物の製造方法。