JPH06212458A - 反応性イオンエッチングによるパターニング 加工物の製造方法 - Google Patents
反応性イオンエッチングによるパターニング 加工物の製造方法Info
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- JPH06212458A JPH06212458A JP5004750A JP475093A JPH06212458A JP H06212458 A JPH06212458 A JP H06212458A JP 5004750 A JP5004750 A JP 5004750A JP 475093 A JP475093 A JP 475093A JP H06212458 A JPH06212458 A JP H06212458A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 反応性イオンエッチングにおけるパターニン
グ加工物のパターンの寸法精度を均一にする。 【構成】 原盤（３）の表面にフォトレジストを塗布す
る第１工程、原盤（３）上の所定領域Ａのフォトレジス
トに対して所定パターンＡを露光する第２工程、原盤
（３）上のフォトレジストを現像処理し、原盤（３）上
の所定領域ＡにレジストパターンＡを形成する第３工
程、レジストパターンＡをマスクとして、反応性イオン
エッチングをする第４工程からなるパターニング加工物
の製造方法の第２工程において、所定領域Ａ以外の領域
にフォトレジストが塗布されない領域Ｂを設け、露光す
る。その後、反応性イオンエッチングを行う。
グ加工物のパターンの寸法精度を均一にする。 【構成】 原盤（３）の表面にフォトレジストを塗布す
る第１工程、原盤（３）上の所定領域Ａのフォトレジス
トに対して所定パターンＡを露光する第２工程、原盤
（３）上のフォトレジストを現像処理し、原盤（３）上
の所定領域ＡにレジストパターンＡを形成する第３工
程、レジストパターンＡをマスクとして、反応性イオン
エッチングをする第４工程からなるパターニング加工物
の製造方法の第２工程において、所定領域Ａ以外の領域
にフォトレジストが塗布されない領域Ｂを設け、露光す
る。その後、反応性イオンエッチングを行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は反応性イオンエッチング
によるパターニング加工物の製造方法に関する。
によるパターニング加工物の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図10に反応性イオンエッチングによるパ
ターニング加工物の従来の製造方法を示す。例えば、光
ディスク用スタンパー（パターニング加工物の一種）を
反応性イオンエッチングにより製造する場合、原盤(3)
には表面が平滑に研磨された石英原盤あるいはガラス原
盤等を用い、最初に更に表面を精密洗浄する（前工
程）。
ターニング加工物の従来の製造方法を示す。例えば、光
ディスク用スタンパー（パターニング加工物の一種）を
反応性イオンエッチングにより製造する場合、原盤(3)
には表面が平滑に研磨された石英原盤あるいはガラス原
盤等を用い、最初に更に表面を精密洗浄する（前工
程）。
【０００３】次にガラス表面と次の工程で塗布するフォ
トレジスト(4) との密着性を向上させるためにシランカ
ップリング剤等のプライマーを原盤(3) 表面に塗布する
（図示せず）。次いでフォトレジスト(4) を塗布する
（第１工程) 。その後、フォトレジスト(4) の所定領域
Ａにガイド溝やＲＯＭ情報、プリフォーマット情報等を
表す所定パターンＡをＡｒレーザー光、Ｈｅ−Ｃｄレー
ザー光、電子ビーム、紫外線、遠紫外線等のエネルギー
線を用いて露光する（第２工程、図示せず）。
トレジスト(4) との密着性を向上させるためにシランカ
ップリング剤等のプライマーを原盤(3) 表面に塗布する
（図示せず）。次いでフォトレジスト(4) を塗布する
（第１工程) 。その後、フォトレジスト(4) の所定領域
Ａにガイド溝やＲＯＭ情報、プリフォーマット情報等を
表す所定パターンＡをＡｒレーザー光、Ｈｅ−Ｃｄレー
ザー光、電子ビーム、紫外線、遠紫外線等のエネルギー
線を用いて露光する（第２工程、図示せず）。
【０００４】次いで無機アルカリ等の現像液を用いて現
像処理し原盤表面に所定のレジストパターンＡを形成す
る（第３工程）。次に、そのレジストパターンＡをマス
クとしてＣＨＦ4 ガスやＣＦ4 ガスあるいはＣＦ4 とＨ
2 又はＯ2 又はＮ2 の混合ガス、ＡｒとＣＨＦ3 の混合
ガス等の雰囲気中で反応性イオンエッチングを行う（第
４工程) 。エッチングが終了した原盤を加熱された濃硫
酸と過酸化水素水を混合液中に浸すことによって残った
レジストパターンＡ(4) を除去すると、原盤(3) の表面
に所定のパターンが刻まれたスタンパーが完成する（第
５工程) 。
像処理し原盤表面に所定のレジストパターンＡを形成す
る（第３工程）。次に、そのレジストパターンＡをマス
クとしてＣＨＦ4 ガスやＣＦ4 ガスあるいはＣＦ4 とＨ
2 又はＯ2 又はＮ2 の混合ガス、ＡｒとＣＨＦ3 の混合
ガス等の雰囲気中で反応性イオンエッチングを行う（第
４工程) 。エッチングが終了した原盤を加熱された濃硫
酸と過酸化水素水を混合液中に浸すことによって残った
レジストパターンＡ(4) を除去すると、原盤(3) の表面
に所定のパターンが刻まれたスタンパーが完成する（第
５工程) 。
【０００５】光ディスク基板やフォトマスク、ゾーンプ
レートやグレーティング、回折格子エンコーダーの符合
板等の光学部品などの場合にも同様にして基板表面や基
板の表面層に所定の凹凸パターンが形成される。このよ
うな、従来の製造方法で製造された基板の断面図を図７
に示す。図中所定領域Ａは、パターニングされる領域
（例えば、光ディスク又は光ディスク用スタンパーの場
合は、トラッキング用の溝又はプレピット）を示し、Ｂ
はその外側の従来パターニングされない領域を示す。図
７を光ディスク又は光ディスク用スタンパーとすると、
このＢの領域のうち一方の領域は光ディスクの中心付近
の内周部分に相当し、他方は外周部分に相当する。
レートやグレーティング、回折格子エンコーダーの符合
板等の光学部品などの場合にも同様にして基板表面や基
板の表面層に所定の凹凸パターンが形成される。このよ
うな、従来の製造方法で製造された基板の断面図を図７
に示す。図中所定領域Ａは、パターニングされる領域
（例えば、光ディスク又は光ディスク用スタンパーの場
合は、トラッキング用の溝又はプレピット）を示し、Ｂ
はその外側の従来パターニングされない領域を示す。図
７を光ディスク又は光ディスク用スタンパーとすると、
このＢの領域のうち一方の領域は光ディスクの中心付近
の内周部分に相当し、他方は外周部分に相当する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、従来の製
造方法でパターニングした光ディスク用スタンパーを用
い、光磁気記録媒体に用いる基板を複製し、これに記録
層を形成して記録再生を行った。その結果、トラッキン
グが良好に行われず、頻繁にトラッキングエラーが起こ
るという問題点が生じた。これに伴い再生信号のＣ／Ｎ
比も低いという問題点も生じた。
造方法でパターニングした光ディスク用スタンパーを用
い、光磁気記録媒体に用いる基板を複製し、これに記録
層を形成して記録再生を行った。その結果、トラッキン
グが良好に行われず、頻繁にトラッキングエラーが起こ
るという問題点が生じた。これに伴い再生信号のＣ／Ｎ
比も低いという問題点も生じた。
【０００７】この他に、同様にゾーンプレートを製造し
たが集光能力が低いという問題点が生じた。また、エン
コーダーに用いる符合板を製造したが、その解像度が低
いという問題点も生じた。更に、半導体素子を製造した
場合、電流−電圧特性が乱れたり、メモリーミスが生じ
る等の問題点も生じた。本発明は、これらの問題点が生
じないパターン寸法が均一な高精度のパターニング加工
品を効率良く、簡単な製造方法で製造することにある。
たが集光能力が低いという問題点が生じた。また、エン
コーダーに用いる符合板を製造したが、その解像度が低
いという問題点も生じた。更に、半導体素子を製造した
場合、電流−電圧特性が乱れたり、メモリーミスが生じ
る等の問題点も生じた。本発明は、これらの問題点が生
じないパターン寸法が均一な高精度のパターニング加工
品を効率良く、簡単な製造方法で製造することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者は、光ディスク
用スタンパー、光ディスクそのもの更にはゾーンプレー
ト等の光学部品、半導体素子等を製造し、その材料や製
造方法、使用方法等を検証し、それぞれの問題点が生じ
る原因を探った。光ディスク用スタンパーを製造して、
これをもとに光磁気記録媒体を製造し、記録再生を行っ
た場合に、トラッキングエラーが起こり再生信号のＣ／
Ｎ比が低くなる原因を突き止めるために、例えば、基板
の材質の差異に起因する反りの影響、記録再生時におけ
る基板の回転に伴い生じる偏心の影響、基板表面の平滑
度の差異で生じる記録層表面の平滑度の影響、更に、記
録時におけるレーザービームの照射強度の影響等の様々
な光記録媒体の製造工程及び記録再生過程中の考えられ
る各問題点について検討した。
用スタンパー、光ディスクそのもの更にはゾーンプレー
ト等の光学部品、半導体素子等を製造し、その材料や製
造方法、使用方法等を検証し、それぞれの問題点が生じ
る原因を探った。光ディスク用スタンパーを製造して、
これをもとに光磁気記録媒体を製造し、記録再生を行っ
た場合に、トラッキングエラーが起こり再生信号のＣ／
Ｎ比が低くなる原因を突き止めるために、例えば、基板
の材質の差異に起因する反りの影響、記録再生時におけ
る基板の回転に伴い生じる偏心の影響、基板表面の平滑
度の差異で生じる記録層表面の平滑度の影響、更に、記
録時におけるレーザービームの照射強度の影響等の様々
な光記録媒体の製造工程及び記録再生過程中の考えられ
る各問題点について検討した。
【０００９】研究を進めた結果、トラッキングエラーが
起こり、再生信号のＣ／Ｎ比が低くなる領域とトラッキ
ングが良好に行われ、Ｃ／Ｎ比も低くならない領域が分
かれて存在することを突き止めた。これらの結果につい
て検討したところ、再生信号のＣ／Ｎ比は反射光量に比
例することから考えて、記録媒体の領域の違いにより反
射光量に差異があり、反射光量が少ない領域ではＣ／Ｎ
比が低く、トラッキングエラーが生じることを突き止め
た。
起こり、再生信号のＣ／Ｎ比が低くなる領域とトラッキ
ングが良好に行われ、Ｃ／Ｎ比も低くならない領域が分
かれて存在することを突き止めた。これらの結果につい
て検討したところ、再生信号のＣ／Ｎ比は反射光量に比
例することから考えて、記録媒体の領域の違いにより反
射光量に差異があり、反射光量が少ない領域ではＣ／Ｎ
比が低く、トラッキングエラーが生じることを突き止め
た。
【００１０】これらのことから、本発明者は鋭意研究の
結果、トラッキングエラーの原因はスタンパーの溝の深
さが均一でないために、このスタンパーから製造された
光磁気記録媒体の溝の深さも不均一となり、溝の深さが
トラッキングに最適な深さ（λ／４ｎ、λ：光の波長、
ｎ：基板の屈折率）の領域ではトラッキングに必要な反
射光量が得られ、最適な深さでない領域では反射光量が
少なくなることからトラッキングエラーが生じ、再生信
号のＣ／Ｎ比にも影響が現れることを突き止めた。そし
て、これらを解決するためにはスタンパーの溝の深さを
均一に形成すればトラッキングエラーの生じない十分な
反射光量が得られる均一な溝深さを有する光磁気記録媒
体が製造でき、Ｃ／Ｎ比も全領域で高くできることが分
かった。
結果、トラッキングエラーの原因はスタンパーの溝の深
さが均一でないために、このスタンパーから製造された
光磁気記録媒体の溝の深さも不均一となり、溝の深さが
トラッキングに最適な深さ（λ／４ｎ、λ：光の波長、
ｎ：基板の屈折率）の領域ではトラッキングに必要な反
射光量が得られ、最適な深さでない領域では反射光量が
少なくなることからトラッキングエラーが生じ、再生信
号のＣ／Ｎ比にも影響が現れることを突き止めた。そし
て、これらを解決するためにはスタンパーの溝の深さを
均一に形成すればトラッキングエラーの生じない十分な
反射光量が得られる均一な溝深さを有する光磁気記録媒
体が製造でき、Ｃ／Ｎ比も全領域で高くできることが分
かった。
【００１１】更に溝の深さの制御をするにあたり、従来
において、トラッキングエラーが起こり、低Ｃ／Ｎ比に
なる領域の溝の深さは、最適な溝深さよりも浅く形成さ
れているのか、それとも深く形成されているのかを検討
する必要があり、この点についても検証した。その結
果、図９に示すように所定領域Ａの内部(1) よりもその
端部(2) では溝の深さが浅くなることが分かった。
において、トラッキングエラーが起こり、低Ｃ／Ｎ比に
なる領域の溝の深さは、最適な溝深さよりも浅く形成さ
れているのか、それとも深く形成されているのかを検討
する必要があり、この点についても検証した。その結
果、図９に示すように所定領域Ａの内部(1) よりもその
端部(2) では溝の深さが浅くなることが分かった。
【００１２】この原因について、図８を用いて説明す
る。所定領域Ａの端部(2) （光ディスクスタンパーの場
合は、最内周部及び最外周部）が深くなる理由は、反応
性イオンエッチング時の反応性イオンやラジカル（エッ
チャント）の濃度と関係している。図８に示すように、
所定パターン領域Ａの外側の領域Ｂは所定領域Ａと異な
りフォトレジストによってエッチングされる原盤 (3)の
表面が完全にマスクされているので原盤(3) はエッチャ
ントから保護される。そのため、領域Ｂではエッチャン
トの消費量が極めて少ない。従って、所定領域Ａと領域
Ｂとが隣接している部分すなわち所定領域Ａの端部(2)
ではエッチャントの濃度が所定領域Ａの内部(1) と比較
すると高濃度になる。エッチャントの濃度が高いとエッ
チングが速く進行するため所定領域Ａの端部(2) のパタ
ーンの深さは所定領域Ａの内側(1) のパターンの深さよ
り深くなる。このために光ディスクの最内周部及び最外
周部の溝の深さが所定パターン領域のそれよりも深くな
り、つまり溝の深さが不均一となる。そのためにトラッ
キングが良好に行われる領域とトラッキングエラーが生
じる領域とが存在し、これに伴いＣ／Ｎ比に影響が出る
ことが検証された。
る。所定領域Ａの端部(2) （光ディスクスタンパーの場
合は、最内周部及び最外周部）が深くなる理由は、反応
性イオンエッチング時の反応性イオンやラジカル（エッ
チャント）の濃度と関係している。図８に示すように、
所定パターン領域Ａの外側の領域Ｂは所定領域Ａと異な
りフォトレジストによってエッチングされる原盤 (3)の
表面が完全にマスクされているので原盤(3) はエッチャ
ントから保護される。そのため、領域Ｂではエッチャン
トの消費量が極めて少ない。従って、所定領域Ａと領域
Ｂとが隣接している部分すなわち所定領域Ａの端部(2)
ではエッチャントの濃度が所定領域Ａの内部(1) と比較
すると高濃度になる。エッチャントの濃度が高いとエッ
チングが速く進行するため所定領域Ａの端部(2) のパタ
ーンの深さは所定領域Ａの内側(1) のパターンの深さよ
り深くなる。このために光ディスクの最内周部及び最外
周部の溝の深さが所定パターン領域のそれよりも深くな
り、つまり溝の深さが不均一となる。そのためにトラッ
キングが良好に行われる領域とトラッキングエラーが生
じる領域とが存在し、これに伴いＣ／Ｎ比に影響が出る
ことが検証された。
【００１３】これらを解決するには、トラッキングエラ
ーが生じない均一な深さの溝を有するスタンパーを製造
すれば、良好なトラッキングが行える光ディスクが複製
できることを突き止め本発明をなすに至った。これによ
り光ディスク用スタンパーに限らず、凹凸パターンの深
さを均一にすれば集光能力が高いゾーンプレートが製造
でき、解像度が高い符合板を有するエンコーダーが製造
でき、電流−電圧特性が乱れたり、メモリーミスが生じ
ない半導体素子を製造できることも確かめた。
ーが生じない均一な深さの溝を有するスタンパーを製造
すれば、良好なトラッキングが行える光ディスクが複製
できることを突き止め本発明をなすに至った。これによ
り光ディスク用スタンパーに限らず、凹凸パターンの深
さを均一にすれば集光能力が高いゾーンプレートが製造
でき、解像度が高い符合板を有するエンコーダーが製造
でき、電流−電圧特性が乱れたり、メモリーミスが生じ
ない半導体素子を製造できることも確かめた。
【００１４】そこで本発明は、第１に「第１工程：原盤
の表面にフォトレジストを塗布する工程； 第２工程：前記原盤上の所定領域Ａのフォトレジストに
対し所定パターンＡを露光する工程； 第３工程：前記フォトレジストを現像処理し、前記所定
領域ＡにレジストパターンＡを形成する工程； 第４工程：前記レジストパターンＡをマスクとして、反
応性イオンエッチングをする工程；から成るパターニン
グ加工物の製造方法において、前記第２工程において、
所定領域Ａ以外の領域Ｂにフォトレジストを塗布しない
領域を設けることを特徴とする反応性イオンエッチング
によるパターニング加工物の製造方法（請求項１）」を
提供する。
の表面にフォトレジストを塗布する工程； 第２工程：前記原盤上の所定領域Ａのフォトレジストに
対し所定パターンＡを露光する工程； 第３工程：前記フォトレジストを現像処理し、前記所定
領域ＡにレジストパターンＡを形成する工程； 第４工程：前記レジストパターンＡをマスクとして、反
応性イオンエッチングをする工程；から成るパターニン
グ加工物の製造方法において、前記第２工程において、
所定領域Ａ以外の領域Ｂにフォトレジストを塗布しない
領域を設けることを特徴とする反応性イオンエッチング
によるパターニング加工物の製造方法（請求項１）」を
提供する。
【００１５】第２に「前記原盤がスタンパー用のガラス
原盤又は石英原盤又はＳｉ原盤又は金属板であることを
特徴とする請求項１記載の製造方法（請求項２）」を提
供する。第３に「前記原盤が表面層としてＳｉ化合物又
は金属又は金属化合物からなる単層膜を有するスタンパ
ー用原盤であることを特徴とする請求項１記載のパター
ニング加工物の製造方法（請求項３）」を提供する。
原盤又は石英原盤又はＳｉ原盤又は金属板であることを
特徴とする請求項１記載の製造方法（請求項２）」を提
供する。第３に「前記原盤が表面層としてＳｉ化合物又
は金属又は金属化合物からなる単層膜を有するスタンパ
ー用原盤であることを特徴とする請求項１記載のパター
ニング加工物の製造方法（請求項３）」を提供する。
【００１６】第４に「前記原盤が表面層としてＳｉ化合
物薄膜、金属薄膜及び金属化合物薄膜からなる群から選
ばれた２種以上の薄膜を積層してなる多層膜を有するス
タンパー用原盤であることを特徴とする請求項１記載の
パターニング加工物の製造方法（請求項４）」を提供す
る。第５に「前記原盤がガラス基板又は石英基板又は
Ｓｉ基板又は金属基板又はプラスチック基板からなる光
ディスク用の基板であることを特徴とする請求項１記載
のパターニング加工物の製造方法（請求項５）」を提供
する。
物薄膜、金属薄膜及び金属化合物薄膜からなる群から選
ばれた２種以上の薄膜を積層してなる多層膜を有するス
タンパー用原盤であることを特徴とする請求項１記載の
パターニング加工物の製造方法（請求項４）」を提供す
る。第５に「前記原盤がガラス基板又は石英基板又は
Ｓｉ基板又は金属基板又はプラスチック基板からなる光
ディスク用の基板であることを特徴とする請求項１記載
のパターニング加工物の製造方法（請求項５）」を提供
する。
【００１７】第６に「前記原盤が表面層としてＳｉ化合
物又は金属又は金属化合物又は有機系材料又は有機色素
系材料又はフォトクロミック材料からなる単層膜を有す
る光ディスク用の基板であることを特徴とする請求項１
記載のパターニング加工物の製造方法（請求項６）」を
提供する。第７に「前記原盤が表面層としてＳｉ化合物
薄膜、金属薄膜及び金属化合物薄膜からなる群から選ば
れてた２種以上の薄膜を積層してなる多層膜を有する光
ディスク用の基板であることを特徴とする請求項１記載
のパターニング加工物の製造方法（請求項７）」を提供
する。
物又は金属又は金属化合物又は有機系材料又は有機色素
系材料又はフォトクロミック材料からなる単層膜を有す
る光ディスク用の基板であることを特徴とする請求項１
記載のパターニング加工物の製造方法（請求項６）」を
提供する。第７に「前記原盤が表面層としてＳｉ化合物
薄膜、金属薄膜及び金属化合物薄膜からなる群から選ば
れてた２種以上の薄膜を積層してなる多層膜を有する光
ディスク用の基板であることを特徴とする請求項１記載
のパターニング加工物の製造方法（請求項７）」を提供
する。
【００１８】第８に「前記原盤がガラス基板又は石英基
板又はＳｉ基板又は金属基板又はプラスチック基板又は
CaF2基板からなるフォトマスクであることを特徴とする
請求項１記載のパターニング加工物の製造方法（請求項
８）」を提供する。第９に「前記原盤が表面層としてＳ
ｉ化合物又は金属又は金属化合物からなる単層膜を有す
るフォトマスクであることを特徴とする請求項１記載の
パターニング加工物の製造方法（請求項９）」を提供す
る。
板又はＳｉ基板又は金属基板又はプラスチック基板又は
CaF2基板からなるフォトマスクであることを特徴とする
請求項１記載のパターニング加工物の製造方法（請求項
８）」を提供する。第９に「前記原盤が表面層としてＳ
ｉ化合物又は金属又は金属化合物からなる単層膜を有す
るフォトマスクであることを特徴とする請求項１記載の
パターニング加工物の製造方法（請求項９）」を提供す
る。
【００１９】第１０に「前記各原盤表面層としてＳｉ化
合物薄膜、金属薄膜及び金属化合物薄膜からなる多層膜
を有するフォトマスクであることを特徴とする請求項１
記載のパターニング加工物の製造方法（請求項10）」を
提供する。
合物薄膜、金属薄膜及び金属化合物薄膜からなる多層膜
を有するフォトマスクであることを特徴とする請求項１
記載のパターニング加工物の製造方法（請求項10）」を
提供する。
【００２０】
【作用】図１は、本発明におけるパターニング加工物の
断面の概略図である。本発明では図２に示すように露光
の際、所定領域Ａの外側の領域Ｂを全面露光し、その後
の現像で露光部分のレジストを除去する。除去部分は当
然原盤表面が露出した状態になる。
断面の概略図である。本発明では図２に示すように露光
の際、所定領域Ａの外側の領域Ｂを全面露光し、その後
の現像で露光部分のレジストを除去する。除去部分は当
然原盤表面が露出した状態になる。
【００２１】この領域Ｂの存在により反応性イオンエッ
チングの際、領域Ｂのエッチャントの消費量は所定領域
Ａの内部(1) の消費量とほぼ同じになる。よって、所定
領域Ａとその外側の領域Ｂに係るエッチャント濃度の差
異が小さくなり、端部(2) でも均一な深さにエッチング
される。
チングの際、領域Ｂのエッチャントの消費量は所定領域
Ａの内部(1) の消費量とほぼ同じになる。よって、所定
領域Ａとその外側の領域Ｂに係るエッチャント濃度の差
異が小さくなり、端部(2) でも均一な深さにエッチング
される。
【００２２】
【実施例】本発明の製造方法に従い、光ディスク用スタ
ンパーを製造した。このスタンパーの断面の概略図を図
３に示す。 〔第１工程〕まず、外径220 mm、内径10mm、厚さ６mmの
表面が平滑に研磨されたソーダライムガラス原盤をイソ
プロピルアルコール及び加圧超純水でスピン洗浄した後
スピン乾燥し、次いでシランカップリング剤をスピンコ
ートする。その後、ポジ型フォトレジスト（ヘキスト製
ＡＺ1350）をスピンコートする。スピンコート時に、ス
ピンナーのレジスト吐出ノズルのスキャン領域を調節す
ることによりガラス原盤の内径部分（半径５mmの位置）
から半径約23mmまでの範囲がレジスト塗布されないよう
にし、レジストが塗布されない領域を形成した。その
後、100 ℃のクリーンオーブン内で30分間プリベークし
た。本実施例において、フォトレジストの膜厚は約2000
Åであるが一般的には500 〜1000Åである。更に、プリ
ベーク後、原盤の半径約68mmから外周に向かって外側の
領域（半径110 mm）までの範囲のレジストをアセトンで
溶解除去する。これにより、溝が形成される領域（所定
領域Ａ）以外の領域、つまり原盤の内周部分から半径23
mmまでの領域及び半径68mmから外径部分までの領域にレ
ジストが形成されない領域が形成され、エッチング時に
おいてマスクのない領域が形成される。 〔第２工程〕次に、波長457.9 nmのＡｒレーザーを搭載
したカッティングマシンで原盤の半径29ｍｍから半径61
ｍｍまでを露光し、このとき露光パターンはら旋状の溝
パターンＡである。この領域が所定領域Ａである（図３
参照）。所定領域ＡのパターンＡの溝ピッチは 1.6μｍ
であり現像後に幅1.0 μｍの溝が、ら旋状に形成され
る。また、本実施例において幅は1.0 μｍであるが一般
的には0.4 〜1.2 Åである。
ンパーを製造した。このスタンパーの断面の概略図を図
３に示す。 〔第１工程〕まず、外径220 mm、内径10mm、厚さ６mmの
表面が平滑に研磨されたソーダライムガラス原盤をイソ
プロピルアルコール及び加圧超純水でスピン洗浄した後
スピン乾燥し、次いでシランカップリング剤をスピンコ
ートする。その後、ポジ型フォトレジスト（ヘキスト製
ＡＺ1350）をスピンコートする。スピンコート時に、ス
ピンナーのレジスト吐出ノズルのスキャン領域を調節す
ることによりガラス原盤の内径部分（半径５mmの位置）
から半径約23mmまでの範囲がレジスト塗布されないよう
にし、レジストが塗布されない領域を形成した。その
後、100 ℃のクリーンオーブン内で30分間プリベークし
た。本実施例において、フォトレジストの膜厚は約2000
Åであるが一般的には500 〜1000Åである。更に、プリ
ベーク後、原盤の半径約68mmから外周に向かって外側の
領域（半径110 mm）までの範囲のレジストをアセトンで
溶解除去する。これにより、溝が形成される領域（所定
領域Ａ）以外の領域、つまり原盤の内周部分から半径23
mmまでの領域及び半径68mmから外径部分までの領域にレ
ジストが形成されない領域が形成され、エッチング時に
おいてマスクのない領域が形成される。 〔第２工程〕次に、波長457.9 nmのＡｒレーザーを搭載
したカッティングマシンで原盤の半径29ｍｍから半径61
ｍｍまでを露光し、このとき露光パターンはら旋状の溝
パターンＡである。この領域が所定領域Ａである（図３
参照）。所定領域ＡのパターンＡの溝ピッチは 1.6μｍ
であり現像後に幅1.0 μｍの溝が、ら旋状に形成され
る。また、本実施例において幅は1.0 μｍであるが一般
的には0.4 〜1.2 Åである。
【００２３】露光時のガラス原盤の回転数は、900 rpm
、露光ビームのスポット直径は、約1.3 μｍで、ビー
ムは連続照射した。 〔第３工程〕その後、無機アルカリ現像液（ヘキスト製
ＡＺデベロッパー）と超純水とを体積比１：２の割合で
混合し希釈した現像液でスピン現像した。このときの現
像条件は前純水塗布時間55秒、現像液塗布時間120 秒、
後純水シャワー時間90秒、スピン乾燥時間70秒である。
、露光ビームのスポット直径は、約1.3 μｍで、ビー
ムは連続照射した。 〔第３工程〕その後、無機アルカリ現像液（ヘキスト製
ＡＺデベロッパー）と超純水とを体積比１：２の割合で
混合し希釈した現像液でスピン現像した。このときの現
像条件は前純水塗布時間55秒、現像液塗布時間120 秒、
後純水シャワー時間90秒、スピン乾燥時間70秒である。
【００２４】次いで120 ℃のクリーンオーブン内で30分
間ポストベークした。これにより、レジストパターンＡ
とレジストパターンＢが形成された。 〔第４工程〕その後、反応性イオンエッチング装置（日
電アネルバ製ＤＥＡ５０６）チャンバー内に原盤を入れ
真空度1 ×10-4Paまで排気した後、CHF3及びArの混合ガ
スを導入し反応性イオンエッチングを行った。この時の
ガス流量はCHF3：２sccm、Ar：10sccmでありガス圧力は
0.5 Pa、ＲＦ電力は500 W 、自己バイアス電圧は-800V
、エッチング時間は５分である。
間ポストベークした。これにより、レジストパターンＡ
とレジストパターンＢが形成された。 〔第４工程〕その後、反応性イオンエッチング装置（日
電アネルバ製ＤＥＡ５０６）チャンバー内に原盤を入れ
真空度1 ×10-4Paまで排気した後、CHF3及びArの混合ガ
スを導入し反応性イオンエッチングを行った。この時の
ガス流量はCHF3：２sccm、Ar：10sccmでありガス圧力は
0.5 Pa、ＲＦ電力は500 W 、自己バイアス電圧は-800V
、エッチング時間は５分である。
【００２５】次に濃硫酸と過酸化水素水を体積比４：１
の割合で混合した液中に原盤を浸し残留フォトレジスト
を剥離した。この時の液温は100 ℃であり処理時間は５
分である。その後、イソプロピルアルコール及び加圧超
純水でスピン洗浄し、次いでスピン乾燥した。こうし
て、光ディスク用スタンパーが製造された。所定領域Ａ
（半径29〜61mm）の溝深さを触針式段差計（ランクテー
ラーホブソン製タリステップ）により測定した。測定結
果を図４に示す。この結果から本願発明の製造方法によ
り製造したスタンパーの溝深さは約700 Åで、ほぼ均一
に形成できることが分かる。
の割合で混合した液中に原盤を浸し残留フォトレジスト
を剥離した。この時の液温は100 ℃であり処理時間は５
分である。その後、イソプロピルアルコール及び加圧超
純水でスピン洗浄し、次いでスピン乾燥した。こうし
て、光ディスク用スタンパーが製造された。所定領域Ａ
（半径29〜61mm）の溝深さを触針式段差計（ランクテー
ラーホブソン製タリステップ）により測定した。測定結
果を図４に示す。この結果から本願発明の製造方法によ
り製造したスタンパーの溝深さは約700 Åで、ほぼ均一
に形成できることが分かる。
【００２６】このように製造されたスタンパーを用いて
光ディスクを製造し、これに記録再生を行った結果、ト
ラッキングエラーを生じることなく、全面安定したＣ／
Ｎ比を得ることができた。本実施例においては、原盤と
してはスタンパー用のガラス原盤を用いた。ガラス原盤
材料としてはソーダライムガラスの他に、アルミノシリ
ケートガラス、無アルカリガラス、低膨張ガラス、結晶
化ガラス等が挙げられる。またガラスに限らず合成石英
や溶融石英等の石英原盤またはＳｉ基板またはAl、Cu、
Fe等の金属板でもよい。原盤には表面層として、SiO2、
Si3N4、SiON、SiAlON、 TiSi2、TaSi2、 MoSi2、WSi2
等のSi化合物の単層膜もしくはAl、Cu、Au、Ag、Pt、N
i、Co、Cr、Ta、Ti、W 、Mo、Nb、V 等の金属の単層膜
もしくは Al2O3、 AlN、CrO2、TiO2、TaO2、TaO5、Ta
3N、V2O5等の金属化合物の単層膜が予め形成されていて
もよい。これらの単層膜の表面層は SiO2/Si3N4、 SiO
2/Al、 SiO2/Si3N4/Al等のように前述の単層膜を２種以
上組み合わせて積層した多層構造に変えてもよい。
光ディスクを製造し、これに記録再生を行った結果、ト
ラッキングエラーを生じることなく、全面安定したＣ／
Ｎ比を得ることができた。本実施例においては、原盤と
してはスタンパー用のガラス原盤を用いた。ガラス原盤
材料としてはソーダライムガラスの他に、アルミノシリ
ケートガラス、無アルカリガラス、低膨張ガラス、結晶
化ガラス等が挙げられる。またガラスに限らず合成石英
や溶融石英等の石英原盤またはＳｉ基板またはAl、Cu、
Fe等の金属板でもよい。原盤には表面層として、SiO2、
Si3N4、SiON、SiAlON、 TiSi2、TaSi2、 MoSi2、WSi2
等のSi化合物の単層膜もしくはAl、Cu、Au、Ag、Pt、N
i、Co、Cr、Ta、Ti、W 、Mo、Nb、V 等の金属の単層膜
もしくは Al2O3、 AlN、CrO2、TiO2、TaO2、TaO5、Ta
3N、V2O5等の金属化合物の単層膜が予め形成されていて
もよい。これらの単層膜の表面層は SiO2/Si3N4、 SiO
2/Al、 SiO2/Si3N4/Al等のように前述の単層膜を２種以
上組み合わせて積層した多層構造に変えてもよい。
【００２７】
【比較例】比較のために従来の製造方法で光ディスク用
スタンパーを製造した。実施例の製造方法と異なるとこ
ろは、カッティングマシンでの露光の際に所定領域Ａの
みにパターンＡを露光し、これ以外の領域にはフォトレ
ジストを塗布せず、原盤表面が露出した状態にした。そ
の他の製造条件は、全て実施例における条件と同じであ
る。
スタンパーを製造した。実施例の製造方法と異なるとこ
ろは、カッティングマシンでの露光の際に所定領域Ａの
みにパターンＡを露光し、これ以外の領域にはフォトレ
ジストを塗布せず、原盤表面が露出した状態にした。そ
の他の製造条件は、全て実施例における条件と同じであ
る。
【００２８】製造したスタンパーの断面を示す概念図を
図５に示す。本比較例においては、前記した通りに領域
Ｂにはフォトレジストは形成せず、スタンパー中心から
半径29〜61 mm の領域を所定領域Ａとした。このように
してスタンパーを製造した後に所定領域Ａの溝深さを触
針式段差計（ランクテーラーホブソン製タリステップ）
により測定した。この測定結果を図６に示す。スタンパ
ーの溝深さは所定領域Ａ（半径29〜61mm）の内側の領域
では約700 Åで一定の溝深さになっているが、その端部
においては内側の領域よりも深くなっており、所定領域
Ａの最端部では800 Å以上あり、約100 Åも深さに差異
が生じ、実施例のスタンパーのように均一の溝深さには
形成できないことが分かる。
図５に示す。本比較例においては、前記した通りに領域
Ｂにはフォトレジストは形成せず、スタンパー中心から
半径29〜61 mm の領域を所定領域Ａとした。このように
してスタンパーを製造した後に所定領域Ａの溝深さを触
針式段差計（ランクテーラーホブソン製タリステップ）
により測定した。この測定結果を図６に示す。スタンパ
ーの溝深さは所定領域Ａ（半径29〜61mm）の内側の領域
では約700 Åで一定の溝深さになっているが、その端部
においては内側の領域よりも深くなっており、所定領域
Ａの最端部では800 Å以上あり、約100 Åも深さに差異
が生じ、実施例のスタンパーのように均一の溝深さには
形成できないことが分かる。
【００２９】このように製造されたスタンパーを用いて
光ディスクを製造し、これに記録再生を行った結果、ト
ラッキングエラーを生じ、全面安定したＣ／Ｎ比を得る
ことはできなかった。以上は光ディスク用スタンパーを
製造する場合の例であるが、パターニング加工物として
は光ディスク用スタンパーに限定されるわけではない。
すなわちプラスチック（アクリル樹脂等）の部品や素子
を射出成形するときに用いるスタンパー、または紫外線
硬化樹脂等を使った注型法に用いるスタンパー（鋳型）
などでもよい。
光ディスクを製造し、これに記録再生を行った結果、ト
ラッキングエラーを生じ、全面安定したＣ／Ｎ比を得る
ことはできなかった。以上は光ディスク用スタンパーを
製造する場合の例であるが、パターニング加工物として
は光ディスク用スタンパーに限定されるわけではない。
すなわちプラスチック（アクリル樹脂等）の部品や素子
を射出成形するときに用いるスタンパー、または紫外線
硬化樹脂等を使った注型法に用いるスタンパー（鋳型）
などでもよい。
【００３０】また、目的物は、スタンパーに限らず光デ
ィスクそのもの又は基板でもよい。この場合、原盤とし
ては光ディスク用のガラス基板が使われる。 ガラス基
板材料としてはソーダライムガラス、アルミノシリケー
トガラス、無アルカリガラス、低膨張ガラス、結晶化ガ
ラス、半導体ドープガラス等が挙げられる。またガラス
に限らず合成石英や溶融石英等の石英基板またはSi基板
またはAl、Cu、Fe等の金属板でも良い。
ィスクそのもの又は基板でもよい。この場合、原盤とし
ては光ディスク用のガラス基板が使われる。 ガラス基
板材料としてはソーダライムガラス、アルミノシリケー
トガラス、無アルカリガラス、低膨張ガラス、結晶化ガ
ラス、半導体ドープガラス等が挙げられる。またガラス
に限らず合成石英や溶融石英等の石英基板またはSi基板
またはAl、Cu、Fe等の金属板でも良い。
【００３１】また、基板のコストを安くするためにポリ
カーボネートやアモルファスポリオレフィン、アクリル
樹脂等のプラスチック基板を用いてもよい。原盤には、
表面層としてSiO2、 Si3N4、SiON、SiAlON、 TiSi2、 T
aSi2、MoSi2、WSi2等のSi化合物の単層膜もしくはAl、C
u、Au、Ag、Pt、Ni、Co、Cr、Ta、Ti、W 、Mo、Nb、
V、TbFeCo、GdTbFe、DyFeCo、PtCo、形状記憶合金等の
金属の単層膜もしくは Al2O3、 AlN、CrO2、TiO2、Ta
O2、TaO5、Ta2N、V2O5等の金属化合物の単層膜もしくは
Ga、Ge、As、Se、In、Sn、Sb、Te、GaAs、AlGaAs、GeSb
Te等の半導体関連物質や相変化型物質の単層膜を形成し
ておいてもよい。
カーボネートやアモルファスポリオレフィン、アクリル
樹脂等のプラスチック基板を用いてもよい。原盤には、
表面層としてSiO2、 Si3N4、SiON、SiAlON、 TiSi2、 T
aSi2、MoSi2、WSi2等のSi化合物の単層膜もしくはAl、C
u、Au、Ag、Pt、Ni、Co、Cr、Ta、Ti、W 、Mo、Nb、
V、TbFeCo、GdTbFe、DyFeCo、PtCo、形状記憶合金等の
金属の単層膜もしくは Al2O3、 AlN、CrO2、TiO2、Ta
O2、TaO5、Ta2N、V2O5等の金属化合物の単層膜もしくは
Ga、Ge、As、Se、In、Sn、Sb、Te、GaAs、AlGaAs、GeSb
Te等の半導体関連物質や相変化型物質の単層膜を形成し
ておいてもよい。
【００３２】また、有機系材料、有機色素系材料、フォ
トクロミック材料等の表面層を形成してもよい。この有
機系材料にはニトロセルロース、エチルヘキシルアクリ
レート、トリアクリレートオリゴマー等があり、有機色
素系材料としてはシアニン色素、ナフトキノン系色素、
フタロシアニン系色素等があげられ、フォトクロミック
材料にはハロゲン化銀、ハロゲン化鉛、ハロゲン化銀ガ
ラス等があげられる。
トクロミック材料等の表面層を形成してもよい。この有
機系材料にはニトロセルロース、エチルヘキシルアクリ
レート、トリアクリレートオリゴマー等があり、有機色
素系材料としてはシアニン色素、ナフトキノン系色素、
フタロシアニン系色素等があげられ、フォトクロミック
材料にはハロゲン化銀、ハロゲン化鉛、ハロゲン化銀ガ
ラス等があげられる。
【００３３】これらの単層膜の表面層は SiO2/Si3N4 、
SiO2/Al 、SiO2/Si3N4/Al 等のように前述の単層膜を２
種以上組み合わせて積層した多層構造に変えてもよい。
また、目的物はフォトマスクでもよい。この場合、原盤
としてはフォトマスク用のガラス基板が使われる。ガラ
ス基板材料としてはソーダライムガラス、アルミノシリ
ケートガラス、無アルカリガラス、低膨張ガラス、結晶
化ガラス、半導体ドープガラス等があげられる。またガ
ラスに限らず合成石英や溶融石英等の石英基板またはCa
F2基板でもよい。また、SiO2、 Si3N4、SiON、SiAlON、
TiSi2、TaSi2、 MoSi2、WSi2等のSi化合物の表面層も
しくはAl、Cu、Au、Ag、Pt、Ni、Co、Cr、Ta、Ti、W 、
Mo、Nb、 V等の金属の表面層もしくは Al2O3、 AlN、Cr
O2、TiO2、TaO2、TaO5、Ta2N、V2O5等の金属化合物の表
面層等の金属化合物の表面層を形成しておいても良い。
これらの単層膜の表面層はSiO2/Si3N4、 SiO2/Al、SiO2
/Si3N4/Al等のように前述の単層膜を２種以上組み合わ
せて積層した多層構造にしてもよい。また、目的が半導
体素子でもよい。この場合は原盤としてはSi基板が使わ
れる。Si基板に限らずソーダライムガラス、アルミノシ
リケートガラス、無アルカリガラス、低膨張ガラス、結
晶化ガラス、半導体ドープガラス等のガラス基板または
合成石英や溶融石英等の石英基板またはAl、Cu、Fe等の
金属板を用いてもよい。また、SiO2、 Si3N4、SiON、Si
AlON等のSi化合物の表面層もしくはAl、Cu、Au、Ag、P
t、Ni、Co、Cr、Ta、TbFeCo、GdTbFe、DyFeCo、PtCo、
形状記憶合金等の金属の表面層もしくはAi2O3 、AlN 、
CrO2、TaO5等の金属化合物の表面層もしくはGa、Ge、A
s、Se、In、Sn、Sb、Te、GaAs、AlGaAs、等の半導体関
連物質の表面層を形成しておいても良い。また、前記し
た材料からなる有機系材料、有機色素系材料、フォトク
ロミック材料等の表面層を形成しておいてもよい。表面
層はSiO2/Si3N4、SiO2/Al 、SiO2/Si3N4/Al 等のように
前述した物質を組み合わせて多層構造にしてもよい。
SiO2/Al 、SiO2/Si3N4/Al 等のように前述の単層膜を２
種以上組み合わせて積層した多層構造に変えてもよい。
また、目的物はフォトマスクでもよい。この場合、原盤
としてはフォトマスク用のガラス基板が使われる。ガラ
ス基板材料としてはソーダライムガラス、アルミノシリ
ケートガラス、無アルカリガラス、低膨張ガラス、結晶
化ガラス、半導体ドープガラス等があげられる。またガ
ラスに限らず合成石英や溶融石英等の石英基板またはCa
F2基板でもよい。また、SiO2、 Si3N4、SiON、SiAlON、
TiSi2、TaSi2、 MoSi2、WSi2等のSi化合物の表面層も
しくはAl、Cu、Au、Ag、Pt、Ni、Co、Cr、Ta、Ti、W 、
Mo、Nb、 V等の金属の表面層もしくは Al2O3、 AlN、Cr
O2、TiO2、TaO2、TaO5、Ta2N、V2O5等の金属化合物の表
面層等の金属化合物の表面層を形成しておいても良い。
これらの単層膜の表面層はSiO2/Si3N4、 SiO2/Al、SiO2
/Si3N4/Al等のように前述の単層膜を２種以上組み合わ
せて積層した多層構造にしてもよい。また、目的が半導
体素子でもよい。この場合は原盤としてはSi基板が使わ
れる。Si基板に限らずソーダライムガラス、アルミノシ
リケートガラス、無アルカリガラス、低膨張ガラス、結
晶化ガラス、半導体ドープガラス等のガラス基板または
合成石英や溶融石英等の石英基板またはAl、Cu、Fe等の
金属板を用いてもよい。また、SiO2、 Si3N4、SiON、Si
AlON等のSi化合物の表面層もしくはAl、Cu、Au、Ag、P
t、Ni、Co、Cr、Ta、TbFeCo、GdTbFe、DyFeCo、PtCo、
形状記憶合金等の金属の表面層もしくはAi2O3 、AlN 、
CrO2、TaO5等の金属化合物の表面層もしくはGa、Ge、A
s、Se、In、Sn、Sb、Te、GaAs、AlGaAs、等の半導体関
連物質の表面層を形成しておいても良い。また、前記し
た材料からなる有機系材料、有機色素系材料、フォトク
ロミック材料等の表面層を形成しておいてもよい。表面
層はSiO2/Si3N4、SiO2/Al 、SiO2/Si3N4/Al 等のように
前述した物質を組み合わせて多層構造にしてもよい。
【００３４】反応性イオンエッチング時の反応性ガスと
しては、原盤の材料をガラスまたは石英とした場合もし
くは表面層がSiO2を含む場合はCHF3またはCF4 またはC2
F6またはNF3 またはCHF3とArの混合ガスまたはCF4 とH2
の混合ガスまたはCF4 とO2の混合ガス等が使われる。表
面層がSi3N4 を含む場合は前記ガスの他に CH2F2または
CH3F、またはCF4 とN2の混合ガスまたはNF3 とN2の混合
ガスでもよい。原盤をAl製金属板とした場合または表面
層にAlを含む場合またはGaAs等の半導体の場合は前述の
ガスの他にCCl4を用いるかあるいは他のガスと混合して
使ってもよい。
しては、原盤の材料をガラスまたは石英とした場合もし
くは表面層がSiO2を含む場合はCHF3またはCF4 またはC2
F6またはNF3 またはCHF3とArの混合ガスまたはCF4 とH2
の混合ガスまたはCF4 とO2の混合ガス等が使われる。表
面層がSi3N4 を含む場合は前記ガスの他に CH2F2または
CH3F、またはCF4 とN2の混合ガスまたはNF3 とN2の混合
ガスでもよい。原盤をAl製金属板とした場合または表面
層にAlを含む場合またはGaAs等の半導体の場合は前述の
ガスの他にCCl4を用いるかあるいは他のガスと混合して
使ってもよい。
【００３５】また、ここで述べている反応性イオンエッ
チングとしては反応性マグネトロンイオンエッチングや
反応性イオンビームエッチング等のような狭い意味での
反応性イオンエッチングを応用したドライエッチングを
も含んだ広い意味である。
チングとしては反応性マグネトロンイオンエッチングや
反応性イオンビームエッチング等のような狭い意味での
反応性イオンエッチングを応用したドライエッチングを
も含んだ広い意味である。
【００３６】
【発明の効果】以上のように、本発明の製造方法のよう
に所定領域Ａの外側にダミーのレジストパターンを形成
すると、エッチングされて生じた凹凸パターンの深さが
均一になる。その結果、本発明の製造方法を光ディスク
用スタンパーの製造に応用すると、溝深さが均一なスタ
ンパーが得られ、トラッキングエラーの生じない、安定
したＣ／Ｎ比の光ディスクを複製できる。また、光ディ
スクそのものを製造した場合でもトラッキングエラーの
生じない、安定したＣ／Ｎ比の光ディスクを製造でき
る。更に、他のパターニング加工物に応用した場合、ゾ
ーンプレートの集光能力が高まり、エンコーダーの解像
度が高くなり、更に半導体の電流−電圧特性が向上し、
メモリーミスが生じなくなる。
に所定領域Ａの外側にダミーのレジストパターンを形成
すると、エッチングされて生じた凹凸パターンの深さが
均一になる。その結果、本発明の製造方法を光ディスク
用スタンパーの製造に応用すると、溝深さが均一なスタ
ンパーが得られ、トラッキングエラーの生じない、安定
したＣ／Ｎ比の光ディスクを複製できる。また、光ディ
スクそのものを製造した場合でもトラッキングエラーの
生じない、安定したＣ／Ｎ比の光ディスクを製造でき
る。更に、他のパターニング加工物に応用した場合、ゾ
ーンプレートの集光能力が高まり、エンコーダーの解像
度が高くなり、更に半導体の電流−電圧特性が向上し、
メモリーミスが生じなくなる。
【００３７】このように、均一かつ精度の高い凹凸パタ
ーンの形成が必要とされるエッチング加工物の製造、そ
れぞれ加工物の特性を向上させることができる。
ーンの形成が必要とされるエッチング加工物の製造、そ
れぞれ加工物の特性を向上させることができる。
【図１】は、本発明に係わるパターニング加工物の断面
を示す概念図である。
を示す概念図である。
【図２】は、本発明に係わるパターニング加工物の反応
性イオンエッチング時のエッチャントの作用を示す概念
図である。
性イオンエッチング時のエッチャントの作用を示す概念
図である。
【図３】は、実施例に係わる光ディスク用スタンパーの
断面を示す概念図である。
断面を示す概念図である。
【図４】は、実施例に係わる光ディスク用スタンパーの
溝深さと半径位置の関係を示すグラフである。
溝深さと半径位置の関係を示すグラフである。
【図５】は、比較例に係わる光ディスク用スタンパーの
断面を示す概念図である。
断面を示す概念図である。
【図６】は、比較例に係わる光ディスク用スタンパーの
溝深さと半径位置の関係を示すグラフである。
溝深さと半径位置の関係を示すグラフである。
【図７】は、従来のパターニング加工物の断面を示す概
念図である。
念図である。
【図８】は、従来のパターニング加工物の反応性イオン
エッチング時のエッチャントの作用を説明する概念図で
ある。
エッチング時のエッチャントの作用を説明する概念図で
ある。
【図９】は、従来のパターニング加工物のパターンの深
さとパターン位置の関係を示すグラフである。
さとパターン位置の関係を示すグラフである。
【図10】は、従来のパターニング加工物の製造工程図で
ある。
ある。
Ａ・・・・・所定領域Ａ Ｂ・・・・・所定領域Ａ以外の領域Ｂ １・・・・・所定領域Ａの内部 ２・・・・・所定領域Ａの端部 ３・・・・・原盤 ４・・・・・フォトレジスト 以上
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年２月１８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】そこで本発明は、第１に「第１工程：原盤
の表面にフォトレジストを塗布する工程； 第２工程：前記原盤上の所定領域Ａのフォトレジストに
対し所定パターンＡを露光する工程； 第３工程：前記フォトレジストを現像処理し、前記所定
領域ＡにレジストパターンＡを形成する工程； 第４工程：前記レジストパターンＡをマスクとして、反
応性イオンエッチングをする工程；から成るパターニン
グ加工物の製造方法において、前記第１〜３工程におい
て、所定領域Ａ以外の領域Ｂにフォトレジストを塗布し
ない領域を設けることを特徴とする反応性イオンエッチ
ングによるパターニング加工物の製造方法（請求項
１）」を提供する。
の表面にフォトレジストを塗布する工程； 第２工程：前記原盤上の所定領域Ａのフォトレジストに
対し所定パターンＡを露光する工程； 第３工程：前記フォトレジストを現像処理し、前記所定
領域ＡにレジストパターンＡを形成する工程； 第４工程：前記レジストパターンＡをマスクとして、反
応性イオンエッチングをする工程；から成るパターニン
グ加工物の製造方法において、前記第１〜３工程におい
て、所定領域Ａ以外の領域Ｂにフォトレジストを塗布し
ない領域を設けることを特徴とする反応性イオンエッチ
ングによるパターニング加工物の製造方法（請求項
１）」を提供する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１７】第６に「前記原盤が表面層としてＳｉ化合
物又は金属又は金属化合物又は有機系材料又は有機色素
系材料又はフォトクロミック材料からなる単層膜を有す
る光ディスク用の基板であることを特徴とする請求項１
記載のパターニング加工物の製造方法（請求項６）」を
提供する。第７に「前記原盤が表面層としてＳｉ化合物
薄膜、金属薄膜及び金属化合物薄膜からなる群から選ば
れた２種以上の薄膜を積層してなる多層膜を有する光デ
ィスク用の基板であることを特徴とする請求項１記載の
パターニング加工物の製造方法（請求項７）」を提供す
る。
物又は金属又は金属化合物又は有機系材料又は有機色素
系材料又はフォトクロミック材料からなる単層膜を有す
る光ディスク用の基板であることを特徴とする請求項１
記載のパターニング加工物の製造方法（請求項６）」を
提供する。第７に「前記原盤が表面層としてＳｉ化合物
薄膜、金属薄膜及び金属化合物薄膜からなる群から選ば
れた２種以上の薄膜を積層してなる多層膜を有する光デ
ィスク用の基板であることを特徴とする請求項１記載の
パターニング加工物の製造方法（請求項７）」を提供す
る。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２２】
【実施例】本発明の製造方法に従い、光ディスク用スタ
ンパーを製造した。このスタンパーの断面の概略図を図
３に示す。 〔第１工程〕まず、外径220 mm、内径10mm、厚さ６mmの
表面が平滑に研磨されたソーダライムガラス原盤をイソ
プロピルアルコール及び加圧超純水でスピン洗浄した後
スピン乾燥し、次いでシランカップリング剤をスピンコ
ートする。その後、ポジ型フォトレジスト（ヘキスト製
ＡＺ1350）をスピンコートする。スピンコート時に、ス
ピンナーのレジスト吐出ノズルのスキャン領域を調節す
ることによりガラス原盤の内径部分（半径５mmの位置）
から半径約23mmまでの範囲がレジスト塗布されないよう
にし、レジストが塗布されない領域を形成した。その
後、100 ℃のクリーンオーブン内で30分間プリベークし
た。本実施例において、フォトレジストの膜厚は約2000
Åであるが一般的には500 〜10000 Åである。 更に、
プリベーク後、原盤の半径約68mmから外周に向かって外
側の領域（半径110 mm）までの範囲のレジストをアセト
ンで溶解除去する。これにより、溝が形成される領域
（所定領域Ａ）以外の領域、つまり原盤の内周部分から
半径23mmまでの領域及び半径68mmから外径部分までの領
域にレジストが形成されない領域が形成され、エッチン
グ時においてマスクのない領域が形成される。 〔第２工程〕次に、波長457.9 nmのＡｒレーザーを搭載
したカッティングマシンで原盤の半径29ｍｍから半径61
ｍｍまでを露光し、このとき露光パターンはら旋状の溝
パターンＡである。この領域が所定領域Ａである（図３
参照）。所定領域ＡのパターンＡの溝ピッチは 1.6μｍ
であり現像後に幅1.0 μｍの溝が、ら旋状に形成され
る。また、本実施例において幅は1.0 μｍであるが一般
的には0.4 〜1.2 μｍである。
ンパーを製造した。このスタンパーの断面の概略図を図
３に示す。 〔第１工程〕まず、外径220 mm、内径10mm、厚さ６mmの
表面が平滑に研磨されたソーダライムガラス原盤をイソ
プロピルアルコール及び加圧超純水でスピン洗浄した後
スピン乾燥し、次いでシランカップリング剤をスピンコ
ートする。その後、ポジ型フォトレジスト（ヘキスト製
ＡＺ1350）をスピンコートする。スピンコート時に、ス
ピンナーのレジスト吐出ノズルのスキャン領域を調節す
ることによりガラス原盤の内径部分（半径５mmの位置）
から半径約23mmまでの範囲がレジスト塗布されないよう
にし、レジストが塗布されない領域を形成した。その
後、100 ℃のクリーンオーブン内で30分間プリベークし
た。本実施例において、フォトレジストの膜厚は約2000
Åであるが一般的には500 〜10000 Åである。 更に、
プリベーク後、原盤の半径約68mmから外周に向かって外
側の領域（半径110 mm）までの範囲のレジストをアセト
ンで溶解除去する。これにより、溝が形成される領域
（所定領域Ａ）以外の領域、つまり原盤の内周部分から
半径23mmまでの領域及び半径68mmから外径部分までの領
域にレジストが形成されない領域が形成され、エッチン
グ時においてマスクのない領域が形成される。 〔第２工程〕次に、波長457.9 nmのＡｒレーザーを搭載
したカッティングマシンで原盤の半径29ｍｍから半径61
ｍｍまでを露光し、このとき露光パターンはら旋状の溝
パターンＡである。この領域が所定領域Ａである（図３
参照）。所定領域ＡのパターンＡの溝ピッチは 1.6μｍ
であり現像後に幅1.0 μｍの溝が、ら旋状に形成され
る。また、本実施例において幅は1.0 μｍであるが一般
的には0.4 〜1.2 μｍである。
Claims (10)
- 【請求項１】第１工程：原盤の表面にフォトレジストを
塗布する工程； 第２工程：前記原盤上の所定領域Ａのフォトレジストに
対し所定パターンＡを露光する工程； 第３工程：前記フォトレジストを現像処理し、前記所定
領域ＡにレジストパターンＡを形成する工程； 第４工程：前記レジストパターンＡをマスクとして、反
応性イオンエッチングをする工程；から成るパターニン
グ加工物の製造方法において、 前記第２工程において、所定領域Ａ以外の領域Ｂにフォ
トレジストを塗布しない領域を設けることを特徴とする
反応性イオンエッチングによるパターニング加工物の製
造方法。 - 【請求項２】 前記原盤がスタンパー用のガラス原盤又
は石英原盤又はＳｉ原盤又は金属板であることを特徴と
する請求項１記載の製造方法。 - 【請求項３】 前記原盤が表面層としてＳｉ化合物又は
金属又は金属化合物からなる単層膜を有するスタンパー
用原盤であることを特徴とする請求項１記載のパターニ
ング加工物の製造方法。 - 【請求項４】 前記原盤が表面層としてＳｉ化合物薄
膜、金属薄膜及び金属化合物薄膜からなる群から選ばれ
た２種以上の薄膜を積層してなる多層膜を有するスタン
パー用原盤であることを特徴とする請求項１記載のパタ
ーニング加工物の製造方法。 - 【請求項５】 前記原盤がガラス基板又は石英基板又は
Ｓｉ基板又は金属基板又はプラスチック基板からなる
光ディスク用の基板であることを特徴とする請求項１記
載のパターニング加工物の製造方法。 - 【請求項６】 前記原盤が表面層としてＳｉ化合物又は
金属又は金属化合物又は有機系材料又は有機色素系材料
又はフォトクロミック材料からなる単層膜を有する光デ
ィスク用の基板であることを特徴とする請求項１記載の
パターニング加工物の製造方法。 - 【請求項７】 前記原盤が表面層としてＳｉ化合物薄
膜、金属薄膜及び金属化合物薄膜からなる群から選ばれ
てた２種以上の薄膜を積層してなる多層膜を有する光デ
ィスク用の基板であることを特徴とする請求項１記載の
パターニング加工物の製造方法。 - 【請求項８】 前記原盤がガラス基板又は石英基板又は
Ｓｉ基板又は金属基板又はプラスチック基板又はCaF2基
板からなるフォトマスクであることを特徴とする請求項
１記載のパターニング加工物の製造方法。 - 【請求項９】 前記原盤が表面層としてＳｉ化合物又は
金属又は金属化合物からなる単層膜を有するフォトマス
クであることを特徴とする請求項１記載のパターニング
加工物の製造方法。 - 【請求項１０】 前記各原盤表面層としてＳｉ化合物薄
膜、金属薄膜及び金属化合物薄膜からなる多層膜を有す
るフォトマスクであることを特徴とする請求項１記載の
パターニング加工物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5004750A JPH06212458A (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | 反応性イオンエッチングによるパターニング 加工物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5004750A JPH06212458A (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | 反応性イオンエッチングによるパターニング 加工物の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06212458A true JPH06212458A (ja) | 1994-08-02 |
Family
ID=11592589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5004750A Pending JPH06212458A (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | 反応性イオンエッチングによるパターニング 加工物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06212458A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4881611A (en) * | 1987-01-22 | 1989-11-21 | Aisin Seiki Kabushikikaisha | Abnormality detector for motor assisted steering apparatus |
| JP2002284545A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-03 | Ulvac Japan Ltd | ドライエッチング法 |
| US6741422B2 (en) * | 2001-06-18 | 2004-05-25 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Method of making magnetic head having narrow pole tip and fine pitch coil |
-
1993
- 1993-01-14 JP JP5004750A patent/JPH06212458A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4881611A (en) * | 1987-01-22 | 1989-11-21 | Aisin Seiki Kabushikikaisha | Abnormality detector for motor assisted steering apparatus |
| JP2002284545A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-03 | Ulvac Japan Ltd | ドライエッチング法 |
| JP4568445B2 (ja) * | 2001-03-27 | 2010-10-27 | 株式会社アルバック | ドライエッチング法 |
| US6741422B2 (en) * | 2001-06-18 | 2004-05-25 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Method of making magnetic head having narrow pole tip and fine pitch coil |
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