JPH02137914A - 情報記憶ディスク用原板および情報記憶ディスク用基板の製造方法 - Google Patents
情報記憶ディスク用原板および情報記憶ディスク用基板の製造方法Info
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- JPH02137914A JPH02137914A JP29268588A JP29268588A JPH02137914A JP H02137914 A JPH02137914 A JP H02137914A JP 29268588 A JP29268588 A JP 29268588A JP 29268588 A JP29268588 A JP 29268588A JP H02137914 A JPH02137914 A JP H02137914A
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Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度記憶が可能な磁気ディスク、光ディスク
、光磁気ディスクに用いられる基板およびそれら基板を
作製するための原板（スタンパ−）の製造方法に関する
ものである。
、光磁気ディスクに用いられる基板およびそれら基板を
作製するための原板（スタンパ−）の製造方法に関する
ものである。
従来の技術
光ディスクや磁気ディスクは長期保存にたいするデータ
の信転性の確保や、高速書き込み、読み出しに対する基
板の安定性や信顧性のるα保が重要点の一つであるが、
それにはディスク基板として変形のない基板を用いるこ
とが必要であり、ガラス基板やアルミニウムＣＡｌ）基
板を用いることが望まれる。例えば基板にガラスを用い
る場合、従来ではフォトポリマー法により案内溝を設け
ることが一般的であった。（例えば、金丸斉 光学式ビ
デオディスクシステム、テレビジョン学会誌３２巻１号
１９７８年１５ｐｐ、）、これらの光デイスク用原板
（スタンパ−）には、ニッケル（Ｎｉ）製の原板を用い
ており、ガラスやアルミニウム等の耐熱性のたがい物質
に案内溝を転写することができないのが一般的であった
。また、最近ではこれを更に改善した反応性イオンエツ
チング法によりガラス基板に直接凹凸の案内溝を設ける
方法も開発されている（太田賢司他 真空、２８（２）
７７ （１９８５））。
の信転性の確保や、高速書き込み、読み出しに対する基
板の安定性や信顧性のるα保が重要点の一つであるが、
それにはディスク基板として変形のない基板を用いるこ
とが必要であり、ガラス基板やアルミニウムＣＡｌ）基
板を用いることが望まれる。例えば基板にガラスを用い
る場合、従来ではフォトポリマー法により案内溝を設け
ることが一般的であった。（例えば、金丸斉 光学式ビ
デオディスクシステム、テレビジョン学会誌３２巻１号
１９７８年１５ｐｐ、）、これらの光デイスク用原板
（スタンパ−）には、ニッケル（Ｎｉ）製の原板を用い
ており、ガラスやアルミニウム等の耐熱性のたがい物質
に案内溝を転写することができないのが一般的であった
。また、最近ではこれを更に改善した反応性イオンエツ
チング法によりガラス基板に直接凹凸の案内溝を設ける
方法も開発されている（太田賢司他 真空、２８（２）
７７ （１９８５））。
従来の代表的なガラス基板に案内溝を作製する工程を以
下に示す、ガラス円板を洗浄した後、ポジ型レジストを
スピンコータで２００〜３００ｎｍの厚さに塗布し、プ
リベークした後、アルゴン（Ａｒ）レーザ光を集光し、
円板を一定速度で回転させなからレーザ光を円板の半径
方向に移動させる方法で、溝幅約８００ｎｍ、ピンチ１
６００ｎｍの螺線状の案内溝を記録する。次にれを現像
した後、残ったレジストをマスクとしてＣＨＦ、ガスを
用いた反応性イオンエツチングを行ない約７０ｎｍの深
さまでガラスをエンチングした後、不要になったレジネ
トは酸素ガスで灰化して除去することによって光デイス
ク用ガラス基板に案内溝が作製されている。これは、原
板（スタンバ−）を用いない方法であるため生産が極め
て悪いとされている。又磁気ディスク用の基板は一般的
に光ディスクのような案内溝がないので光ディスクのよ
うな高トラツク密度化が遅れている。
下に示す、ガラス円板を洗浄した後、ポジ型レジストを
スピンコータで２００〜３００ｎｍの厚さに塗布し、プ
リベークした後、アルゴン（Ａｒ）レーザ光を集光し、
円板を一定速度で回転させなからレーザ光を円板の半径
方向に移動させる方法で、溝幅約８００ｎｍ、ピンチ１
６００ｎｍの螺線状の案内溝を記録する。次にれを現像
した後、残ったレジストをマスクとしてＣＨＦ、ガスを
用いた反応性イオンエツチングを行ない約７０ｎｍの深
さまでガラスをエンチングした後、不要になったレジネ
トは酸素ガスで灰化して除去することによって光デイス
ク用ガラス基板に案内溝が作製されている。これは、原
板（スタンバ−）を用いない方法であるため生産が極め
て悪いとされている。又磁気ディスク用の基板は一般的
に光ディスクのような案内溝がないので光ディスクのよ
うな高トラツク密度化が遅れている。
発明が解決しようとする課題
従来のフォトポリマー法においては、ある程度生産性良
く光デイスク用基板を製造できるが、光デイスク用の原
板（スタンバ−）がニッケル製であるため、フォトポリ
マー法やインジェクション法によって作製される光デイ
スク基板は樹脂製のものであった。しかしニッケルスタ
ンバ−を用い、耐熱性および信鎖性により優れたガラス
やアルミニウムに案内溝を付けることは出来ないという
欠点があった。又反応性イオンエツチング法によりガラ
ス基板に直接凹凸の案内溝を設ける方法は、ガラス基板
−枚一枚にレジストを塗布しレジスト上の案内溝パター
ンの現像工程や反応性イオンエツチング工程など複雑な
工程を含んでおり、極めて生産性が悪く、しかも案内溝
の品質も良（ないという欠点を有していた。
く光デイスク用基板を製造できるが、光デイスク用の原
板（スタンバ−）がニッケル製であるため、フォトポリ
マー法やインジェクション法によって作製される光デイ
スク基板は樹脂製のものであった。しかしニッケルスタ
ンバ−を用い、耐熱性および信鎖性により優れたガラス
やアルミニウムに案内溝を付けることは出来ないという
欠点があった。又反応性イオンエツチング法によりガラ
ス基板に直接凹凸の案内溝を設ける方法は、ガラス基板
−枚一枚にレジストを塗布しレジスト上の案内溝パター
ンの現像工程や反応性イオンエツチング工程など複雑な
工程を含んでおり、極めて生産性が悪く、しかも案内溝
の品質も良（ないという欠点を有していた。
本発明は、このような欠点を克服すべくなされたもので
あり、極めて優れた耐熱性とガラスやアルミニウムとの
反応性に乏しい情報記憶ディスク用原板を用いて、極め
て少ない工程でしかも高品質の光ディスク、光磁気ディ
スクおよび磁気ディスク用基板の案内溝を作製する方法
を提供することを目的としている。
あり、極めて優れた耐熱性とガラスやアルミニウムとの
反応性に乏しい情報記憶ディスク用原板を用いて、極め
て少ない工程でしかも高品質の光ディスク、光磁気ディ
スクおよび磁気ディスク用基板の案内溝を作製する方法
を提供することを目的としている。
課題を解決するための手段
本発明は上記課題を解決するために、ルテニウム（Ｒｕ
）合金膜でコーティングされた超硬合金あるいはサーメ
ット上にネガタイプのレジストをスピンコートし、ブリ
ベイク後レーザービーム露光あるいは電子ビーム露光に
よりトラッキングサーボ用の案内溝を描き、続いて現像
を行なった後乾式エツチング法によりルテニウム（Ｒｕ
）合金膜の一部をエツチングし、その後レジストを除去
する工程あるいは現像の後、乾式エツチングによりレジ
ストの全てとルテニウム（Ｒｕ）合金膜の一部とを除去
する工程を経て情報記憶ディスク用原板を作製する方法
を提供すると共に、ルテニうム（Ｒｕ）合金膜でコーテ
ィングされた超硬合金あるいはサーメットから成る１対
の情報記憶ディスク用原板の間にガラスあるいはアルミ
ニウム（Ａｊｌりをはさみ込んだ後、加熱し、加圧形成
して上記原板の案内溝形状をガラスあるいはアルミニウ
ム（Ａｆｆｉ）上に転写して情報記憶ディスク用基板を
作製する方法を提供しようとしたものである。
）合金膜でコーティングされた超硬合金あるいはサーメ
ット上にネガタイプのレジストをスピンコートし、ブリ
ベイク後レーザービーム露光あるいは電子ビーム露光に
よりトラッキングサーボ用の案内溝を描き、続いて現像
を行なった後乾式エツチング法によりルテニウム（Ｒｕ
）合金膜の一部をエツチングし、その後レジストを除去
する工程あるいは現像の後、乾式エツチングによりレジ
ストの全てとルテニウム（Ｒｕ）合金膜の一部とを除去
する工程を経て情報記憶ディスク用原板を作製する方法
を提供すると共に、ルテニうム（Ｒｕ）合金膜でコーテ
ィングされた超硬合金あるいはサーメットから成る１対
の情報記憶ディスク用原板の間にガラスあるいはアルミ
ニウム（Ａｊｌりをはさみ込んだ後、加熱し、加圧形成
して上記原板の案内溝形状をガラスあるいはアルミニウ
ム（Ａｆｆｉ）上に転写して情報記憶ディスク用基板を
作製する方法を提供しようとしたものである。
作用
本発明は、ガラス材料やアルミニウムをあたかもレコー
ドディスクのプレス成形のように１対の案内溝パターン
を持つ原板（スタンバ−）で加熱プレス成形して案内溝
を形成する方法であるので、製造工程が少なくなると同
時に高精度に案内溝のパターンを形成できる。このよう
に高精度にガラスやアルミニウム上に案内溝を形成でき
るのは、原板（スタンバ−）の表面に形成したルテニウ
ム合金膜層の高耐熱性およびガラスやアルミニウムと高
温においても反応しない不活性さ、および乾式エツチン
グ法による非常に精度の良い原板加工法によるものであ
る。
ドディスクのプレス成形のように１対の案内溝パターン
を持つ原板（スタンバ−）で加熱プレス成形して案内溝
を形成する方法であるので、製造工程が少なくなると同
時に高精度に案内溝のパターンを形成できる。このよう
に高精度にガラスやアルミニウム上に案内溝を形成でき
るのは、原板（スタンバ−）の表面に形成したルテニウ
ム合金膜層の高耐熱性およびガラスやアルミニウムと高
温においても反応しない不活性さ、および乾式エツチン
グ法による非常に精度の良い原板加工法によるものであ
る。
実施例
以下、本発明の一実施例の情報記憶ディスク用原板の構
成および製造方法ならびに原板を用いた光デイスク用基
板の製造方法について図面を用いて説明する。
成および製造方法ならびに原板を用いた光デイスク用基
板の製造方法について図面を用いて説明する。
実施例１
以下、本発明の実施例を第１図に沿って説明する。第１
図（ａ）に示すように、まず直径９０ｍ−φ、厚さＩｍ
ｓのＷＣを主成分とする超硬合金母材を鏡面研磨して、
その表面粗度をＲＭＳ＝８〜ｌＯ人に仕上げた後第１図
（ｂ）に示すようにＲｕ ６０ Ｗ ｔ％−Ｒｕ４０ｗ
ｔ％から成る合金膜をスパッタ法によりｖ′３４μｍの
厚さに成膜した。
図（ａ）に示すように、まず直径９０ｍ−φ、厚さＩｍ
ｓのＷＣを主成分とする超硬合金母材を鏡面研磨して、
その表面粗度をＲＭＳ＝８〜ｌＯ人に仕上げた後第１図
（ｂ）に示すようにＲｕ ６０ Ｗ ｔ％−Ｒｕ４０ｗ
ｔ％から成る合金膜をスパッタ法によりｖ′３４μｍの
厚さに成膜した。
次にネガタイプのレジストを第１図（Ｃ）に示すように
合金膜上に２０００〜３０００人の厚さにスピンコート
し、ブリヘークした後アルゴンレーザ光を集光し５円板
を一定速度で回転させながら、レーザ光を円板の半径方
向に移動させる方法で第１図（ｄ）のように幅Ｅ１００
ｎｍ、 ビシチ１６００ｎｍの螺旋状案内溝を記録す
る。次いで、この案内溝を現像する（この場合、ネガタ
イプのレジストであるため露光部分が残る）。その後、
残ったレジストをマスクとして、Ａｒガスを用いた電子
サイクロトロン（ＥＣＲ）共鳴イオンエツチング法によ
りマスク全てとルテニウム合金膜の一部とを除去するこ
とにより成形面に約７０ｎｍの深さの螺旋状の溝を有す
る情報記憶ディスク用原板を作製した。
合金膜上に２０００〜３０００人の厚さにスピンコート
し、ブリヘークした後アルゴンレーザ光を集光し５円板
を一定速度で回転させながら、レーザ光を円板の半径方
向に移動させる方法で第１図（ｄ）のように幅Ｅ１００
ｎｍ、 ビシチ１６００ｎｍの螺旋状案内溝を記録す
る。次いで、この案内溝を現像する（この場合、ネガタ
イプのレジストであるため露光部分が残る）。その後、
残ったレジストをマスクとして、Ａｒガスを用いた電子
サイクロトロン（ＥＣＲ）共鳴イオンエツチング法によ
りマスク全てとルテニウム合金膜の一部とを除去するこ
とにより成形面に約７０ｎｍの深さの螺旋状の溝を有す
る情報記憶ディスク用原板を作製した。
尚本実施例では超硬合金を母材として用いたが、原板（
スタンバ−）の母材としては超硬合金に限定されるもの
ではなく、耐熱性、高温強度に優れたＣｒ３Ｃ２を主成
分とするサーメットも用いることができる。また、母材
へのコーテイング膜としては耐熱性に優れ、ガラスやア
ルミニウムとの反応性に乏しいルテニウム（Ｒｕ）−白
金（ＰＬ）合金、ルテニウム（Ｒｕ）−オスミニウム（
Ｏ５）合金、ルテニウム（Ｒｕ）−イリジウム（Ｉ「）
合金、およびルテニウム（Ｒｕ）−レニウム（Ｒｅ）合
金なども用いることができる。
スタンバ−）の母材としては超硬合金に限定されるもの
ではなく、耐熱性、高温強度に優れたＣｒ３Ｃ２を主成
分とするサーメットも用いることができる。また、母材
へのコーテイング膜としては耐熱性に優れ、ガラスやア
ルミニウムとの反応性に乏しいルテニウム（Ｒｕ）−白
金（ＰＬ）合金、ルテニウム（Ｒｕ）−オスミニウム（
Ｏ５）合金、ルテニウム（Ｒｕ）−イリジウム（Ｉ「）
合金、およびルテニウム（Ｒｕ）−レニウム（Ｒｅ）合
金なども用いることができる。
実施例２
本発明の実施例２を第２図に沿って説明する。
実施例１で作製された情報記憶ディスク川原板（スタン
バ−）および案内溝のない原板とを川音して上下一対の
型とする０次に第２１１ｆｆｌ（ａ）に示すように、組
成が５１０２７３ｗｔ％、Ｎａ２０Ｌ６．５、Ｗむ％、
Ａ ｊ！ ２０３ １ ｗ Ｌ％、Ｃａ０５ｗｔ％、お
よびＭｇ０３．５ｗｔ％からなる直径９０＋膿φ、厚す
１．２閣のガラス円板２３を上記一対のスタンバ−２１
および２２の間にはさみ込んで、７８０ ’Ｃに加熱し
た後、２０ｋｇ／ｃシの圧力で加圧成形する。
バ−）および案内溝のない原板とを川音して上下一対の
型とする０次に第２１１ｆｆｌ（ａ）に示すように、組
成が５１０２７３ｗｔ％、Ｎａ２０Ｌ６．５、Ｗむ％、
Ａ ｊ！ ２０３ １ ｗ Ｌ％、Ｃａ０５ｗｔ％、お
よびＭｇ０３．５ｗｔ％からなる直径９０＋膿φ、厚す
１．２閣のガラス円板２３を上記一対のスタンバ−２１
および２２の間にはさみ込んで、７８０ ’Ｃに加熱し
た後、２０ｋｇ／ｃシの圧力で加圧成形する。
そのまま５００°Ｃまで冷却して案内溝が転写されたガ
ラス円板２４を取り出した所が第２図（ｂｌである。
ラス円板２４を取り出した所が第２図（ｂｌである。
その後内径穴を加工し、ガラス基板の表面および断面を
走査型電子顕微鏡を用いて評価した結果、正確にスタン
バ−の成形面形状を転写しており、ガラス基板には幅８
００ｎｍ、 ピッチ１６００ｎｍ。
走査型電子顕微鏡を用いて評価した結果、正確にスタン
バ−の成形面形状を転写しており、ガラス基板には幅８
００ｎｍ、 ピッチ１６００ｎｍ。
深さ７０ｎｍの螺旋状案内溝が形成されていた。
また、ガラス基板の平坦部の表面粗さもＲＭＳ＝１０人
とスタンパ−の成形面をきれいに転写していることがわ
かった。
とスタンパ−の成形面をきれいに転写していることがわ
かった。
次にこのガラス基板を９０Ｏｒｐｍで回転させ、光学ヘ
ッドを用いて基板の信号品質（ＣＮ比）を測定した結果
、表面粗さＲＭＳ＝ｌＯÅ以下の鏡面を有するガラス基
板を回転させなかった時の低周波域でのＣＮ比を基準（
Ｏｄ Ｂ）とした時に、ＣＮ比の低下は−１，０ｄＢと
、第１表に示した比較例のイリジウム合金をコートした
スタンバ−を使用して作製した基板よりも良い結果かえ
られた。
ッドを用いて基板の信号品質（ＣＮ比）を測定した結果
、表面粗さＲＭＳ＝ｌＯÅ以下の鏡面を有するガラス基
板を回転させなかった時の低周波域でのＣＮ比を基準（
Ｏｄ Ｂ）とした時に、ＣＮ比の低下は−１，０ｄＢと
、第１表に示した比較例のイリジウム合金をコートした
スタンバ−を使用して作製した基板よりも良い結果かえ
られた。
（以 下 余 白）
尚ガラス円板の代りにアルミニウム円板を使用した時も
同様に良好な案内溝を有するアルミニウムディスクを作
製出来た。ここで、アルミニウムを力ｕＰ８力Ｉ］ｌｌ
Ｅする時の温度と圧力はそれぞれ５００°Ｃおよび３０
ｋｇ／ｃｄであった。以−Ｅのように、実施例１に記載
した方法で各種コーテイング膜で被覆して作ったスタン
パ−を用いて作製した基板の信号品質（ＣＮ比の低下量
）を測定した結果を第１表に示した。また、この時、組
成の責なるガラスを用いた実験もしており、第１表に同
様に示しである。
同様に良好な案内溝を有するアルミニウムディスクを作
製出来た。ここで、アルミニウムを力ｕＰ８力Ｉ］ｌｌ
Ｅする時の温度と圧力はそれぞれ５００°Ｃおよび３０
ｋｇ／ｃｄであった。以−Ｅのように、実施例１に記載
した方法で各種コーテイング膜で被覆して作ったスタン
パ−を用いて作製した基板の信号品質（ＣＮ比の低下量
）を測定した結果を第１表に示した。また、この時、組
成の責なるガラスを用いた実験もしており、第１表に同
様に示しである。
発明の効果
以上述べてきたように本発明によれば、極めて高信頼性
でかつ高精度の情報記憶ディスク用原板（スタンパ−）
およびこの原板を使用して極めて容易に高精度な案内溝
を有する光ディスク、光磁気ディスクあるいは磁気ディ
スク用の基板の製造が可能となり、これら基板を安価に
、犬種に供給することを可能としたもので、産業上きわ
めて有益な発明である。
でかつ高精度の情報記憶ディスク用原板（スタンパ−）
およびこの原板を使用して極めて容易に高精度な案内溝
を有する光ディスク、光磁気ディスクあるいは磁気ディ
スク用の基板の製造が可能となり、これら基板を安価に
、犬種に供給することを可能としたもので、産業上きわ
めて有益な発明である。
第１図は情報記憶ディスク用原板（スタンパ−）の作製
工程を示す断面図、第２図は基板（ディスク）を作製す
るときの上下スタンパ−とそれらの間に設置した被成形
材料（ガラス円板またはアルミニウム円板）の断面図で
ある。 ＩＩ・・・・・・母材料、１２・・・・・・ルテニウム
合金膜、１３・・・・・・スガタイプレジスト、２１・
・・・・・案内溝付き原板（スタンパ−）、２２・・・
・・・平坦な下型２３・・・・・被成形材料（ガラス板
またはアルミニウム板）、２４・・・・・・成形されて
表面に案内溝を有する基板。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名＼ Ｎ笥
工程を示す断面図、第２図は基板（ディスク）を作製す
るときの上下スタンパ−とそれらの間に設置した被成形
材料（ガラス円板またはアルミニウム円板）の断面図で
ある。 ＩＩ・・・・・・母材料、１２・・・・・・ルテニウム
合金膜、１３・・・・・・スガタイプレジスト、２１・
・・・・・案内溝付き原板（スタンパ−）、２２・・・
・・・平坦な下型２３・・・・・被成形材料（ガラス板
またはアルミニウム板）、２４・・・・・・成形されて
表面に案内溝を有する基板。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名＼ Ｎ笥
Claims (4)
- （１）ルテニウム（Ｒｕ）合金膜でコーティングされた
タングステンカーバイド（ＷＣ）、あるいはクロムカー
バイド（Ｃｒ＿３Ｃ＿２）を主成分とする超硬合金もし
くはサーメットからなり成形面にトラッキングサーボ用
の案内溝を有することを特徴とする情報記憶ディスク用
原板。 - （２）超硬合金もしくはサーメット上にコーティングさ
れたルテニウム合金膜が、ルテニウム（Ｒｕ）−白金（
Ｐｔ）合金、ルテニウム（Ｒｕ）−ロジウム（Ｒｈ）合
金、ルテニウム（Ｒｕ）−オスミニウム（Ｏｓ）合金、
ルテニウム（Ｒｕ）−イリジウム（Ｉｒ）合金、および
ルテニウム（Ｒｕ）−レニウム（Ｒｅ）合金であること
を特徴とする請求項（１）記載の情報記憶ディスク用原
板。 - （３）ルテニウム（Ｒｕ）合金膜でコーティングされた
超硬合金あるいはサーメット上にネガタイプのレジスト
をスピンコートし、プリベイク後レーザービーム露光あ
るいは電子ビーム露光によりトラッキングサーボ用の案
内溝を描き、続いて現像を行なった後乾式エッチング法
によりルテニウム（Ｒｕ）合金膜の一部をエッチングし
、その後レジストを除去する工程あるいは現像の後、乾
式エッチングによりレジストの全てとルテニウム（Ｒｕ
）合金膜の一部とを除去する工程を経て情報記憶ディス
ク用原板を作製することを特徴とする情報記憶ディスク
用原板の製造方法。 - （４）ルテニウム（Ｒｕ）合金膜でコーティングされた
超硬合金あるいはサーメットから成る１対の情報記憶デ
ィスク用原板の間にガラスあるいはアルミニウム（Ａｌ
）を設置した後、加熱し、加圧成形して上記原板の案内
溝形状をガラスあるいはアルミニウム（Ａｌ）上に転写
して情報記憶ディスク用基板を作製することを特徴とす
る情報記憶ディスク用基板の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63292685A JPH0758564B2 (ja) | 1988-11-18 | 1988-11-18 | 情報記憶ディスク用原板および情報記憶ディスク用基板の製造方法 |
| US07/396,622 US4953385A (en) | 1988-08-22 | 1989-08-22 | Information storage stamper and method of manufacturing disks using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63292685A JPH0758564B2 (ja) | 1988-11-18 | 1988-11-18 | 情報記憶ディスク用原板および情報記憶ディスク用基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02137914A true JPH02137914A (ja) | 1990-05-28 |
| JPH0758564B2 JPH0758564B2 (ja) | 1995-06-21 |
Family
ID=17784976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63292685A Expired - Fee Related JPH0758564B2 (ja) | 1988-08-22 | 1988-11-18 | 情報記憶ディスク用原板および情報記憶ディスク用基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0758564B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03272815A (ja) * | 1990-02-27 | 1991-12-04 | Nippon Tungsten Co Ltd | 樹脂材成形用モールド |
| US6119485A (en) * | 1997-02-21 | 2000-09-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Press-molding die, method for manufacturing the same and glass article molded with the same |
| US6997019B2 (en) | 2001-05-09 | 2006-02-14 | Fuji Electric Co., Ltd. | Molding process of disk with shaft shaped portion |
-
1988
- 1988-11-18 JP JP63292685A patent/JPH0758564B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03272815A (ja) * | 1990-02-27 | 1991-12-04 | Nippon Tungsten Co Ltd | 樹脂材成形用モールド |
| US6119485A (en) * | 1997-02-21 | 2000-09-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Press-molding die, method for manufacturing the same and glass article molded with the same |
| US6997019B2 (en) | 2001-05-09 | 2006-02-14 | Fuji Electric Co., Ltd. | Molding process of disk with shaft shaped portion |
| US7428828B2 (en) | 2001-05-09 | 2008-09-30 | Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. | Press die of disk with shaft shaped portion |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0758564B2 (ja) | 1995-06-21 |
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