JPS60197959A - 光デイスクの製造方法 - Google Patents
光デイスクの製造方法Info
- Publication number
- JPS60197959A JPS60197959A JP5321484A JP5321484A JPS60197959A JP S60197959 A JPS60197959 A JP S60197959A JP 5321484 A JP5321484 A JP 5321484A JP 5321484 A JP5321484 A JP 5321484A JP S60197959 A JPS60197959 A JP S60197959A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- master
- layer
- stamper
- plating
- mother
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ）発明の技術分野
本発明は欠陥含有量の少ない光デイスク用スタンバの製
造方法に関スル。
造方法に関スル。
（ｂ）技術の背景
光ディスクの特徴は大容量の記録が可能なこと、非接触
で記録と再生ができること、ゴミやホコリの影響を受け
難いことなどである。
で記録と再生ができること、ゴミやホコリの影響を受け
難いことなどである。
すなわち磁気ディスクや磁気テープでは１ビツトの情報
記録に数１０平方μ―の面積が必要であるのに対し、光
ディスクの場合にはレンズにより約１ＩＩＩＩ径の微少
な光スポットに絞り込むことができる。従って１ビツト
の情報記録に要する面積は１平方μ慨程度の小面積で足
りることになり、大容量記録が可能となる。
記録に数１０平方μ―の面積が必要であるのに対し、光
ディスクの場合にはレンズにより約１ＩＩＩＩ径の微少
な光スポットに絞り込むことができる。従って１ビツト
の情報記録に要する面積は１平方μ慨程度の小面積で足
りることになり、大容量記録が可能となる。
次ぎにレンズによって絞り込まれたレーザ光のレンズ面
から焦点面までの距離は一般に１乃至２鶴あるので、磁
気ディスクで問題となるヘッドクラッシュのような危険
性はなく、従って長寿命が保証される。
から焦点面までの距離は一般に１乃至２鶴あるので、磁
気ディスクで問題となるヘッドクラッシュのような危険
性はなく、従って長寿命が保証される。
また再生用の光スポットは厚さが１ｍ程度の透明なカバ
ーを通して絞り込むため塵埃の影響を少なくすることが
できる。
ーを通して絞り込むため塵埃の影響を少なくすることが
できる。
更に光デイスク面では直径が１μ和程度の光スポットも
透明カバー上では直径が１１貢程度の光ビームであるた
め、たとえ透明カバー上に数１０μｍ程度の塵埃が存在
しても記録や再生には殆ど影響しないと云う特徴がある
。
透明カバー上では直径が１１貢程度の光ビームであるた
め、たとえ透明カバー上に数１０μｍ程度の塵埃が存在
しても記録や再生には殆ど影響しないと云う特徴がある
。
さて、かかる光ディスクはレジスト原盤製造工程、マス
ク原盤製造工程、マザー原盤製造工程。
ク原盤製造工程、マザー原盤製造工程。
スタンパ製造工程などを経て量産型が作られ、これを使
用してＰＭＭＡ （ポリメチルメタアクリレート）やＰ
Ｃ（ポリカーボネート）などの合成樹脂を成型してディ
スクを作り、これに砒素（Ａｓ）、セレン（Ｓｅ ）
、テルル（Ｔｅ ）などの非金属元素或いはこの化合物
からなる記録層を形成して光ディスクの単位層が形成さ
れている。
用してＰＭＭＡ （ポリメチルメタアクリレート）やＰ
Ｃ（ポリカーボネート）などの合成樹脂を成型してディ
スクを作り、これに砒素（Ａｓ）、セレン（Ｓｅ ）
、テルル（Ｔｅ ）などの非金属元素或いはこの化合物
からなる記録層を形成して光ディスクの単位層が形成さ
れている。
本発明は欠陥含有量の少ない量産型（スタンパ）の製造
方法に関するものである。
方法に関するものである。
（Ｃ）従来技術と問題点
第１図はレジスト原盤よりスタンパを作る従来工程を図
示するもので、工程を説明すると次のようになる。
示するもので、工程を説明すると次のようになる。
ガラス原盤ｌはこの表面状態によって記録層の品質が直
接に影響されるので、注意深く研磨されており、この上
に厚さ０．１ μ−程度のレジスト膜２が塗布され、こ
れにレーザ照射を行って情報記録を行うプリグループや
アドレス情報を書込み、現像処理を行って、多数の同心
円状の溝を備えたレジスト膜２とし、これにニッケル（
Ｎｉ ）やクローム（Ｃｒ）などの金属膜３を蒸着法或
いはスパッタ法を用いて厚さ数１００人に形成し、第１
図（Ａ）に断面図を示すようなレジスト原盤４ができあ
がる。
接に影響されるので、注意深く研磨されており、この上
に厚さ０．１ μ−程度のレジスト膜２が塗布され、こ
れにレーザ照射を行って情報記録を行うプリグループや
アドレス情報を書込み、現像処理を行って、多数の同心
円状の溝を備えたレジスト膜２とし、これにニッケル（
Ｎｉ ）やクローム（Ｃｒ）などの金属膜３を蒸着法或
いはスパッタ法を用いて厚さ数１００人に形成し、第１
図（Ａ）に断面図を示すようなレジスト原盤４ができあ
がる。
次ぎにこのレジスト原盤４の金属膜３を陰極としてＮｉ
の電解メッキを施し、第１図（Ｂ）に示すように厚さ約
３００μ鋼と厚いＮｉ層５を形成し、このＮｉ層５を剥
離して、第１図（ｃ）に示すマスク原盤６が形成される
。
の電解メッキを施し、第１図（Ｂ）に示すように厚さ約
３００μ鋼と厚いＮｉ層５を形成し、このＮｉ層５を剥
離して、第１図（ｃ）に示すマスク原盤６が形成される
。
次にこのマスク原盤６を陰極とし、第１図（Ｄ）に示す
ように先と同様に電解メッキを施して厚さ約３００μｍ
のＮｉ層７を作り、このＮｉ層７を剥離して第１図（Ｅ
）に示すようなマザー原盤８が形成される。
ように先と同様に電解メッキを施して厚さ約３００μｍ
のＮｉ層７を作り、このＮｉ層７を剥離して第１図（Ｅ
）に示すようなマザー原盤８が形成される。
次にこのマザー原盤８を陰極とし、この上に先と同様に
Ｎｉメッキを行ってＮｉ層９を第１図（Ｆ）のように作
り、このＮｉ層９を剥離することにより第１図（Ｇ）に
示すようなスタンパ１ｏが形成される。
Ｎｉメッキを行ってＮｉ層９を第１図（Ｆ）のように作
り、このＮｉ層９を剥離することにより第１図（Ｇ）に
示すようなスタンパ１ｏが形成される。
なお、マザー原盤８およびスタンパＩＯを作るときに使
用するマスク原盤６およびマザー原盤８はメッキ処理を
行う前にパッシベーション処理するのが普通で、この理
由はマスク原盤６とマザー原盤８、またマザー原盤８と
スタンパ１ｏとの剥離を容易とするためである。
用するマスク原盤６およびマザー原盤８はメッキ処理を
行う前にパッシベーション処理するのが普通で、この理
由はマスク原盤６とマザー原盤８、またマザー原盤８と
スタンパ１ｏとの剥離を容易とするためである。
このようにして作られたスタンパ１ｏはマスク原盤６の
複製であり、光ディスクの量産に際して、マスク原盤６
を直接に鋳型として使用すると、鋳型の変形や消耗が避
けられないことから、これを避けるために複数個の複製
（スタンパ１０）を作って使用するのである。
複製であり、光ディスクの量産に際して、マスク原盤６
を直接に鋳型として使用すると、鋳型の変形や消耗が避
けられないことから、これを避けるために複数個の複製
（スタンパ１０）を作って使用するのである。
それ故スタンバ１０は忠実にマスク原盤６の記録情報を
再現していることが必要条件である。
再現していることが必要条件である。
然し現実にはマスク原盤６がらマザー原盤８へ、またマ
ザー原盤８がらスタンパ１０と複製処理を進めるに従っ
て表面の欠陥密度が増加して忠実性が損なわれており、
光ディスクの信頼性低下の原因の一つとなっている。
ザー原盤８がらスタンパ１０と複製処理を進めるに従っ
て表面の欠陥密度が増加して忠実性が損なわれており、
光ディスクの信頼性低下の原因の一つとなっている。
その理由は同心円状に形成されているプリグループの幅
は１μ鋼未満であり、また溝の深さは０゜１μ−未満と
微細である。そのため、かかる微細パターンに１１１１
１程度の欠陥が存在しても、その部分は少なくとも記録
媒体として使用することはできなくなる。
は１μ鋼未満であり、また溝の深さは０゜１μ−未満と
微細である。そのため、かかる微細パターンに１１１１
１程度の欠陥が存在しても、その部分は少なくとも記録
媒体として使用することはできなくなる。
これらのことから欠陥数の少ないスタンパの製造法を確
立する必要があった。
立する必要があった。
（ｄ）発明の目的
本発明の目的は欠陥数が少な（、且つマスク原盤を忠実
に複製し得るスタンパの製造方法を提供するにある。
に複製し得るスタンパの製造方法を提供するにある。
（ｅ）発明の構成
本発明の目的は光デイスク用マスク原盤がらマザー原盤
を、またマザー原盤がらスタンパをメッキ処理により複
製するそれぞれの工程において、原型となるマスク原盤
およびマザー原盤に前記メッキ処理に先立ち接触転写層
を形成しておくことを特徴とする光ディスク゛の製造方
法により実現すやことができる。
を、またマザー原盤がらスタンパをメッキ処理により複
製するそれぞれの工程において、原型となるマスク原盤
およびマザー原盤に前記メッキ処理に先立ち接触転写層
を形成しておくことを特徴とする光ディスク゛の製造方
法により実現すやことができる。
（ｆ）発明の実施例
本発明はマスク原盤からスタンパを形成してゆく工程に
おいて、複製処理を進めるに従って欠陥数が増加する原
因がメッキ層界面の不完全さにあることに基づいてなさ
れたものである。
おいて、複製処理を進めるに従って欠陥数が増加する原
因がメッキ層界面の不完全さにあることに基づいてなさ
れたものである。
すなわち従来の製造方法はＮｉメッキ層をそのまま母型
としてメッキ処理を重ねているためにメッキ液中に含ま
れている不純物が放電して析出すると、その不純物がそ
のまま欠陥となり、また水素イオンが放電してメッキ面
に水素ガスが析出し、これが原因してピットができると
、これがそのまま欠陥となる。
としてメッキ処理を重ねているためにメッキ液中に含ま
れている不純物が放電して析出すると、その不純物がそ
のまま欠陥となり、また水素イオンが放電してメッキ面
に水素ガスが析出し、これが原因してピットができると
、これがそのまま欠陥となる。
このように板金基板が平滑であってもその上に真に平滑
で且つ無欠陥で基板に相似形のメッキ膜を形成すること
は難しい。
で且つ無欠陥で基板に相似形のメッキ膜を形成すること
は難しい。
更にマスク原盤自体も欠陥数を少なく作ることは容易で
はない。
はない。
すなわち第１図（Ａ）に示すようにレジスト原盤４はレ
ジストＷＡ２の上にＮｉ 、Ｃｒなどの金属膜２を数１
００人の厚さに形成して導電性をもたせているが、レジ
スト原盤の密着−性を向上するために金属膜２の蒸着を
レジスト原盤４を加熱しながら行うと、形成された金属
膜３がレジストから発生する揮発成分により撥水性を帯
びてメッキ処理の際に液との濡れ性が悪く、そのためピ
ンホールなどの欠陥ができ易いという問題がある。
ジストＷＡ２の上にＮｉ 、Ｃｒなどの金属膜２を数１
００人の厚さに形成して導電性をもたせているが、レジ
スト原盤の密着−性を向上するために金属膜２の蒸着を
レジスト原盤４を加熱しながら行うと、形成された金属
膜３がレジストから発生する揮発成分により撥水性を帯
びてメッキ処理の際に液との濡れ性が悪く、そのためピ
ンホールなどの欠陥ができ易いという問題がある。
このようにメッキ処理工程中に不純物、気泡、濡れ不良
などが原因して微少な欠陥が生じ易い。
などが原因して微少な欠陥が生じ易い。
本発明はかかる欠陥が複製工程に影響しないように母型
の表面に接触転写層を設けて被覆し、これにより欠陥が
次ぎの鋳型に現れないようにしたものである。
の表面に接触転写層を設けて被覆し、これにより欠陥が
次ぎの鋳型に現れないようにしたものである。
ここで接触転写層は厚さが数１００人のＮｉ或いはＣｒ
などの薄膜からなり、真空蒸着法やスバタリング法によ
り作ることができる。
などの薄膜からなり、真空蒸着法やスバタリング法によ
り作ることができる。
以下図面を用い、本発明を従来工程と比較して説明する
。
。
第２図はレジスト原盤４からスタンパ１６を複製する工
程であり、レジスト原盤４か、らマスタ原盤６を作るま
での工程は従来と変わらない。
程であり、レジスト原盤４か、らマスタ原盤６を作るま
での工程は従来と変わらない。
すなわち第２図（Ｃ）に示すマスク原盤６にはこの実施
例の場合、２個のプリグループ型が成型されており、そ
の表面には金属膜３がある。
例の場合、２個のプリグループ型が成型されており、そ
の表面には金属膜３がある。
次ぎに第２図（Ｄ）に示すように、このマスク原盤６の
表面に接触転写層１２を真空蒸着法或いはスバタリング
法で設け、完全な表面状態とする。
表面に接触転写層１２を真空蒸着法或いはスバタリング
法で設け、完全な表面状態とする。
次ぎにこれを従来と同様に電解メッキ処理を施して第２
図（Ｅ）に示すようにＮｉ層７を析出させ、このＮｉ層
７を剥離することにより、第２図（Ｆ）に示すマザー原
盤１３ができあがる。
図（Ｅ）に示すようにＮｉ層７を析出させ、このＮｉ層
７を剥離することにより、第２図（Ｆ）に示すマザー原
盤１３ができあがる。
このマザー原盤１３が従来のマザー原盤８と異なるとこ
ろは表面に接触転写層１２を備えていることである。
ろは表面に接触転写層１２を備えていることである。
次の工程としてマザー原盤１３の表面上に更に接触転写
層１４を第２図（Ｇ）のように設ける。
層１４を第２図（Ｇ）のように設ける。
次ぎに、かかるマザー原盤１５の上に従来と同様にＮｉ
層９をメッキした後に剥離して第２図（Ｉ）に示すよう
なスタンパ１６ができあがる。
層９をメッキした後に剥離して第２図（Ｉ）に示すよう
なスタンパ１６ができあがる。
第３図は本発明を実施したマスク原盤、マザー原盤およ
びスタンパのそれぞれについて、レーザ光を使用して欠
陥密度を計測した結果で、従来の工程では工程が進むに
従って欠陥分布が実線１７に示すように増加していたが
、本発明のようにメッキ処理に発生する欠陥は接触転写
層を設けることにより、実線１８のように殆ど増加させ
ないでスタンパを作ることができる。
びスタンパのそれぞれについて、レーザ光を使用して欠
陥密度を計測した結果で、従来の工程では工程が進むに
従って欠陥分布が実線１７に示すように増加していたが
、本発明のようにメッキ処理に発生する欠陥は接触転写
層を設けることにより、実線１８のように殆ど増加させ
ないでスタンパを作ることができる。
（ｇ）発明の効果
本発明は光ディスクの量産型であるスタンパを作る場谷
、マスク原盤からマザー原盤、またマザー原盤からスタ
ンパへと複製が進むに従って欠陥数が増加し、それによ
り光ディスクの品質と信頼性が低下していたのを解決す
るもので、本発明の実施により、上記の問題点が解決さ
れる。
、マスク原盤からマザー原盤、またマザー原盤からスタ
ンパへと複製が進むに従って欠陥数が増加し、それによ
り光ディスクの品質と信頼性が低下していたのを解決す
るもので、本発明の実施により、上記の問題点が解決さ
れる。
第１図は光ディスクの従来の製造工程図、第２図は本発
明に係る製造工程図また第３図は本製造法と従来法との
エラー増加率の比較図である。 図において １はガラス原盤、２はレジスト膜、３は金
属膜、４はレジスト原盤、 ５，７．９はニッケル層、
６はマスク原盤、 ８．１３．１５はマザー原盤、１０
．１６はスタンパ、 １２．１４は接触転写層。
明に係る製造工程図また第３図は本製造法と従来法との
エラー増加率の比較図である。 図において １はガラス原盤、２はレジスト膜、３は金
属膜、４はレジスト原盤、 ５，７．９はニッケル層、
６はマスク原盤、 ８．１３．１５はマザー原盤、１０
．１６はスタンパ、 １２．１４は接触転写層。
Claims (1)
- 光デイスク用マスク原盤からマザー原盤を、またマザー
原盤からスタンバをメッキ処理により複製するそれぞれ
の工程において、原型となるマスク原盤およびマザー原
盤に前記メッキ処理に先立ち接触転写層を形成しておく
ことを特徴とする光ディスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5321484A JPS60197959A (ja) | 1984-03-19 | 1984-03-19 | 光デイスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5321484A JPS60197959A (ja) | 1984-03-19 | 1984-03-19 | 光デイスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60197959A true JPS60197959A (ja) | 1985-10-07 |
Family
ID=12936581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5321484A Pending JPS60197959A (ja) | 1984-03-19 | 1984-03-19 | 光デイスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60197959A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0418807A (ja) * | 1990-05-14 | 1992-01-23 | Fuji Sangyo Kk | 水晶振動子 |
| JPH04367111A (ja) * | 1991-06-13 | 1992-12-18 | Daishinku Co | 圧電振動子の製造方法 |
-
1984
- 1984-03-19 JP JP5321484A patent/JPS60197959A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0418807A (ja) * | 1990-05-14 | 1992-01-23 | Fuji Sangyo Kk | 水晶振動子 |
| JPH04367111A (ja) * | 1991-06-13 | 1992-12-18 | Daishinku Co | 圧電振動子の製造方法 |
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