JP2000082242A - 光ディスクの製造方法及び光ディスク - Google Patents
光ディスクの製造方法及び光ディスクInfo
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- JP2000082242A JP2000082242A JP11279718A JP27971899A JP2000082242A JP 2000082242 A JP2000082242 A JP 2000082242A JP 11279718 A JP11279718 A JP 11279718A JP 27971899 A JP27971899 A JP 27971899A JP 2000082242 A JP2000082242 A JP 2000082242A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高密度記録にも好適な光ディスクの製造方法
を提供する。 【構成】 表面が高精度に研磨されたガラス基板４０上
にポジ型のフォトレジストによるレジスト層４２を均一
な厚さで形成する工程と、カッティング、現像を行って
レジスト層４２に開口部４４を形成する工程と、ガラス
基板４０を深さＤｂまでドライエッチングする工程と、
レジスト層４２のみを選択的にドライエッチングとは異
なる方法でエッチングする工程と、ガラス基板４０を深
さＤｂよりも深い深さＤａまで、再びドライエッチング
する工程と、レジスト層４２を除去する工程とを備えて
いる。
を提供する。 【構成】 表面が高精度に研磨されたガラス基板４０上
にポジ型のフォトレジストによるレジスト層４２を均一
な厚さで形成する工程と、カッティング、現像を行って
レジスト層４２に開口部４４を形成する工程と、ガラス
基板４０を深さＤｂまでドライエッチングする工程と、
レジスト層４２のみを選択的にドライエッチングとは異
なる方法でエッチングする工程と、ガラス基板４０を深
さＤｂよりも深い深さＤａまで、再びドライエッチング
する工程と、レジスト層４２を除去する工程とを備えて
いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光ディスクの製造方
法及び光ディスクに関する。
法及び光ディスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】光ディスク，たとえばＣＤにおいては、
そのピット形状が再生信号の特性に大きく影響する。図
７（Ａ）には、従来の光ディスクにおけるピット１００
の幅方向（ディスクの半径方向に相当）断面が示されて
おり、ピットの断面形状は矩形の凹形状となっている。
このようなピット１００の深さＤＡと再生レーザ光の変
調度及びトラッキングエラー信号の大きさとの関係は、
同図（Ｂ）に示すようになる。
そのピット形状が再生信号の特性に大きく影響する。図
７（Ａ）には、従来の光ディスクにおけるピット１００
の幅方向（ディスクの半径方向に相当）断面が示されて
おり、ピットの断面形状は矩形の凹形状となっている。
このようなピット１００の深さＤＡと再生レーザ光の変
調度及びトラッキングエラー信号の大きさとの関係は、
同図（Ｂ）に示すようになる。
【０００３】すなわち、再生レーザ光の波長λに対し、
トッキングエラー信号はグラフＧＡで示すようにλ／８
で最大となり、変調度はグラフＧＢで示すようにλ／４
で最大となる。このように、両者は、一方が極大のとき
に他方が極小となる関係にある。しかし、光ディスクの
再生に当っては、両信号とも高いレベルで検出すること
が必要である。
トッキングエラー信号はグラフＧＡで示すようにλ／８
で最大となり、変調度はグラフＧＢで示すようにλ／４
で最大となる。このように、両者は、一方が極大のとき
に他方が極小となる関係にある。しかし、光ディスクの
再生に当っては、両信号とも高いレベルで検出すること
が必要である。
【０００４】このため、従来は、（１）ピット深さＤＡ
をλ／８〜λ／４の中間の値，たとえば３λ／１６程度
に設定する，（２）あるいは、ピット深さＤＡをλ／４
近傍の値に設定するとともに、同図（Ｃ）に示すように
ピット側面にテーパ１０２を設ける，などの工夫をし
て、両信号のレベルが高くなるように設計されている。
をλ／８〜λ／４の中間の値，たとえば３λ／１６程度
に設定する，（２）あるいは、ピット深さＤＡをλ／４
近傍の値に設定するとともに、同図（Ｃ）に示すように
ピット側面にテーパ１０２を設ける，などの工夫をし
て、両信号のレベルが高くなるように設計されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来技術では、結局変調度，トラッキングエラー信
号の双方とも少しずつ犠牲になっており、いずれについ
ても十分な信号レベルが得られているわけではない。ま
た、特に同図（Ｃ）に示したテーパ形状のピットにおい
ては、開口部が垂直でなく開いているためにジッタにと
っては不利となり、再生時の信号ジッタが大きくなって
しまう。このため、高密度記録光ディスクへの対応が困
難であるという不都合がある。
うな従来技術では、結局変調度，トラッキングエラー信
号の双方とも少しずつ犠牲になっており、いずれについ
ても十分な信号レベルが得られているわけではない。ま
た、特に同図（Ｃ）に示したテーパ形状のピットにおい
ては、開口部が垂直でなく開いているためにジッタにと
っては不利となり、再生時の信号ジッタが大きくなって
しまう。このため、高密度記録光ディスクへの対応が困
難であるという不都合がある。
【０００６】本発明は、これらの点に着目したもので、
高密度記録にも好適な光ディスクの製造方法及び光ディ
スクを提供することを、その目的とする。
高密度記録にも好適な光ディスクの製造方法及び光ディ
スクを提供することを、その目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の光ディスクの製
造方法及び光ディスクは、次の（１）〜（６）の構成を
有している。
造方法及び光ディスクは、次の（１）〜（６）の構成を
有している。
【０００８】（１） 表面が高精度に研磨されたガラス
基板上に、ポジ型のフォトレジストによるレジスト層を
均一な厚さで形成する第１の工程と、前記第１の工程の
次に、カッティング、現像を行って、前記レジスト層に
開口部を形成する第２の工程と、前記第２の工程の次
に、前記ガラス基板を第１の深さまでドライエッチング
する第３の工程と、前記第３の工程の次に、前記レジス
ト層のみを選択的に前記第３の工程とは異なる方法でエ
ッチングする第４の工程と、前記第４の工程の次に、前
記ガラス基板を前記第３の工程と同じ方法で、第２の深
さまで再びドライエッチングする第５の工程とを少なく
とも備え、前記第１の深さ及び前記第２の深さの開口部
を有する光ディスクを製造することを特徴とする光ディ
スクの製造方法。 （２） 表面が高精度に研磨されたガラス基板上に、ネ
ガ型のフォトレジストによるレジスト層を均一な厚さで
形成する第１の工程と、前記第１の工程の次に、カッテ
ィング、現像を行って、前記レジスト層に開口部を形成
する第２の工程と、前記第２の工程の次に、前記ガラス
基板を第１の深さまでドライエッチングする第３の工程
と、前記第３の工程の次に、前記レジスト層のみを選択
的に前記第３の工程とは異なる方法でエッチングする第
４の工程と、前記第４の工程の次に、前記ガラス基板を
前記第３の工程と同じ方法で、第２の深さまで再びドラ
イエッチングする第５の工程とを少なくとも備え、前記
第１の深さ及び前記第２の深さの開口部を有する光ディ
スクを製造することを特徴とする光ディスクの製造方
法。 （３） 表面が高精度に研磨されたガラス基板上に、ポ
ジ型のフォトレジストによるレジスト層を均一な厚さで
形成する第１の工程と、前記第１の工程の次に、カッテ
ィング、イメージリバーサルによる反転、現像を行っ
て、前記レジスト層に開口部を形成する第２の工程と、
前記第２の工程の次に、前記ガラス基板を第１の深さま
でドライエッチングする第３の工程と、前記第３の工程
の次に、前記レジスト層のみを選択的に前記第３の工程
とは異なる方法でエッチングする第４の工程と、前記第
４の工程の次に、前記ガラス基板を前記第３の工程と同
じ方法で、第２の深さまで再びドライエッチングする第
５の工程とを少なくとも備え、前記第１の深さ及び前記
第２の深さの開口部を有する光ディスクを製造すること
を特徴とする光ディスクの製造方法。 （４） 請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の光デ
ィスクの製造方法であって、前記第３の工程及び前記第
５の工程でそれぞれ用いられるドライエッチングは、フ
ッ素系ガスによるドライエッチングであることを特徴と
する光ディスクの製造方法。 （５） 請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の光デ
ィスクの製造方法であって、前記第４の工程で用いられ
るエッチングは、酸素ガスによるエッチングであること
を特徴とする光ディスクの製造方法。 （６） 請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の光デ
ィスクの製造方法によって、作成される光ディスクであ
って、前記第１の深さ及び前記第２の深さのピットを有
することを特徴とする光ディスク。
基板上に、ポジ型のフォトレジストによるレジスト層を
均一な厚さで形成する第１の工程と、前記第１の工程の
次に、カッティング、現像を行って、前記レジスト層に
開口部を形成する第２の工程と、前記第２の工程の次
に、前記ガラス基板を第１の深さまでドライエッチング
する第３の工程と、前記第３の工程の次に、前記レジス
ト層のみを選択的に前記第３の工程とは異なる方法でエ
ッチングする第４の工程と、前記第４の工程の次に、前
記ガラス基板を前記第３の工程と同じ方法で、第２の深
さまで再びドライエッチングする第５の工程とを少なく
とも備え、前記第１の深さ及び前記第２の深さの開口部
を有する光ディスクを製造することを特徴とする光ディ
スクの製造方法。 （２） 表面が高精度に研磨されたガラス基板上に、ネ
ガ型のフォトレジストによるレジスト層を均一な厚さで
形成する第１の工程と、前記第１の工程の次に、カッテ
ィング、現像を行って、前記レジスト層に開口部を形成
する第２の工程と、前記第２の工程の次に、前記ガラス
基板を第１の深さまでドライエッチングする第３の工程
と、前記第３の工程の次に、前記レジスト層のみを選択
的に前記第３の工程とは異なる方法でエッチングする第
４の工程と、前記第４の工程の次に、前記ガラス基板を
前記第３の工程と同じ方法で、第２の深さまで再びドラ
イエッチングする第５の工程とを少なくとも備え、前記
第１の深さ及び前記第２の深さの開口部を有する光ディ
スクを製造することを特徴とする光ディスクの製造方
法。 （３） 表面が高精度に研磨されたガラス基板上に、ポ
ジ型のフォトレジストによるレジスト層を均一な厚さで
形成する第１の工程と、前記第１の工程の次に、カッテ
ィング、イメージリバーサルによる反転、現像を行っ
て、前記レジスト層に開口部を形成する第２の工程と、
前記第２の工程の次に、前記ガラス基板を第１の深さま
でドライエッチングする第３の工程と、前記第３の工程
の次に、前記レジスト層のみを選択的に前記第３の工程
とは異なる方法でエッチングする第４の工程と、前記第
４の工程の次に、前記ガラス基板を前記第３の工程と同
じ方法で、第２の深さまで再びドライエッチングする第
５の工程とを少なくとも備え、前記第１の深さ及び前記
第２の深さの開口部を有する光ディスクを製造すること
を特徴とする光ディスクの製造方法。 （４） 請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の光デ
ィスクの製造方法であって、前記第３の工程及び前記第
５の工程でそれぞれ用いられるドライエッチングは、フ
ッ素系ガスによるドライエッチングであることを特徴と
する光ディスクの製造方法。 （５） 請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の光デ
ィスクの製造方法であって、前記第４の工程で用いられ
るエッチングは、酸素ガスによるエッチングであること
を特徴とする光ディスクの製造方法。 （６） 請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の光デ
ィスクの製造方法によって、作成される光ディスクであ
って、前記第１の深さ及び前記第２の深さのピットを有
することを特徴とする光ディスク。
【０００９】
【発明の実施の態様】以下、本発明による光ディスクの
製造方法及び光ディスクについて、添付図面を参照しな
がら説明する。
製造方法及び光ディスクについて、添付図面を参照しな
がら説明する。
【００１０】ａ，ピット形状 最初に、図１及び図２を参照しながらピット形状につい
て説明する。図１には、一つのピットの斜視図が示され
ており、図２には図１のピットを矢印＃２から見た断面
形状が示されている。
て説明する。図１には、一つのピットの斜視図が示され
ており、図２には図１のピットを矢印＃２から見た断面
形状が示されている。
【００１１】これらの図において、ピット１０は段差１
２を有しており、表面から底面までの深さはＤａ，段差
１２から底面までの深さはＤｂとなっている。深さＤ
ａ，Ｄｂは、 Ｄａ＝（λ／４）±（λ／１６） Ｄｂ＝（λ／８）±（λ／１６） …………………………（１） で表わされる値となっている。ここで、λは、再生レー
ザ光波長をディスク基板１４の屈折率で割った実質的な
光学波長である。なお、望ましくは、 Ｄａ＝λ／４ Ｄｂ＝λ／８ …………………………（２） とする。
２を有しており、表面から底面までの深さはＤａ，段差
１２から底面までの深さはＤｂとなっている。深さＤ
ａ，Ｄｂは、 Ｄａ＝（λ／４）±（λ／１６） Ｄｂ＝（λ／８）±（λ／１６） …………………………（１） で表わされる値となっている。ここで、λは、再生レー
ザ光波長をディスク基板１４の屈折率で割った実質的な
光学波長である。なお、望ましくは、 Ｄａ＝λ／４ Ｄｂ＝λ／８ …………………………（２） とする。
【００１２】次に、このようなピット形状の作用につい
て説明すると、図７（Ｂ）に示したように、ピット１０
に入射する再生レーザ光の変調度は深さλ／４で最大と
なり、トラッキングエラー信号は深さλ／８で最大とな
る。本実施例では、段差１２によってそれらの２つの深
さが、Ｄａ，Ｄｂとして各々形成されている。このた
め、ピット１０によれば変調度，トラッキングエラーの
いずれの信号についても大きな出力が得られることにな
る。なお、ピット１０の開口部の幅Ｗａと底部の幅Ｗｂ
とが異なるので、両信号の出力が最大となる深さの値は
Ｄａ＝２Ｄｂとはならず、正確には多少ズレたところに
なる。しかし、ほぼ（２）に示す関係が両信号最大の条
件となる。
て説明すると、図７（Ｂ）に示したように、ピット１０
に入射する再生レーザ光の変調度は深さλ／４で最大と
なり、トラッキングエラー信号は深さλ／８で最大とな
る。本実施例では、段差１２によってそれらの２つの深
さが、Ｄａ，Ｄｂとして各々形成されている。このた
め、ピット１０によれば変調度，トラッキングエラーの
いずれの信号についても大きな出力が得られることにな
る。なお、ピット１０の開口部の幅Ｗａと底部の幅Ｗｂ
とが異なるので、両信号の出力が最大となる深さの値は
Ｄａ＝２Ｄｂとはならず、正確には多少ズレたところに
なる。しかし、ほぼ（２）に示す関係が両信号最大の条
件となる。
【００１３】このようなピット形状によれば、変調度，
トラッキングエラーのいずれについても高レベルの信号
を得ることができる。また、ピット１０の側面１６がデ
ィスク基板１４の表面に対して垂直となっているため、
再生信号のジッタの増大は良好に防止される。このよう
に、全体として信号特性が向上するので、光ディスクの
高密度記録化を図ることが可能となる。また、特にトラ
ッキング性能が向上するので、プレーヤのトラッキング
サーボ回路や機構部分を簡略化できる。
トラッキングエラーのいずれについても高レベルの信号
を得ることができる。また、ピット１０の側面１６がデ
ィスク基板１４の表面に対して垂直となっているため、
再生信号のジッタの増大は良好に防止される。このよう
に、全体として信号特性が向上するので、光ディスクの
高密度記録化を図ることが可能となる。また、特にトラ
ッキング性能が向上するので、プレーヤのトラッキング
サーボ回路や機構部分を簡略化できる。
【００１４】ｂ，第１の製造方法 次に、以上のような段差付きピットによって情報が記録
される光ディスクの製造方法について説明する。最初
に、図３及び図４を参照しながら、第１の製造方法の手
順について説明する。まず、表面が高精度に研磨された
石英などによるガラス基板２０上に、ポジタイプのフォ
トレジストによるレジスト層２２，２４が各々形成され
る（図３（Ａ）参照）。ここで、レジスト層２２，２４
の感光する最低必要光強度Ｅth1，Ｅth2は、Ｅth1＞Ｅt
h2となるように設定される。すなわち、基板側のレジス
ト層２２の感度をその上側のレジスト層２４の感度より
も悪く設定する。そして、この状態で適宜のレーザビー
ムを用いてカッティングが行われ、両レジスト層同時に
現像が行われる。
される光ディスクの製造方法について説明する。最初
に、図３及び図４を参照しながら、第１の製造方法の手
順について説明する。まず、表面が高精度に研磨された
石英などによるガラス基板２０上に、ポジタイプのフォ
トレジストによるレジスト層２２，２４が各々形成され
る（図３（Ａ）参照）。ここで、レジスト層２２，２４
の感光する最低必要光強度Ｅth1，Ｅth2は、Ｅth1＞Ｅt
h2となるように設定される。すなわち、基板側のレジス
ト層２２の感度をその上側のレジスト層２４の感度より
も悪く設定する。そして、この状態で適宜のレーザビー
ムを用いてカッティングが行われ、両レジスト層同時に
現像が行われる。
【００１５】図４には、このカッティング時の様子が示
されている。たとえば、レーザビームの強度分布がピッ
トの幅に対して同図（Ａ）に示すようになっているとす
る。レジスト層２２は感度が低いので、光強度の高いレ
ベルＬ１で反応する。これに対し、レジスト層２４は感
度が高いので、光強度の低いレベルＬ２で反応する。す
なわち、レジスト層２２，２４の感光する最低必要光強
度Ｅth1，Ｅth2は、各々同図のレベルＬ１，Ｌ２にそれ
ぞれ対応する。
されている。たとえば、レーザビームの強度分布がピッ
トの幅に対して同図（Ａ）に示すようになっているとす
る。レジスト層２２は感度が低いので、光強度の高いレ
ベルＬ１で反応する。これに対し、レジスト層２４は感
度が高いので、光強度の低いレベルＬ２で反応する。す
なわち、レジスト層２２，２４の感光する最低必要光強
度Ｅth1，Ｅth2は、各々同図のレベルＬ１，Ｌ２にそれ
ぞれ対応する。
【００１６】従って、かかる強度分布のレーザビームが
レジスト層２２，２４に照射されると、下側のレジスト
層２２はＷｂの範囲で感光し、上側のレジスト層２４は
Ｗａの範囲で感光することになる。すると、同図（Ｂ）
に示すように、レジスト層２２はＷｂの幅で，レジスト
層２４はＷａの幅でカッティングされることになり、同
時現像によって図１又は図２に示した段差形状が得られ
る（図３（Ｂ）参照）。なお、ピットの段差形状は、レ
ーザビームの光強度分布，レジスト層２２，２４の感度
などによって適宜設定することができる。また、ピット
１０の深さＤａ，Ｄｂは、レジスト層２２，２４の膜厚
によって適宜設定することができる。
レジスト層２２，２４に照射されると、下側のレジスト
層２２はＷｂの範囲で感光し、上側のレジスト層２４は
Ｗａの範囲で感光することになる。すると、同図（Ｂ）
に示すように、レジスト層２２はＷｂの幅で，レジスト
層２４はＷａの幅でカッティングされることになり、同
時現像によって図１又は図２に示した段差形状が得られ
る（図３（Ｂ）参照）。なお、ピットの段差形状は、レ
ーザビームの光強度分布，レジスト層２２，２４の感度
などによって適宜設定することができる。また、ピット
１０の深さＤａ，Ｄｂは、レジスト層２２，２４の膜厚
によって適宜設定することができる。
【００１７】次に、以上のようなマスタリングの後は、
通常のニッケルスタンパ工程と同様にして、スタンパや
ディスクが製作される。まず、同図（Ｃ），（Ｄ）に示
すように、メッキ工程によってメタルマスタ２６が作ら
れる。そして、このメタルマスタ２６を利用して、同図
（Ｅ），（Ｆ）に示すように、メッキ工程によって多数
のメタルマザー２８が作られる。次に、同図（Ｇ），
（Ｈ）に示すように、メッキ工程によって多数のスタン
パ３０が作られる。なお、メタルマスタ２６がスタンパ
として用いられることもある。
通常のニッケルスタンパ工程と同様にして、スタンパや
ディスクが製作される。まず、同図（Ｃ），（Ｄ）に示
すように、メッキ工程によってメタルマスタ２６が作ら
れる。そして、このメタルマスタ２６を利用して、同図
（Ｅ），（Ｆ）に示すように、メッキ工程によって多数
のメタルマザー２８が作られる。次に、同図（Ｇ），
（Ｈ）に示すように、メッキ工程によって多数のスタン
パ３０が作られる。なお、メタルマスタ２６がスタンパ
として用いられることもある。
【００１８】次に、同図（Ｉ），（Ｊ）に示すように、
適宜のディスク材料を用いた圧縮成型，射出成型，ある
いは２Ｐ成型などの加工方法により、ディスク３２が作
られる。そして、同図（Ｋ）に示すように、このディス
ク３２のピット形成面上に反射膜３４が成膜される。次
に、同図（Ｌ）に示すように、片面又は両面に保護膜３
６が各々形成される。
適宜のディスク材料を用いた圧縮成型，射出成型，ある
いは２Ｐ成型などの加工方法により、ディスク３２が作
られる。そして、同図（Ｋ）に示すように、このディス
ク３２のピット形成面上に反射膜３４が成膜される。次
に、同図（Ｌ）に示すように、片面又は両面に保護膜３
６が各々形成される。
【００１９】ｃ，第２の製造方法 次に、図５を参照しながら第２の製造方法について説明
する。以下に示す第２〜第４の製造方法は、いずれもド
ライエッチングを用いる方法である。この第２の製造方
法は、特開昭６１−２６９５１号公報に開示されている
ガラスマスタによる手法を利用する方法である。上述し
た第１の製造方法では、複製を作る場合はカッティング
が複数回繰り返されることになるが、このガラスマスタ
の手法によれば、カッティングは１回でよいという利点
がある。
する。以下に示す第２〜第４の製造方法は、いずれもド
ライエッチングを用いる方法である。この第２の製造方
法は、特開昭６１−２６９５１号公報に開示されている
ガラスマスタによる手法を利用する方法である。上述し
た第１の製造方法では、複製を作る場合はカッティング
が複数回繰り返されることになるが、このガラスマスタ
の手法によれば、カッティングは１回でよいという利点
がある。
【００２０】まず、表面が高精度に研磨されたガラス基
板４０上に、ポジ型のフォトレジストによるレジスト層
４２を均一な厚さで形成し（同図（Ａ）参照）、カッテ
ィング，そして現像が行われてピット部分に開口部４４
が形成される（同図（Ｂ）参照）。次に、たとえばフッ
素系ガスによるドライエッチングによって、第１の深さ
Ｄｂまで垂直にエッチングが行われる（同図（Ｃ）参
照）。更に、ガスをたとえば酸素に切り換え、１０〜１
０００ｍｔｏｒｒのガス圧にてレジスト層４２のみを選
択的且つ等方的にエッチングし、開口部４４を拡大させ
る（同図（Ｄ）参照）。
板４０上に、ポジ型のフォトレジストによるレジスト層
４２を均一な厚さで形成し（同図（Ａ）参照）、カッテ
ィング，そして現像が行われてピット部分に開口部４４
が形成される（同図（Ｂ）参照）。次に、たとえばフッ
素系ガスによるドライエッチングによって、第１の深さ
Ｄｂまで垂直にエッチングが行われる（同図（Ｃ）参
照）。更に、ガスをたとえば酸素に切り換え、１０〜１
０００ｍｔｏｒｒのガス圧にてレジスト層４２のみを選
択的且つ等方的にエッチングし、開口部４４を拡大させ
る（同図（Ｄ）参照）。
【００２１】そして、この状態で残存するレジスト層４
２をマスクとして、再びフッ素系ガスによるドライエッ
チングが行われる。このエッチングは、凹部４６の深さ
が最初のエッチング分も含めて、第１の深さＤａよりも
深い第２の深さＤａとなるまで続けられる（同図（Ｅ）
参照）。これによって、図２に示した段差形状のピット
が形成される。次に、残存のレジスト４２がガラス基板
４０上から除去されてガラスマスタ４８が完成する。こ
のガラスマスタ４８を用いて、図３に示した通常のニッ
ケルスタンパ工程と同様にしてスタンパ，そして光ディ
スクを作成することができる。
２をマスクとして、再びフッ素系ガスによるドライエッ
チングが行われる。このエッチングは、凹部４６の深さ
が最初のエッチング分も含めて、第１の深さＤａよりも
深い第２の深さＤａとなるまで続けられる（同図（Ｅ）
参照）。これによって、図２に示した段差形状のピット
が形成される。次に、残存のレジスト４２がガラス基板
４０上から除去されてガラスマスタ４８が完成する。こ
のガラスマスタ４８を用いて、図３に示した通常のニッ
ケルスタンパ工程と同様にしてスタンパ，そして光ディ
スクを作成することができる。
【００２２】なお、以上のうち、２回目のエッチング開
示時における残存レジスト層４２の膜厚ＤｃがＤｃ＝Ｄ
ａ−Ｄｂとなるように最初の塗布厚を設定すれば、同図
（Ｅ）の２回目のガラスエッチング工程と同図（Ｆ）の
レジスト除去工程を割愛することができる。すなわち同
図（Ｄ）の状態からそのまま通常のニッケルスタンパ工
程に移ることができ、工程の短縮を図ることができる。
示時における残存レジスト層４２の膜厚ＤｃがＤｃ＝Ｄ
ａ−Ｄｂとなるように最初の塗布厚を設定すれば、同図
（Ｅ）の２回目のガラスエッチング工程と同図（Ｆ）の
レジスト除去工程を割愛することができる。すなわち同
図（Ｄ）の状態からそのまま通常のニッケルスタンパ工
程に移ることができ、工程の短縮を図ることができる。
【００２３】ｄ，第３の製造方法 次に、第３の製造方法について説明する。この方法は、
特開昭６４−８６３４４号公報に開示されたガラスディ
スクに段付きピットを形成する方法である。すなわち、
上述した図５のガラス基板４０が石英と比較して６０％
以下のエッチングレートを有するガラス素材を用いてお
り、これに同図の各工程によって段付きピットが形成さ
れる。この方法によれば、製造工程は更に簡略化，短縮
化可能となる。
特開昭６４−８６３４４号公報に開示されたガラスディ
スクに段付きピットを形成する方法である。すなわち、
上述した図５のガラス基板４０が石英と比較して６０％
以下のエッチングレートを有するガラス素材を用いてお
り、これに同図の各工程によって段付きピットが形成さ
れる。この方法によれば、製造工程は更に簡略化，短縮
化可能となる。
【００２４】ｅ，第４の製造方法 次に、図６を参照しながら、第４の製造方法について説
明する。この方法は、特開平１−１８８３３２号あるい
は特開平３−１３６６９号（特開平４−２４１２３７公
報）に開示されたガラススタンパ工程を改良して用いる
ものである。
明する。この方法は、特開平１−１８８３３２号あるい
は特開平３−１３６６９号（特開平４−２４１２３７公
報）に開示されたガラススタンパ工程を改良して用いる
ものである。
【００２５】まず、同図（Ａ）に示すように、表面が高
精度に研磨されたガラス基板５０上に、レジスト層５２
が均一な厚さで形成され、次に同図（Ｂ）に示すように
カッティング，現像が各々行われる。このとき、ネガ型
のフォトレジストを用いるか、ポジ型のフォトレジスト
を用いるとともにイメージリバーサルによる反転を行っ
てカッティングを行うかのいずれが行われる。これによ
って、レジスト層５２に開口部５４が形成される。
精度に研磨されたガラス基板５０上に、レジスト層５２
が均一な厚さで形成され、次に同図（Ｂ）に示すように
カッティング，現像が各々行われる。このとき、ネガ型
のフォトレジストを用いるか、ポジ型のフォトレジスト
を用いるとともにイメージリバーサルによる反転を行っ
てカッティングを行うかのいずれが行われる。これによ
って、レジスト層５２に開口部５４が形成される。
【００２６】続いて、上述した第２の製造方法と同様
に、フッ素系ガスによるドライエッチング（同図（Ｃ）
参照），酸素ガスによるレジスト層５２のエッチング
（同図（Ｄ）参照），残存レジスト層５２をマスクとす
るフッ素系ガスによるドライエッチングが各々行われる
（同図（Ｅ）参照）。これによって、図２に示した段差
形状のピットが凸形状として形成される。次に、残存の
レジスト５２がガラス基板５０上から除去されてガラス
スタンパ５６が完成する。このガラススタンパ５６を用
いて、図３に示したように光ディスクが作成される。
に、フッ素系ガスによるドライエッチング（同図（Ｃ）
参照），酸素ガスによるレジスト層５２のエッチング
（同図（Ｄ）参照），残存レジスト層５２をマスクとす
るフッ素系ガスによるドライエッチングが各々行われる
（同図（Ｅ）参照）。これによって、図２に示した段差
形状のピットが凸形状として形成される。次に、残存の
レジスト５２がガラス基板５０上から除去されてガラス
スタンパ５６が完成する。このガラススタンパ５６を用
いて、図３に示したように光ディスクが作成される。
【００２７】なお、本発明は、何ら上記実施例に限定さ
れるものではなく、たとえば上述した実施例に示した数
値，材料，製造条件などは一例であり、同様の作用を奏
するように種々設計変更が可能であって、それらのもの
も本発明に含まれる。
れるものではなく、たとえば上述した実施例に示した数
値，材料，製造条件などは一例であり、同様の作用を奏
するように種々設計変更が可能であって、それらのもの
も本発明に含まれる。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による光デ
ィスクの製造方法及び光ディスクによれば、第１の深さ
及び第１の深さよりも深い第２の深さのピットを有する
光ディスクを形成することができるので、高密度記録に
も都合がよい光ディスクを得ることができる効果があ
る。
ィスクの製造方法及び光ディスクによれば、第１の深さ
及び第１の深さよりも深い第２の深さのピットを有する
光ディスクを形成することができるので、高密度記録に
も都合がよい光ディスクを得ることができる効果があ
る。
【図１】光ディスクのピット形状を示す斜視図である。
【図２】光ディスクの断面を示す説明図である。
【図３】光ディスクの製造方法を示す説明図である。
【図４】第１の製造方法におけるレジスト層の感度の関
係を示す説明図である。
係を示す説明図である。
【図５】第２の製造方法を示す説明図である。
【図６】第４の製造方法を示す説明図である。
【図７】従来の光ディスク，及びそれと検出信号との関
係を示す説明図である。
係を示す説明図である。
１０…ピット、１２…段差、１４…ディスク基板、１６
…側面、２０，４０，５０…ガラス基板、２２，２４，
４２，５２…レジスト層、２６…メタルマスタ、２８…
メタルマザー、３０…スタンパ、３２…ディスク、３４
…反射膜、３６…保護膜、４０，５０…ガラス基板、４
４，５４…開口部、４６…凹部、４８…ガラスマスタ、
５６…ガラススタンパ、Ｄａ，Ｄｂ…深さ、Ｅth1，Ｅt
h2…感度、Ｌ１，Ｌ２…レベル、Ｗａ，Ｗｂ…幅。
…側面、２０，４０，５０…ガラス基板、２２，２４，
４２，５２…レジスト層、２６…メタルマスタ、２８…
メタルマザー、３０…スタンパ、３２…ディスク、３４
…反射膜、３６…保護膜、４０，５０…ガラス基板、４
４，５４…開口部、４６…凹部、４８…ガラスマスタ、
５６…ガラススタンパ、Ｄａ，Ｄｂ…深さ、Ｅth1，Ｅt
h2…感度、Ｌ１，Ｌ２…レベル、Ｗａ，Ｗｂ…幅。
Claims (6)
- 【請求項１】 表面が高精度に研磨されたガラス基板上
に、ポジ型のフォトレジストによるレジスト層を均一な
厚さで形成する第１の工程と、 前記第１の工程の次に、カッティング、現像を行って、
前記レジスト層に開口部を形成する第２の工程と、 前記第２の工程の次に、前記ガラス基板を第１の深さま
でドライエッチングする第３の工程と、 前記第３の工程の次に、前記レジスト層のみを選択的に
前記第３の工程とは異なる方法でエッチングする第４の
工程と、 前記第４の工程の次に、前記ガラス基板を前記第３の工
程と同じ方法で、第２の深さまで再びドライエッチング
する第５の工程とを少なくとも備え、 前記第１の深さ及び前記第２の深さの開口部を有する光
ディスクを製造することを特徴とする光ディスクの製造
方法。 - 【請求項２】 表面が高精度に研磨されたガラス基板上
に、ネガ型のフォトレジストによるレジスト層を均一な
厚さで形成する第１の工程と、 前記第１の工程の次に、カッティング、現像を行って、
前記レジスト層に開口部を形成する第２の工程と、 前記第２の工程の次に、前記ガラス基板を第１の深さま
でドライエッチングする第３の工程と、 前記第３の工程の次に、前記レジスト層のみを選択的に
前記第３の工程とは異なる方法でエッチングする第４の
工程と、 前記第４の工程の次に、前記ガラス基板を前記第３の工
程と同じ方法で、第２の深さまで再びドライエッチング
する第５の工程とを少なくとも備え、 前記第１の深さ及び前記第２の深さの開口部を有する光
ディスクを製造することを特徴とする光ディスクの製造
方法。 - 【請求項３】 表面が高精度に研磨されたガラス基板上
に、ポジ型のフォトレジストによるレジスト層を均一な
厚さで形成する第１の工程と、 前記第１の工程の次に、カッティング、イメージリバー
サルによる反転、現像を行って、前記レジスト層に開口
部を形成する第２の工程と、 前記第２の工程の次に、前記ガラス基板を第１の深さま
でドライエッチングする第３の工程と、 前記第３の工程の次に、前記レジスト層のみを選択的に
前記第３の工程とは異なる方法でエッチングする第４の
工程と、 前記第４の工程の次に、前記ガラス基板を前記第３の工
程と同じ方法で、第２の深さまで再びドライエッチング
する第５の工程とを少なくとも備え、 前記第１の深さ及び前記第２の深さの開口部を有する光
ディスクを製造することを特徴とする光ディスクの製造
方法。 - 【請求項４】 請求項１乃至請求項３のいずれかに記載
の光ディスクの製造方法であって、 前記第３の工程及び前記第５の工程でそれぞれ用いられ
るドライエッチングは、フッ素系ガスによるドライエッ
チングであることを特徴とする光ディスクの製造方法。 - 【請求項５】 請求項１乃至請求項３のいずれかに記載
の光ディスクの製造方法であって、 前記第４の工程で用いられるエッチングは、酸素ガスに
よるエッチングであることを特徴とする光ディスクの製
造方法。 - 【請求項６】 請求項１乃至請求項５のいずれかに記載
の光ディスクの製造方法によって、作成される光ディス
クであって、 前記第１の深さ及び前記第２の深さのピットを有するこ
とを特徴とする光ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11279718A JP3129419B2 (ja) | 1999-09-30 | 1999-09-30 | 光ディスク用ガラスマスタの製造方法及び光ディスク用ガラスマスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11279718A JP3129419B2 (ja) | 1999-09-30 | 1999-09-30 | 光ディスク用ガラスマスタの製造方法及び光ディスク用ガラスマスタ |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3309738A Division JP3014065B2 (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | 光ディスク，ガラスマスタ，ガラススタンパ，ガラス基板，それらの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000082242A true JP2000082242A (ja) | 2000-03-21 |
| JP3129419B2 JP3129419B2 (ja) | 2001-01-29 |
Family
ID=17614921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11279718A Expired - Lifetime JP3129419B2 (ja) | 1999-09-30 | 1999-09-30 | 光ディスク用ガラスマスタの製造方法及び光ディスク用ガラスマスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3129419B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6733957B2 (en) | 2000-12-27 | 2004-05-11 | Victor Company Of Japan | Disk substrate and manufacturing method therefor, and disk manufactured by the disk substrate |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9267739B2 (en) * | 2012-07-18 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities |
-
1999
- 1999-09-30 JP JP11279718A patent/JP3129419B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6733957B2 (en) | 2000-12-27 | 2004-05-11 | Victor Company Of Japan | Disk substrate and manufacturing method therefor, and disk manufactured by the disk substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3129419B2 (ja) | 2001-01-29 |
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