JPH0453015B2 - - Google Patents

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JPH0453015B2
JPH0453015B2 JP61084448A JP8444886A JPH0453015B2 JP H0453015 B2 JPH0453015 B2 JP H0453015B2 JP 61084448 A JP61084448 A JP 61084448A JP 8444886 A JP8444886 A JP 8444886A JP H0453015 B2 JPH0453015 B2 JP H0453015B2
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JP
Japan
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photomask
film
substrate
track
address
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JP61084448A
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English (en)
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JPS62241149A (ja
Inventor
Kenji Oota
Akira Takahashi
Tetsuya Inui
Junji Hirokane
Hiroyuki Katayama
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Sharp Corp
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Sharp Corp
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Priority to US07/036,426 priority patent/US4839251A/en
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Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
    • G11B7/261—Preparing a master, e.g. exposing photoresist, electroforming

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明は特に光メモリ素子用基板の製造の際に
使用するフオトマスクおよびその製造方法に関す
る。
（発明の技術的背景とその問題点） 近年光メモリ素子は高密度大容量メモリ素子と
して年々その必要性が高まつている。この光メモ
リ素子はその使用形態により再生専用メモリ、追
加記録可能メモリおよび書き換え可能メモリの３
種に分けることができる。この中、追加記録可能
メモリおよび書き換え可能メモリとして使用する
光メモリ素子は情報の記録、再生、消去を行う光
ビームを光メモリ素子の所定の位置に案内するた
めに通常基板にガイドトラツクとそのトラツクが
何番目のトラツクかを識別するためのトラツク番
地とを予め備えている。また同一トラツクの中を
複数個のセクターに分け、情報を管理したい場合
はセクター番地等も予め設けられることが多い。
このガイドトラツクの製法の一つに特開昭60−
195751号公報に示した技術がある。第４図を用い
てその技術の概要を説明する。第４図ａに示すよ
うに、ガラスデイスク１００にスピンナー等でレ
ジスト膜１０１を塗布し、第４図ｂのごとく予め
ガイドトラツクやトラツク番地あるいはセクター
番地等を形成したフオトマスク１０２を用い、紫
外線等レジスト膜を感光する光を照射してフオト
マスクのガイドトラツク番地、セクター番地等
（第４図ｂにおいて１０５の部分はCrやTa等光を
透過しない膜が形成されており、膜を一部除去す
ることで所望のパターンを作製している。）をレ
ジスト１０１に転写する。次に第４図ｃのごとく
レジスト１０１を現像した後、第４図ｄに示すよ
うにCF4やCHF3等のガス中でリアクテイブイオ
ンエツチングを行うか、あるいはHF等の溶液中
でウエツトエツチングを行うかしてガラスデイス
クにガイドトラツクやトラツク番地、セクター番
地等を直接刻む。最後に第４図ｅに示すように工
程中で残つたレジスト１０１を除去（O2プラズ
マ中でアツシングしても良いし、アセトン等の溶
剤で洗浄しても良い。）する。こうしてガイドト
ラツクを形成する。
以上の製法において、第４図ｂの工程において
使用するフオトマスク１０２は第５図のような方
法で作製される。即ち円板状をしたフオトマスク
用基板１０６上に光を透過しない膜１０７とレジ
スト１０８を重ねて塗布し、この円板を中心軸の
まわりに回転させながら、対物レンズ１０９で集
光されたArレーザ等の光１１０により、該レジ
スト１０８上に螺旋もしくは同一円状のガイドト
ラツクを記録する。トラツク番地やセクター番地
は該Arレーザ光１１０を所定の周波数で断続さ
せることで記録する。
このような第５図の方式で作製したマスクを用
い、第４図で示した方式でガイドトラツクやトラ
ツク番地、セクター番地等をガラス基板に形成し
た場合は、ガイドトラツク部分の深さと、セクタ
ー番地あるいはガイド番地の深さとは同一にな
る。
ところが最近、第６図に示したようなガイドト
ラツク部１１１と、セクター番地部あるいはガイ
ド番地部１１２の深さを変え、かつガイドトラツ
ク部１１１の間に上記番地部１１２を設けたデイ
スク基板が提案されている。これは回折光差動方
式によつて光ビームをトラツキングする場合、ト
ラツク部の深さは使用する光の波長をλとして、
λ／8n近辺（ただしｎは基板の屈折率）にする
ことが好都合であり、番地部の深さはλ／4n付
近にすることが良いためである。しかし第４図か
ら第５図までに示した方式では第６図のようなデ
イスクが得られない。
（目的） 本発明は、上記第４図ｂのような工程を経て作
成されるデイスク基板上に設けられるパターンの
深さを部分的に変えることができるフオトマスク
とその製法を提供することにある。即ち本発明
は、上記要求を満足させるため、光メモリ素子用
フオトマスクを用い露光によりトラツクや番地を
転写し、エツチングによりガラス基板に直接該パ
ターンを形成する方法において、ガイドトラツク
部と番地部の深さを変え得るフオトマスクを提供
することと、その製法を提供することを目的とす
る。
（実施例） 以下、本発明に係る光メモリ用フオトマスクの
実施例を図面を用いて詳細に説明する。
第１図は、本発明に係るフオトマスクの一部拡
大図である。
マスク基板１（石英等のガラス、PMMA等の
プラスチツクで構成され、露光用の光を通すも
の）上に紫外線等の露光用光を通さない、例えば
Cr，Ti，Ta，Nb，Ni等の膜２を一様に設け、
その膜２の番地部分３をピツト状に基板表面位置
まではく離し、ガイドトラツク部４を膜２の途中
までエツチングし、膜厚を薄くする。このように
して図中Ｂのピツト状番地部分を通過（基板１の
み）する光と、Ａのガイドトラツク部を通過（基
板１＋膜２の薄い個所）する光の光量を変え得る
フオトマスクを形成する。そして第４図ｂの露光
工程において、上記第１図のマスクを用いると、
ガラスデイスク基板上のレジスト膜の番地部は充
分露光され、トラツク部は途中まで露光される。
これを現像すると、第２図に示したようなデイス
ク基板５上にエツチングの深さの異なるレジスト
膜６が形成される。即ちピツト状の番地部７はデ
イスク基板が露光し、トラツク部８はレジスト膜
６が薄く残つた形である。第２図のようなデイス
ク基板５を第４図ｄで示すようなドライエツチン
グをし、次いで第４図ｅの工程を通すと、出来上
がつた基板は第６図のようになる。即ち第２図の
ようなレジスト膜６が残つたデイスク基板５にド
ライエツチングを行うと、ピツト状の番地部７は
レジスト膜６がないためデイスク基板５が最初か
らエツチングされるが、トラツク部８は最初レジ
スト膜がエツチングされ、デイスク基板が現れて
からガラスのエツチングが開始される。換言すれ
ばピツト状の番地部とトラツク部のガラスがエツ
チングされ始める時とが異なるために両者の深さ
に差が生じるのである。
第１図のようなマスクの作製は次のように行
う。即ち第３図のように２本のArレーザ光９と
１０を第５図と同じ構成のマスク基板に照射し、
一方の光（例えば点線で示した１０の光）をガイ
ドトラツク用として弱い光で連続に記録し、他方
の光（実線の９の光）を番地部記録用として１０
よりも強い光で断続照射してトラツク部と番地部
の露光量を変える。これを現像してトラツク部に
薄くレジストを残してそれをドライエツチングす
ることで前述のデイスク基板作製時と同じ工程で
第１図のマスクを得る。
上記実施例においてトラツク部の幅や番地部の
幅は任意である。また第１図で示されたトラツク
部や番地部のエツジ部（斜線部）は基板１に垂直
であるが、適当な傾きを有しても良い。またガイ
ド部４の部分の厚みはレジスト材質、露光量、エ
ツチングの種類、エツチヤントにより決定される
ものであるから、本発明の主旨の範囲で任意であ
る。通常はレジスト膜２の部分は600〜700Åあ
り、ガイド部４の部分は50〜100Å程度である。
また番地部にも若干の膜を残し（例えば50Å）ガ
イド部４はレジスト部２と番地部４の部分の中間
の膜厚（例えば100〜150Å）としてもよい。
（発明の効果） 本発明によれば、光メモリに深さの異なるトラ
ツク部と番地部を形成するためのフオトマスクが
得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係るフオトマスクの一部拡大
図である。第２図は本発明のフオトマスクを用い
てパターンを露光し、現像した時のデイスク基板
の一部拡大図、第３図は本発明のフオトマスクの
製法を示す説明図、第４図は従来のデイスク基板
製造工程を示す工程図、第５図はその時のマスク
作製方法を示す説明図、第６図は本発明により作
製可能となつたデイスク基板の一部拡大図であ
る。 図中、１……マスク基板、２……レジスト膜、
３……番地部、４……トラツク部、５……デイス
ク基板、６……レジスト膜、７……番地部、８…
…番地部。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 透明基板上に形成した露光用の光を選択的に
    通過せしめる膜に、上記膜の略ないパターン部分
    と、上記膜の厚み方向に一部を削つたパターン部
    分とを混在せしめたことを特徴とする光メモリ素
    子用フオトマスク。 ２ 透明基板上に形成された露光を選択的に通過
    せしめる膜の上にレジスト膜を形成し、該レジス
    ト膜にパターンに応じて一方を強く他方を弱くし
    た２本の露光用光ビームを照射して露光し、これ
    を現像してマスク基板を製造することを特徴とす
    る光メモリ素子用フオトマスクの製造方法。
JP61084448A 1986-04-11 1986-04-11 光メモリ素子用フォトマスク及びその製造方法 Granted JPS62241149A (ja)

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DE8787105243T DE3781444T2 (de) 1986-04-11 1987-04-09 Photomaske zur herstellung von optischen aufzeichnungsplatten, verfahren zur herstellung der photomaske und verfahren zur herstellung der optischen aufzeichnungsplatte.
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US07/036,426 US4839251A (en) 1986-04-11 1987-04-09 Photo-mask for use in manufacturing an optical memory disc, a method for making the photo-mask and a method for manufacturing the optical memory disc

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