JPH04286736A - 光メモリ素子のマスター原盤用基板の製造方法 - Google Patents
光メモリ素子のマスター原盤用基板の製造方法Info
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- JPH04286736A JPH04286736A JP3051324A JP5132491A JPH04286736A JP H04286736 A JPH04286736 A JP H04286736A JP 3051324 A JP3051324 A JP 3051324A JP 5132491 A JP5132491 A JP 5132491A JP H04286736 A JPH04286736 A JP H04286736A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B7/261—Preparing a master, e.g. exposing photoresist, electroforming
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光メモリ素子のマスター
原盤用基板の製造方法に関するものである。
原盤用基板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、光メモリ素子は高密度大容量メモ
リ素子として、年々その必要性が高まっている。この光
メモリ素子は、その使用形態により再生専用メモリ、追
加記録可能メモリおよび書き換え可能メモリの３種に区
別できる。この中で追加記録可能メモリおよび書き換え
可能メモリとして使用する光メモリ素子は、情報の記録
、再生及び消去を行う光ビームを光メモリ素子の所定の
位置に案内するために、通常基板にガイドトラックとそ
のトラックが何番目のトラックかを識別するためのトラ
ック番地を予め備えている。また、同一トラックの中を
複数個のセクタに分け、情報を管理したい場合はセクタ
番地等も予め設けられることが多い。この様なガイドト
ラックやトラック番地、セクタ番地等は図８に示す様に
、ガイドトラック部１ｂと、セクタ番地部（あるいはト
ラック番地部）１ａとの深さを変え、かつ、ガイドトラ
ック部１ｂの間に上記番地部１ａを設けた構造となって
いる。これは、光差動方式によって光ビームをトラッキ
ングする場合、ガイドトラック部の深さは、使用する光
の波長をλとして、λ／（８×ｎ）（ただし、ｎは基板
の屈折率）付近にすることが好都合であり、一方、番地
部の深さは、λ／（４×ｎ）付近にすることが良いため
である。この様なガイドトラックやトラック番地、セク
タ番地等をガラス基板に密着露光法、ドライエッチング
法を用いて、形成する製法の一つに図９〜図１３に示す
技術が提案されている。この製法は、ガイドトラック部
とセクタ番地部、トラック番地部とで透過光量の異なる
フォトマスクを製造し、そのフォトマスクを使用して、
密着露光法、ドライエッチング法で、ガラスディスク用
基板を形成するという内容であり、図９〜図１３を用い
てその技術の概要を説明する。まず、図９に示すように
ガラスディスク用基板１にポジ型のフォトレジスト２を
塗布し、プリベークを行う。次に、図１０に示すように
フォトマスク３をマスク用薄膜４を介してフォトレジス
ト２に密着させる。この際、フォトマスク３はセクタ番
地部やトラック番地部１ａのマスク用薄膜４における形
成領域Ａ１では、マスク用薄膜４が存在せず、それによ
って透過光量が大きくなるよう形成されており、一方ガ
イドトラック部１ｂのマスク用薄膜４における形成領域
Ｂ１では、マスク用薄膜４が１０〜２００Å程度厚残り
、それによって透過光量が小さくなるよう形成されてい
る。続いて、紫外線光５を照射し、フォトレジスト２の
露光を行う（図１０参照）。次に、図１１に示すように
露光されたフォトレジスト２を現像し、ポストベークを
行う。ここで、フォトレジスト２の現像の程度は、番地
部１ａのフォトレジスト２における形成領域Ａ２では、
強い光で十分に露光されるため、フォトレジスト２は完
全に現像され、基板１が露出する。一方、ガイドトラッ
ク部１ｂのフォトレジスト２における形成領域Ｂ２では
、Ａ２領域より弱い光で露光されており、途中で現像が
停止し、ガイドトラック部のマスク用薄膜４の透過光量
に応じた厚さ分だけフォトレジスト２が残り、基板が露
出しない。符号２２ａはその残存フォトレジストを示す
。次に、図１２に示すようにＣＦ４、ＣＨＦ３等のガス
を使用したドライエッチングにより、基板１のエッチン
グを行う。ここで、フォトレジスト２も同時にエッチン
グされるため、Ａ２領域では、エッチング開始時から基
板１のエッチングが進行し、深い溝１１ａとなり、Ｂ２
領域では残存フォトレジスト２２ａがエッチングされ、
基板１が露出した時点から、基板１のエッチングが進行
するため、Ａ２領域の溝１１ａと比べて浅い溝１１ｂと
なる。なお、符号２２ｂは上記エッチングが終了しても
除去されずに残ったフォトレジストを示す。最後に、図
１３に示すようにフォトレジスト２２ｂを除去して、深
い溝１１１の番地部１ａと浅い溝１１２のガイドトラッ
ク部１ｂを基板上に形成する。このように、番地部１ａ
とガイドトラック部１ｂとで深さの異なるガラスディス
ク用基板１１が形成される。
リ素子として、年々その必要性が高まっている。この光
メモリ素子は、その使用形態により再生専用メモリ、追
加記録可能メモリおよび書き換え可能メモリの３種に区
別できる。この中で追加記録可能メモリおよび書き換え
可能メモリとして使用する光メモリ素子は、情報の記録
、再生及び消去を行う光ビームを光メモリ素子の所定の
位置に案内するために、通常基板にガイドトラックとそ
のトラックが何番目のトラックかを識別するためのトラ
ック番地を予め備えている。また、同一トラックの中を
複数個のセクタに分け、情報を管理したい場合はセクタ
番地等も予め設けられることが多い。この様なガイドト
ラックやトラック番地、セクタ番地等は図８に示す様に
、ガイドトラック部１ｂと、セクタ番地部（あるいはト
ラック番地部）１ａとの深さを変え、かつ、ガイドトラ
ック部１ｂの間に上記番地部１ａを設けた構造となって
いる。これは、光差動方式によって光ビームをトラッキ
ングする場合、ガイドトラック部の深さは、使用する光
の波長をλとして、λ／（８×ｎ）（ただし、ｎは基板
の屈折率）付近にすることが好都合であり、一方、番地
部の深さは、λ／（４×ｎ）付近にすることが良いため
である。この様なガイドトラックやトラック番地、セク
タ番地等をガラス基板に密着露光法、ドライエッチング
法を用いて、形成する製法の一つに図９〜図１３に示す
技術が提案されている。この製法は、ガイドトラック部
とセクタ番地部、トラック番地部とで透過光量の異なる
フォトマスクを製造し、そのフォトマスクを使用して、
密着露光法、ドライエッチング法で、ガラスディスク用
基板を形成するという内容であり、図９〜図１３を用い
てその技術の概要を説明する。まず、図９に示すように
ガラスディスク用基板１にポジ型のフォトレジスト２を
塗布し、プリベークを行う。次に、図１０に示すように
フォトマスク３をマスク用薄膜４を介してフォトレジス
ト２に密着させる。この際、フォトマスク３はセクタ番
地部やトラック番地部１ａのマスク用薄膜４における形
成領域Ａ１では、マスク用薄膜４が存在せず、それによ
って透過光量が大きくなるよう形成されており、一方ガ
イドトラック部１ｂのマスク用薄膜４における形成領域
Ｂ１では、マスク用薄膜４が１０〜２００Å程度厚残り
、それによって透過光量が小さくなるよう形成されてい
る。続いて、紫外線光５を照射し、フォトレジスト２の
露光を行う（図１０参照）。次に、図１１に示すように
露光されたフォトレジスト２を現像し、ポストベークを
行う。ここで、フォトレジスト２の現像の程度は、番地
部１ａのフォトレジスト２における形成領域Ａ２では、
強い光で十分に露光されるため、フォトレジスト２は完
全に現像され、基板１が露出する。一方、ガイドトラッ
ク部１ｂのフォトレジスト２における形成領域Ｂ２では
、Ａ２領域より弱い光で露光されており、途中で現像が
停止し、ガイドトラック部のマスク用薄膜４の透過光量
に応じた厚さ分だけフォトレジスト２が残り、基板が露
出しない。符号２２ａはその残存フォトレジストを示す
。次に、図１２に示すようにＣＦ４、ＣＨＦ３等のガス
を使用したドライエッチングにより、基板１のエッチン
グを行う。ここで、フォトレジスト２も同時にエッチン
グされるため、Ａ２領域では、エッチング開始時から基
板１のエッチングが進行し、深い溝１１ａとなり、Ｂ２
領域では残存フォトレジスト２２ａがエッチングされ、
基板１が露出した時点から、基板１のエッチングが進行
するため、Ａ２領域の溝１１ａと比べて浅い溝１１ｂと
なる。なお、符号２２ｂは上記エッチングが終了しても
除去されずに残ったフォトレジストを示す。最後に、図
１３に示すようにフォトレジスト２２ｂを除去して、深
い溝１１１の番地部１ａと浅い溝１１２のガイドトラッ
ク部１ｂを基板上に形成する。このように、番地部１ａ
とガイドトラック部１ｂとで深さの異なるガラスディス
ク用基板１１が形成される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ここで、ガイドトラッ
ク部１ｂを構成する溝１１２の深さは、フォトマスク３
のガイドトラック部１ｂにおける透過光量と現像条件に
より決まるところのガイドトラック部１ｂに残るフォト
レジスト２２ａの膜厚、さらには図１１に示したように
残存フォトレジスト２２ａを含むフォトレジスト２と基
板１の同時エッチング時のフォトレジスト２と基板１の
エッチング速度とにより決まり、溝を再現性良く、一様
に形成することが難しい。本発明は、再現性良く、一様
に形成された溝を有する光メモリ素子用のマスター原盤
用基板を製造する方法を提供することを目的とする。
ク部１ｂを構成する溝１１２の深さは、フォトマスク３
のガイドトラック部１ｂにおける透過光量と現像条件に
より決まるところのガイドトラック部１ｂに残るフォト
レジスト２２ａの膜厚、さらには図１１に示したように
残存フォトレジスト２２ａを含むフォトレジスト２と基
板１の同時エッチング時のフォトレジスト２と基板１の
エッチング速度とにより決まり、溝を再現性良く、一様
に形成することが難しい。本発明は、再現性良く、一様
に形成された溝を有する光メモリ素子用のマスター原盤
用基板を製造する方法を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段及び作用】この発明は、光
メモリ素子用のガラス基板にそれぞれ異なる深さを有す
る溝状のガイドトラック部と、ガイドトラック部間に挟
まれた溝状のセクタあるいはトラック番地部を形成して
マスター原盤用基板を作成するに際して、（ｉ）ガラス
基板上の全面にフォトレジスト膜を形成し、（ｉｉ）さ
らにその上に、フォトレジスト膜における上記番地部形
成領域ではフォトレジスト膜を完全に除去し、上記ガイ
ドトラック部形成領域ではフォトレジスト膜の除去を途
中で停止しうるマスクを形成し、（ｉｉｉ）続いて露光
と現像とを行って、上記番地部形成領域ではガラス基板
表面を露出させ、同時に上記ガイドトラック部ではガラ
ス基板表面にフォトレジスト膜の第１残存膜を残し、（
ｉｖ）次に、第１残存膜を含むフォトレジスト膜を有す
るガラス基板上の全面をエッチングして上記番地部形成
領域のガラス基板を所定厚掘り下げ、同時に第１残存膜
が残るようこれを除去して第２残存膜とし、（ｖ）続い
て、第２残存膜を含むフォトレジスト膜を有するガラス
基板上の全面をエッチングして第２残存膜を除去して上
記ガイドトラック部形成領域でもガラス基板表面を露出
させ、（ｖｉ）さらに、その露出したガラス基板をアッ
シングにより所定厚掘り下げて上記ガイドトラック部形
成領域におけるガラス基板に浅い溝を形成するとともに
、上記番地部形成領域におけるガラス基板に深い溝を形
成し、（ｖｉｉ）最後に、上記両形成領域間に残存した
フォトレジスト膜を除去することよりなる光メモリ素子
のマスター原盤用基板の製造方法である。
メモリ素子用のガラス基板にそれぞれ異なる深さを有す
る溝状のガイドトラック部と、ガイドトラック部間に挟
まれた溝状のセクタあるいはトラック番地部を形成して
マスター原盤用基板を作成するに際して、（ｉ）ガラス
基板上の全面にフォトレジスト膜を形成し、（ｉｉ）さ
らにその上に、フォトレジスト膜における上記番地部形
成領域ではフォトレジスト膜を完全に除去し、上記ガイ
ドトラック部形成領域ではフォトレジスト膜の除去を途
中で停止しうるマスクを形成し、（ｉｉｉ）続いて露光
と現像とを行って、上記番地部形成領域ではガラス基板
表面を露出させ、同時に上記ガイドトラック部ではガラ
ス基板表面にフォトレジスト膜の第１残存膜を残し、（
ｉｖ）次に、第１残存膜を含むフォトレジスト膜を有す
るガラス基板上の全面をエッチングして上記番地部形成
領域のガラス基板を所定厚掘り下げ、同時に第１残存膜
が残るようこれを除去して第２残存膜とし、（ｖ）続い
て、第２残存膜を含むフォトレジスト膜を有するガラス
基板上の全面をエッチングして第２残存膜を除去して上
記ガイドトラック部形成領域でもガラス基板表面を露出
させ、（ｖｉ）さらに、その露出したガラス基板をアッ
シングにより所定厚掘り下げて上記ガイドトラック部形
成領域におけるガラス基板に浅い溝を形成するとともに
、上記番地部形成領域におけるガラス基板に深い溝を形
成し、（ｖｉｉ）最後に、上記両形成領域間に残存した
フォトレジスト膜を除去することよりなる光メモリ素子
のマスター原盤用基板の製造方法である。
【０００５】すなわち、この発明は深さの異なる２つの
溝を有するマスター原盤用基板を形成するに際して、異
なる深さの溝を形成する領域ごとに独立して基板表面を
露出させ、しかも露出した基板を独立して掘り下げて異
なる深さの溝を形成するようにしたので、溝の深さをこ
れが選択比やフォトレジストの膜厚に依存することなく
エッチング状態のみにより決定でき、それによって基板
上の溝を再現性良く形成できるようにしたものである。
溝を有するマスター原盤用基板を形成するに際して、異
なる深さの溝を形成する領域ごとに独立して基板表面を
露出させ、しかも露出した基板を独立して掘り下げて異
なる深さの溝を形成するようにしたので、溝の深さをこ
れが選択比やフォトレジストの膜厚に依存することなく
エッチング状態のみにより決定でき、それによって基板
上の溝を再現性良く形成できるようにしたものである。
【０００６】
【実施例】以下、本発明に係る光メモリ素子のマスター
原盤用基板の製造方法の実施例を図面を用いて詳細に説
明する。図１〜図７は、本発明に係る製造方法を示す説
明図である。まず、図１に示すようにマスター原盤用基
板として意図されたガラス基板１にポジ型のフォトレジ
スト２を塗布し、プリベークを行う。次に、図２に示す
ようにセクタ番地部やトラック番地部１ａのマスク用薄
膜４における形成領域Ａ１で、マスク用薄膜４が存在せ
ず、それによって透過光量が大きくなるよう形成され、
一方、ガイドトラック部１ｂのマスク用薄膜４における
形成領域Ｂ１で、マスク用薄膜４を１０〜２００Å程度
厚に残存させ、それによって透過光量が小さくなるよう
形成されたフォトマスク３を、マスク用薄膜４を介して
フォトレジスト２に密着させ、これに紫外線光５を照射
し、フォトレジスト２の露光を行う。この際、露光は、
紫外線照射以外にレーザカッティング法を用いて行って
も良い。すなわち、番地部を露光するための光量の大き
いＡｒレーザ等のレーザ光と、ガイドトラック部を露光
するための光量の小さいＡｒレーザ等のレーザ光とを、
フォトレジスト面に絞り込み、基板１を回転させつつ、
２本のレーザ光を移動させ、番地部、ガイドトラック部
をスパイラル状に露光を行っても良い。続いて、図３に
示すように露光されたフォトレジスト２を現像し、ポス
トベークを行う。ここで、番地部１ａのフォトレジスト
２における形成領域Ａ２は強い光で十分に露光されるた
め、フォトレジスト２は、完全に現像され、基板１が露
出する。一方、ガイドトラック部１ｂのフォトレジスト
２における形成領域Ｂ２では、番地部１ａの形成領域Ａ
２より弱い光で露光されており、途中でフォトレジスト
２の現像が停止し、ガイドトラック部のＢ２領域におけ
るマスク用薄膜４の透過光量に応じた厚さのフォトレジ
スト２が第１残存膜６として残る。ここまでは従来と同
一の工程である。次に、図４に示すように、フォトレジ
スト２を含む基板１上の全面のエッチングを行い、番地
部１ａに意図される領域Ａ３の基板１及びガイドトラッ
ク部１ｂに意図される領域Ｂ３の上記残存フォトレジス
ト膜６を２００Å〜８００Åの厚さだけ同時にエッチン
グする。この際、Ｂ３領域のフォトレジスト膜６は完全
に除去されないで第２残存膜７が残存するよう除去され
る。次に、ガイドトラック部１ｂに意図される領域Ｂ３
の残存フォトレジスト膜７のみを公知の技術を用いて除
去し、ガイドトラック部１ｂのＢ３領域の基板１を露出
させる（図５参照）。この際、すでに露出しているＡ３
領域の基板１はエッチングされない。この状態ではＡ４
、Ｂ４各領域で基板が露出しており、他の領域はフォト
レジスト２でカバーされている。続いて、フォトレジス
ト２を含む基板１上の全面のエッチングを行い、基板１
が露出した部分、すなわち、番地部１ａとガイドトラッ
ク部１ｂにそれぞれ意図される領域Ａ４とＢ４の基板１
を３００Å〜１０００Å厚分だけ同時にエッチングする
（図６参照）。この際、フォトレジスト２は３００Å〜
１０００Å除去されても完全に除去されないで第３残存
膜８としてフォトレジスト膜を残存させる。最後に、フ
ォトレジスト膜８のみの除去を行い、深さの異なる番地
部１ａとガイドトラック部１ｂを有するマスター原盤用
基板５が形成される。
原盤用基板の製造方法の実施例を図面を用いて詳細に説
明する。図１〜図７は、本発明に係る製造方法を示す説
明図である。まず、図１に示すようにマスター原盤用基
板として意図されたガラス基板１にポジ型のフォトレジ
スト２を塗布し、プリベークを行う。次に、図２に示す
ようにセクタ番地部やトラック番地部１ａのマスク用薄
膜４における形成領域Ａ１で、マスク用薄膜４が存在せ
ず、それによって透過光量が大きくなるよう形成され、
一方、ガイドトラック部１ｂのマスク用薄膜４における
形成領域Ｂ１で、マスク用薄膜４を１０〜２００Å程度
厚に残存させ、それによって透過光量が小さくなるよう
形成されたフォトマスク３を、マスク用薄膜４を介して
フォトレジスト２に密着させ、これに紫外線光５を照射
し、フォトレジスト２の露光を行う。この際、露光は、
紫外線照射以外にレーザカッティング法を用いて行って
も良い。すなわち、番地部を露光するための光量の大き
いＡｒレーザ等のレーザ光と、ガイドトラック部を露光
するための光量の小さいＡｒレーザ等のレーザ光とを、
フォトレジスト面に絞り込み、基板１を回転させつつ、
２本のレーザ光を移動させ、番地部、ガイドトラック部
をスパイラル状に露光を行っても良い。続いて、図３に
示すように露光されたフォトレジスト２を現像し、ポス
トベークを行う。ここで、番地部１ａのフォトレジスト
２における形成領域Ａ２は強い光で十分に露光されるた
め、フォトレジスト２は、完全に現像され、基板１が露
出する。一方、ガイドトラック部１ｂのフォトレジスト
２における形成領域Ｂ２では、番地部１ａの形成領域Ａ
２より弱い光で露光されており、途中でフォトレジスト
２の現像が停止し、ガイドトラック部のＢ２領域におけ
るマスク用薄膜４の透過光量に応じた厚さのフォトレジ
スト２が第１残存膜６として残る。ここまでは従来と同
一の工程である。次に、図４に示すように、フォトレジ
スト２を含む基板１上の全面のエッチングを行い、番地
部１ａに意図される領域Ａ３の基板１及びガイドトラッ
ク部１ｂに意図される領域Ｂ３の上記残存フォトレジス
ト膜６を２００Å〜８００Åの厚さだけ同時にエッチン
グする。この際、Ｂ３領域のフォトレジスト膜６は完全
に除去されないで第２残存膜７が残存するよう除去され
る。次に、ガイドトラック部１ｂに意図される領域Ｂ３
の残存フォトレジスト膜７のみを公知の技術を用いて除
去し、ガイドトラック部１ｂのＢ３領域の基板１を露出
させる（図５参照）。この際、すでに露出しているＡ３
領域の基板１はエッチングされない。この状態ではＡ４
、Ｂ４各領域で基板が露出しており、他の領域はフォト
レジスト２でカバーされている。続いて、フォトレジス
ト２を含む基板１上の全面のエッチングを行い、基板１
が露出した部分、すなわち、番地部１ａとガイドトラッ
ク部１ｂにそれぞれ意図される領域Ａ４とＢ４の基板１
を３００Å〜１０００Å厚分だけ同時にエッチングする
（図６参照）。この際、フォトレジスト２は３００Å〜
１０００Å除去されても完全に除去されないで第３残存
膜８としてフォトレジスト膜を残存させる。最後に、フ
ォトレジスト膜８のみの除去を行い、深さの異なる番地
部１ａとガイドトラック部１ｂを有するマスター原盤用
基板５が形成される。
【０００７】
【発明の効果】本発明によれば、新たにエッチングプロ
セスを導入したので、番地部とガイドトラック部の溝の
深さは、エッチング状態のみにより決定され、番地部と
ガイドトラック部で溝の深さの異なるマスター原盤用基
板を再現性良く、一様に製造することができる効果があ
る。
セスを導入したので、番地部とガイドトラック部の溝の
深さは、エッチング状態のみにより決定され、番地部と
ガイドトラック部で溝の深さの異なるマスター原盤用基
板を再現性良く、一様に製造することができる効果があ
る。
【図１】この発明の一実施例を説明するための第１ステ
ップを示す構成説明図である。
ップを示す構成説明図である。
【図２】上記実施例における第２ステップを示す構成説
明図である。
明図である。
【図３】上記実施例における第３ステップを示す構成説
明図である。
明図である。
【図４】上記実施例における第４ステップを示す構成説
明図である。
明図である。
【図５】上記実施例における第５ステップを示す構成説
明図である。
明図である。
【図６】上記実施例における第６ステップを示す構成説
明図である。
明図である。
【図７】上記実施例における第７ステップを示す構成説
明図である。
明図である。
【図８】作成されたガラスディスク用基板を示す要部構
成説明図である。
成説明図である。
【図９】従来例の第１ステップを示す構成説明図である
。
。
【図１０】従来例の第２ステップを示す構成説明図であ
る。
る。
【図１１】従来例の第３ステップを示す構成説明図であ
る。
る。
【図１２】従来例の第４ステップを示す構成説明図であ
る。
る。
【図１３】従来例の第５ステップを示す構成説明図であ
る。
る。
１ ガラスディスク用基板
１ａ 番地部
１ｂ ガイドトラック部
２ フォトレジスト
３ フォトマスク
４ マスク用薄膜
５ 紫外線
Claims (1)
- 【請求項１】 光メモリ素子用のガラス基板にそれぞ
れ異なる深さを有する溝状のガイドトラック部と、ガイ
ドトラック部間に挟まれた溝状のセクタあるいはトラッ
ク番地部を形成してマスター原盤用基板を作成するに際
して、（ｉ）ガラス基板上の全面にフォトレジスト膜を
形成し、（ｉｉ）さらにその上に、フォトレジスト膜に
おける上記番地部形成領域ではフォトレジスト膜を完全
に除去し、上記ガイドトラック部形成領域ではフォトレ
ジスト膜の除去を途中で停止しうるマスクを形成し、（
ｉｉｉ）続いて露光と現像とを行って、上記番地部形成
領域ではガラス基板表面を露出させ、同時に上記ガイド
トラック部ではガラス基板表面にフォトレジスト膜の第
１残存膜を残し、（ｉｖ）次に、第１残存膜を含むフォ
トレジスト膜を有するガラス基板上の全面をエッチング
して上記番地部形成領域のガラス基板を所定厚掘り下げ
、同時に第１残存膜が残るようこれを除去して第２残存
膜とし、（ｖ）続いて、第２残存膜を含むフォトレジス
ト膜を有するガラス基板上の全面をエッチングして第２
残存膜を除去して上記ガイドトラック部形成領域でもガ
ラス基板表面を露出させ、（ｖｉ）さらに、その露出し
たガラス基板をアッシングにより所定厚掘り下げて上記
ガイドトラック部形成領域におけるガラス基板に浅い溝
を形成するとともに、上記番地部形成領域におけるガラ
ス基板に深い溝を形成し、（ｖｉｉ）最後に、上記両形
成領域間に残存したフォトレジスト膜を除去することよ
りなる光メモリ素子のマスター原盤用基板の製造方法。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6733957B2 (en) | 2000-12-27 | 2004-05-11 | Victor Company Of Japan | Disk substrate and manufacturing method therefor, and disk manufactured by the disk substrate |
| JP2011129671A (ja) * | 2009-12-17 | 2011-06-30 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | インプリントリソグラフィ用モールド製作方法及びモールド |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2701152B1 (fr) * | 1993-02-03 | 1995-03-10 | Digipress Sa | Procédé de fabrication d'un disque maître pour la réalisation d'une matrice de pressage notamment de disques optiques, matrice de pressage obtenue par ce procédé et disque optique obtenu à partir de cette matrice de pressage. |
| FR2702077B1 (fr) * | 1993-02-22 | 1995-04-21 | Digipress Sa | Procédé de fabrication d'un disque maître et d'une matrice de pressage de disques optiques perfectionnés, disque optique obtenu à partir de ce disque maître ou de cette matrice de pressage. |
| FR2716563B1 (fr) * | 1994-02-21 | 1996-06-07 | Digipress Sa | Substrat préformaté, substrat préformaté comportant des informations à dupliquer, leurs procédés de fabrication et procédé de fabrication d'un disque maître et/ou d'un disque optique. |
| US5503963A (en) * | 1994-07-29 | 1996-04-02 | The Trustees Of Boston University | Process for manufacturing optical data storage disk stamper |
| US5783371A (en) * | 1994-07-29 | 1998-07-21 | Trustees Of Boston University | Process for manufacturing optical data storage disk stamper |
| US5837750A (en) * | 1995-03-13 | 1998-11-17 | Dsm N.V. | Radiation curable optical fiber coating composition |
| US6287663B1 (en) * | 1995-10-31 | 2001-09-11 | Kabushiki Kaisha Ohara | Glass-ceramic substrate for a magnetic information storage medium |
| US5910262A (en) * | 1997-02-06 | 1999-06-08 | International Business Machines Corporation | Method and tool for laser texturing of glass substrates |
| JP3938253B2 (ja) | 1997-12-26 | 2007-06-27 | 日本板硝子株式会社 | 樹脂正立等倍レンズアレイおよびその製造方法 |
| JP2000348388A (ja) | 1999-06-04 | 2000-12-15 | Sharp Corp | 光記録媒体 |
| WO2003020488A1 (de) * | 2001-08-30 | 2003-03-13 | Zeptosens Ag | Verfahren zur herstellung von abformkörpern, insbesondere optischen strukturen, und deren verwendung |
| GB0204496D0 (en) * | 2002-02-26 | 2002-04-10 | Plasmon Ltd | Optical disc mastering |
| US20050040032A1 (en) * | 2003-08-18 | 2005-02-24 | Yuan-Chang Lai | Stamper forming method |
| KR100641006B1 (ko) * | 2004-11-04 | 2006-11-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 인쇄판 |
| JP4289342B2 (ja) * | 2004-11-22 | 2009-07-01 | 日本ビクター株式会社 | 光ディスク及びその製造方法 |
| KR101711646B1 (ko) * | 2009-12-11 | 2017-03-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 임프린트용 몰드의 제조방법 및 임프린트용 몰드를 이용한 패턴 형성방법 |
| KR101726641B1 (ko) * | 2011-08-03 | 2017-04-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 인쇄판의 제조 방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63155445A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-28 | Canon Inc | 情報記録原盤の製造方法 |
| JPH01150254A (ja) * | 1987-12-07 | 1989-06-13 | Sharp Corp | 光メモリ素子用フォトマスク及びその製造方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5965951A (ja) * | 1982-10-08 | 1984-04-14 | Toshiba Corp | 情報記憶媒体用原盤 |
| JPS6050733A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-20 | Sony Corp | 光学式記録媒体及びその原盤の製造装置 |
| JPS60170045A (ja) * | 1984-02-13 | 1985-09-03 | Pioneer Electronic Corp | アドレス，案内溝付光デイスク製造方法 |
| EP0434114B1 (en) * | 1985-08-30 | 1994-01-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical memory element and manufacturing method thereof |
| JPS62128944A (ja) * | 1985-11-27 | 1987-06-11 | Sharp Corp | 光メモリ素子 |
| JPS62241149A (ja) * | 1986-04-11 | 1987-10-21 | Sharp Corp | 光メモリ素子用フォトマスク及びその製造方法 |
| JPS6486344A (en) * | 1987-09-29 | 1989-03-31 | Victor Company Of Japan | Information recording carrier and production thereof |
-
1991
- 1991-03-15 JP JP3051324A patent/JPH04286736A/ja active Pending
-
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- 1992-03-11 KR KR1019920003964A patent/KR950001879B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1992-03-11 US US07/849,503 patent/US5246531A/en not_active Expired - Lifetime
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- 1992-03-13 EP EP92302183A patent/EP0503961B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-03-13 DE DE69219652T patent/DE69219652T2/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63155445A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-28 | Canon Inc | 情報記録原盤の製造方法 |
| JPH01150254A (ja) * | 1987-12-07 | 1989-06-13 | Sharp Corp | 光メモリ素子用フォトマスク及びその製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6733957B2 (en) | 2000-12-27 | 2004-05-11 | Victor Company Of Japan | Disk substrate and manufacturing method therefor, and disk manufactured by the disk substrate |
| JP2011129671A (ja) * | 2009-12-17 | 2011-06-30 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | インプリントリソグラフィ用モールド製作方法及びモールド |
Also Published As
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