JP2773540B2 - 高密度光ディスクの製造方法 - Google Patents
高密度光ディスクの製造方法Info
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- JP2773540B2 JP2773540B2 JP12028192A JP12028192A JP2773540B2 JP 2773540 B2 JP2773540 B2 JP 2773540B2 JP 12028192 A JP12028192 A JP 12028192A JP 12028192 A JP12028192 A JP 12028192A JP 2773540 B2 JP2773540 B2 JP 2773540B2
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- Japan
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- opening
- layer
- laser beam
- light
- optical disk
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光記録媒体の原盤を作
成する方法に関する。
成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４に示す従来例１は、例えば刊行物
（応用物理学会編「光ディスクシステム」初版（１９８
９）朝倉書店発行の１０４ページ）に示される光デイス
クの製造方法のなかで主要工程を示した断面図であり、
先ず、図４（ａ）に示すように基板１上にポジ型フォト
レジスト層２を形成し、次に、図４（ｂ）に示すように
集光したレーザ光３を用いてポジ型フォトレジスト層２
を選択的に露光する。なお、図４（ｂ）のレーザ光３の
形は強度分布を表したものである。その後現像を行うこ
とで、図４（ｃ）に示すプリピット４をもった光ディス
ク原盤を作成する。
（応用物理学会編「光ディスクシステム」初版（１９８
９）朝倉書店発行の１０４ページ）に示される光デイス
クの製造方法のなかで主要工程を示した断面図であり、
先ず、図４（ａ）に示すように基板１上にポジ型フォト
レジスト層２を形成し、次に、図４（ｂ）に示すように
集光したレーザ光３を用いてポジ型フォトレジスト層２
を選択的に露光する。なお、図４（ｂ）のレーザ光３の
形は強度分布を表したものである。その後現像を行うこ
とで、図４（ｃ）に示すプリピット４をもった光ディス
ク原盤を作成する。
【０００３】なお、従来例１では、集光したレーザ光３
で直接ポジ型フォトレジスト層２を露光している。その
ために、作成するプリピット４の幅はレーザ光３のスポ
ット径と略同一になるため、前記スポット径以下の幅を
もつプリピット４を作成することは困難であった。
で直接ポジ型フォトレジスト層２を露光している。その
ために、作成するプリピット４の幅はレーザ光３のスポ
ット径と略同一になるため、前記スポット径以下の幅を
もつプリピット４を作成することは困難であった。
【０００４】また、従来例１の問題点であるレーザ光の
スポット径以下の幅をもつプリピットを作成する方法と
して、たとえば特開平３−１０８１４号公報に示される
方法がある。図５はその従来例２の内で主要な工程を示
す断面図である。先ず、図５（ａ）に示すように基板１
上にエッチング可能な層５とポジ型フォトレジスト層２
を順次作成し、次に、図５（ｂ）に示すようにレーザ光
３で露光し、現像することで、図５（ｃ）に示すように
ポジ型フォトレジスト層２に開口部６を作成する。次
に、エッチング可能な層５をエッチング後、ポジ型フォ
トレジスト層２を除去することで、プリピット４をもつ
光ディスク原盤を得る。
スポット径以下の幅をもつプリピットを作成する方法と
して、たとえば特開平３−１０８１４号公報に示される
方法がある。図５はその従来例２の内で主要な工程を示
す断面図である。先ず、図５（ａ）に示すように基板１
上にエッチング可能な層５とポジ型フォトレジスト層２
を順次作成し、次に、図５（ｂ）に示すようにレーザ光
３で露光し、現像することで、図５（ｃ）に示すように
ポジ型フォトレジスト層２に開口部６を作成する。次
に、エッチング可能な層５をエッチング後、ポジ型フォ
トレジスト層２を除去することで、プリピット４をもつ
光ディスク原盤を得る。
【０００５】一般にレーザ光を集光すると、その強度分
布はガウス形になる。また、ポジ型フォトレジストの現
像速度はその感光量に依存し、レーザ光３の中心部では
早く、レーザ光３の周辺では遅い。そのため、開口部６
の下の幅は上の幅に比べて狭くなる。エッチングによっ
て、開口部６の下側の形状がそのままエッチング可能な
層５に転写されるので、レーザ光３のスポット径よりも
小さな幅をもつプリピット４が作成できる。
布はガウス形になる。また、ポジ型フォトレジストの現
像速度はその感光量に依存し、レーザ光３の中心部では
早く、レーザ光３の周辺では遅い。そのため、開口部６
の下の幅は上の幅に比べて狭くなる。エッチングによっ
て、開口部６の下側の形状がそのままエッチング可能な
層５に転写されるので、レーザ光３のスポット径よりも
小さな幅をもつプリピット４が作成できる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
開平３−１０８１４号公報に示す従来例２の方法では、
エッチング工程およびエッチング後のポジ型フォトレジ
スト層２の除去工程を余分に含み、図４に示す従来例１
と比べて工程数が多くなるという問題点があった。
開平３−１０８１４号公報に示す従来例２の方法では、
エッチング工程およびエッチング後のポジ型フォトレジ
スト層２の除去工程を余分に含み、図４に示す従来例１
と比べて工程数が多くなるという問題点があった。
【０００７】本発明は、このような問題を解決するため
になされたものであり、エッチング工程を含まない簡単
な方法で、かつレーザ光のスポット径以下の幅のプリピ
ットを有する光ディスクの作成方法を提供することを目
的としている。
になされたものであり、エッチング工程を含まない簡単
な方法で、かつレーザ光のスポット径以下の幅のプリピ
ットを有する光ディスクの作成方法を提供することを目
的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係るの光ディス
クの製造方法は、基板上に、レーザ光またはランプ光に
対して感光する第１の層と、レーザ光に対して熔融し開
口部が形成される第２の層とを順次積層する工程、レー
ザ光を用いて上記第２の層に選択的に開口部を形成する
工程、上記開口部を通してレーザ光またはランプ光で上
記第１の層を露光する工程、および現像する工程を施す
ものである。
クの製造方法は、基板上に、レーザ光またはランプ光に
対して感光する第１の層と、レーザ光に対して熔融し開
口部が形成される第２の層とを順次積層する工程、レー
ザ光を用いて上記第２の層に選択的に開口部を形成する
工程、上記開口部を通してレーザ光またはランプ光で上
記第１の層を露光する工程、および現像する工程を施す
ものである。
【０００９】
【作用】上記の工程の中、第２の層にできる開口部は、
第２の層の温度が融点以上に上がる部分であり、その大
きさはレーザ光の中心付近のエネルギー密度の高い部分
の径である。そのため、第２の層にできる開口部はレー
ザ光のスポット径より小さくなり、その開口部を通る光
だけで第１の層を感光するため、上記開口部と同じ幅を
もつプリピットを作成できる。このため、エッチング過
程を含まずにレーザ光のスポット径以下の幅をもつプリ
ピットを有する光ディスクが作成できる。
第２の層の温度が融点以上に上がる部分であり、その大
きさはレーザ光の中心付近のエネルギー密度の高い部分
の径である。そのため、第２の層にできる開口部はレー
ザ光のスポット径より小さくなり、その開口部を通る光
だけで第１の層を感光するため、上記開口部と同じ幅を
もつプリピットを作成できる。このため、エッチング過
程を含まずにレーザ光のスポット径以下の幅をもつプリ
ピットを有する光ディスクが作成できる。
【００１０】
実施例１．図１は本発明の実施例１を説明する工程断面
図である。先ず、図１（ａ）に示すように、表面を研磨
したガラス基板１の上に、レーザ光またはランプ光に対
して感光する第１の層、例えばポジ型フォトレジスト層
２をスピンコートし、その上にレーザ光に対して熔融し
開口部が形成される第２の層、例えばＴｅ系金属薄膜７
をスパッタリングまたは蒸着により形成する。次に、図
１（ｂ）に示すように、Ｔｅ系金属薄膜７上から、集光
したレーザ光３を照射する。なお、図１（ｂ）のレーザ
光３の形は、強度分布を表したものである。このとき、
レーザ光３の中心付近の高エネルギー密度の部分だけＴ
ｅ系金属薄膜７は熔融し開口部８ができる。開口部８が
できた後、レーザ光３の中心部分は前記開口部８を通過
しポジ型フォトレジスト層２を露光して感光部分２ａを
形成する。このとき開口部８を通らないレーザ光３の周
辺の光はＴｅ系金属薄膜７により反射または吸収されポ
ジ型フォトレジスト層２を感光することはない。その後
現像することで、レーザ光３のスポット径よりも小さな
プリピット４を形成し、光ディスク原盤を得る。
図である。先ず、図１（ａ）に示すように、表面を研磨
したガラス基板１の上に、レーザ光またはランプ光に対
して感光する第１の層、例えばポジ型フォトレジスト層
２をスピンコートし、その上にレーザ光に対して熔融し
開口部が形成される第２の層、例えばＴｅ系金属薄膜７
をスパッタリングまたは蒸着により形成する。次に、図
１（ｂ）に示すように、Ｔｅ系金属薄膜７上から、集光
したレーザ光３を照射する。なお、図１（ｂ）のレーザ
光３の形は、強度分布を表したものである。このとき、
レーザ光３の中心付近の高エネルギー密度の部分だけＴ
ｅ系金属薄膜７は熔融し開口部８ができる。開口部８が
できた後、レーザ光３の中心部分は前記開口部８を通過
しポジ型フォトレジスト層２を露光して感光部分２ａを
形成する。このとき開口部８を通らないレーザ光３の周
辺の光はＴｅ系金属薄膜７により反射または吸収されポ
ジ型フォトレジスト層２を感光することはない。その後
現像することで、レーザ光３のスポット径よりも小さな
プリピット４を形成し、光ディスク原盤を得る。
【００１１】実施例２．図２は本発明の実施例２を説明
する工程断面図である。先ず、図２（ａ）に示すよう
に、ガラス基板１の上に、ポジ型フォトレジスト２をス
ピンコートし、その上にＴｅ系金属薄膜７をスパッタリ
ングまたは蒸着により形成する。次に、図２（ｂ）に示
すように、Ｔｅ系金属薄膜７の上から、集光したレーザ
光３を照射すると、レーザ光３の中心付近の高エネルギ
ー密度の部分だけＴｅ系金属薄膜７は熔融し開口部８が
できる。このとき、このレーザ光３によって、ポジ型フ
ォトレジスト２は全く感光されなくても構わない。さら
に、図２（ｃ）に示すように、Ｔｅ系金属薄膜７側から
全面均一に、水銀ランプ９で露光する。このとき、Ｔｅ
系金属薄膜７を熔融しないように光強度を弱め時間をか
けて露光する。その後現像し、プリピット４を持った光
ディスクを得る。なお、このとき、プリピット４の幅を
変える場合は、金属薄膜７に開口部８を作成するレーザ
光３の径を変えるか、レーザ光３の強度を変えること
で、金属薄膜７の開口部８の幅が変わり、異なった幅を
もつプリピット４が作成できる。
する工程断面図である。先ず、図２（ａ）に示すよう
に、ガラス基板１の上に、ポジ型フォトレジスト２をス
ピンコートし、その上にＴｅ系金属薄膜７をスパッタリ
ングまたは蒸着により形成する。次に、図２（ｂ）に示
すように、Ｔｅ系金属薄膜７の上から、集光したレーザ
光３を照射すると、レーザ光３の中心付近の高エネルギ
ー密度の部分だけＴｅ系金属薄膜７は熔融し開口部８が
できる。このとき、このレーザ光３によって、ポジ型フ
ォトレジスト２は全く感光されなくても構わない。さら
に、図２（ｃ）に示すように、Ｔｅ系金属薄膜７側から
全面均一に、水銀ランプ９で露光する。このとき、Ｔｅ
系金属薄膜７を熔融しないように光強度を弱め時間をか
けて露光する。その後現像し、プリピット４を持った光
ディスクを得る。なお、このとき、プリピット４の幅を
変える場合は、金属薄膜７に開口部８を作成するレーザ
光３の径を変えるか、レーザ光３の強度を変えること
で、金属薄膜７の開口部８の幅が変わり、異なった幅を
もつプリピット４が作成できる。
【００１２】実施例３．図３はプリピットと案内溝が高
さの異なる光ディスク原盤を作成する場合の、本発明の
実施例３を説明する工程断面図である。この場合も、先
ず、図３（ａ）に示すように、基板１の上に、ポジ型フ
ォトレジスト２をスピンコートし、その上にＴｅ系金属
薄膜７をスパッタリングまたは蒸着により形成する。次
に、図３（ｂ）に示すように、集光したレーザ光３ａ、
３ｂを用いて金属薄膜７上に案内溝に相当する開口部８
ａあるいはプリピットに相当する開口部８ｂを作成す
る。次に前記レーザ光３ａ、３ｂと同一または異なった
レーザ光１３ａ、１３ｂで、案内溝に相当する前記開口
部８ｂを用いてトラッキングをかけながら、案内溝に相
当する前記開口部８ｂを照射し、またプリピットに相当
する前記開口部８ａを照射する。このとき、案内溝に相
当する開口部８ｂに照射するレーザ光１３ｂの強度とプ
リピットに相当する前記開口部８ａに照射するレーザ光
１３ａの強度を変え、現像時間を適正化することで、プ
リピット４ａとこのプリピット４ａと高さの異なる案内
溝４ｂを得ることができる。
さの異なる光ディスク原盤を作成する場合の、本発明の
実施例３を説明する工程断面図である。この場合も、先
ず、図３（ａ）に示すように、基板１の上に、ポジ型フ
ォトレジスト２をスピンコートし、その上にＴｅ系金属
薄膜７をスパッタリングまたは蒸着により形成する。次
に、図３（ｂ）に示すように、集光したレーザ光３ａ、
３ｂを用いて金属薄膜７上に案内溝に相当する開口部８
ａあるいはプリピットに相当する開口部８ｂを作成す
る。次に前記レーザ光３ａ、３ｂと同一または異なった
レーザ光１３ａ、１３ｂで、案内溝に相当する前記開口
部８ｂを用いてトラッキングをかけながら、案内溝に相
当する前記開口部８ｂを照射し、またプリピットに相当
する前記開口部８ａを照射する。このとき、案内溝に相
当する開口部８ｂに照射するレーザ光１３ｂの強度とプ
リピットに相当する前記開口部８ａに照射するレーザ光
１３ａの強度を変え、現像時間を適正化することで、プ
リピット４ａとこのプリピット４ａと高さの異なる案内
溝４ｂを得ることができる。
【００１３】なお参考として、本発明は上記のような光
ディスク原盤だけでなく、回折格子等のグレーティング
の作成等にも実施例１および実施例２の手法がそのまま
応用できる。この場合、レジスト上に直接マスクを有す
る効果を生じるため、高アスペクト比をもつグレーティ
ングの作成が容易にできる利点がある。
ディスク原盤だけでなく、回折格子等のグレーティング
の作成等にも実施例１および実施例２の手法がそのまま
応用できる。この場合、レジスト上に直接マスクを有す
る効果を生じるため、高アスペクト比をもつグレーティ
ングの作成が容易にできる利点がある。
【００１４】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、基板上
に、レーザ光またはランプ光に対して感光する第１の層
と、レーザ光に対して熔融し開口部が形成される第２の
層とを順次積層する工程、レーザ光を用いて上記第２の
層に選択的に開口部を形成する工程、上記開口部を通し
てレーザ光またはランプ光で上記第１の層を露光する工
程、および現像する工程を施すので、エッチング工程を
含まない簡単な方法で、かつレーザ光のスポット径以下
の幅のプリピットや案内溝を有する高密度光ディスクが
得られる。
に、レーザ光またはランプ光に対して感光する第１の層
と、レーザ光に対して熔融し開口部が形成される第２の
層とを順次積層する工程、レーザ光を用いて上記第２の
層に選択的に開口部を形成する工程、上記開口部を通し
てレーザ光またはランプ光で上記第１の層を露光する工
程、および現像する工程を施すので、エッチング工程を
含まない簡単な方法で、かつレーザ光のスポット径以下
の幅のプリピットや案内溝を有する高密度光ディスクが
得られる。
【図１】この発明の実施例１を説明する工程断面図であ
る。
る。
【図２】この発明の実施例２を説明する工程断面図であ
る。
る。
【図３】この発明の実施例３を説明する工程断面図であ
る。
る。
【図４】従来例１を説明する工程断面図である。
【図５】従来例２を説明する工程断面図である。
１ 基板 ２ ポジ型フォトレジスト ３ レーザ光 ４ プリピット ４ａ プリピット ４ｂ 案内溝 ５ エッチング可能な層 ７ Ｔｅ系金属膜 ８ 開口部 ８ａ 開口部 ８ｂ 開口部 ９ ランプ光
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に、レーザ光またはランプ光に対
して感光する第１の層と、レーザ光に対して熔融し開口
部が形成される第２の層とを順次積層する工程、レーザ
光を用いて上記第２の層に選択的に開口部を形成する工
程、上記開口部を通してレーザ光またはランプ光で上記
第１の層を露光する工程、および現像する工程を施す高
密度光ディスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12028192A JP2773540B2 (ja) | 1992-05-13 | 1992-05-13 | 高密度光ディスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12028192A JP2773540B2 (ja) | 1992-05-13 | 1992-05-13 | 高密度光ディスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05314542A JPH05314542A (ja) | 1993-11-26 |
| JP2773540B2 true JP2773540B2 (ja) | 1998-07-09 |
Family
ID=14782363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12028192A Expired - Lifetime JP2773540B2 (ja) | 1992-05-13 | 1992-05-13 | 高密度光ディスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2773540B2 (ja) |
-
1992
- 1992-05-13 JP JP12028192A patent/JP2773540B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05314542A (ja) | 1993-11-26 |
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