JPS6128940A - 微細パタ−ン形成法及びその装置 - Google Patents
微細パタ−ン形成法及びその装置Info
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- JPS6128940A JPS6128940A JP14936984A JP14936984A JPS6128940A JP S6128940 A JPS6128940 A JP S6128940A JP 14936984 A JP14936984 A JP 14936984A JP 14936984 A JP14936984 A JP 14936984A JP S6128940 A JPS6128940 A JP S6128940A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- photoreceptor
- pattern
- thin film
- photoresist layer
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
- G03F7/2032—Simultaneous exposure of the front side and the backside
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Silver Salt Photography Or Processing Solution Therefor (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、集積回路、光学部品の製作において極めて微
細なパターンを形成する方法及びその装置に関するもの
である。
細なパターンを形成する方法及びその装置に関するもの
である。
従来のこの種の微細パターン形成法にリフトオフ法と呼
ばれる方法がある。この形成法の工程を第４図（ａ）〜
（ｄ）に示す。まず、第４図（ａ）に示すように、ガラ
ス、Ｓｉウェハなどの基体１上にポジ型ホトレジストを
塗布して形成したホトレジスト層２上に、所望“のパタ
ーンが描かれたマスク３を密着させて重ね、この上から
紫外光４を照射する。このあと、現像処理すると、第４
図（ｂ）に示すように、前記工程で紫外光が照射された
ホトレジスト層２の部分にくぼみ５が形成される。次に
、ホトレジスト層２側から真空蒸着法あるいはスパッタ
法により、金属、半導体もしくは誘電体からなる薄膜６
．７を形成する。これを例えばアセトンのようなホトレ
ジスト除去剤に浸すと、第４図（ｄ）に示すように、薄
膜７のみが残る。このようにして微細パターンが形成さ
れるが、基体１に付着した薄膜７はホトレジスト層２の
壁と付着するため、ホトレジスト層２を除去する際、ホ
トレジスト層２の壁と接している薄膜７の端も部分的に
除去されやすく、ギザギザが生じてしまう。すなわち、
微細パターン形成の精度、再現性に欠けるという問題が
ある。
ばれる方法がある。この形成法の工程を第４図（ａ）〜
（ｄ）に示す。まず、第４図（ａ）に示すように、ガラ
ス、Ｓｉウェハなどの基体１上にポジ型ホトレジストを
塗布して形成したホトレジスト層２上に、所望“のパタ
ーンが描かれたマスク３を密着させて重ね、この上から
紫外光４を照射する。このあと、現像処理すると、第４
図（ｂ）に示すように、前記工程で紫外光が照射された
ホトレジスト層２の部分にくぼみ５が形成される。次に
、ホトレジスト層２側から真空蒸着法あるいはスパッタ
法により、金属、半導体もしくは誘電体からなる薄膜６
．７を形成する。これを例えばアセトンのようなホトレ
ジスト除去剤に浸すと、第４図（ｄ）に示すように、薄
膜７のみが残る。このようにして微細パターンが形成さ
れるが、基体１に付着した薄膜７はホトレジスト層２の
壁と付着するため、ホトレジスト層２を除去する際、ホ
トレジスト層２の壁と接している薄膜７の端も部分的に
除去されやすく、ギザギザが生じてしまう。すなわち、
微細パターン形成の精度、再現性に欠けるという問題が
ある。
このような問題を解決するためクロルベンゼン、ブロム
ベンゼンなどを用いレジスト表面層の現像液溶解度を低
下させる方法が考案されている。以下、第５図（ａ）〜
（ｄ）を用いてこの方法を説明する。第５図（ａ）に示
す工程は第４図（ａ）に示した工程と同様に行なう。前
記のように露光した後、クロルベンゼン、ブロムベンゼ
ンなどに・浸漬する。その後、現像すると、第５図（ｂ
）に示すように、ホトレジスト層２においてオーバーハ
ング８を持つ断面構造が得られる。このホトレジスト層
２をマスクとして上部から薄膜を形成すると、薄膜９．
１０が得られ、ホトレジスト層２を除去すると薄膜１０
が残る。この薄膜１０は、その端がホトレジスト層２を
除去する前該ホトレジスト層２と接していないため、前
記の例に比べるとギザギザのない微細パターンが得られ
る。
ベンゼンなどを用いレジスト表面層の現像液溶解度を低
下させる方法が考案されている。以下、第５図（ａ）〜
（ｄ）を用いてこの方法を説明する。第５図（ａ）に示
す工程は第４図（ａ）に示した工程と同様に行なう。前
記のように露光した後、クロルベンゼン、ブロムベンゼ
ンなどに・浸漬する。その後、現像すると、第５図（ｂ
）に示すように、ホトレジスト層２においてオーバーハ
ング８を持つ断面構造が得られる。このホトレジスト層
２をマスクとして上部から薄膜を形成すると、薄膜９．
１０が得られ、ホトレジスト層２を除去すると薄膜１０
が残る。この薄膜１０は、その端がホトレジスト層２を
除去する前該ホトレジスト層２と接していないため、前
記の例に比べるとギザギザのない微細パターンが得られ
る。
以上、従来知られている２例を示したが１両方法とも主
にマスク３を密着して紫外光で露光するものであり、し
たがってパターンの微細さは、１牌程度が限度であった
。１声以下の微細パターンを得るにはマスク３を用いず
に電子ビームで描画する方法が採られているが１周知の
通り電子ビーム露光装置は大変高価なものであり、製品
の廉価化を妨げるという問題があった。また、紫外光密
□□およ、、イー、、□工□５．いう ｉことであ
るが、例えば１０（！ｌ角以上の面積に全面にわたって
一つの微細パターンを形成することは現状の技術では不
可能であるという問題がある。
にマスク３を密着して紫外光で露光するものであり、し
たがってパターンの微細さは、１牌程度が限度であった
。１声以下の微細パターンを得るにはマスク３を用いず
に電子ビームで描画する方法が採られているが１周知の
通り電子ビーム露光装置は大変高価なものであり、製品
の廉価化を妨げるという問題があった。また、紫外光密
□□およ、、イー、、□工□５．いう ｉことであ
るが、例えば１０（！ｌ角以上の面積に全面にわたって
一つの微細パターンを形成することは現状の技術では不
可能であるという問題がある。
本発明の目的は、従来の形成法に比べ容易に、信頼性高
く、かつ大面積にわたり１．Ｉｎ１１以下の微細パター
ン形成を可能にする微細パターン形成法およびその方法
の実施に使用する装置を提供することにある。
く、かつ大面積にわたり１．Ｉｎ１１以下の微細パター
ン形成を可能にする微細パターン形成法およびその方法
の実施に使用する装置を提供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明の微細パターン形
成法は、光が透過可能な基体上に感光性樹脂層が形成さ
れた感光体表面に集束レーザ光を照射してパターンを描
く工程と、前記感光体裏面から該感光体をほぼ全体にわ
たって露光する工程と、前記感光体を現像する工程とを
経てパターンを形成することを特徴とする。
成法は、光が透過可能な基体上に感光性樹脂層が形成さ
れた感光体表面に集束レーザ光を照射してパターンを描
く工程と、前記感光体裏面から該感光体をほぼ全体にわ
たって露光する工程と、前記感光体を現像する工程とを
経てパターンを形成することを特徴とする。
以下、本発明の原理を第１図（ａ）、（ｂ）を用いて説
明する。光が透過可能な例えば透明な基体１１、及び膜
厚Ｔのホトレジスト層（感光性樹脂層）１２から成る感
光、体１３の座標系を第１図（ａ）、（ｂ）のように決
める。該ホトレジストが感光する波長のレーザ光３７（
例えばＨｅ −Ｃｄ 、 Ａ ｒレーザ）を第１図（ａ
）に示すようにレンズ１４で集束し、感光体１３の表面
すなわちホトレジスト層１２側から照射する。この集束
レーザ光３８はガウス型の光強度分布をもち、集束レー
ザ光の光強度は次式で表わされる。
明する。光が透過可能な例えば透明な基体１１、及び膜
厚Ｔのホトレジスト層（感光性樹脂層）１２から成る感
光、体１３の座標系を第１図（ａ）、（ｂ）のように決
める。該ホトレジストが感光する波長のレーザ光３７（
例えばＨｅ −Ｃｄ 、 Ａ ｒレーザ）を第１図（ａ
）に示すようにレンズ１４で集束し、感光体１３の表面
すなわちホトレジスト層１２側から照射する。この集束
レーザ光３８はガウス型の光強度分布をもち、集束レー
ザ光の光強度は次式で表わされる。
ここでＦ、はレーザパワーに比例する量、２ｒは集束レ
ーザ光のビームウェストにおけるビーム径、αはホトレ
ジストの吸収係数である。一方、感光体１３の裏面、す
なわちホトレジスト層１２が形成されていない側から例
えば紫外光の一様な光３９を照射した場合のホトレジス
ト層１２内における光強度は次式で与えられる。
ーザ光のビームウェストにおけるビーム径、αはホトレ
ジストの吸収係数である。一方、感光体１３の裏面、す
なわちホトレジスト層１２が形成されていない側から例
えば紫外光の一様な光３９を照射した場合のホトレジス
ト層１２内における光強度は次式で与えられる。
Ｂ＝Ｂｏｅｘｐ（−α（ｚ十Ｔ）） ・・・・・
・・・・・・・・・・・・・（２）ここでＢｏは照射光
のパワーに比例する量である。
・・・・・・・・・・・・・（２）ここでＢｏは照射光
のパワーに比例する量である。
本発明はホトレジスト層表面から集束レーザ光を、裏面
から一様な光を照射し、ホトレジスト層を露光するもの
であり露光エネルギーは、集束レーザ光の照射時間をｔ
ｌ、一様な光の照射時間をｔ２とすると Ｅ＝Ｆｔ１＋Ｂｔ２ ・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・（３）
で表わされる。ホトレジスト層内でＥがある一定値にな
るプロファイルを計算した結果を第１図（ｂ）に示す。
から一様な光を照射し、ホトレジスト層を露光するもの
であり露光エネルギーは、集束レーザ光の照射時間をｔ
ｌ、一様な光の照射時間をｔ２とすると Ｅ＝Ｆｔ１＋Ｂｔ２ ・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・（３）
で表わされる。ホトレジスト層内でＥがある一定値にな
るプロファイルを計算した結果を第１図（ｂ）に示す。
図中、点線は裏面からの一様な露光をしない、すなわち
Ｂ＝Ｏの場合のエネルギー分布を示す。裏面からの露光
エネルギーを増加させると、エネルギー分布は一点鎖線
、二点鎖線のようになる。二点鎖線のプロファイルもし
くは一点鎖線のプロファイル、すなわち深さ方向に末広
がりの概略台形状のエネルギー分布が本発明の目的とす
るものであり、適切な現像処理により、このようなプロ
ファイルとほぼ同じパターンが得られる。
Ｂ＝Ｏの場合のエネルギー分布を示す。裏面からの露光
エネルギーを増加させると、エネルギー分布は一点鎖線
、二点鎖線のようになる。二点鎖線のプロファイルもし
くは一点鎖線のプロファイル、すなわち深さ方向に末広
がりの概略台形状のエネルギー分布が本発明の目的とす
るものであり、適切な現像処理により、このようなプロ
ファイルとほぼ同じパターンが得られる。
次に、第２図（ａ）〜（ｄ）を用いて本発明の方法のプ
ロセスを説明する。まず、第２図（ａ）に示すように、
光が透過可能な基体１１上にホトレジスト層１２が形成
された感光体１３に集光レンズ１４により集束されたレ
ーザ光３８を照射して所望のパターンを描く。集光レン
ズ１４としては、高い開口数（ＮＡ）のものを用いるこ
とが微細パターンを得る上で好ましい。一方、感光体１
３の裏面から一様な光３８を照射する。これによりホト
レジスト層１２内のエネルギー分布を、第１図（ｂ）の
二点鎖線で示したような深さ方向に末広がりの概略台形
状にする。次に、前記工程で露光した感光体１３を現像
することにより、第２図（ｂ）に示すように、深さ方向
に末広がりの概略台形状の断面構造が得られる。また、
必要に応じて、第２図（ｃ）に示すように、ホトレジス
ト層１２側から薄膜１５．１６を形成し、次に、ホトレ
ジスト層１２を除去し、微細薄膜パターン１６を得る。
ロセスを説明する。まず、第２図（ａ）に示すように、
光が透過可能な基体１１上にホトレジスト層１２が形成
された感光体１３に集光レンズ１４により集束されたレ
ーザ光３８を照射して所望のパターンを描く。集光レン
ズ１４としては、高い開口数（ＮＡ）のものを用いるこ
とが微細パターンを得る上で好ましい。一方、感光体１
３の裏面から一様な光３８を照射する。これによりホト
レジスト層１２内のエネルギー分布を、第１図（ｂ）の
二点鎖線で示したような深さ方向に末広がりの概略台形
状にする。次に、前記工程で露光した感光体１３を現像
することにより、第２図（ｂ）に示すように、深さ方向
に末広がりの概略台形状の断面構造が得られる。また、
必要に応じて、第２図（ｃ）に示すように、ホトレジス
ト層１２側から薄膜１５．１６を形成し、次に、ホトレ
ジスト層１２を除去し、微細薄膜パターン１６を得る。
また、本発明の微細パターン形成装置は、光が透過可能
な基体上に感光性樹脂層が形成された感光体にレーザ光
を照射するレーザ光源と、前記レーザ光の光強度を変調
する手段と、前記レーザ光を集光させる集光レンズとを
含む第１の光学系と、前記集光レンズの焦点位置を前記
感光体表面に合わせる第２の光学系と、前記感光体を２
次元的に移動させ売手段とを具備することを特徴とする
。
な基体上に感光性樹脂層が形成された感光体にレーザ光
を照射するレーザ光源と、前記レーザ光の光強度を変調
する手段と、前記レーザ光を集光させる集光レンズとを
含む第１の光学系と、前記集光レンズの焦点位置を前記
感光体表面に合わせる第２の光学系と、前記感光体を２
次元的に移動させ売手段とを具備することを特徴とする
。
〔発明の実施例〕 −
第３図は本発明の微細パターン形成方法に用いる描画装
置を示す図である。図において、３２は光が透過可能な
基体、例えばガラス板の表面にホトレジスト層が全面に
塗布された試料片（感光体）である。２１は試料片３２
に例えば波長４５７９人のレーザ光を照射するＡｒレー
ザ、２２はビームエキスパンダ、２３はレーザ光の光強
度を変える光変調器、２４はハーフミラ−１２５はフォ
ーカスアクチュエータに装着された開口数０．９の集光
レンズである。
置を示す図である。図において、３２は光が透過可能な
基体、例えばガラス板の表面にホトレジスト層が全面に
塗布された試料片（感光体）である。２１は試料片３２
に例えば波長４５７９人のレーザ光を照射するＡｒレー
ザ、２２はビームエキスパンダ、２３はレーザ光の光強
度を変える光変調器、２４はハーフミラ−１２５はフォ
ーカスアクチュエータに装着された開口数０．９の集光
レンズである。
これらにより、前記ホトレジスト層に微細パターンを描
く第１の光学系が構成される。次に述べる第２の光学系
は、集光レンズ２５の焦点を試料片３２の表面に合わせ
るためのフォーカス検出及び制御光学系である。すなわ
ち、２６は前記ホトレジストが感光しない例えば波長６
３２８ＡのＨｅ−Ｎｅレーザ、２７は１／４波長板、２
８はハーフミラ−１２９は凹レンズおよび円筒レンズか
らなるフォーカス検出光電レンズ、３０は４分割光検出
器、３１はフォーカス制御回路である。試料片３２表面
で反射したＨｅ−Ｎｅレーザ光は１／４波長板２７、ハ
ーフミラ−２８、フォーカス検出光電レンズ２９．４分
割光検出器３０を経て、それにより集光レンズ２５の焦
点位置と、試料片３２との位置関係が計測され、試料片
３２表面と集光レンズ２５の焦点位置とが一致するよう
に調節される。３３は試料片３２を搭載するＸＹステー
ジ、３４はＸＹステージ３３をＸ軸方向に移動させるＸ
軸駆動系、３５はＸＹステージ３３をＹ軸方向に移動さ
せるＹ軸駆動系、３６はＸ＃駆動系３４、Ｙ軸駆動系３
５および光変調器２３の制御回路である。ＸＹステージ
３３に搭載された試料片３２はＸ＃駆動系３４、Ｙ軸駆
動系３５により２次元的に移動され、集光レンズ２５に
よって集光されたＡｒレーザ２１からのレーザ光により
試料片３２にパターンが描かれる。
く第１の光学系が構成される。次に述べる第２の光学系
は、集光レンズ２５の焦点を試料片３２の表面に合わせ
るためのフォーカス検出及び制御光学系である。すなわ
ち、２６は前記ホトレジストが感光しない例えば波長６
３２８ＡのＨｅ−Ｎｅレーザ、２７は１／４波長板、２
８はハーフミラ−１２９は凹レンズおよび円筒レンズか
らなるフォーカス検出光電レンズ、３０は４分割光検出
器、３１はフォーカス制御回路である。試料片３２表面
で反射したＨｅ−Ｎｅレーザ光は１／４波長板２７、ハ
ーフミラ−２８、フォーカス検出光電レンズ２９．４分
割光検出器３０を経て、それにより集光レンズ２５の焦
点位置と、試料片３２との位置関係が計測され、試料片
３２表面と集光レンズ２５の焦点位置とが一致するよう
に調節される。３３は試料片３２を搭載するＸＹステー
ジ、３４はＸＹステージ３３をＸ軸方向に移動させるＸ
軸駆動系、３５はＸＹステージ３３をＹ軸方向に移動さ
せるＹ軸駆動系、３６はＸ＃駆動系３４、Ｙ軸駆動系３
５および光変調器２３の制御回路である。ＸＹステージ
３３に搭載された試料片３２はＸ＃駆動系３４、Ｙ軸駆
動系３５により２次元的に移動され、集光レンズ２５に
よって集光されたＡｒレーザ２１からのレーザ光により
試料片３２にパターンが描かれる。
実施例１
第３図に示した描画装置を用いて、１０１角、厚さ５ｍ
＋の光学研摩されたガラス板の上に厚さ１．０−のポジ
型ホトレジストが塗布された試料片表面に２＃１１１ピ
ツチの格子状のパターンを表面全面にわたり描いた。こ
のあと、試料片の裏面から水銀ランプで一様に露光し、
現像を行なった結果、第２図（ｂ）に示した断面構造の
格子状パターンを得た。引続き、電子ビーム蒸着法によ
り膜厚０．３膜１ｍのＳｉｎ、膜を形成し、ホトレジス
ト層をアセトンで除去した。得られた格子状のＳｉＯ□
膜の線幅は０．３岬であった。
＋の光学研摩されたガラス板の上に厚さ１．０−のポジ
型ホトレジストが塗布された試料片表面に２＃１１１ピ
ツチの格子状のパターンを表面全面にわたり描いた。こ
のあと、試料片の裏面から水銀ランプで一様に露光し、
現像を行なった結果、第２図（ｂ）に示した断面構造の
格子状パターンを得た。引続き、電子ビーム蒸着法によ
り膜厚０．３膜１ｍのＳｉｎ、膜を形成し、ホトレジス
ト層をアセトンで除去した。得られた格子状のＳｉＯ□
膜の線幅は０．３岬であった。
なお、このようにして得られた線幅０．３１！ｍ、ピッ
チ２虜の格子状パターンを回折格子として用いたところ
、Ｈｅ−Ｎｅレーザ光で約３０％の回折効率を得た。
チ２虜の格子状パターンを回折格子として用いたところ
、Ｈｅ−Ｎｅレーザ光で約３０％の回折効率を得た。
実施例２
第３図で示した描画装置を用いて格子状のパターンを描
いた。試料片の大きさ、レジストの膜厚とも実施例１の
場合と同じであり、格子のピッチは縦横とも２．５−と
した。縦横のラインが交叉する位置でのレーザ光の光強
度を制御回路３６をコンピュータにより制御して、光変
調器２３により調整し、交叉点における線幅が他の部分
と変わらないように描画した。描画した後、水銀ランプ
を用いて裏面から一様に露光し、現像した。さらに、ホ
トレジスト層側からＣｒ膜を約１００人及び該Ｃｒ膜上
にＡｕ膜を１５００人蒸着５た。次にホトレジスト層を
除去した後、走査型電子顕微鏡で観察した結果、縦横と
も約０．２４の一様な線幅の格子模様を得た。
いた。試料片の大きさ、レジストの膜厚とも実施例１の
場合と同じであり、格子のピッチは縦横とも２．５−と
した。縦横のラインが交叉する位置でのレーザ光の光強
度を制御回路３６をコンピュータにより制御して、光変
調器２３により調整し、交叉点における線幅が他の部分
と変わらないように描画した。描画した後、水銀ランプ
を用いて裏面から一様に露光し、現像した。さらに、ホ
トレジスト層側からＣｒ膜を約１００人及び該Ｃｒ膜上
にＡｕ膜を１５００人蒸着５た。次にホトレジスト層を
除去した後、走査型電子顕微鏡で観察した結果、縦横と
も約０．２４の一様な線幅の格子模様を得た。
実施例３
第３図で示した装置のＸＹステージから回転モータによ
り回転するステージに換え、該ステージ上に搭載した３
０ａｎ径、厚さｌｃｎの光学研摩されたガラス円板試料
片に、螺旋状のパターンを記録した。ホトレジスト層の
厚さは１．０４であった。記録した後、試料片の裏面か
ら水銀ランプを照射した。この際、照射した光の一様性
を確保するため試料片を回転しながら露光した。現像処
理した後、Ｓｉ、Ｎ４膜を高周波スパッタ法により堆積
した。
り回転するステージに換え、該ステージ上に搭載した３
０ａｎ径、厚さｌｃｎの光学研摩されたガラス円板試料
片に、螺旋状のパターンを記録した。ホトレジスト層の
厚さは１．０４であった。記録した後、試料片の裏面か
ら水銀ランプを照射した。この際、照射した光の一様性
を確保するため試料片を回転しながら露光した。現像処
理した後、Ｓｉ、Ｎ４膜を高周波スパッタ法により堆積
した。
アセトンでホトレジスト層を除去し、残った螺旋状Ｓｉ
３Ｎ、膜のレプリカをとり走査型電子顕微鏡でｗ４察し
たところ、高さ７００人、幅０．６．の矩形状断面構造
を有する螺旋の微細パターンが得られた。
３Ｎ、膜のレプリカをとり走査型電子顕微鏡でｗ４察し
たところ、高さ７００人、幅０．６．の矩形状断面構造
を有する螺旋の微細パターンが得られた。
また比較化合物Ａ−Ｈとしては以下のものを用いた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光が透過可能な基体上に感光性樹脂層が形成された
感光体表面に集束レーザ光を照射してパターンを描く工
程と、前記感光体裏面から該感光体をほぼ全体にわたっ
て露光する工程と、前記感光体を現像する工程とを経て
パターンを形成することを特徴とする微細パターン形成
法。 ２、前記現像工程後、前記感光体表面側から該感光性樹
脂層上及び前記基体上に薄膜を形成する工程と、前記感
光性樹脂層及び該感光性樹脂層上の薄膜を除去する工程
とを経て薄膜パターンを形成することを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の微細パターン形成法。 ３、光が透過可能な基体上に感光性樹脂層が形成された
感光体にレーザ光を照射するレーザ光源と、前記レーザ
光の光強度を変調する手段と、前記レーザ光を集光させ
る集光レンズとを含む第１の光学系と、前記集光レンズ
の焦点位置を前記感光体表面に合わせる第２の光学系と
、前記感光体を２次元的に移動させる手段とを具備する
ことを特徴とする微細パターン形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14936984A JPS6128940A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 微細パタ−ン形成法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14936984A JPS6128940A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 微細パタ−ン形成法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6128940A true JPS6128940A (ja) | 1986-02-08 |
Family
ID=15473629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14936984A Pending JPS6128940A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 微細パタ−ン形成法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6128940A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6480909A (en) * | 1987-09-22 | 1989-03-27 | Hikari Gijutsu Kenkyu Kaihatsu | Optical device manufacturing device |
| EP0785470A3 (en) * | 1996-01-16 | 2000-03-29 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Method of providing resist pattern |
| JP2008180289A (ja) * | 2007-01-25 | 2008-08-07 | Tsudakoma Corp | クランク式駆動装置における駆動量変更機構 |
-
1984
- 1984-07-20 JP JP14936984A patent/JPS6128940A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6480909A (en) * | 1987-09-22 | 1989-03-27 | Hikari Gijutsu Kenkyu Kaihatsu | Optical device manufacturing device |
| EP0785470A3 (en) * | 1996-01-16 | 2000-03-29 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Method of providing resist pattern |
| JP2008180289A (ja) * | 2007-01-25 | 2008-08-07 | Tsudakoma Corp | クランク式駆動装置における駆動量変更機構 |
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