JPS6083019A - パタ−ン反射型投影露光方法 - Google Patents
パタ−ン反射型投影露光方法Info
- Publication number
- JPS6083019A JPS6083019A JP58191191A JP19119183A JPS6083019A JP S6083019 A JPS6083019 A JP S6083019A JP 58191191 A JP58191191 A JP 58191191A JP 19119183 A JP19119183 A JP 19119183A JP S6083019 A JPS6083019 A JP S6083019A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- reticle
- pattern
- exposure method
- exposure
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Projection-Type Copiers In General (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｔａ＋ 発明の技術分野
本発明は反射型投影露光方法、即ちフォトリソグラフィ
における新規な露光方法に関する。
における新規な露光方法に関する。
（ｂｌ 従来技術と問題点
周知のごとく、マスク上のパターンに光を照射してウェ
ハー（被露光基板）に塗布した感光材を露光し、ウェハ
ー面をエツチングする所謂、フォトリソグラフィは、半
導体製造の中心的な技術で、そのうちの露光技術はパタ
ーン精度上から特に重要である。
ハー（被露光基板）に塗布した感光材を露光し、ウェハ
ー面をエツチングする所謂、フォトリソグラフィは、半
導体製造の中心的な技術で、そのうちの露光技術はパタ
ーン精度上から特に重要である。
このような露光技術において、従前から紫外線による光
露光法が汎用されているが、最近では電子ビーム露光法
などの荷電子ビームによる露光が微細加工に用いられる
ようになってきた。しかし、荷電子ビーム露光法は量産
性に問題があり、量産性では光露光法の方が極めて優れ
ている。即ち、光露光法は大気中で露光処理ができ、ま
たマスクに設けたパターンを一括露光できる利点が大き
く、量産面では荷電子ビーム露光法の及ふところではな
い。従って、既に光露光法による自動化露光装置も数多
く市販されている。
露光法が汎用されているが、最近では電子ビーム露光法
などの荷電子ビームによる露光が微細加工に用いられる
ようになってきた。しかし、荷電子ビーム露光法は量産
性に問題があり、量産性では光露光法の方が極めて優れ
ている。即ち、光露光法は大気中で露光処理ができ、ま
たマスクに設けたパターンを一括露光できる利点が大き
く、量産面では荷電子ビーム露光法の及ふところではな
い。従って、既に光露光法による自動化露光装置も数多
く市販されている。
加うるに、光露光法でも遠紫外線による露光や縮小投影
露光装置が考案されており、これによって微細パターン
にも対処させている。そのため、今後とも光が露光法の
主体となって、製造技術が推移すると考えられる。
露光装置が考案されており、これによって微細パターン
にも対処させている。そのため、今後とも光が露光法の
主体となって、製造技術が推移すると考えられる。
このような光露光法において、従前は密着式の露光法が
主に使用されていたが、最近では投影式（プロジェクシ
ョン式）が多くなってきた。それは縮小投影が可能であ
って、レチクルに大きなパターンを形成し、これを縮小
してウェハーに焼付け、このようにすれば微細なパター
ンが形成し易くて、パターン精度が良くなるからである
。
主に使用されていたが、最近では投影式（プロジェクシ
ョン式）が多くなってきた。それは縮小投影が可能であ
って、レチクルに大きなパターンを形成し、これを縮小
してウェハーに焼付け、このようにすれば微細なパター
ンが形成し易くて、パターン精度が良くなるからである
。
ここで、レチクルとば５：１あるいは１０：１などに縮
小投影されるパターンを設けたマスクのことで、これに
対して一般にマスクと呼ばれているものは、等倍のパタ
ーンを設けて１：１にウェハー上に転写するマスク基板
のことである。この呼称はマスクの製法上から区別され
る用語であるが、既に汎用化されている。一方、レチク
ルとマスクとを総称して、広い意味でマスクとも称され
る。
小投影されるパターンを設けたマスクのことで、これに
対して一般にマスクと呼ばれているものは、等倍のパタ
ーンを設けて１：１にウェハー上に転写するマスク基板
のことである。この呼称はマスクの製法上から区別され
る用語であるが、既に汎用化されている。一方、レチク
ルとマスクとを総称して、広い意味でマスクとも称され
る。
第１図にこのような投影式露光装置の原理概要図を示す
。図は縮小投影式で、■は光源（高圧水銀灯）、２は集
光レンズ１３はレチクル、４は縮小レンズ（対物レンズ
）、５はウェハー、６は試料台で、このように従来の露
光方式はレチクル３の裏面から光（例えば遠紫外光線）
を照射して、レチクル３を透過させ、レチクル表面の光
を遮蔽する遮蔽パターンの影をウェハー上に焼付けてい
るものである。従って、ウェハー上ではパターン以外の
部分のレジスト膜が露光され、例えばポジ型レジストの
場合では、現像すると未露光の遮蔽パターン部分にレジ
スト膜が残る。
。図は縮小投影式で、■は光源（高圧水銀灯）、２は集
光レンズ１３はレチクル、４は縮小レンズ（対物レンズ
）、５はウェハー、６は試料台で、このように従来の露
光方式はレチクル３の裏面から光（例えば遠紫外光線）
を照射して、レチクル３を透過させ、レチクル表面の光
を遮蔽する遮蔽パターンの影をウェハー上に焼付けてい
るものである。従って、ウェハー上ではパターン以外の
部分のレジスト膜が露光され、例えばポジ型レジストの
場合では、現像すると未露光の遮蔽パターン部分にレジ
スト膜が残る。
ところで、この従来の露光方式は上記のようにレチクル
の基板を光が透過する方式であるから、レチクル基板は
透明体である必要がある。且つ、光照射によって温度が
上っても膨張の少ない材料基板、言い換えれば熱膨張率
の小さい材料基板で”あることが、パターン精度を維持
する点から必要である。現在、この条件を満足して最適
なものは透明石英板であり、そのため透明石英基板が常
用されているが、透明石英は高価な材料である。
の基板を光が透過する方式であるから、レチクル基板は
透明体である必要がある。且つ、光照射によって温度が
上っても膨張の少ない材料基板、言い換えれば熱膨張率
の小さい材料基板で”あることが、パターン精度を維持
する点から必要である。現在、この条件を満足して最適
なものは透明石英板であり、そのため透明石英基板が常
用されているが、透明石英は高価な材料である。
また、縮小投影式は、１チツプあるいは数チップの拡大
パターンが形成されているレチクルを用いるから、試料
台６を順次に移動させてウェハー５上に繰り換えし焼付
けを行なう必要がある。（このために縮小投影露光装置
はステッパとも呼ばれている。）しかし、若しレチクル
裏面または表面にゴミが付着していれば、総てのパター
ンにゴミが転写される欠点があり、従って縮小投影露光
装置ではレチクル検査が繰り換えし行なわれている。し
かし、これは極めて露光処理の工数を増加させることに
なる。
パターンが形成されているレチクルを用いるから、試料
台６を順次に移動させてウェハー５上に繰り換えし焼付
けを行なう必要がある。（このために縮小投影露光装置
はステッパとも呼ばれている。）しかし、若しレチクル
裏面または表面にゴミが付着していれば、総てのパター
ンにゴミが転写される欠点があり、従って縮小投影露光
装置ではレチクル検査が繰り換えし行なわれている。し
かし、これは極めて露光処理の工数を増加させることに
なる。
Ｉｃ） 発明の目的
本発明はこれらの欠点が解消されて、安価に露光処理が
行なえる投影露光方法を提案するものである。
行なえる投影露光方法を提案するものである。
（ｄ） 発明の構成
その目的は、マスク（あるいはレチクル）に光反射膜か
らなるパターンを形成し、該マスク（あるいはレチクル
）の表面に光を照射して、前記パターンからの反射光が
被露光基板面に投影されるようにしたパターン反射型投
影露光方法によって達成される。
らなるパターンを形成し、該マスク（あるいはレチクル
）の表面に光を照射して、前記パターンからの反射光が
被露光基板面に投影されるようにしたパターン反射型投
影露光方法によって達成される。
（ｅｌ 発明の実施例
以下２図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第２図は本発明にかかる縮小投影式露光方法の原理概要
図を示す。１１は光源、１２は集光レンズ。
図を示す。１１は光源、１２は集光レンズ。
１３はレチクル、１４は縮小レンズ、１５はウェハー。
１６は試料台で、１７はハーフミラ−であるが、図示の
ように光源１１からの照射光を集光レンズ１２を通して
ハーフミラ−１７に当て、ハーフミラ−１７からの反射
光をレチクル１３表面に入射させる。そのレチクル１３
に入射した光は、光反射膜パターンを反射し、その反射
光はハーフミラ−１７を透過して、縮小レンズ１４によ
って縮小され、縮小パターンがウェハー１５上に焼付け
られる。
ように光源１１からの照射光を集光レンズ１２を通して
ハーフミラ−１７に当て、ハーフミラ−１７からの反射
光をレチクル１３表面に入射させる。そのレチクル１３
に入射した光は、光反射膜パターンを反射し、その反射
光はハーフミラ−１７を透過して、縮小レンズ１４によ
って縮小され、縮小パターンがウェハー１５上に焼付け
られる。
このレチクル１３表面に形成する光反射膜パターンとし
ては、光の反射率の良い膜材料を用いる。
ては、光の反射率の良い膜材料を用いる。
従来の膜厚６００人のクロム膜でも光の反射性は高く、
十分に露光可能な反射パターンが得られる。
十分に露光可能な反射パターンが得られる。
他に、アルミニウム膜でも良く、アルミニウム膜はパタ
ーン以外グが大変容易なものである。第３図にレチクル
の部分平面図を例示しているが、２０は光反射膜パター
ン、２１は無反射性のレチクル基板面である。
ーン以外グが大変容易なものである。第３図にレチクル
の部分平面図を例示しているが、２０は光反射膜パター
ン、２１は無反射性のレチクル基板面である。
このような本発明にかかる露光方法によれば、レチクル
１３は表面に光反射率の良い膜パターンを形成すればよ
くて、光を透過する透明板をレチクル基板に用いる必要
はない。勿論、レチクル基板は熱膨張率の小さいことが
大切であるが、例えば不透明石英板で十分であり、また
セラミック板でもよい。また、表面にアルミナなどの他
の材料を被着したものでもよく、種々工夫して基板のコ
ストを安くすることができる。
１３は表面に光反射率の良い膜パターンを形成すればよ
くて、光を透過する透明板をレチクル基板に用いる必要
はない。勿論、レチクル基板は熱膨張率の小さいことが
大切であるが、例えば不透明石英板で十分であり、また
セラミック板でもよい。また、表面にアルミナなどの他
の材料を被着したものでもよく、種々工夫して基板のコ
ストを安くすることができる。
且つ、本露光方法によればレチクル１３にゴミが付着し
ても、一般にゴミは光反射性の低い有機物が多いため、
ウェハー１５面にゴミが転写されることがない。また、
光反射膜パターンを設けたレチクルの表面を下向きの装
置構造にすると、ゴミは付着し難く、また光反射性の良
い金属ゴミなどは重いから、落下して付着しない。従っ
て、レチクルの検査を少なくしても露光品質は低下せず
、検査工数を減少させることが可能になる。
ても、一般にゴミは光反射性の低い有機物が多いため、
ウェハー１５面にゴミが転写されることがない。また、
光反射膜パターンを設けたレチクルの表面を下向きの装
置構造にすると、ゴミは付着し難く、また光反射性の良
い金属ゴミなどは重いから、落下して付着しない。従っ
て、レチクルの検査を少なくしても露光品質は低下せず
、検査工数を減少させることが可能になる。
（ｆ） 発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明によれば安価な
レチクル（あるいはマスク）を用い、且つ検査工数が減
少できるために露光処理のコストが低下する。同時に、
ゴミが転写され難くて、パターンニングへの影響が除か
れ、露光処理の信頼度を向上させて、半導体装置の高品
質化に貢献するものである。
レチクル（あるいはマスク）を用い、且つ検査工数が減
少できるために露光処理のコストが低下する。同時に、
ゴミが転写され難くて、パターンニングへの影響が除か
れ、露光処理の信頼度を向上させて、半導体装置の高品
質化に貢献するものである。
第１図は従来の投影式露光装置の原理概要図、第２図は
本発明にかかる投影式露光装置の原理概要図、第３図は
レチクルの部分平面図である。 図中、１，１１はは光源、２．１２は集光レンズ。 ３．１３はレチクル、４．１４は縮小レンズ、５．１５
はウェハー、６．１６は試料台で、１７はノ＼−フミラ
ー、２０は光反射膜パターン、２１はレチクル基板面を
示している。 第 ３１で
本発明にかかる投影式露光装置の原理概要図、第３図は
レチクルの部分平面図である。 図中、１，１１はは光源、２．１２は集光レンズ。 ３．１３はレチクル、４．１４は縮小レンズ、５．１５
はウェハー、６．１６は試料台で、１７はノ＼−フミラ
ー、２０は光反射膜パターン、２１はレチクル基板面を
示している。 第 ３１で
Claims (1)
- マスク（あるいはレチクル）に光反射膜からなるパター
ンを形成し、該マスク（あるいはレチクル）の表面に光
を照射して、前記パターンからの反射光が被露光基板面
に投影されるようにしたことを特徴とするパターン反射
型投影露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58191191A JPS6083019A (ja) | 1983-10-12 | 1983-10-12 | パタ−ン反射型投影露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58191191A JPS6083019A (ja) | 1983-10-12 | 1983-10-12 | パタ−ン反射型投影露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6083019A true JPS6083019A (ja) | 1985-05-11 |
Family
ID=16270413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58191191A Pending JPS6083019A (ja) | 1983-10-12 | 1983-10-12 | パタ−ン反射型投影露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6083019A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2630555A1 (fr) * | 1988-04-21 | 1989-10-27 | Heidelberger Druckmasschinen A | Procede et dispositif pour la creation d'une image latente sur un revetement sensible a la lumiere d'une plaque d'impression offset |
| US5190836A (en) * | 1990-03-16 | 1993-03-02 | Fujitsu Limited | Reflection type photomask with phase shifter |
| EP1612605A1 (de) * | 2004-07-03 | 2006-01-04 | Technomedica AG | Laserbelichtung |
| KR100852504B1 (ko) | 2007-03-02 | 2008-08-18 | 삼성전기주식회사 | 노광장치 |
-
1983
- 1983-10-12 JP JP58191191A patent/JPS6083019A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2630555A1 (fr) * | 1988-04-21 | 1989-10-27 | Heidelberger Druckmasschinen A | Procede et dispositif pour la creation d'une image latente sur un revetement sensible a la lumiere d'une plaque d'impression offset |
| US5190836A (en) * | 1990-03-16 | 1993-03-02 | Fujitsu Limited | Reflection type photomask with phase shifter |
| US5338647A (en) * | 1990-03-16 | 1994-08-16 | Fujitsu Limited | Reflection type photomask and reflection type photolithography method comprising a concavo-convex surface |
| EP1612605A1 (de) * | 2004-07-03 | 2006-01-04 | Technomedica AG | Laserbelichtung |
| KR100852504B1 (ko) | 2007-03-02 | 2008-08-18 | 삼성전기주식회사 | 노광장치 |
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