JPH07130645A - Ｘ線露光用マスク及びそれを用いたｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線露光用マスク及びそれを用いたｘ線露光装置Info
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- JPH07130645A JPH07130645A JP29895493A JP29895493A JPH07130645A JP H07130645 A JPH07130645 A JP H07130645A JP 29895493 A JP29895493 A JP 29895493A JP 29895493 A JP29895493 A JP 29895493A JP H07130645 A JPH07130645 A JP H07130645A
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- mask
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- ray
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｘ線露光ビームを用いてウエハ面上に回路パ
ターンを高精度に転写できるＸ線露光用マスク及びそれ
を用いたＸ線露光装置を得ること。 【構成】 Ｘ線露光ビームを用いて被露光基板に回路パ
ターンを転写するＸ線露光用マスクにおいて、該Ｘ線露
光用マスクはＸ線透過膜に回路パターンとアライメント
パターンとが各々設けられており、かつ該回路パターン
を設けたエリアには該アライメントパターンを照射する
アライメントビームを遮光する遮光膜が設けられている
こと。
ターンを高精度に転写できるＸ線露光用マスク及びそれ
を用いたＸ線露光装置を得ること。 【構成】 Ｘ線露光ビームを用いて被露光基板に回路パ
ターンを転写するＸ線露光用マスクにおいて、該Ｘ線露
光用マスクはＸ線透過膜に回路パターンとアライメント
パターンとが各々設けられており、かつ該回路パターン
を設けたエリアには該アライメントパターンを照射する
アライメントビームを遮光する遮光膜が設けられている
こと。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＸ線露光用マスク及びそ
れを用いたＸ線露光装置に関し、例えば波長２Å〜１５
０Å程度のＸ線を用いてマスク面上の電子回路パターン
をウエハ面上に転写し、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体素子を
製造する所謂Ｘ線リソグラフィーにおいてマスクとウエ
ハとの相対的な位置決め（アライメント）を高精度に行
い高解像力の露光転写が可能なものである。
れを用いたＸ線露光装置に関し、例えば波長２Å〜１５
０Å程度のＸ線を用いてマスク面上の電子回路パターン
をウエハ面上に転写し、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体素子を
製造する所謂Ｘ線リソグラフィーにおいてマスクとウエ
ハとの相対的な位置決め（アライメント）を高精度に行
い高解像力の露光転写が可能なものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より半導体素子製造用の露光装置に
おいては、マスクとウエハの相対的な位置合わせは性能
向上を図る為の重要な一要素となっている。特に最近の
露光装置における位置合わせにおいては、半導体素子の
高集積化の為に、例えばサブミクロン以下の位置合わせ
精度を有するものが要求されている。
おいては、マスクとウエハの相対的な位置合わせは性能
向上を図る為の重要な一要素となっている。特に最近の
露光装置における位置合わせにおいては、半導体素子の
高集積化の為に、例えばサブミクロン以下の位置合わせ
精度を有するものが要求されている。
【０００３】多くの位置合わせ装置においては、マスク
及びウエハ面上に位置合わせ用の所謂アライメントパタ
ーンを設け、それらより得られる位置情報を利用して、
双方のアライメントを行っている。
及びウエハ面上に位置合わせ用の所謂アライメントパタ
ーンを設け、それらより得られる位置情報を利用して、
双方のアライメントを行っている。
【０００４】このときのアライメント方法としては、例
えば双方のアライメントパターンのずれ量を画像処理を
行うことにより検出したり、又は米国特許第４０３７９
６９号や特開昭５６−１５７０３３号公報で提案されて
いるようにアライメントパターンとしてゾーンプレート
を用い該ゾーンプレートに光束を照射し、このときゾー
ンプレートから射出した光束の所定面上における集光点
位置を検出すること等により行っている。
えば双方のアライメントパターンのずれ量を画像処理を
行うことにより検出したり、又は米国特許第４０３７９
６９号や特開昭５６−１５７０３３号公報で提案されて
いるようにアライメントパターンとしてゾーンプレート
を用い該ゾーンプレートに光束を照射し、このときゾー
ンプレートから射出した光束の所定面上における集光点
位置を検出すること等により行っている。
【０００５】図８はゾーンプレートを利用した従来の位
置合わせ装置の概略図である。
置合わせ装置の概略図である。
【０００６】同図において光源７２から射出した平行光
束はハーフミラー７４を通過後、集光レンズ７６で集光
点７８に集光された後、マスク６８面上のマスクアライ
メントパターン６８ａ及び支持台６２に載置したウエハ
６０面上のウエハアライメントパターン６０ａを照射す
る。これらのアライメントパターン６８ａ，６０ａは反
射型のゾーンプレートより構成され、各々集光点７８を
含む光軸と直交する平面上に集光点を形成する。このと
きの平面上の集光点位置のずれ量を集光レンズ７６とレ
ンズ８０により検出面８２上に導光して検出している。
束はハーフミラー７４を通過後、集光レンズ７６で集光
点７８に集光された後、マスク６８面上のマスクアライ
メントパターン６８ａ及び支持台６２に載置したウエハ
６０面上のウエハアライメントパターン６０ａを照射す
る。これらのアライメントパターン６８ａ，６０ａは反
射型のゾーンプレートより構成され、各々集光点７８を
含む光軸と直交する平面上に集光点を形成する。このと
きの平面上の集光点位置のずれ量を集光レンズ７６とレ
ンズ８０により検出面８２上に導光して検出している。
【０００７】そして検出器８２からの出力信号に基づい
て制御回路８４により駆動回路６４を駆動させてマスク
６８とウエハ６０の相対的な位置決めを行っている。尚
５６は露光Ｘ線ビームを示す。
て制御回路８４により駆動回路６４を駆動させてマスク
６８とウエハ６０の相対的な位置決めを行っている。尚
５６は露光Ｘ線ビームを示す。
【０００８】図９は図８のマスク６８とウエハ６０付近
の拡大斜視図である。
の拡大斜視図である。
【０００９】図９において５９はウエハ６０に焼付ける
べき回路パターンを設けた回路パターンエリア、５７は
ウエハ６０に焼付けられた回路パターンエリアである。
５６は露光ビームとしてのＸ線ビームである。７８はア
ライメントビームの発散中心、６８ｂはマスク６８とウ
エハ６０のアライメントビームがマスク６８上のアライ
メントパターン６８ａにあたるアライメントビームの領
域を示し、６０ｂはウエハ６０上のアライメントパター
ン６０ａにあたるアライメントビームの領域を示してい
る。
べき回路パターンを設けた回路パターンエリア、５７は
ウエハ６０に焼付けられた回路パターンエリアである。
５６は露光ビームとしてのＸ線ビームである。７８はア
ライメントビームの発散中心、６８ｂはマスク６８とウ
エハ６０のアライメントビームがマスク６８上のアライ
メントパターン６８ａにあたるアライメントビームの領
域を示し、６０ｂはウエハ６０上のアライメントパター
ン６０ａにあたるアライメントビームの領域を示してい
る。
【００１０】通常Ｘ線ビームを用いた露光装置に用いら
れるＸ線露光用マスクは図１０や図１１に示す構造より
成っている。
れるＸ線露光用マスクは図１０や図１１に示す構造より
成っている。
【００１１】尚、図１０，図１１は図９における断面Ａ
を示している。
を示している。
【００１２】図１０において１は厚みが１ｍｍ〜２ｍｍ
程度のＳｉウエハフレーム、２はＳｉＮ，ＳｉＣなどの
Ｘ線透過膜で厚みが１μｍ〜数μｍ、３は露光ビームと
してのＸ線ビームに対する吸収体で、例えばＡｕなどで
ある。４は数十Å以下の薄い金属電極膜で、例えばＣｒ
などである。５は回路パターンエリア（図９の回路パタ
ーンエリア５９に相当）で、６はアライメントパターン
エリア（図９のアライメントパターン６８ａに相当）で
ある。
程度のＳｉウエハフレーム、２はＳｉＮ，ＳｉＣなどの
Ｘ線透過膜で厚みが１μｍ〜数μｍ、３は露光ビームと
してのＸ線ビームに対する吸収体で、例えばＡｕなどで
ある。４は数十Å以下の薄い金属電極膜で、例えばＣｒ
などである。５は回路パターンエリア（図９の回路パタ
ーンエリア５９に相当）で、６はアライメントパターン
エリア（図９のアライメントパターン６８ａに相当）で
ある。
【００１３】図１０に示すＸ線露光用マスクはＸ線吸収
体３のパターン形成を所謂メッキを用いて行なった例で
あり、金属電極膜４はメッキのための電極膜であるが、
アライメントビームを通す必要性から厚みは数十Å以下
となっている。
体３のパターン形成を所謂メッキを用いて行なった例で
あり、金属電極膜４はメッキのための電極膜であるが、
アライメントビームを通す必要性から厚みは数十Å以下
となっている。
【００１４】図１１のＸ線露光用マスクにおいて７はＳ
ｉウエハフレーム、８はＳｉＮ，ＳｉＣ，ＢＮなどのＸ
線透過膜、９はＷ，ＴａなどのＸ線吸収材料、１０は回
路パターンエリア、１１はアライメントパターンエリア
である。
ｉウエハフレーム、８はＳｉＮ，ＳｉＣ，ＢＮなどのＸ
線透過膜、９はＷ，ＴａなどのＸ線吸収材料、１０は回
路パターンエリア、１１はアライメントパターンエリア
である。
【００１５】図１１のＸ線露光用マスクはＸ線吸収体９
をパターニングするのにドライエッチングを用いてい
る。
をパターニングするのにドライエッチングを用いてい
る。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】図９においてマスク６
８とウエハ６２との位置合わせをする際に、マスク用の
アライメントパターン６８ａに入射させるアライメント
ビーム７８のビーム形状をアライメントパターン６８ａ
を設けた矩形状とし、且つこの領域内で一様な強度分布
のビームにするのは大変難しい。
８とウエハ６２との位置合わせをする際に、マスク用の
アライメントパターン６８ａに入射させるアライメント
ビーム７８のビーム形状をアライメントパターン６８ａ
を設けた矩形状とし、且つこの領域内で一様な強度分布
のビームにするのは大変難しい。
【００１７】一般にはビーム形状６８ｂをアライメント
パターン６８ａよりも少し大きくしている。アライメン
トビーム６８ｂはアライメントパターンエリア６８ａの
みならず回路パターンエリア５９にも当たる事になり、
回路パターンエリア５９の回路パターンにあたったアラ
イメント光が散乱し、このときの散乱光がアライメント
検出上のノイズとなるという問題点があった。
パターン６８ａよりも少し大きくしている。アライメン
トビーム６８ｂはアライメントパターンエリア６８ａの
みならず回路パターンエリア５９にも当たる事になり、
回路パターンエリア５９の回路パターンにあたったアラ
イメント光が散乱し、このときの散乱光がアライメント
検出上のノイズとなるという問題点があった。
【００１８】図１３は図８，図９に対応したマスク６８
上のアライメントパターン６８ａとマスク６８上のＩＣ
回路パターン５９とウエハ６０上のアライメントパター
ン６０ａとウエハ６０上に焼き付けられた回路パターン
５７と露光ビームＸ線５６の関係を拡大して示した概略
図である。
上のアライメントパターン６８ａとマスク６８上のＩＣ
回路パターン５９とウエハ６０上のアライメントパター
ン６０ａとウエハ６０上に焼き付けられた回路パターン
５７と露光ビームＸ線５６の関係を拡大して示した概略
図である。
【００１９】図１３において図８に示したレンズ７６、
ハーフミラー７４、レンズ８０、検出面８２、制御回路
８４等は省略してあるが、基本構成は図８に示したのと
同様である。
ハーフミラー７４、レンズ８０、検出面８２、制御回路
８４等は省略してあるが、基本構成は図８に示したのと
同様である。
【００２０】一般に図１３に示すように投射ビーム８８
が少しふれてもアライメントパターン６８ａに光が当た
っているようにする為に、アライメントパターン６８ａ
のサイズよりも大きいビームが当るようにしておく必要
がある。
が少しふれてもアライメントパターン６８ａに光が当た
っているようにする為に、アライメントパターン６８ａ
のサイズよりも大きいビームが当るようにしておく必要
がある。
【００２１】従ってＩＣ回路パターン５９，５７にアラ
イメント用の光が当り、この散乱光が点線９０ａ，９０
ｂで示すように発生して検出面８２（図１３上では不図
示。図８に示す）に至り、これがアライメント検出信号
（パターン６８ａとパターン６０ａによって生成する
光）に対してノイズとなる。
イメント用の光が当り、この散乱光が点線９０ａ，９０
ｂで示すように発生して検出面８２（図１３上では不図
示。図８に示す）に至り、これがアライメント検出信号
（パターン６８ａとパターン６０ａによって生成する
光）に対してノイズとなる。
【００２２】例えば図１４はマスク上面から見た説明図
である。記号は図８及び図９と同じである。図１４に示
すようにマスク上に当るアライメントビーム６８ｂのう
ちＩＣ回路パターン５９（斜線で示してある）に当った
光のうちの一部が散乱光として光検出器８２に戻ること
になり、ノイズを形成する。
である。記号は図８及び図９と同じである。図１４に示
すようにマスク上に当るアライメントビーム６８ｂのう
ちＩＣ回路パターン５９（斜線で示してある）に当った
光のうちの一部が散乱光として光検出器８２に戻ること
になり、ノイズを形成する。
【００２３】アライメントパターン６８ａの幅（ｙ方
向）に対してアライメントビーム６８ｂの強度分布がガ
ウシアンプロファイルをしているとしたときピーク強度
の１／ｅ2の強度幅がアライメントパターン６８ａの３
倍程度あるとすると、通常アライメントビーム６８ｂの
全ビーム強度の１０数％の光量がＩＣ回路パターンエリ
ア５９に当ることになり、これからの散乱光はノイズと
しては無視できないことが起こる。
向）に対してアライメントビーム６８ｂの強度分布がガ
ウシアンプロファイルをしているとしたときピーク強度
の１／ｅ2の強度幅がアライメントパターン６８ａの３
倍程度あるとすると、通常アライメントビーム６８ｂの
全ビーム強度の１０数％の光量がＩＣ回路パターンエリ
ア５９に当ることになり、これからの散乱光はノイズと
しては無視できないことが起こる。
【００２４】例えば２５６ＭＤＲＡＭのメモりデバイス
の場合、パターンの最小線幅は０．２５μｍであり、こ
れに必要なアライメントは多数のレイヤー（層）を焼き
付けた後でもトータル０．０５〜０．０６μｍであり、
信号検出能力はこの為０．０１μｍ程度が要求される。
従ってわずかな光ノイズもアライメント検出能力の低下
をきたし、無視することができない。
の場合、パターンの最小線幅は０．２５μｍであり、こ
れに必要なアライメントは多数のレイヤー（層）を焼き
付けた後でもトータル０．０５〜０．０６μｍであり、
信号検出能力はこの為０．０１μｍ程度が要求される。
従ってわずかな光ノイズもアライメント検出能力の低下
をきたし、無視することができない。
【００２５】この問題点は図８，図９に示したゾーンプ
レートを用いた露光装置に限られるものでなく、マスク
とウエハ上の双方のアライメントパターンのずれ量を画
像処理を行なうことにより検出したり、直線格子をマス
クとウエハ上にパターニングしておいて、格子間の位置
ずれにともなって格子からの回折波の位相ずれ検出を行
なう所謂２重回折格子法など他の光を用いて行なうアラ
イメント検出についても同様に生じてくる。
レートを用いた露光装置に限られるものでなく、マスク
とウエハ上の双方のアライメントパターンのずれ量を画
像処理を行なうことにより検出したり、直線格子をマス
クとウエハ上にパターニングしておいて、格子間の位置
ずれにともなって格子からの回折波の位相ずれ検出を行
なう所謂２重回折格子法など他の光を用いて行なうアラ
イメント検出についても同様に生じてくる。
【００２６】本発明はマスク面上の回路パターンエリア
とアライメントパターンエリアの構成を適切に設定する
ことにより、アライメントビームが回路パターンエリア
に入射し、このとき回路パターンより発生する散乱光ノ
イズを効果的に低減し、マスクとウエハとの相対的位置
合わせを高精度に行うことのできるＸ線露光用マスク及
びそれを用いたＸ線露光装置の提供を目的とする。
とアライメントパターンエリアの構成を適切に設定する
ことにより、アライメントビームが回路パターンエリア
に入射し、このとき回路パターンより発生する散乱光ノ
イズを効果的に低減し、マスクとウエハとの相対的位置
合わせを高精度に行うことのできるＸ線露光用マスク及
びそれを用いたＸ線露光装置の提供を目的とする。
【００２７】
【課題を解決するための手段】本発明のＸ線露光用マス
クは、Ｘ線露光ビームを用いて被露光基板に回路パター
ンを転写するＸ線露光用マスクにおいて、該Ｘ線露光用
マスクはＸ線透過膜に回路パターンとアライメントパタ
ーンとが各々設けられており、かつ該回路パターンを設
けたエリアには該アライメントパターンを照射するアラ
イメントビームを遮光する遮光膜が設けられていること
を特徴としている。
クは、Ｘ線露光ビームを用いて被露光基板に回路パター
ンを転写するＸ線露光用マスクにおいて、該Ｘ線露光用
マスクはＸ線透過膜に回路パターンとアライメントパタ
ーンとが各々設けられており、かつ該回路パターンを設
けたエリアには該アライメントパターンを照射するアラ
イメントビームを遮光する遮光膜が設けられていること
を特徴としている。
【００２８】特に前記Ｘ線露光ビームとアライメントビ
ームとは異っていることや、前記回路パターンとアライ
メントパターンは各々Ｘ線露光ビームとアライメントビ
ームの双方に対して吸収体又は反射体となる材料よりパ
ターニングされていること等を特徴としている。
ームとは異っていることや、前記回路パターンとアライ
メントパターンは各々Ｘ線露光ビームとアライメントビ
ームの双方に対して吸収体又は反射体となる材料よりパ
ターニングされていること等を特徴としている。
【００２９】本発明のＸ線露光装置は、Ｘ線透過膜に回
路パターンとアライメントパターンとを各々設け、かつ
該回路パターンを設けたエリアには該アライメントパタ
ーンを照射するアライメントビームを遮光する遮光膜を
設けたＸ線露光用マスクにＸ線露光ビームを照射し、該
回路パターンを被露光基板に転写する際、該Ｘ線露光用
マスク上のアライメントパターンと被露光基板上のアラ
イメントパターンとを用いて双方のアライメントを行っ
ていることを特徴としている。
路パターンとアライメントパターンとを各々設け、かつ
該回路パターンを設けたエリアには該アライメントパタ
ーンを照射するアライメントビームを遮光する遮光膜を
設けたＸ線露光用マスクにＸ線露光ビームを照射し、該
回路パターンを被露光基板に転写する際、該Ｘ線露光用
マスク上のアライメントパターンと被露光基板上のアラ
イメントパターンとを用いて双方のアライメントを行っ
ていることを特徴としている。
【００３０】本発明の半導体デバイスの製造方法は、Ｘ
線透過膜に回路パターンとアライメントパターンとを各
々設け、かつ該回路パターンを設けたエリアには該アラ
イメントパターンを照射するアライメントビームを遮光
する遮光膜を設けたＸ線露光用マスクとアライメントパ
ターンを設けたウエハとの相対的な位置検出を双方のア
ライメントパターンを用いて行った後に、該Ｘ線露光用
マスクにＸ線露光ビームを照射し、該回路パターンをウ
エハ面上に転写し、次いで現像処理工程を介して半導体
デバイスを製造したことを特徴としている。
線透過膜に回路パターンとアライメントパターンとを各
々設け、かつ該回路パターンを設けたエリアには該アラ
イメントパターンを照射するアライメントビームを遮光
する遮光膜を設けたＸ線露光用マスクとアライメントパ
ターンを設けたウエハとの相対的な位置検出を双方のア
ライメントパターンを用いて行った後に、該Ｘ線露光用
マスクにＸ線露光ビームを照射し、該回路パターンをウ
エハ面上に転写し、次いで現像処理工程を介して半導体
デバイスを製造したことを特徴としている。
【００３１】
【実施例】図１〜図４は各々本発明のＸ線露光用マスク
ＸＭの実施例１〜４の要部断面図である。
ＸＭの実施例１〜４の要部断面図である。
【００３２】図１の実施例１において、２１は金属膜で
あり、アライメントビーム（アルゴンレーザー，Ｈｅ−
Ｎｅレーザ，半導体レーザ等からのビーム）に対しては
遮へい効果をもち、かつアライメントビームとは異った
Ｘ線露光ビームに対しては減衰の少ない材質と膜厚より
成っている。金属膜２１は、例えばＣｒ膜の０．２μｍ
〜０．０５μｍ膜厚や、Ａｌ膜の０．５μｍ〜０．０５
μｍ膜厚より成っている。金属膜２１は後述するように
少なくとも回路パターンエリア２７に設けており、アラ
イメントパターンエリア２８には設けていない。
あり、アライメントビーム（アルゴンレーザー，Ｈｅ−
Ｎｅレーザ，半導体レーザ等からのビーム）に対しては
遮へい効果をもち、かつアライメントビームとは異った
Ｘ線露光ビームに対しては減衰の少ない材質と膜厚より
成っている。金属膜２１は、例えばＣｒ膜の０．２μｍ
〜０．０５μｍ膜厚や、Ａｌ膜の０．５μｍ〜０．０５
μｍ膜厚より成っている。金属膜２１は後述するように
少なくとも回路パターンエリア２７に設けており、アラ
イメントパターンエリア２８には設けていない。
【００３３】２２はＸ線透過膜であり、ＳｉＮ，Ｓｉ
Ｃ，ＢＮ，ダイヤモンド等から成る。２３は金属膜であ
りメッキのために必要な電極であり、例えばＣｒの５０
Å以下程度の厚みをもつ膜より成っている。
Ｃ，ＢＮ，ダイヤモンド等から成る。２３は金属膜であ
りメッキのために必要な電極であり、例えばＣｒの５０
Å以下程度の厚みをもつ膜より成っている。
【００３４】２６は金属酸化膜であり、金属膜２３にＯ
2 を反応させ酸化膜とさせたアライメントビームに対し
て透明なＣｒＯx である。２５はＸ線吸収体であり、回
路パターンエリア２７における回路パターンおよびアラ
イメントパターンエリア２８のアライメントパターンを
形成している。Ｘ線吸収体２５は例えば膜厚０．５μｍ
〜１．５μｍのＡｕから成っている。
2 を反応させ酸化膜とさせたアライメントビームに対し
て透明なＣｒＯx である。２５はＸ線吸収体であり、回
路パターンエリア２７における回路パターンおよびアラ
イメントパターンエリア２８のアライメントパターンを
形成している。Ｘ線吸収体２５は例えば膜厚０．５μｍ
〜１．５μｍのＡｕから成っている。
【００３５】Ｘ線露光用マスクＸＭの回路パターンを転
写する被露光基板としてのウエハ（不図示）はＸ線吸収
体２５側に位置している。そしてアライメントビームは
矢印ＡＢで示すようにＸ線露光用マスクＸＭの上方から
アライメントパターンエリア２８に入射させている。こ
のとき回路パターンエリア２７にも入射するが回路パタ
ーンエリア２７に設けた金属膜２１により遮光し、回路
パターンエリア２７のＸ線吸収体２５より成る回路パタ
ーンにはアライメントビームが入射しないようにしてい
る。
写する被露光基板としてのウエハ（不図示）はＸ線吸収
体２５側に位置している。そしてアライメントビームは
矢印ＡＢで示すようにＸ線露光用マスクＸＭの上方から
アライメントパターンエリア２８に入射させている。こ
のとき回路パターンエリア２７にも入射するが回路パタ
ーンエリア２７に設けた金属膜２１により遮光し、回路
パターンエリア２７のＸ線吸収体２５より成る回路パタ
ーンにはアライメントビームが入射しないようにしてい
る。
【００３６】これにより回路パターンからノイズとなる
散乱光が生じアライメント検出系（不図示）に入射する
のを防止してウエハとのアライメントを高精度に行って
いる。
散乱光が生じアライメント検出系（不図示）に入射する
のを防止してウエハとのアライメントを高精度に行って
いる。
【００３７】次に本実施例のＸ線露光用マスクＸＭの製
造方法を図１２に従って説明する。
造方法を図１２に従って説明する。
【００３８】まず、直径３”、厚み２ｍｍのシリコンウ
エハをＸ線露光用マスクの基板１２１として用意した。
この基板上にＣＶＤ法を用いて、膜厚２μｍのＳｉＮ膜
１２２を成膜した（図１２（Ａ））。この時、ＮＨ3 と
ＣＨ2 Ｃｌ2 を原料ガスとして反応容器中に導入し、反
応温度８００°Ｃで成膜を行った。次に、ウエハ片面の
ＳｉＮ膜の３５ｍｍ画角の領域をＳＦ6 ガスを用いて、
ＲＩＥ法により除去した（図１２（Ｂ））。
エハをＸ線露光用マスクの基板１２１として用意した。
この基板上にＣＶＤ法を用いて、膜厚２μｍのＳｉＮ膜
１２２を成膜した（図１２（Ａ））。この時、ＮＨ3 と
ＣＨ2 Ｃｌ2 を原料ガスとして反応容器中に導入し、反
応温度８００°Ｃで成膜を行った。次に、ウエハ片面の
ＳｉＮ膜の３５ｍｍ画角の領域をＳＦ6 ガスを用いて、
ＲＩＥ法により除去した（図１２（Ｂ））。
【００３９】引き続き、ＳｉＮをマスクとして、ＫＯＨ
の２５ｗｔ％水溶液を用いて、１００°Ｃにて７時間、
Ｓｉをバックエッチした。この後、Ｘ線吸収体より成る
パターンを形成する面のＳｉＮ基板表面にＣｒ及びＡｕ
をそれぞれ５ｎｍ／５０ｎｍ電子ビーム蒸着機により連
続蒸着し、めっき用の電極１２３を形成した。
の２５ｗｔ％水溶液を用いて、１００°Ｃにて７時間、
Ｓｉをバックエッチした。この後、Ｘ線吸収体より成る
パターンを形成する面のＳｉＮ基板表面にＣｒ及びＡｕ
をそれぞれ５ｎｍ／５０ｎｍ電子ビーム蒸着機により連
続蒸着し、めっき用の電極１２３を形成した。
【００４０】一方、この裏面のＳｉＮ膜上には、Ｃｒを
５ｎｍ同様の方法で成膜した。前記の電極１２３上に
は、電子線レジストであるＰＭＭＡ１２４を１μｍスピ
ンコートし、デバイスの設計に従ってＥＢ描画を行っ
た。レジスト現像後、このレジストパターン１２５を鋳
型にして亜硫酸系の金めっき液ニュートロネックス３０
９（ＥＥＪＡ製）を用いて、５０°Ｃで金めっき１２６
を行った。
５ｎｍ同様の方法で成膜した。前記の電極１２３上に
は、電子線レジストであるＰＭＭＡ１２４を１μｍスピ
ンコートし、デバイスの設計に従ってＥＢ描画を行っ
た。レジスト現像後、このレジストパターン１２５を鋳
型にして亜硫酸系の金めっき液ニュートロネックス３０
９（ＥＥＪＡ製）を用いて、５０°Ｃで金めっき１２６
を行った。
【００４１】めっき終了後、レジスト、電極用金、レジ
ストをそれぞれＯ2 ＲＩＥ、Ａｒスパッタで除去した。
ストをそれぞれＯ2 ＲＩＥ、Ａｒスパッタで除去した。
【００４２】更に、アライメントパターンエリア（２
８）に限り、両面のＣｒをレジストプロセス用いて、更
にＯ2 ＲＩＥで酸化し、可視光に対する透明化処理を行
った。最後に、このマスク基板をパイレックスガラス
（商品名）製の保持枠１２７に接着剤１２８により接着
して図１２（Ｇ）に示す構造を有するＸ線露光用マスク
（ＸＭ）を得ている。
８）に限り、両面のＣｒをレジストプロセス用いて、更
にＯ2 ＲＩＥで酸化し、可視光に対する透明化処理を行
った。最後に、このマスク基板をパイレックスガラス
（商品名）製の保持枠１２７に接着剤１２８により接着
して図１２（Ｇ）に示す構造を有するＸ線露光用マスク
（ＸＭ）を得ている。
【００４３】図２の実施例２において、２９はＸ線透過
膜であり、ＳｉＮ，ＳｉＣ，ダイヤモンド，ＢＮ等から
成る。３０は金属膜であり、アライメントビームに対し
ては遮へい効果をもち、かつＸ線露光ビームに対しては
減衰の少ない材質と膜厚をもつ膜より成っている。金属
膜３０は、例えばＣｒの０．２μｍ〜０．０５μｍ膜厚
や、Ａｌの０．５μｍ〜０．０５μｍ膜厚の膜より成っ
ている。３１はＸ線吸収体で、０．５μｍ〜１．５μｍ
膜厚のＡｕ、Ｗ、Ｔａ等から成っている。
膜であり、ＳｉＮ，ＳｉＣ，ダイヤモンド，ＢＮ等から
成る。３０は金属膜であり、アライメントビームに対し
ては遮へい効果をもち、かつＸ線露光ビームに対しては
減衰の少ない材質と膜厚をもつ膜より成っている。金属
膜３０は、例えばＣｒの０．２μｍ〜０．０５μｍ膜厚
や、Ａｌの０．５μｍ〜０．０５μｍ膜厚の膜より成っ
ている。３１はＸ線吸収体で、０．５μｍ〜１．５μｍ
膜厚のＡｕ、Ｗ、Ｔａ等から成っている。
【００４４】Ｘ線吸収体３１は回路パターンエリア３２
およびアライメントパターンエリア３３にパターニング
されて設けられている。
およびアライメントパターンエリア３３にパターニング
されて設けられている。
【００４５】本実施例では回路パターンエリア３２に金
属膜３０を設けてアライメントビームが回路パターンエ
リア３２に設けたＸ線吸収体３１より成る回路パターン
に入射しないようにしている。
属膜３０を設けてアライメントビームが回路パターンエ
リア３２に設けたＸ線吸収体３１より成る回路パターン
に入射しないようにしている。
【００４６】これにより実施例１と同様の効果を得てい
る。
る。
【００４７】次に本実施例のＸ線露光用マスクＸＭの製
造方法について説明する。
造方法について説明する。
【００４８】実施例１と同様の方法によって、ＳｉＮを
成膜したＸ線露光用マスクの基板を用意し、また、実施
例１と同様の方法で、３５ｍｍ画角の領域のＳｉＮの除
去を行った。
成膜したＸ線露光用マスクの基板を用意し、また、実施
例１と同様の方法で、３５ｍｍ画角の領域のＳｉＮの除
去を行った。
【００４９】この後、Ｘ線吸収体より成るパターンを形
成する面のＳｉＮ表面に、電子ビーム蒸着法によってＣ
ｒを５ｎｍ成膜した。次に、この上にＸ線吸収体として
Ｗを、Ｗのエッチングマスク材料としてＳｉＯ2 を、そ
れぞれスパッタ法によって０．７μｍ／０．２μｍ成膜
した。
成する面のＳｉＮ表面に、電子ビーム蒸着法によってＣ
ｒを５ｎｍ成膜した。次に、この上にＸ線吸収体として
Ｗを、Ｗのエッチングマスク材料としてＳｉＯ2 を、そ
れぞれスパッタ法によって０．７μｍ／０．２μｍ成膜
した。
【００５０】引き続き、実施例１と同様の方法で、Ｓｉ
のバックエッチを行った。更に、電子線レジストである
ＰＭＭＡをＳｉＮ膜上に、０．３μｍの膜厚にスピンコ
ートし、実施例１と同様にパターンニングを行った。こ
のＰＭＭＡレジストパターンをマスクとしてＳｉＯ2 膜
を、ＲＩＥ法によりエッチングし、更に、このＳｉＯ2
パターンをマスクにＷをＲＩＥ法によってエッチングし
た。
のバックエッチを行った。更に、電子線レジストである
ＰＭＭＡをＳｉＮ膜上に、０．３μｍの膜厚にスピンコ
ートし、実施例１と同様にパターンニングを行った。こ
のＰＭＭＡレジストパターンをマスクとしてＳｉＯ2 膜
を、ＲＩＥ法によりエッチングし、更に、このＳｉＯ2
パターンをマスクにＷをＲＩＥ法によってエッチングし
た。
【００５１】ＰＭＭＡはＷのエッチング時に除去され、
また、ＳｉＯ2 はフッ酸によって除去し、Ｘ線吸収体よ
り成るパターンを形成した。
また、ＳｉＯ2 はフッ酸によって除去し、Ｘ線吸収体よ
り成るパターンを形成した。
【００５２】更に、アライメントパターンエリア（３
３）以外の部分をレジストプロセスを用いてレジストで
カバーし、アライメントパターンエリア（３３）のＣｒ
のみをＯ2 ＲＩＥで酸化し、可視光に対する透明化処理
を行った。最後に、このマスク基板をパイレックスガラ
ス（商品名）製の保持枠に接着し、図１２（Ｇ）に示す
構造を有するＸ線露光用マスク（ＸＭ）を得ている。
３）以外の部分をレジストプロセスを用いてレジストで
カバーし、アライメントパターンエリア（３３）のＣｒ
のみをＯ2 ＲＩＥで酸化し、可視光に対する透明化処理
を行った。最後に、このマスク基板をパイレックスガラ
ス（商品名）製の保持枠に接着し、図１２（Ｇ）に示す
構造を有するＸ線露光用マスク（ＸＭ）を得ている。
【００５３】図３の実施例３において３４は金属膜であ
り、アライメントビームに対して遮へい効果をもち、か
つＸ線露光ビームに対しては透明な膜厚より成ってい
る。
り、アライメントビームに対して遮へい効果をもち、か
つＸ線露光ビームに対しては透明な膜厚より成ってい
る。
【００５４】金属膜３４は、例えばＣｒの０．２μｍ〜
０．０５μｍ膜厚やＡｌの０．５μｍ〜０．０５μｍ膜
厚の膜より成っている。
０．０５μｍ膜厚やＡｌの０．５μｍ〜０．０５μｍ膜
厚の膜より成っている。
【００５５】３５はＸ線吸収体であり、０．５μｍ〜
１．５μｍ厚のＡｕなどから成っている。
１．５μｍ厚のＡｕなどから成っている。
【００５６】Ｘ線吸収体３５は回路パターンエリア３７
とアライメントパタンエリア３８にパターンニングされ
て設けられている。
とアライメントパタンエリア３８にパターンニングされ
て設けられている。
【００５７】３６はＸ線透過膜でありＳｉＮ，ＳｉＣ，
ＢＮ，ダイヤモンド等から成っている。
ＢＮ，ダイヤモンド等から成っている。
【００５８】本実施例では金属膜３４を回路パターンエ
リア３７とアライメントパターンエリア３８のＸ線吸収
体３５の位置に各々設けている。
リア３７とアライメントパターンエリア３８のＸ線吸収
体３５の位置に各々設けている。
【００５９】そして実施例１と同様にアライメントビー
ムが回路パターンエリエア３７の回路パターンに入射し
ないようにしている。これにより実施例１と同様の効果
を得ている。
ムが回路パターンエリエア３７の回路パターンに入射し
ないようにしている。これにより実施例１と同様の効果
を得ている。
【００６０】図４の実施例４において、４０は金属膜で
あり、アライメントビームに対して遮へい効果をもち、
Ｘ線露光ビームに対しては透明な膜厚より成っている。
あり、アライメントビームに対して遮へい効果をもち、
Ｘ線露光ビームに対しては透明な膜厚より成っている。
【００６１】金属膜４０は、例えばＣｒの０．２μｍ〜
０．０５μｍ膜厚やＡｌの０．５μｍ〜０．０５μｍ膜
厚の膜より成っている。
０．０５μｍ膜厚やＡｌの０．５μｍ〜０．０５μｍ膜
厚の膜より成っている。
【００６２】３９はＸ線吸収体で、Ａｕ，Ｔａ，Ｗ等な
どから成り、回路パターンエリア４２や、アライメント
パターンエリア４３のパターンを形成している。
どから成り、回路パターンエリア４２や、アライメント
パターンエリア４３のパターンを形成している。
【００６３】４１はＸ線透過膜であり、ＳｉＮ，Ｓｉ
Ｃ，ＢＮ，ダイヤモンドなどから成っている。
Ｃ，ＢＮ，ダイヤモンドなどから成っている。
【００６４】本実施例では金属膜４０を回路パターンエ
リア４２に設けて実施例１と同様にアライメントビーム
が回路パターンエリア４２の回路パターンに入射しない
ようにしている。
リア４２に設けて実施例１と同様にアライメントビーム
が回路パターンエリア４２の回路パターンに入射しない
ようにしている。
【００６５】これにより実施例１と同様の効果を得てい
る。
る。
【００６６】次に本発明のＸ線露光用マスクにおけるア
ライメントビーム遮へい用の金属膜（２１，３０，３
４，４０）と回路パターンエリア、そしてアライメント
パターンエリアとの関係について説明する。
ライメントビーム遮へい用の金属膜（２１，３０，３
４，４０）と回路パターンエリア、そしてアライメント
パターンエリアとの関係について説明する。
【００６７】図５において４６はＸ線露光用マスク（以
下「マスク」と称する。）のＸ線透過膜が設けられてい
るエリア全体、４４−１，４４−２，４４−３，４４−
４はいずれもアライメントパターンエリア、４５は回路
パターンエリアである。図中斜線を施したエリアはアラ
イメントビーム遮へい用の金属膜が設けられているエリ
アを示す。
下「マスク」と称する。）のＸ線透過膜が設けられてい
るエリア全体、４４−１，４４−２，４４−３，４４−
４はいずれもアライメントパターンエリア、４５は回路
パターンエリアである。図中斜線を施したエリアはアラ
イメントビーム遮へい用の金属膜が設けられているエリ
アを示す。
【００６８】図６は更に他の例であり、４８はマスクの
Ｘ線透過膜が設けられているエリア全体を、４９は回路
パターンエリアを、４７−１，４７−２，４７−３，４
７−４はアライメントパターンエリアを示す。図に於
て、斜線を施したエリア５０はアライメントビーム遮へ
い膜が設けられたエリアを示す。
Ｘ線透過膜が設けられているエリア全体を、４９は回路
パターンエリアを、４７−１，４７−２，４７−３，４
７−４はアライメントパターンエリアを示す。図に於
て、斜線を施したエリア５０はアライメントビーム遮へ
い膜が設けられたエリアを示す。
【００６９】図７は他の例であり、５３はマスクのＸ線
透過膜が設けられているエリア全体、５１−１，５１−
２，５１−３，５１−４はいずれもアライメントパター
ンエリア、５２は回路パターンエリアである。図中斜線
を施したエリアはアライメントビーム遮へい用の金属膜
が設けられているエリアを示す。
透過膜が設けられているエリア全体、５１−１，５１−
２，５１−３，５１−４はいずれもアライメントパター
ンエリア、５２は回路パターンエリアである。図中斜線
を施したエリアはアライメントビーム遮へい用の金属膜
が設けられているエリアを示す。
【００７０】同図は回路パターンエリア５２のみにアラ
イメントビーム遮へい膜を設けた例である。
イメントビーム遮へい膜を設けた例である。
【００７１】図５，図６の実施例では、いずれも回路パ
ターンエリアのみでなく所謂ウェハー上のスクライブラ
インに相当する焼付けエリアに対応するマスク上のエリ
アにもアライメントビーム遮へい膜が設けている。この
場合には、現にアライメントをする必要最小限のマスク
上のアライメントパターンのみにアライメントビームを
当てている。
ターンエリアのみでなく所謂ウェハー上のスクライブラ
インに相当する焼付けエリアに対応するマスク上のエリ
アにもアライメントビーム遮へい膜が設けている。この
場合には、現にアライメントをする必要最小限のマスク
上のアライメントパターンのみにアライメントビームを
当てている。
【００７２】これによりその他のマスク上のパターン、
例えば次のレイヤーのウェハー上のアライメントパター
ン等がマスク上、現にアライメントに使うパターンの近
傍にある場合にそこからのアライメントビームの散乱光
がノイズとなるのを防いだり、ウェハー上の不要なエリ
アにアライメントビームが当たり、ウェハー上のパター
ンの散乱光がノイズとなりアライメント検出センサーに
入ることを防いでＳ／Ｎ比の向上を図っている。
例えば次のレイヤーのウェハー上のアライメントパター
ン等がマスク上、現にアライメントに使うパターンの近
傍にある場合にそこからのアライメントビームの散乱光
がノイズとなるのを防いだり、ウェハー上の不要なエリ
アにアライメントビームが当たり、ウェハー上のパター
ンの散乱光がノイズとなりアライメント検出センサーに
入ることを防いでＳ／Ｎ比の向上を図っている。
【００７３】又、このような構成はレジストが感光する
波長の光でアライメントを行ないたい場合にも、所望の
アライメントエリア以外の部分にアライメント光があた
らないため好ましい。
波長の光でアライメントを行ないたい場合にも、所望の
アライメントエリア以外の部分にアライメント光があた
らないため好ましい。
【００７４】次に上記説明した露光装置を利用した半導
体デバイスの製造方法の実施例を説明する。
体デバイスの製造方法の実施例を説明する。
【００７５】図１５は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等
の半導体チップ、或は液晶パネルやＣＣＤ等）の製造の
フローを示す。
の半導体チップ、或は液晶パネルやＣＣＤ等）の製造の
フローを示す。
【００７６】ステップ１（回路設計）では半導体デバイ
スの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では設
計した回路パターンを形成したマスクを製作する。
スの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では設
計した回路パターンを形成したマスクを製作する。
【００７７】一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリ
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマ
スクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ
上に実際の回路を形成する。
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマ
スクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ
上に実際の回路を形成する。
【００７８】次のステップ５（組立）は後工程と呼ば
れ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。
れ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。
【００７９】ステップ６（検査）ではステップ５で作製
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これが出荷（ステップ７）される。
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００８０】図１６は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。
【００８１】ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に
電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打
込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。
電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打
込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。
【００８２】ステップ１７（現像）では露光したウエハ
を現像する。ステップ１８（エッチング）では現像した
レジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジ
スト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジス
トを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうこと
によってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
を現像する。ステップ１８（エッチング）では現像した
レジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジ
スト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジス
トを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうこと
によってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００８３】本実施例の製造方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを製造するこ
とができる。
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを製造するこ
とができる。
【００８４】
【発明の効果】本発明によれば以上のようにマスク面上
の回路パターンエリアとアライメントパターンエリアの
構成を適切に設定することにより、アライメントビーム
が回路パターンエリアに入射し、このとき回路パターン
より発生する散乱光ノイズを効果的に低減し、マスクと
ウエハとの相対的位置合わせを高精度に行なうことので
きるＸ線露光用マスク及びそれを用いたＸ線露光装置を
達成することができる。
の回路パターンエリアとアライメントパターンエリアの
構成を適切に設定することにより、アライメントビーム
が回路パターンエリアに入射し、このとき回路パターン
より発生する散乱光ノイズを効果的に低減し、マスクと
ウエハとの相対的位置合わせを高精度に行なうことので
きるＸ線露光用マスク及びそれを用いたＸ線露光装置を
達成することができる。
【００８５】特にアライメントビームがアライメントパ
ターン以外のパターン、例えば回路パターン等に当たら
ない様にし、かつ回路パターンとアライメントパターン
の部分ともＸ線露光ビームに対して減衰を余り与えない
様にし、これによって、高いＳ／Ｎ比のとれるアライメ
ントが実現できかつ、高スループットの焼付けが可能な
Ｘ線露光マスクを達成することができる。
ターン以外のパターン、例えば回路パターン等に当たら
ない様にし、かつ回路パターンとアライメントパターン
の部分ともＸ線露光ビームに対して減衰を余り与えない
様にし、これによって、高いＳ／Ｎ比のとれるアライメ
ントが実現できかつ、高スループットの焼付けが可能な
Ｘ線露光マスクを達成することができる。
【００８６】又、これを用いたアライメント機能を有す
る露光装置、或はこの露光装置を用いて高集積度の半導
体デバイスを製造することができる。
る露光装置、或はこの露光装置を用いて高集積度の半導
体デバイスを製造することができる。
【図１】 本発明のＸ線露光用マスクの実施例１の要部
断面図
断面図
【図２】 本発明のＸ線露光用マスクの実施例２の要部
断面図
断面図
【図３】 本発明のＸ線露光用マスクの実施例３の要部
断面図
断面図
【図４】 本発明のＸ線露光用マスクの実施例４の要部
断面図
断面図
【図５】 本発明のＸ線露光用マスクにおける回路パタ
ーンとアライメントパターンそしてアライメントビーム
遮へい膜との関係を示す説明図
ーンとアライメントパターンそしてアライメントビーム
遮へい膜との関係を示す説明図
【図６】 本発明のＸ線露光用マスクにおける回路パタ
ーンとアライメントパターンそしてアライメントビーム
遮へい膜との関係を示す説明図
ーンとアライメントパターンそしてアライメントビーム
遮へい膜との関係を示す説明図
【図７】 本発明のＸ線露光用マスクにおける回路パタ
ーンとアライメントパターンそしてアライメントビーム
遮へい膜との関係を示す説明図
ーンとアライメントパターンそしてアライメントビーム
遮へい膜との関係を示す説明図
【図８】 従来の位置合わせ装置の要部概略図
【図９】 図８の一部分の拡大斜視図
【図１０】 従来のＸ線露光マスクの要部断面図
【図１１】 従来のＸ線露光マスクの要部断面図
【図１２】 Ｘ線露光用マスクの製造工程の説明図
【図１３】 図８の一部分の説明図
【図１４】 図１３の一部分の拡大説明図
【図１５】 本発明の半導体デバイスの製造フローチャ
ート
ート
【図１６】 本発明のデバイスのウエハプロセスのフロ
ーチャート
ーチャート
ＸＭ Ｘ線露光用マスク ２１，３０，３４，４０ 金属膜 ２２，２９，３６，４１，１２２ Ｘ線透明膜 ２３，３０，３４，４０，１２３ アライメントビーム
遮へい膜 ２５，３１，３５，３９，１２６ Ｘ線吸収体 ２７，３２，３７，４２ 回路パターンエリア ２８，３３，３８，４３ アライメントパターンエリア １２１ シリコン基板 １２３′ 酸化処理した透明金属膜 １２４ めっき用電極膜（Ａｕ） １２５ レジストパターン １２７ パイレックスガラス製保持枠 １２８ 接着層 １２９ 磁性体
遮へい膜 ２５，３１，３５，３９，１２６ Ｘ線吸収体 ２７，３２，３７，４２ 回路パターンエリア ２８，３３，３８，４３ アライメントパターンエリア １２１ シリコン基板 １２３′ 酸化処理した透明金属膜 １２４ めっき用電極膜（Ａｕ） １２５ レジストパターン １２７ パイレックスガラス製保持枠 １２８ 接着層 １２９ 磁性体
Claims (5)
- 【請求項１】 Ｘ線露光ビームを用いて被露光基板に回
路パターンを転写するＸ線露光用マスクにおいて、該Ｘ
線露光用マスクはＸ線透過膜に回路パターンとアライメ
ントパターンとが各々設けられており、かつ該回路パタ
ーンを設けたエリアには該アライメントパターンを照射
するアライメントビームを遮光する遮光膜が設けられて
いることを特徴とするＸ線露光用マスク。 - 【請求項２】 前記Ｘ線露光ビームとアライメントビー
ムとは異っていることを特徴とする請求項１のＸ線露光
用マスク。 - 【請求項３】 前記回路パターンとアライメントパター
ンは各々Ｘ線露光ビームとアライメントビームの双方に
対して吸収体又は反射体となる材料よりパターニングさ
れていることを特徴とする請求項１のＸ線露光用マス
ク。 - 【請求項４】 Ｘ線透過膜に回路パターンとアライメン
トパターンとを各々設け、かつ該回路パターンを設けた
エリアには該アライメントパターンを照射するアライメ
ントビームを遮光する遮光膜を設けたＸ線露光用マスク
にＸ線露光ビームを照射し、該回路パターンを被露光基
板に転写する際、該Ｘ線露光用マスク上のアライメント
パターンと被露光基板上のアライメントパターンとを用
いて双方のアライメントを行っていることを特徴とする
Ｘ線露光装置。 - 【請求項５】 Ｘ線透過膜に回路パターンとアライメン
トパターンとを各々設け、かつ該回路パターンを設けた
エリアには該アライメントパターンを照射するアライメ
ントビームを遮光する遮光膜を設けたＸ線露光用マスク
とアライメントパターンを設けたウエハとの相対的な位
置検出を双方のアライメントパターンを用いて行った後
に、該Ｘ線露光用マスクにＸ線露光ビームを照射し、該
回路パターンをウエハ面上に転写し、次いで現像処理工
程を介して半導体デバイスを製造したことを特徴とする
半導体デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29895493A JPH07130645A (ja) | 1993-11-04 | 1993-11-04 | Ｘ線露光用マスク及びそれを用いたｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29895493A JPH07130645A (ja) | 1993-11-04 | 1993-11-04 | Ｘ線露光用マスク及びそれを用いたｘ線露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07130645A true JPH07130645A (ja) | 1995-05-19 |
Family
ID=17866336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29895493A Pending JPH07130645A (ja) | 1993-11-04 | 1993-11-04 | Ｘ線露光用マスク及びそれを用いたｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07130645A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014532313A (ja) * | 2011-10-14 | 2014-12-04 | フンダシオ インスティテュート デ サイエンセズ フォトニクス | 光透過性導電性コーティング及び基板上へのそれらの堆積の方法 |
| CN106486330A (zh) * | 2015-08-28 | 2017-03-08 | 英飞凌科技股份有限公司 | 粒子辐照设备、束改性装置和含结终端延伸区的半导体件 |
-
1993
- 1993-11-04 JP JP29895493A patent/JPH07130645A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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