JPH11260711A - Ｘ線露光装置およびデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 露光画角を精度良く規制しかつマスクと基板
のアライメント性能に優れ、さらに生産性と耐久性を向
上させるＸ線露光装置を提供する。 【解決手段】 マスク１と基板３を微小間隔をもって接
近させて配置し、Ｘ線Ｌを露光してマスク１に描画され
たマスクパターン１ｐを基板３上に転写するＸ線露光装
置において、露光画角を規制するマスキングブレード５
に、Ｘ線Ｌとは異なる角度から入射されるアライメント
光Ｌａを透過させるけれどもＸ線Ｌを遮光するように傾
斜した長穴１０を穿設し、マスキングブレード５により
露光画角を規制した状態でマスキングブレード５の長穴
１０を介してアライメント光Ｌａを照射させてアライメ
ント計測することができ、さらに、Ｘ線Ｌの露光中にお
いても、アライメント計測を行なうことができ、マスク
１と基板３の位置合わせ精度を向上させることができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスの
製造に用いられるＸ線露光装置、特にマスクに描画され
たパターンをＸ線によりウエハ等の基板上に露光転写す
るＸ線露光装置およびデバイス製造方法に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積化等に伴
なって半導体素子の微細化、高密度化が一層進み、線幅
においても微細な線幅が要求されている。マスクパター
ンをウエハ等の基板に転写し基板に極微細な線幅を有す
るＤＲＡＭ等の半導体素子を作製するとき、高集積度の
デバイスを作製するためにますます線幅は細くなり、２
５６ＭＤＲＡＭの半導体素子においては０．２５μｍ、
１ＧＤＲＡＭの半導体素子では０．１８μｍの線幅が要
求されており、また、焼き付けパターンの重ね合わせ精
度については、例えば、２５６ＭＤＲＡＭの半導体素子
の場合は８０ｎｍ、１ＧＤＲＡＭの半導体素子の場合で
は６０ｎｍである。

【０００３】このように、ウエハ等の基板にマスクに描
画されたパターンを露光転写する露光装置もますます高
精度でかつ線幅精度の良いものが要望されており、露光
装置の露光光としては、ｉ線やＫｒＦレーザ等が用いら
れているが、回折による解像度の劣化を避けるため、よ
り波長の短いＸ線を用いたステップアンドリピートによ
るプロキシミティ露光装置が提案されている。

【０００４】この種のプロキシミティ露光装置は、基板
ステージに保持されたウエハ等の基板をマスクステージ
に取り付けられているマスクに対して１０μｍ〜５０μ
ｍのような微小間隔をもって近接させた状態で露光を行
なう方式であり、基板ステージに保持された基板の各露
光画角を逐次マスクに対向する露光領域へステップ移動
させて、マスクと基板をアライメント光学系によりアラ
イメント計測して位置合わせを行ない、露光光であるＸ
線をマスクを介して照射し、マスクに描画されたマスク
パターンをＸ線によりウエハ等の基板上に転写してい
る。そして、露光画角を規制する方法としては、特開昭
６０−７４５１８号公報等に開示されているように、露
光画角を規制するための遮光体またはマスキングブレー
ド（以下、単にマスキングブレードという。）を設け
て、露光画角以外へのＸ線の入射を制限している。

【０００５】次に、この種の従来のマスキングブレード
機構を備えた露光装置について、図７を参照して説明す
る。図７において、マスクパターン１０１ｐが描画され
たマスク１０１はマスクステージ１０２に取り付けら
れ、感光剤が塗布されたウエハ１０３はウエハステージ
１０４上に保持され、マスク１０１に対して微小な間隔
をもって近接して配置されており、図示しない発光光源
から放射された露光光としてのＸ線Ｌは、マスク１０１
を照射し、マスク１０１に描画されたマスクパターン１
０１ｐをウエハ１０３上に露光転写するように構成され
ている。そして、露光画角を規制するマスキングブレー
ド１０５は、露光光軸方向の位置を露光光の幅とマスキ
ングブレードエッジにより発生する露光光の半影量を最
小限にするためマスク１０１にできるだけ近ずけること
が必要であり、このためマスク１０１とアライメントス
コープ１０７の間でマスクステージ１０２の上方に隣接
して配設されている。マスキングブレードは、四方から
矩形状の露光領域を囲むように４個のマスキングブレー
ド１０５、１０５…から形成され、これらのマスキング
ブレード１０５は、それぞれ個別に露光領域に対して進
退可能に設けられ、それぞれのマスキングブレード１０
５に連結されたブレードステージ１０６によって正確な
位置に移動設定できるように形成されている。そして、
マスキングブレード１０５の上方には、マスク１０１と
ウエハ１０３のアライメント計測を行なう複数のアライ
メントスコープ１０７、１０７…（なお、図７には２個
のアライメントスコープのみを図示する。）が位置決め
ステージ（図示しない）に載置されて設けられている。
これらのアライメントスコープ１０７は、マスク１０１
およびウエハ１０３にそれぞれ設けられているアライメ
ントマーク１０１ｍ、１０３ｍに向けてアライメント光
Ｌａを照射し、そして、アライメントマーク１０１ｍ、
１０３ｍにより反射される回折光あるいは散乱光を検出
してアライメント計測し、各ステージを調整することに
より、マスク１０１およびウエハ１０３の位置合わせを
行なうように構成されている。

【０００６】そして、マスキングブレード１０５の材質
としては、露光光であるＸ線に耐性のあるセラミックス
や金属が一般的に使用されており、マスク１０１とウエ
ハ１０３をアライメントするためのアライメント光Ｌａ
も透過させない。このため、この種の材質のマスキング
ブレードを用いた露光装置の露光シーケンスとしては、
マスク１０１とウエハ１０３のアライメント計測をする
ために、先ず、マスキングブレード１０５、１０５…を
それぞれ露光画角外に退避させ、その後に、アライメン
トスコープ１０７、１０７をアライメント光Ｌａを照射
させながら移動させて、マスク１０１とウエハ１０３の
それぞれのアライメントマーク１０１ｍ、１０３ｍに向
けてアライメント光Ｌａを照射し、アライメントマーク
１０１ｍ、１０３ｍによる回折光あるいは散乱光を検出
してアライメント計測し、そのアライメント計測に応じ
てウエハステージ１０４等を調整することによって、マ
スク１０１とウエハ１０３の位置合わせを行ない、その
後、マスキングブレード１０５、１０５…を露光画角を
規制すべく所定の位置に移動させて、矩形状の露光画角
を設定し、そして、露光光としてのＸ線Ｌをマスク１０
１およびウエハ１０３に対して照射し、マスク１０１の
マスクパターン１０１ｐをウエハ１０３に露光転写して
いる。

【０００７】また、マスキングブレードの移動を不要と
した従来技術として、マスキングブレード材料として露
光光を遮光してアライメント光を透過させるガラス等を
使用する露光装置も特公平６−７０９６０号公報等に提
案されている。この種の露光装置においては、アライメ
ント光学系から出射されたアライメント光は、所定の露
光画角規制位置に予め配置されたマスキングブレードを
透過し、そしてマスクのアライメントマークおよびウエ
ハのアライメントマークから反射されたアライメント情
報を伴なったアライメント光をマスキングブレードを介
してアライメント光学系の信号検出部に入るように構成
し、マスキングブレードを移動させることなく、アライ
メント計測を行ないうるようにしている。このように露
光光は遮光しアライメント光は透過するマスキングブレ
ード材としては、ガラスの他にＸ線耐性のあるプラスチ
ック等を使用することができる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来技術において、セラミックスや金属材料等で
形成されたマスキングブレードを用いる場合には、アラ
イメント計測の度にマスキングブレードを移動させる必
要があり、生産性を向上させることが困難である。

【０００９】また、アライメント光を透過するガラス等
で形成されたマスキングブレードを用いる場合において
は、マスキングブレードは露光光として照射されるＸ線
による変質が発生し、アライメント光の透過率が変化
し、アライメント信号のＳ／Ｎの劣化、およびアライメ
ント光の減衰などの問題点が発生していた。

【００１０】そこで、本発明は、上記の従来技術の有す
る未解決の課題に鑑みてなされたものであって、露光画
角を精度良く規制し、かつマスクとウエハ等の基板のア
ライメント性能に優れ、さらに生産性と耐久性を向上さ
せるＸ線露光装置および該Ｘ線露光装置を用いたデバイ
ス製造方法を提供することを目的とするものである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のＸ線露光装置は、マスクと基板を微小間隔
をもって接近させて配置し、Ｘ線を露光して前記マスク
上に描画されたマスクパターンを前記基板上に転写する
Ｘ線露光装置において、露光画角を規制するマスキング
ブレードに長穴を穿設したことを特徴とする。

【００１２】さらに、本発明のＸ線露光装置は、マスク
と基板を微小間隔をもって接近させて配置し、Ｘ線を露
光して前記マスク上に描画されたマスクパターンを前記
基板上に転写するＸ線露光装置において、露光画角を規
制するマスキングブレードに、Ｘ線を遮光しかつ該Ｘ線
とは異なる角度から入射されるアライメント光を透過さ
せる傾斜した長穴を穿設したことを特徴とする。

【００１３】また、本発明のＸ線露光装置においては、
露光画角を規制するマスキングブレードに穿設された長
穴は、前記マスキングブレードの先端縁に沿って設けら
れ、Ｘ線を遮光しかつ該Ｘ線とは異なる角度から入射さ
れるアライメント光を透過させるように傾斜されている
ことが好ましい。

【００１４】そして、本発明のＸ線露光装置において
は、露光画角を規制するマスキングブレードおよび該マ
スキングブレードに穿設された長孔は、該長孔の幅を
ａ、アライメント光のＸ線に対する傾斜角をθ、マスキ
ングブレードの厚さをｔとするとき、ｔ＞ａ／ｓｉｎθ
の関係となるように形成されていることが好ましい。

【００１５】さらに、本発明のＸ線露光装置において
は、露光画角を規制するマスキングブレードおよび該マ
スキングブレードに穿設された長孔において、Ｘ線の方
向から該マスキングブレードを見たときのＸ線を完全に
遮断するマスキングブレードの実質的な最低厚さは、マ
スキングブレードを透過するＸ線の透過強度が感光剤を
感光しないためのマスキングブレードの最低厚さに等し
いか、またはそれよりも大きい値となるように設定され
ていることが好ましく、そして、露光画角を規制するマ
スキングブレードおよび該マスキングブレードに穿設さ
れた長孔は、該長孔の幅をａ、アライメント光のＸ線に
対する傾斜角をθ、前記マスキングブレードを透過する
Ｘ線の透過強度が感光剤を感光しないための前記マスキ
ングブレードの最低厚さをｔａ、前記マスキングブレー
ドの厚さをｔとするとき、ｔ≧（ａ／ｓｉｎθ）＋ｔａ
の関係となるように形成されていることが好ましい。

【００１６】そして、本発明のデバイス製造方法は、請
求項１ないし６のいずれか１項記載のＸ線露光装置を用
いてデバイスを製造することを特徴とする。

【００１７】

【作用】本発明のＸ線露光装置によれば、露光画角を規
制するマスキングブレードに長穴を穿設することによ
り、さらには、Ｘ線を遮光しかつ該Ｘ線とは異なる角度
から入射されるアライメント光を透過させる傾斜した長
穴を穿設することにより、アライメント光によるアライ
メント計測時にも、マスキングブレードを退避させる必
要がなく、マスキングブレードにより露光画角を規制し
た状態で長穴を介してアライメント計測することができ
るために、スループットを向上させることができ、ま
た、マスキングブレードの移動を必要最少限に抑えるこ
とができ、塵埃の発生を抑えることができる。さらに、
露光中においても、アライメント計測を行なうことがで
き、マスクステージや基板ステージの熱膨張等による変
位をアライメント計測により検出でき、マスクと基板の
位置合わせ精度を向上させることができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
いて説明する。

【００１９】図１は、本発明のＸ線露光装置を概略的に
示す断面図であり、図２は、本発明のＸ線露光装置を一
部を省略して概略的に示す平面図であり、図３は、本発
明のＸ線露光装置におけるマスクと基板およびマスキン
グブレードとアライメントスコープの位置関係を模式的
に示す斜視図である。

【００２０】図１ないし図３において、マスクパターン
１ｐが描画されたマスク１はマスクステージ２に取り付
けられ、感光剤が塗布されたウエハ等の基板３は、基板
ステージ４上に保持されて、マスク１に対して１０μｍ
〜５０μｍの微小な間隔をもって近接して配置されてお
り、図示しない発光光源から放射された露光光としての
Ｘ線Ｌは、マスク１を照射し、マスク１に描画されたマ
スクパターン１ｐを基板３上に露光転写するように構成
されている。そして、露光画角を規制するマスキングブ
レード５は、マスキングブレードのエッジにより発生す
る露光光の半影量を最小限にするためにマスク１にでき
る限り接近させるように、マスク１の上方に隣接して配
設され、図２に図示するように、四方から矩形状の露光
領域を囲むように４個のマスキングブレード５、５……
で構成され、これらのマスキングブレード５、５……
は、それぞれ個別に露光領域に対して（図２に矢印で示
す方向に）進退可能に設けられ、それぞれに連結された
ブレードステージ６、６……によって正確な露光画角規
制位置に移動設定できるように形成されている（なお、
これらのマスキングブレード５、５……およびブレード
ステージ６、６……は、それぞれほぼ同じ構造を有する
ものであり、以下、これらを単にマスキングブレード５
およびブレードステージ６という。）。

【００２１】マスキングブレード５の上方には、マスク
１と基板３のアライメント計測を行なうための４個のア
ライメントスコープ７、７……（なお、図１には２個の
アライメントスコープのみ図示する。）がそれぞれの位
置決めステージ（図示しない）に載置されており、これ
らのアライメントスコープ７、７……は、露光画角の各
周辺のスクライブラインに沿って移動可能に設けられ、
マスク１および基板３にそれぞれ設けられているアライ
メントマーク１ｍ……および３ｍ……に向けてアライメ
ント光Ｌａを照射し、アライメントマーク１ｍ……およ
び３ｍ……から反射される回折光あるいは散乱光を検出
してアライメント計測し、そのアライメント計測に応じ
て各ステージを調整することにより、マスク１と基板３
の位置合わせを行なうように構成されている。なお、ア
ライメントスコープ７、７……から照射されるアライメ
ント光Ｌａは、露光光としてのＸ線Ｌとの干渉を避ける
ためにＸ線Ｌに対してある角度θをもって斜めに照射さ
れている。

【００２２】そして、マスキングブレード５には、マス
キングブレード５が露光画角を規制する位置へ移動され
固定された状態において、アライメントスコープ７から
照射されるアライメント光Ｌａを通過させ、そしてアラ
イメントマーク１ｍ、３ｍからの回折光あるいは散乱光
を通過させることができるように貫通した長穴１０がア
ライメント光Ｌａの光軸に沿って穿設されている。すな
わち、長穴１０は、図２および図３に図示するように、
マスキングブレード５の露光画角を規制する先端縁に沿
って形成され、そして、図４に拡大して図示するよう
に、Ｘ線Ｌに対して角度θをもって傾斜されて照射され
るアライメント光Ｌａの光軸に沿うようにＸ線Ｌに対し
て角度θだけ傾斜されて穿設され、アライメントスコー
プ７から照射されるアライメント光Ｌａを通過させるけ
れども、露光光としてのＸ線Ｌを透過させない形状とす
る。

【００２３】このように傾斜された長穴１０の形状につ
いて図４を参照してさらに説明する。露光光としてのＸ
線Ｌに対する長穴１０の傾斜角度はθであり、長穴１０
の幅をａとし、マスキングブレード５の厚さをｔとする
とき、Ｘ線Ｌの一部は長穴１０の開口部から長穴１０内
に入射し、その最大深さはａ／ｓｉｎθとなるけれど
も、長穴１０の幅ａとマスキングブレード５の厚さｔの
関係を ｔ＞ａ／ｓｉｎθ ……（１） とすることによって、マスキングブレード５は、Ｘ線Ｌ
を長穴１０部分を介しても透過させることなく遮断し、
アライメント光Ｌａのみを傾斜した長穴１０を介して通
過させることができる。

【００２４】また、マスキングブレード５の材質によっ
ては、マスキングブレードを透過するＸ線の透過強度が
基板上に塗布された感光剤を感光しないようにするため
に少なくともある厚さを必要とする場合があり、このＸ
線の透過強度が感光剤を感光しないようにするためのマ
スキングブレードの最低厚さｔａを考慮して検討する。
露光光としてのＸ線Ｌが傾斜して穿設された長穴１０部
分を透過する際に、このＸ線Ｌの方向からマスキングブ
レードを見たときに、Ｘ線Ｌを完全に遮断するためのマ
スキングブレードの実質的な最低厚さｔｏは、Ｘ線の透
過強度が感光剤を感光しないための最低厚さｔａに等し
い（ｔｏ＝ｔａ）か、あるいはその最低厚さｔａよりも
大きい値とすべきである（ｔｏ＞ｔａ）。

【００２５】そこで、傾斜された長穴１０の幅を全体を
通して同じ幅として、その長穴１０の幅をａとすると
き、長穴の幅ａとマスキングブレード５の厚さｔを、次
のような関係とすることによって、Ｘ線Ｌを完全に遮断
することができる。すなわち、 ｔｏ＝ｔ−（ａ／ｓｉｎθ）≧ｔａ ｔ≧（ａ／ｓｉｎθ）＋ｔａ ……（２） 次に、以上のように構成された本発明の露光装置の作動
について説明する。

【００２６】感光剤を塗布した基板３にマスク１のマス
クパターン１ｐを露光転写するに先立って、マスキング
ブレード５をそれぞれのブレードステージ６により移動
させて所望の矩形状の露光画角に設定する。そして、各
アライメントスコープ７を露光画角のスクライブライン
上に沿って移動させながら、アライメントスコープ７か
らアライメント光Ｌａをマスク１のアライメントマーク
１ｍ…および基板３のアライメントマーク３ｍ…に対し
て照射し、そしてアライメントマーク１ｍ、３ｍからの
回折光あるいは散乱光を検出することにより、アライメ
ント計測を行なう。このとき、アライメント光Ｌａは、
Ｘ線Ｌに対して角度θだけ傾斜されて照射されており、
マスキングブレード５のそれぞれに傾斜して穿設された
長穴１０を介してマスク１のアライメントマーク１ｍお
よび基板３のアライメントマーク３ｍに照射される。そ
して、マスク１のアライメントマーク１ｍおよび基板３
のアライメントマーク３ｍにより反射されるアライメン
ト光Ｌａの回折光もマスキングブレード５の長穴１０を
介して通過して、アライメントスコープ７に検出され
る。そして、アライメント計測に応じて、マスクステー
ジ２あるいは基板ステージ４を適宜調整させることによ
り、マスク１および基板３の位置合わせを行なうことが
できる。そして、マスク１および基板３の位置合わせを
行った後に、露光光であるＸ線Ｌの照射によりマスク１
のマスクパターン１ｐを基板３の感光剤上へ露光転写を
行なう。このとき、Ｘ線Ｌは、マスキングブレード５の
長穴１０部分を透過することはなく、マスキングブレー
ド５により規制された所望の矩形状の露光画角を露光す
る。また、Ｘ線Ｌによる露光中においても、マスキング
ブレード５のそれぞれに穿設された長穴１０を介してア
ライメント光Ｌａをアライメントマーク１ｍ、３ｍに対
して照射することが可能であって、アライメント計測す
ることができ、マスクステージ２や基板ステージ４の熱
膨張等による変位をアライメント計測により検出でき、
マスク１と基板３の位置合わせ精度を向上させることが
できる。

【００２７】以上のように、マスキングブレード５に穿
設する長穴１０の形状を、上記の式（１）または式
（２）等のような関係をもって形成することにより、Ｘ
線Ｌは長穴１０部分を介して透過することがなく、長穴
１０を穿設したマスキングブレード５によってＸ線Ｌを
完全に遮断することができる。したがって、アライメン
ト光Ｌａによるアライメント計測時にも、マスキングブ
レード５を退避させる必要がなく、マスキングブレード
５により露光画角を規制した状態でアライメント計測す
ることができるために、スループットを向上させること
ができる。また、マスキングブレード５の移動を必要最
少限に抑えることができ、塵埃の発生を抑えることがで
きる。さらに、露光中においても、アライメント計測を
行なうことができ、マスクステージ２や基板ステージ４
の熱膨張等による変位をアライメント計測により検出で
き、マスク１と基板３の位置合わせ精度を向上させるこ
とができる。

【００２８】また、本発明においては、アライメント光
を透過し露光光としてのＸ線を遮断するガラス等のマス
キングブレードを用いる場合に比べて、ガラス製のマス
キングブレードのようなＸ線の照射を受けることによる
変質やアライメント光の透過率の変化が生じることがな
い。

【００２９】次に、上述したＸ線露光装置を用いたデバ
イスの製造方法の実施形態を説明する。

【００３０】図５は、微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の
半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、
マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１
（回路設計）ではデバイスのパターン設計を行なう。ス
テップ２（マスク製作）では設計したパターンを形成し
たマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）
ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、
上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技
術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステ
ップ５（組立）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって
作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であ
り、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、
パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ス
テップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デ
バイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行な
う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これ
が出荷（ステップ７）される。

【００３１】図６は、上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハにレジストを塗布する。
ステップ１６（露光）では上記説明した露光装置によっ
てマスクの回路パターンをウエハの複数のショット領域
に並べて焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光
したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）で
は現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ
１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要とな
ったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し
行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが
形成される。

【００３２】このようなデバイスの製造方法を用いれ
ば、従来は製造が難しかった高集積度のデバイスを低コ
ストに製造することができる。

【００３３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のＸ線露光
装置によれば、アライメント光によるアライメント計測
時にもマスキングブレードを退避させる必要がなく、マ
スキングブレードにより露光画角を規制した状態でアラ
イメント計測することができるために、スループットを
向上させることができる。さらに、露光中においても、
アライメント計測することができ、マスクステージや基
板ステージの熱膨張等による変位をアライメント計測に
より検出でき、マスクと基板の位置合わせ精度を向上さ
せることができる。マスキングブレードの移動を必要最
少限に抑えることができ、塵埃の発生を抑えることがで
きる。

【００３４】また、アライメント光を透過し露光光を遮
断するガラス等のマスキングブレードを用いる場合に比
べて、ガラス製のマスキングブレードのようなＸ線によ
る変質やアライメント光の透過率の変化が生じることが
なく、コンタミの影響がない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のＸ線露光装置を概略的に示す断面図で
ある。

【図２】本発明のＸ線露光装置をその一部を省略して概
略的に示す平面図である。

【図３】本発明のＸ線露光装置におけるマスクと基板お
よびマスキングブレードとアライメントスコープの位置
関係を模式的に示す斜視図である。

【図４】本発明のＸ線露光装置の要部を拡大して示す部
分的な拡大断面図である。

【図５】半導体デバイスの製造工程を示すフローチャー
トである。

【図６】ウエハプロセスを示すフローチャートである。

【図７】従来のＸ線露光装置を概略的に示す断面図であ
る。

【符号の説明】

１ マスク １ｐ マスクパターン １ｍ アライメントマーク ２ マスクステージ ３ 基板（ウエハ） ３ｍ アライメントマーク ４ 基板ステージ ５ マスキングブレード ６ ブレードステージ ７ アライメントスコープ １０ 長穴 Ｌ Ｘ線（露光光） Ｌａ アライメント光

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 マスクと基板を微小間隔をもって接近さ
   せて配置し、Ｘ線を露光して前記マスク上に描画された
   マスクパターンを前記基板上に転写するＸ線露光装置に
   おいて、露光画角を規制するマスキングブレードに長穴
   を穿設したことを特徴とするＸ線露光装置。
2. 【請求項２】 マスクと基板を微小間隔をもって接近さ
   せて配置し、Ｘ線を露光して前記マスク上に描画された
   マスクパターンを前記基板上に転写するＸ線露光装置に
   おいて、露光画角を規制するマスキングブレードに、Ｘ
   線を遮光しかつ該Ｘ線とは異なる角度から入射されるア
   ライメント光を透過させる傾斜した長穴を穿設したこと
   を特徴とするＸ線露光装置。
3. 【請求項３】 露光画角を規制するマスキングブレード
   に穿設された長穴は、前記マスキングブレードの先端縁
   に沿って設けられ、Ｘ線を遮光しかつ該Ｘ線とは異なる
   角度から入射されるアライメント光を透過させるように
   傾斜されていることを特徴とする請求項１または２記載
   のＸ線露光装置。
4. 【請求項４】 露光画角を規制するマスキングブレード
   および該マスキングブレードに穿設された長孔は、該長
   孔の幅をａ、アライメント光のＸ線に対する傾斜角を
   θ、マスキングブレードの厚さをｔとするとき、 ｔ＞ａ／ｓｉｎθ の関係となるように形成されていることを特徴とする請
   求項１ないし３のいずれか１項記載のＸ線露光装置。
5. 【請求項５】 露光画角を規制するマスキングブレード
   および該マスキングブレードに穿設された長孔におい
   て、Ｘ線の方向から該マスキングブレードを見たときの
   Ｘ線を完全に遮断するマスキングブレードの実質的な最
   低厚さは、マスキングブレードを透過するＸ線の透過強
   度が感光剤を感光しないためのマスキングブレードの最
   低厚さに等しいか、またはそれよりも大きい値となるよ
   うに設定されていることを特徴とする請求項１ないし３
   のいずれか１項記載のＸ線露光装置。
6. 【請求項６】 露光画角を規制するマスキングブレード
   および該マスキングブレードに穿設された長孔は、該長
   孔の幅をａ、アライメント光のＸ線に対する傾斜角を
   θ、前記マスキングブレードを透過するＸ線の透過強度
   が感光剤を感光しないための前記マスキングブレードの
   最低厚さをｔａ、前記マスキングブレードの厚さをｔと
   するとき、 ｔ≧（ａ／ｓｉｎθ）＋ｔａ の関係となるように形成されていることを特徴とする請
   求項１ないし３のいずれか１項記載のＸ線露光装置。
7. 【請求項７】 請求項１ないし６のいずれか１項記載の
   Ｘ線露光装置を用いてデバイスを製造することを特徴と
   するデバイス製造方法。