JPH08236425A - 放射線取出窓およびこれを有する露光装置 - Google Patents
放射線取出窓およびこれを有する露光装置Info
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- JPH08236425A JPH08236425A JP7038419A JP3841995A JPH08236425A JP H08236425 A JPH08236425 A JP H08236425A JP 7038419 A JP7038419 A JP 7038419A JP 3841995 A JP3841995 A JP 3841995A JP H08236425 A JPH08236425 A JP H08236425A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 露光装置などに好適な放射線取出窓として、
ベリリウム以外の材料の使用を可能にすること。 【構成】 ダイヤモンド製のＸ線取出窓１１の光源側
に、Ｘ線以外の波長（可視光や赤外線）を反射するアル
ミニウム膜１２を蒸着する。露光装置内に可視光や赤外
線が入射することを防ぎ、位置合わせ精度の劣化や温度
上昇などの問題を解決する。
ベリリウム以外の材料の使用を可能にすること。 【構成】 ダイヤモンド製のＸ線取出窓１１の光源側
に、Ｘ線以外の波長（可視光や赤外線）を反射するアル
ミニウム膜１２を蒸着する。露光装置内に可視光や赤外
線が入射することを防ぎ、位置合わせ精度の劣化や温度
上昇などの問題を解決する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シンクロトロン放射光
などの放射線を取り出すための放射線取出窓やこれを用
いた露光装置などに関する。
などの放射線を取り出すための放射線取出窓やこれを用
いた露光装置などに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来よりシンクロトロン放射源を光源と
して用いたＸ線露光装置等には、高真空であるシンクロ
トロン放射源と低真空もしくは減圧雰囲気もしくは大気
圧雰囲気にて露光を行う露光装置との間に真空隔壁を兼
ねたＸ線取出窓が必要であり、窓部材としてはＸ線の透
過率が高い材料が用いられる。
して用いたＸ線露光装置等には、高真空であるシンクロ
トロン放射源と低真空もしくは減圧雰囲気もしくは大気
圧雰囲気にて露光を行う露光装置との間に真空隔壁を兼
ねたＸ線取出窓が必要であり、窓部材としてはＸ線の透
過率が高い材料が用いられる。
【０００３】
【発明が解決しようとしている課題】現在、Ｘ線取出窓
の窓部材として最も一般的なのはベリリウム（Ｂｅ）で
あるが、ベリリウムはその製造過程で厚さむらが発生し
がちであり、これをＸ線露光装置の窓に用いると厚さむ
らがそのまま露光むらとなって転写されてしまう。
の窓部材として最も一般的なのはベリリウム（Ｂｅ）で
あるが、ベリリウムはその製造過程で厚さむらが発生し
がちであり、これをＸ線露光装置の窓に用いると厚さむ
らがそのまま露光むらとなって転写されてしまう。
【０００４】そこで窓部材としてベリリウム以外の材料
を考えてみると、例えばダイヤモンド、窒化シリコン、
炭化シリコン、有機膜、等が候補に挙がる。
を考えてみると、例えばダイヤモンド、窒化シリコン、
炭化シリコン、有機膜、等が候補に挙がる。
【０００５】ところが、これらの部材はＸ線以外の領
域、例えば可視光や赤外光領域に対しても透過性があ
る。光源に使われるシンクロトロン放射源はＸ線領域か
ら遠赤外領域まで連続的な光源であり、露光に必要なＸ
線以外の波長の光も含まれるため、ベリリウム以外の材
料を使用するとＸ線と共に可視光や赤外光などもＸ線透
過窓を通過することになる。露光装置ではマスクとウエ
ハの位置合わせのためのアライメント光に可視光または
赤外光を用いているので、露光装置内に位置合わせに用
いる波長の光と同様の光が入射することは位置合わせの
検出精度を悪化させる要因となり得る。更に、赤外線が
入射することによって露光装置内の温度が上昇し、転写
用のマスクやウエハが熱によって歪み、転写精度が悪く
なるという問題も発生し得る。
域、例えば可視光や赤外光領域に対しても透過性があ
る。光源に使われるシンクロトロン放射源はＸ線領域か
ら遠赤外領域まで連続的な光源であり、露光に必要なＸ
線以外の波長の光も含まれるため、ベリリウム以外の材
料を使用するとＸ線と共に可視光や赤外光などもＸ線透
過窓を通過することになる。露光装置ではマスクとウエ
ハの位置合わせのためのアライメント光に可視光または
赤外光を用いているので、露光装置内に位置合わせに用
いる波長の光と同様の光が入射することは位置合わせの
検出精度を悪化させる要因となり得る。更に、赤外線が
入射することによって露光装置内の温度が上昇し、転写
用のマスクやウエハが熱によって歪み、転写精度が悪く
なるという問題も発生し得る。
【０００６】本発明は上記従来の問題点を鑑みてなされ
たもので、窓部材としてベリリウム以外の材料を用いた
場合に発生し得る問題点を未然に解決した放射線取出窓
やこれを用いた露光装置などを提供することを目的とす
る。
たもので、窓部材としてベリリウム以外の材料を用いた
場合に発生し得る問題点を未然に解決した放射線取出窓
やこれを用いた露光装置などを提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明の好ましい形態は、ベリリウム以外のＸ線取出窓を用
いる際に、Ｘ線取出窓にＸ線以外の波長、例えば可視光
または赤外線などを透過させない膜を形成することを特
徴とするものである。これにより、露光装置内に露光に
不要な光が入射することを防ぎ、位置合わせ精度の劣化
や温度上昇などの問題が解決できるため転写精度が向上
する。
明の好ましい形態は、ベリリウム以外のＸ線取出窓を用
いる際に、Ｘ線取出窓にＸ線以外の波長、例えば可視光
または赤外線などを透過させない膜を形成することを特
徴とするものである。これにより、露光装置内に露光に
不要な光が入射することを防ぎ、位置合わせ精度の劣化
や温度上昇などの問題が解決できるため転写精度が向上
する。
【０００８】
【実施例】以下に本発明の実施例を図面を用いて詳細に
説明する。なお、以下の実施例では露光装置に適用した
例を示すが、本発明の放射線取出窓はこれには限定され
ず、顕微鏡や各種実験装置などにも広く適用することが
できる。また、光源としてはシンクロトロン放射光源に
限らず、レーザプラズマＸ線源やアンジュレータなど放
射線取出窓が必要な光源に広く適用可能である。
説明する。なお、以下の実施例では露光装置に適用した
例を示すが、本発明の放射線取出窓はこれには限定され
ず、顕微鏡や各種実験装置などにも広く適用することが
できる。また、光源としてはシンクロトロン放射光源に
限らず、レーザプラズマＸ線源やアンジュレータなど放
射線取出窓が必要な光源に広く適用可能である。
【０００９】＜実施例１＞図１はＸ線取出窓の第１実施
例を示す断面図である。また、図２はＸ線露光装置及び
光源であるシンクロトロン放射源の構成例を示す図であ
る。
例を示す断面図である。また、図２はＸ線露光装置及び
光源であるシンクロトロン放射源の構成例を示す図であ
る。
【００１０】同図において、１１はＸ線取出窓であるダ
イヤモンド膜、１２はダイヤモンド膜に蒸着され可視光
及び赤外光を反射するアルミニウム膜、１３はダイヤモ
ンド膜１１を製造する際に基板となり後にエッチングさ
れたシリコンウエハ、１４はビームライン、１５はウエ
ハ上に固定されたダイヤモンド膜をビームライン１４に
取り付けるためのフランジである。
イヤモンド膜、１２はダイヤモンド膜に蒸着され可視光
及び赤外光を反射するアルミニウム膜、１３はダイヤモ
ンド膜１１を製造する際に基板となり後にエッチングさ
れたシリコンウエハ、１４はビームライン、１５はウエ
ハ上に固定されたダイヤモンド膜をビームライン１４に
取り付けるためのフランジである。
【００１１】図１において、取出窓１１の左側はシンク
ロトロンからのビームライン、右側はＸ線露光装置であ
る。図２において、２１は発光源であるシンクロトロン
放射源、２２はシンクロトロン放射源２１から照射され
るシンクロトロン放射源ビーム、２３はシンクロトロン
放射源ビーム２２を露光領域に拡大する凸面ミラー、２
４は露光時間を制御するシャッタ、２５はＸ線マスク、
２６は半導体デバイスの回路パターンが転写されるウエ
ハである。
ロトロンからのビームライン、右側はＸ線露光装置であ
る。図２において、２１は発光源であるシンクロトロン
放射源、２２はシンクロトロン放射源２１から照射され
るシンクロトロン放射源ビーム、２３はシンクロトロン
放射源ビーム２２を露光領域に拡大する凸面ミラー、２
４は露光時間を制御するシャッタ、２５はＸ線マスク、
２６は半導体デバイスの回路パターンが転写されるウエ
ハである。
【００１２】本実施例ではＸ線取出窓１１の部材として
厚さ４μｍのダイヤモンド膜を用いている。このダイヤ
モンド膜の片側に全面にわたって厚さ約５０ｎｍのアル
ミニウム膜１２を均一に蒸着し、アルミニウム膜側をシ
ンクロトロン放射源側に配している。
厚さ４μｍのダイヤモンド膜を用いている。このダイヤ
モンド膜の片側に全面にわたって厚さ約５０ｎｍのアル
ミニウム膜１２を均一に蒸着し、アルミニウム膜側をシ
ンクロトロン放射源側に配している。
【００１３】なお、本実施例では、Ｘ線取出窓の製造工
程を簡略化するためアルミニウム膜を片面のみに設けて
いるが、両面に形成するようにしても良い。また、窓部
材としてはダイヤモンド他に、窒化シリコン、炭化シリ
コン、有機膜等も使用することができる。また、可視光
や赤外線の透過を防止するための蒸着膜としては、アル
ミニウムのほかにベリリウムなども採用することができ
る。
程を簡略化するためアルミニウム膜を片面のみに設けて
いるが、両面に形成するようにしても良い。また、窓部
材としてはダイヤモンド他に、窒化シリコン、炭化シリ
コン、有機膜等も使用することができる。また、可視光
や赤外線の透過を防止するための蒸着膜としては、アル
ミニウムのほかにベリリウムなども採用することができ
る。
【００１４】本実施例の作用効果を以下に説明する。
【００１５】Ｘ線露光装置にて必要とするＸ線の波長領
域は０．５ｎｍ〜５ｎｍである。それに対してシンクロ
トロン放射源光の波長は０．１ｎｍ程度から数千ｎｍの
赤外線領域まで連続的な分布を有している。一方、マス
クとウエハ上のパターンの位置合わせには波長７８０ｎ
ｍの半導体レーザーの光を用いている。また、マスクは
赤外線が当たることによって発熱しパターンが歪む可能
性がある。これらの波長の光はＸ線取出窓がダイヤモン
ドであればいずれも透過して入射されてくる。これらの
理由から上記シンクロトロン放射源のＸ線及び光の領域
のうち、波長約５００ｎｍ〜３０００ｎｍの可視光及び
赤外光を遮断する必要があり、この領域の光を反射する
ためにアルミニウム膜を採用した。アルミニウムは薄く
且つ均一に蒸着することが容易であり、必要とする波長
領域のＸ線を実用上問題の無い程度に透過し且つ可視光
〜赤外光に対しては高い反射率を持っているため、特に
シンクロトロン放射光用の放射線取出窓の蒸着膜として
非常に適している。
域は０．５ｎｍ〜５ｎｍである。それに対してシンクロ
トロン放射源光の波長は０．１ｎｍ程度から数千ｎｍの
赤外線領域まで連続的な分布を有している。一方、マス
クとウエハ上のパターンの位置合わせには波長７８０ｎ
ｍの半導体レーザーの光を用いている。また、マスクは
赤外線が当たることによって発熱しパターンが歪む可能
性がある。これらの波長の光はＸ線取出窓がダイヤモン
ドであればいずれも透過して入射されてくる。これらの
理由から上記シンクロトロン放射源のＸ線及び光の領域
のうち、波長約５００ｎｍ〜３０００ｎｍの可視光及び
赤外光を遮断する必要があり、この領域の光を反射する
ためにアルミニウム膜を採用した。アルミニウムは薄く
且つ均一に蒸着することが容易であり、必要とする波長
領域のＸ線を実用上問題の無い程度に透過し且つ可視光
〜赤外光に対しては高い反射率を持っているため、特に
シンクロトロン放射光用の放射線取出窓の蒸着膜として
非常に適している。
【００１６】また、窓部材の少なくとも放射源側に不要
光を透過させない膜を設けたので、可視光や赤外光など
の不要放射線が窓部材を透過することがなく、不要放射
線による窓部材そのものへの悪影響、例えば発熱や劣化
などが低減できる。
光を透過させない膜を設けたので、可視光や赤外光など
の不要放射線が窓部材を透過することがなく、不要放射
線による窓部材そのものへの悪影響、例えば発熱や劣化
などが低減できる。
【００１７】＜実施例２＞次に本発明の別の実施例を説
明する。図３は本発明を露光装置に用いた場合のＸ線取
出窓部分の断面図であり、図４は正面図を示す。図中、
先の図１と同一の符号は同一の部材を表す。
明する。図３は本発明を露光装置に用いた場合のＸ線取
出窓部分の断面図であり、図４は正面図を示す。図中、
先の図１と同一の符号は同一の部材を表す。
【００１８】図４において４１はＸ線露光に必要な領域
を示し、３１は可視光線並びに赤外線を反射する膜（ア
ルミニウム）を示す。また、３２は放射ビームの強度や
入射方向をモニタするためのフォトダイオードなどの半
導体光センサを示す。窓部材１１の材料としては、従来
のベリリウムに替わる、ダイヤモンド、窒化シリコン、
炭化シリコン、有機膜のいずれかである。
を示し、３１は可視光線並びに赤外線を反射する膜（ア
ルミニウム）を示す。また、３２は放射ビームの強度や
入射方向をモニタするためのフォトダイオードなどの半
導体光センサを示す。窓部材１１の材料としては、従来
のベリリウムに替わる、ダイヤモンド、窒化シリコン、
炭化シリコン、有機膜のいずれかである。
【００１９】本実施例では図４に示すように窓部材１１
に対して、露光に用いる領域４１を含む限定領域に反射
膜３１を設けたことを特徴としている。これによって、
反射膜３１の外側の領域から可視光及び赤外光がＸ線露
光装置内に入射してくる。この部分に光センサ３２を配
置することによってシンクロトロン放射源のビーム強度
や位置を検出することができる。反射膜３１が設けられ
ていない部分からは赤外光が露光装置内に導入される
が、僅かであるために温度上昇は大きな問題とはならな
い。
に対して、露光に用いる領域４１を含む限定領域に反射
膜３１を設けたことを特徴としている。これによって、
反射膜３１の外側の領域から可視光及び赤外光がＸ線露
光装置内に入射してくる。この部分に光センサ３２を配
置することによってシンクロトロン放射源のビーム強度
や位置を検出することができる。反射膜３１が設けられ
ていない部分からは赤外光が露光装置内に導入される
が、僅かであるために温度上昇は大きな問題とはならな
い。
【００２０】本実施例の作用効果を以下に説明する。
【００２１】仮に、Ｘ線取出窓に対してシンクロトロン
放射源側に光センサを配置したとすると、センサがＸ線
などのエネルギを吸収して発熱するが、シンクロトロン
放射源側は超高真空になっているため熱が逃げず、セン
サが高温になりノイズが大きくなるため測定の精度が下
がる。また、超高真空内で使用可能とするにはセンサの
材料も限定される。
放射源側に光センサを配置したとすると、センサがＸ線
などのエネルギを吸収して発熱するが、シンクロトロン
放射源側は超高真空になっているため熱が逃げず、セン
サが高温になりノイズが大きくなるため測定の精度が下
がる。また、超高真空内で使用可能とするにはセンサの
材料も限定される。
【００２２】これに対して本実施例では、光センサをＸ
線取出窓に対して露光装置側に設けることによってこれ
らの問題を未然に防いでいる。露光装置側は通常、減圧
または大気圧でＨｅ等のガスが充填されているため、セ
ンサの発熱はガスを通して緩和され、測定精度や寿命を
維持できる。
線取出窓に対して露光装置側に設けることによってこれ
らの問題を未然に防いでいる。露光装置側は通常、減圧
または大気圧でＨｅ等のガスが充填されているため、セ
ンサの発熱はガスを通して緩和され、測定精度や寿命を
維持できる。
【００２３】またこの際、Ｘ線取出窓に従来のベリリウ
ムを使用したとすると、可視光や赤外光を遮断するため
に、光センサは役に立たず高価で扱いが難しいＸ線セン
サを用いる必要があるが、本実施例では窓部材に光を透
過するダイヤモンドや窒化シリコン、炭化シリコン、有
機膜等を用いているため、安価な光センサが使用できこ
れにより装置の低コスト化を達成している。
ムを使用したとすると、可視光や赤外光を遮断するため
に、光センサは役に立たず高価で扱いが難しいＸ線セン
サを用いる必要があるが、本実施例では窓部材に光を透
過するダイヤモンドや窒化シリコン、炭化シリコン、有
機膜等を用いているため、安価な光センサが使用できこ
れにより装置の低コスト化を達成している。
【００２４】また、Ｘ線を必要とする露光領域に非常に
近いところに光センサを配置できるため、シンクロトロ
ン放射源ビームの位置変動に対して感度良く対応できる
という特徴も備えている。
近いところに光センサを配置できるため、シンクロトロ
ン放射源ビームの位置変動に対して感度良く対応できる
という特徴も備えている。
【００２５】＜実施例３＞次に上記説明した露光装置を
利用したデバイスの生産方法の実施例を説明する。
利用したデバイスの生産方法の実施例を説明する。
【００２６】図５は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半
導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マ
イクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１
（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。
ステップ２（マスク製作）では設計した回路パターンを
形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ
製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、
上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技
術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステ
ップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によ
って作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程
であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディン
グ）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含
む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半
導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷（ステップ７）される。
導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マ
イクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１
（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。
ステップ２（マスク製作）では設計した回路パターンを
形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ
製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、
上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技
術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステ
ップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によ
って作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程
であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディン
グ）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含
む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半
導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷（ステップ７）される。
【００２７】図６は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ
１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ
１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分
を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンが形成される。
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ
１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ
１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分
を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンが形成される。
【００２８】本実施例の製造方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを低コストに
製造することができる。
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを低コストに
製造することができる。
【００２９】
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、窓部材の
放射源側に不要光を透過させない膜を設けたので、不要
放射線による窓部材そのものへの悪影響が低減できる効
果を奏する。
放射源側に不要光を透過させない膜を設けたので、不要
放射線による窓部材そのものへの悪影響が低減できる効
果を奏する。
【００３０】請求項２記載の発明によれば、Ｘ線以外の
可視光もしくは赤外光を透過させない膜を設けたので、
ベリリウム以外のダイヤモンド、窒化シリコン、炭化シ
リコン、有機膜などといった材料を窓部材に使用するこ
とができ、ベリリウム窓が有していた課題を解決するこ
とができる。
可視光もしくは赤外光を透過させない膜を設けたので、
ベリリウム以外のダイヤモンド、窒化シリコン、炭化シ
リコン、有機膜などといった材料を窓部材に使用するこ
とができ、ベリリウム窓が有していた課題を解決するこ
とができる。
【００３１】請求項３記載の発明によれば、窓部材とし
てダイヤモンド、窒化シリコン、炭化シリコン、又は有
機膜を用い、これにアルミニウム膜を形成したので、ベ
リリウム膜が有していた課題を解決すると共に、可視光
から赤外光を効率よく反射できるという効果を奏する。
てダイヤモンド、窒化シリコン、炭化シリコン、又は有
機膜を用い、これにアルミニウム膜を形成したので、ベ
リリウム膜が有していた課題を解決すると共に、可視光
から赤外光を効率よく反射できるという効果を奏する。
【００３２】請求項４記載の発明によれば、放射線とし
て、Ｘ線から遠赤外線までの広い波長領域を有するシン
クロトロン放射光を用いることで、上記の各効果が更に
高まる。
て、Ｘ線から遠赤外線までの広い波長領域を有するシン
クロトロン放射光を用いることで、上記の各効果が更に
高まる。
【００３３】請求項５及び６記載の発明によれば、放射
線取出窓に部分的に膜を設けたことで、ビームモニタを
露光装置側に設置できるため装置の性能向上や低コスト
化がはかれる。
線取出窓に部分的に膜を設けたことで、ビームモニタを
露光装置側に設置できるため装置の性能向上や低コスト
化がはかれる。
【００３４】請求項７及び８記載の発明によれば、放射
線取出窓が、露光に不要な波長の光を透過しないので、
マスク・ウエハの位置合わせ精度の劣化を防ぐことがで
きる。さらに、放射線取出窓に赤外線領域の光を遮断す
るような膜を設ければ、露光装置内の温度上昇を防ぐこ
とができる。
線取出窓が、露光に不要な波長の光を透過しないので、
マスク・ウエハの位置合わせ精度の劣化を防ぐことがで
きる。さらに、放射線取出窓に赤外線領域の光を遮断す
るような膜を設ければ、露光装置内の温度上昇を防ぐこ
とができる。
【００３５】請求項９記載の発明によれば、従来では難
しかった高集積度のデバイスを低コストに生産すること
ができる。
しかった高集積度のデバイスを低コストに生産すること
ができる。
【図１】本発明の第１実施例の構成を示す断面図であ
る。
る。
【図２】Ｘ線露光装置の構成例を示す概念図である。
【図３】本発明の第２実施例の構成を示す断面図であ
る。
る。
【図４】第２実施例の実施例の構成を示す正面図であ
る。
る。
【図５】デバイス生産のフローを示す図である。
【図６】ウエハプロセスの詳細なフローを示す図であ
る。
る。
１１ Ｘ線取出窓 １２ 可視光及び赤外光反射膜 １３ 窓の補強材であるシリコンウエハ １４ ビームライン １５ フランジ ２１ シンクロトロン放射源 ２２ シンクロトロン放射光 ２３ Ｘ線ミラー ２４ シャッタ ２５ Ｘ線マスク ２６ ウエハ ３１ 可視光及び赤外光反射膜 ３２ 光センサ ４１ 露光領域
Claims (9)
- 【請求項１】 所望の波長を含む放射線を取り出すため
の放射線取出窓であって、該窓部材の少なくとも放射線
源側に、所望の波長以外の波長の少なくとも一部を透過
させない膜を設けたことを特徴とした放射線取出窓。 - 【請求項２】 所望のＸ線波長を含む放射線を取り出す
ための放射線取出窓であって、該窓部材の少なくとも一
方の面側に、可視光もしくは赤外光を透過させない膜を
設けたことを特徴とする放射線取出窓。 - 【請求項３】 窓部材がダイヤモンド、窒化シリコン、
炭化シリコン、又は有機膜からなる放射線取出窓であっ
て、該窓部材の少なくとも一方の面側にアルミニウム膜
を形成したことを特徴とする放射線取出窓。 - 【請求項４】 前記窓部材に供給される放射線はシンク
ロトロン放射光であることを特徴とする請求項１乃至３
のいずれか記載の放射線取出窓。 - 【請求項５】 窓部材に部分的に膜を形成したことを特
徴とする請求項１乃至３のいずれか記載の放射線取出
窓。 - 【請求項６】 窓部材の膜が形成されない部分を透過し
てくる光を検知する光センサを設けたことを特徴とする
請求項５記載の放射線取出窓。 - 【請求項７】 請求項１乃至６のいずれか記載の放射線
取出窓を有し、該窓を通過する放射線によって被露光物
を露光する手段を有することを特徴とする露光装置。 - 【請求項８】 被露光物はマスク及び／又はウエハであ
ることを特徴とする請求項７記載の露光装置。 - 【請求項９】 請求項８記載の露光装置を用いてデバイ
ス生産することを特徴とするデバイス生産方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7038419A JPH08236425A (ja) | 1995-02-27 | 1995-02-27 | 放射線取出窓およびこれを有する露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7038419A JPH08236425A (ja) | 1995-02-27 | 1995-02-27 | 放射線取出窓およびこれを有する露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08236425A true JPH08236425A (ja) | 1996-09-13 |
Family
ID=12524801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7038419A Withdrawn JPH08236425A (ja) | 1995-02-27 | 1995-02-27 | 放射線取出窓およびこれを有する露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08236425A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010135769A (ja) * | 2008-11-06 | 2010-06-17 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法 |
| JP2011530818A (ja) * | 2008-08-14 | 2011-12-22 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 放射源、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
| US9041912B2 (en) | 2008-07-11 | 2015-05-26 | Asml Netherlands B.V. | Spectral purity filters for use in a lithographic apparatus |
| EP3441820A1 (en) * | 2017-08-11 | 2019-02-13 | ASML Netherlands B.V. | Methods and apparatus for determining the position of a spot of radiation and inspection apparatus |
-
1995
- 1995-02-27 JP JP7038419A patent/JPH08236425A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9041912B2 (en) | 2008-07-11 | 2015-05-26 | Asml Netherlands B.V. | Spectral purity filters for use in a lithographic apparatus |
| US9195144B2 (en) | 2008-07-11 | 2015-11-24 | Asml Netherlands B.V. | Spectral purity filter, radiation source, lithographic apparatus, and device manufacturing method |
| JP2011530818A (ja) * | 2008-08-14 | 2011-12-22 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 放射源、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
| US9529283B2 (en) | 2008-08-14 | 2016-12-27 | Asml Netherlands B.V. | Radiation source, lithographic apparatus, and device manufacturing method |
| JP2010135769A (ja) * | 2008-11-06 | 2010-06-17 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法 |
| EP3441820A1 (en) * | 2017-08-11 | 2019-02-13 | ASML Netherlands B.V. | Methods and apparatus for determining the position of a spot of radiation and inspection apparatus |
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