JPH07135169A - Ｓｏｒ露光システム及びこれを用いて製造されたマスク - Google Patents

Ｓｏｒ露光システム及びこれを用いて製造されたマスク

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JPH07135169A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 シンクロトロン放射光源を複数の露光装置が
共有する露光システムにてＸ線マスクを高精度且つ低コ
ストで生産可能とすること。 【構成】 ＳＯＲ光源装置１を共通の照明光源とする複
数のＸ線露光装置からなるＸ線リソグラフィーシステム
において、少なくとも１つのビームライン４にＸ線マス
ク複製に使用可能な露光装置５を接続する。このビーム
ライン４は、ウエハ露光用のビームライン２１〜２８よ
りも長くして発散角が小さくなるように（すなわち露光
転写の解像力が高くなるように）構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は例えばデバイス製造に使
用される、シンクロトロン放射光を用いた露光装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】近来、高集積度の半導体集積回路の製造
において、Ｘ線を照明光としてマスクパターンを近接し
たウエハ上の感光材に露光転写するＸ線露光装置が提案
されている。
【０００３】半導体集積回路の製造では、生産性を上げ
るために露光プロセスを複数のラインで稼働させ、この
際、同一のＸ線マスクを複数個用意している。マスク上
に形成されるパターンは電子ビーム描画装置で描画して
作成する方法が一般的であるが、Ｘ線露光が有効な露光
方法と見られる２５６ＭｂｉｔＤＲＡＭ規模の集積度を
有する回路パターンを描画するのに要する時間は、数十
分から場合によっては数時間にもおよび、複数のマスク
を作成するためには大きな時間を要する。
【０００４】これに対して、電子ビーム描画装置で作成
した１枚の原版マスクを用い、等倍露光である近接Ｘ線
露光によって原版パターンを複製して複数のＸ線マスク
を作成する方法がある。Ｘ線露光装置は露光領域を大き
くとることができ、また、露光に要する時間も電子ビー
ム描画に比べて短いので、この方法によればマスクの生
産性を大きく向上させることができる。
【０００５】又、Ｘ線マスクには、Ｘ線を吸収するため
に０．７μｍ程度の厚さの金等の吸収体パターンがメッ
キまたはエッチングによって形成されている。電子ビー
ム描画法では厚い吸収体層を得るために多層の感光材を
用いるが、これに対して近接Ｘ線露光では解像できる深
度が大きくとれるため、十分な厚さの感光材を露光する
ことができ、単層の感光材を使用する露光プロセスが利
用できる。従って、Ｘ線露光法の方が電子ビーム描画法
よりも低コストでＸ線マスクを作成できる場合がある。
【０００６】以上の有利な条件から、ウエハ露光用のＸ
線マスクをＸ線露光装置で作成する方法が注目されてい
る。
【０００７】
【発明が解決しようとしている課題】近接露光では照明
光の平行性は転写する際のディストーションに大きく影
響する。すなわち照明光が完全な平行光でない限り、露
光領域の各所にはそれぞれ異なる入射角で照明光が照射
されるが、この角度にマスクと被露光体とのギャップ寸
法を乗じた値がマスク像と転写像とのずれとなるので、
ギャップ寸法が一定でなければ、マスク像と転写像との
ずれも一定でなくなる。
【０００８】シンクロトロン放射光を照明光源として利
用したＸ線露光装置では、例えば光源から１０ｍ程度離
れた位置にマスクを配置して、３０ｍｍ程度の露光領域
を確保することで、３ｍｒａｄの発散角を持つ照明光を
得ることができる。この場合、ギャップの設定精度が例
えば３μｍであれば、９ｎｍのマスク像と転写像とのず
れのばらつきを生じることになる。ウエハを露光する場
合は、例えば０．２μｍの解像力で露光する場合に要求
される重ね合わせ精度は５０ｎｍ程度であるので、９ｎ
ｍのずれは許容され得る。しかしながらマスクを複製す
る場合の精度としては問題となる。
【０００９】ところで、感光材のＸ線に対する感度は数
十ｍＪ／ｃ であるが、マスク基板に吸収される照明光
のエネルギーをこれに加えて、感光材の感度の２倍ほど
の照明光がマスクに投射される。マスクに吸収された照
明光は大部分が熱エネルギとなって、マスクとウエハと
の間の気体を介してウエハに伝わる。ウエハに伝わった
マスクからの熱エネルギと、感光材及びウエハに吸収さ
れた照明光による熱エネルギは、ウエハに密着している
ウエハチャックに放熱される。ところが、このような伝
熱経路の熱伝達率が悪い場合やあるいは照明光強度が大
きい場合には、露光中にウエハやマスクの温度が上昇し
てこれによって熱歪が発生するので解像力の悪化の原因
となる。従ってＸ線露光装置は、ウエハチャックを水冷
する等の工夫をした上で、解像力の許容値に入る範囲内
で照明光強度を大きくし、生産性が高くなるように構成
される。
【００１０】このようなＸ線露光装置を用いてマスクを
複製する場合、ウエハを露光する場合よりも高い解像力
が望まれる一方で、ウエハを露光する場合よりも構造的
に不利な条件がある。被露光用マスクの基板はパターン
を形成する部分は予めバックエッチングをしたものを使
う。この部分の基板の厚さは通常１〜２μｍ程度であ
り、この部分の裏面を直接チャックに密着させることは
困難である。従ってチャックに至る伝熱経路の熱伝達率
はウエハ露光の場合よりも小さくなる。このため、同じ
照明光強度では熱歪が大きくなり、ウエハ露光よりも高
い解像力を得るのが困難になってくる。
【００１１】本発明は上記課題を解決すべくなされたも
ので、Ｘ線マスクを複製するのに適したＳＯＲ露光シス
テムや露光装置を提供し、高精度且つ低コストでＸ線マ
スクを作成可能にすることを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明のＳＯＲ
露光システムは、共通のＳＯＲ光源からビームラインに
よって接続された複数のＸ線露光装置を有するＳＯＲ露
光システムにおいて、少なくとも１つのビームラインに
マスク複製に使用可能な露光装置を接続したことを特徴
とするものである。
【００１３】又、本発明のマスクは、原版マスクを用い
て近接露光によってパターン転写して複製された複製マ
スクにおいて、該原版マスクよりも高アスペクト比のパ
ターンを有することを特徴とする。
【００１４】本発明の複製マスク製造用露光装置は、露
光転写時に原版マスクと複製マスク用基板とが相対的に
移動しないように、原版マスクの保持手段と複製マスク
基板の保持手段とを結合するロック機構を設けたことを
特徴とする。
【００１５】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。図１は本実施例のＳＯＲ露光システムの全体構成図
を示す。同図において、１は電荷蓄積リングを含むＳＯ
Ｒ光源装置であり、電荷蓄積リング１から放射されたシ
ンクロトロン放射光は、ウエハ露光用の露光装置３１〜
２８に接続されたビームライン２１〜２８と、Ｘ線マス
ク複製用の露光装置５ａ，５ｂにそれぞれ接続されたビ
ームライン４ａ，４ｂとに供給される。ここでビームラ
イン２１〜２８よりもビームライン４ａ，４ｂの方が長
く、マスク複写用のビームライン４ａ，４ｂの方がビー
ムの発散角が小さくなるように（すなわち露光転写の解
像力が高くなるように）している。
【００１６】図２はウエハ露光装置３１〜２８が接続さ
れたビームライン２１〜２８の構成を示し、各ビームラ
インは同じ構成を有している。発光点５０からのシンク
ロトロン放射光５１は、ミラーチャンバ５２内の凸面Ｘ
線ミラー５３によって垂直方向に拡大反射される。そし
て、真空ダクト５４、真空隔壁５５、シャッターユニッ
ト５６を通ってマスク５８に投射され、マスクパターン
をウエハ５９に露光転写するようになっている。マスク
５８及びウエハ５９を内蔵する露光ユニット５７の内部
は１５０ｔｏｒｒ程の減圧されたＨｅ雰囲気となってい
る。真空隔壁５５は１５μｍ程の厚さのＢｅ箔を使うこ
とによって、真空隔壁５５からウエハ５９上の感光材に
至るまでの照明光の減衰が小さくなるようにしている。
以上の照明光学系はウエハを製造するために必要な解像
力と生産性（スループット）を満足する照明光強度にな
るように設計されている。
【００１７】この構成において、発光点５０からＸ線ミ
ラー５３までの距離は３ｍ、Ｘ線ミラー５３からマスク
５８までの距離は５ｍであり、発光点５０からマスク５
８までは計８ｍの距離を有する。ウエハ５９の露光領域
を３０ｍｍ角の矩形形状とすると、水平方向の発散角は
３．７５ｍｒａｄであり、垂直方向の発散角は６ｍｒａ
ｄである。マスク５８とウエハ５９とのギャップ寸法の
ばらつきを３μｍとすると、パターン転写する際に１８
ｎｍのディストーションが発生することになる。シンク
ロトロン放射光の強度や使用されるウエハ上の感光材の
感度にもよるが、照明光強度は露光時間が０．３〜１秒
程度になるように照明光学系は設計される。
【００１８】表１は図２のウエハ用の露光装置の照明系
の設計の詳細を示したものである。反射面の表面粗さが
１ｎｍ（ｒｍｓ）に加工された炭化シリコンのＸ線ミラ
ーを用いており、反射面に対するＳＯＲ光の主光線の入
射角は１５ｍｒａｄである。このミラーによってＳＯＲ
光の短波長成分の強度を低下させている。又、真空隔壁
となる１５μｍのＢｅ箔によって、長波長成分の強度を
低下させている。これらの光学系の諸元は、０．６μｍ
の厚さの金の吸収体パターンと、２μｍの厚さの窒化シ
リコンのメンブレンによってなるＸ線マスクを介して、
ウエハ上の化学増幅型のレジストに照射した場合に、レ
ジストに吸収される露光光の強度プロファイルとして、
実用上十分な強度とコントラストが得られるように定め
られたものである。
【００１９】表１の諸元を有する照明系によるレジスト
の吸収強度分布を図３に示す。同図において、実線はマ
スクの金の吸収体パターンが無い部位を透過した露光光
のスペクトルを示し、点線は金の吸収体がある部分を透
過した露光光のスペクトルを示す。露光光の吸収強度は
図３を波長で積分した値であり、金の吸収体がない部位
は２．１３ｍＷ／ｃｍ2、金の吸収対がある部位は０．
１７６ｍＷ／ｃｍ2である。転写に必要なレジストの最
適な吸収量を６０Ｊ／ｃｍ3とすると、レジストの厚さ
が１μｍであるから、露光時間は２．８秒である。又、
パターン部と非パターン部のコントラストは１２．１：
１である。
【００２０】次に、図４はＸ線マスク複製用露光装置５
ａ（又は５ｂ）が接続されたビームライン４ａ（又は４
ｂ）の構成を示す。発光点７０からのシンクロトロン放
射光７１は、ミラーユニット７２内の２枚の平面ミラー
７３，７４で２回反射する。そして真空ダクト７５、真
空隔壁７６を通って原版マスク７７に投射され、原版マ
スクパターンを被露光用マスク基板７８に露光転写する
ようになっている。
【００２１】ここで、光源からマスクまでの距離は３０
ｍであり、水平方向の発散角は１ｍｒａｄになる。垂直
方向にはミラーによって拡大することはせず、原版マス
ク７７と被露光用マスク７８とを照明光に対して垂直に
走査することによって、全露光領域を露光させる。この
場合は垂直方向には照明光は平行化されている。様々な
プロセスを経たウエハよりも平坦なマスク基板を被露光
体とするので、ギャップ寸法のばらつきを小さく設定す
ることができる。例えばギャップ寸法のばらつきを２μ
ｍとするとディストーションは２ｎｍにすることができ
る。
【００２２】表２は図４のＸ線マスク複製用の露光装置
の照明系の設計の詳細を示したものである。反射面の表
面粗さが４ｎｍ（ｒｍｓ）に加工された炭化シリコンの
Ｘ線ミラーを２枚用いており、いずれも反射面に対する
ＳＯＲ光の主光線の入射角は２６ｍｒａｄである。これ
らのミラーは短波長側の反射率が小さいので、ウエハ露
光用のビームラインで得られる露光光の中心波長よりも
長い波長が中心波長となる。真空隔壁７６の材質は厚さ
０．５μｍのポリイミドであり、露光装置内の減圧され
たＨｅ雰囲気とビームラインの真空とを隔てている。ポ
リイミドはＢｅよりも長波長側の透過率が高いので、Ｘ
線ミラーで選択された長波長の照明光を透過させること
ができる。
【００２３】表２のように構成された照明系は、先の表
１のものに比べて照明強度が小さく波長が長いが、以下
の理由によりマスク複製の露光装置に対してはより望ま
しい照明光を供給することができる。まず、照明強度が
小さいことによって、原版マスクや被露光基板となる複
製マスク用基板に生ずる露光エネルギによる発熱を小さ
くすることができるので、熱歪みが小さく、パターンの
転写位置精度を高くすることができる。このことは、複
製マスクのように被露光基板が薄膜である場合に特に有
効である。次に、波長が長いことはマスクからの回折光
の影響により解像力が悪化する要因となるが、これにつ
いては被露光基板となる複製マスク基板は様々なプロセ
スを経たウエハよりも平坦度が高いので、近接ギャップ
を小さくすることによって補うことができる。又、一方
で波長が長いと、露光光であるＸ線による二次電子の飛
程が短いので、この面では解像力が向上する要因とな
る。これらのことから、近接ギャップを小さく設定する
ことにより、結果的に高解像力を得ることができる。
【００２４】原版マスクの吸収体となるパターンは、電
子ビーム描画露光装置でレジストに描画した後、エッチ
ング又はメッキ法によって製造される。最終的に形成す
る吸収体の厚さが薄ければ薄いほど、発生する応力歪み
を小さくすることができ、又、吸収体の膜厚分布も小さ
くすることができ、転写の際のパターン線幅制度も向上
させることができる。又、メッキ法で製造する場合は、
吸収体として０．２μｍ程度の厚さならば、電子ビーム
描画の際に単層レジストを用いることができるし、エッ
チングで製造する場合でもプロセスが容易になる。この
ように、原版マスク製造の際には、吸収体パターンの厚
さが薄いほど精度の高いものが容易に製造できる。
【００２５】表２に示す照明系の諸元は、原版マスクの
金の吸収対が０．２μｍの厚さでも十分なコントラスト
が得られるような波長の露光光が選択されるよう定めら
れたものである。パターンの線幅寸法が０．２μｍであ
れば、厚さとの線幅の比すなわちアスペクト比は１であ
り、アスペクト比が小さいことも原版マスク製造上有利
である。この原版マスクを用いてさらにアスペクト比の
大きいＸ線マスクを複製することができる。
【００２６】表２の諸元を有する照明系によるレジスト
の吸収強度分布を図５に示す。同図において、実線はマ
スクの金の吸収体パターンが無い部位を透過した露光光
のスペクトルを示し、点線は金の吸収体がある部分を透
過した露光光のスペクトルを示す。先の図３と比較する
と、図５の方が中心波長が長いことが分かり、表２のよ
うな設計によってより長波長の照明光を得ることができ
る。露光光の吸収強度は図５を波長で積分した値であ
り、金の吸収体がない部位は０．０１１３ｍＷ／ｃ
ｍ2、金の吸収体がある部位は０．０００８１８ｍＷ／
ｃｍ2である。従って、パターン部と非パターン部のコ
ントラストは１３．８：１である。
【００２７】なお、シンクロトロン放射光に含まれる短
波長の光は、被露光体であるマスク基板から２次電子を
散乱させ感光材を感光させるので、マスク複製の際の解
像力を悪化させる要因となる。そこで図４の実施例では
有害な短波長成分を除外するために平面ミラー７３，７
４を用いている。しかしながらシンクロトロン放射光の
特性によっては、このような反射ミラーを設けない構成
も有効であり、その場合のマスク複製用のビームライン
の構成を図６に示す。図６のビームラインには先の図４
のような平面ミラーを含むミラーユニットはない。９０
は遮光部材であり、シンクロトロン放射光の垂直方向の
拡がりの内、中心部よりも上半分の内の一部だけを拘束
７１′として通過させるようにスリット状の開口部が形
成されている。遮光部材９０はＸ線を遮断するには十分
な厚さを有する金属であり、照明光の散乱を小さくする
ため、光線と平行になる面が小さくなるようにエッジ部
の形状が工夫されている。こうして短波長成分が相対的
に高強度になっている中心部分を除外し、短波長の光成
分が少ない部分を照明光として利用する。
【００２８】さて、図７はＸ線マスク複製用露光装置５
ａ（又は５ｂ）の詳細な構成を示す図である。被露光用
マスク基板７８は基板を支持する枠部８０を有してお
り、枠部８０が真空チャック８１に保持される。真空チ
ャック８１は板バネ機構８２によって保持部材８３に結
合されている。又、板バネ機構８２と並列に真空チャッ
ク８０を照明光軸方向に移動させるため、ギャップ設定
用駆動機構８４が３ヶ所に設けられている。それぞれの
ギャップ設定用駆動機構８４の駆動量を別々に設定する
ことにより、真空チャック８１を光軸方向に移動すると
共に傾きを調整することができ、ギャップ検出器８５の
検出値を用いて、原版マスク基板７７と被露光マスク基
板７８とのギャップを高精度で管理することができる。
【００２９】一方、原版マスク基板７７は真空チャック
７９に吸着され、真空チャック７９はフレーム８６に結
合されている。該フレーム８６と保持部材８３との間に
は、ロック用のアクチュエータ８７が設けられ、露光転
写時にはアクチュエータ８７を駆動することによって両
者を高い剛性で結合する。これにより原版マスク基板７
７と被露光用マスク基板７８とは実質的に一体物とな
り、これが照明光に対して直角に走査されて露光領域全
域が照明される。走査露光時には原版マスク基板７７と
被露光用マスク基板７８とは機械的にロックされるた
め、走査時の振動等による両者の相対的な位置ずれを減
少することができ、より高精度なＸ線マスクを提供でき
る。
【００３０】＜実施例２＞図８は本発明の第２の実施例
の構成を示す図であり、先の図２と同一の符号は同一の
部材を表わす。本実施例の装置は、同一の露光装置を半
導体デバイス製造とマスク複製の両方の用途に使用でき
るように構成したことを特徴とする。
【００３１】全体システムの構成は先の図１と同様であ
り、共通のＳＯＲ光源装置の周りに放射状に複数の露光
装置が接続された構成となっている。これら露光装置の
ビームラインのいずれかあるいは全部に、図８のような
Ｘ線の強度減衰手段１００が設けられている。
【００３２】図９、図１０は強度減衰手段１００の詳細
な構成を示す図である。チャンバ１０２の内部はビーム
ポートと同じ減圧状態となっている。半導体ウエハの露
光時すなわち高い生産性のために大きなＸ線強度が必要
な場合には、図９のように減衰フィルタ１０３を照明光
の使用領域（露光領域）１０１から退避させて、Ｘ線を
減衰させずに露光装置に導入する。一方、Ｘ線マスクを
複製する場合すなわち高い解像度が必要な場合には、図
１０に示すよう減衰フィルタ１０３を照明光の使用領域
１０１上に配置して、強度減衰されたＸ線を露光装置に
導入する。この切替はシリンダ１０４の駆動によって行
なう。なお、図１０の状態では減衰フィルタにはＸ線の
エネルギの一部が吸収されるので熱が発生する。そこで
この熱による温度上昇を抑えるために水冷による冷却手
段１０５が設けられている。
【００３３】減衰フィルタ１０３は、シリコンや、窒化
シリコン、炭化シリコン、ベリリウム等の薄板よりなる
フィルタと、このフィルタを固定する枠部材を有する。
このフィルタの厚さ寸法は、照明光の強度、原版のＸ線
マスクからチャックに至る熱伝達経路等を考慮し、熱歪
が所望の許容値以内になるように設定すればよい。
【００３４】なお、Ｘ線強度を減衰する機構は以上の形
態に限らずいくつかの変形例が考えられる。図１１は減
衰フィルタの別の例を示した図である。減衰率の異なる
複数のフィルタを枠部材１１０に設け、それぞれのフィ
ルタの内、選択されたものを照明光の使用領域に設置で
きるようにする。フィルタを切り替えることにより、適
切な強度のＸ線照明光を与えることができる。
【００３５】図１２は別の例を示した図である。照明光
の使用領域の幅寸法よりも大きな寸法の透過領域を持つ
フィルタ１１５を照明光路に設け、照明光に対するフィ
ルタ１１５の角度を調整するようにしたものである。照
明光がフィルタ１１５を透過する際の見かけの厚さを変
えることができるので、照明光の強度を任意に減衰する
ことができる。
【００３６】図１３は更に別の例を示した図であり、見
かけ上の照明光強度を減衰する例である。照明光を遮光
するためのほぼ半円状の２つの遮光板１２０，１２１が
照明光路中に設けられており、２つの遮光板の隙間を照
明光が通過できるようになっている。この隙間を維持し
たまま２つの遮光板を同時に回転させる。隙間が露光領
域を移動するのに要する時間が、Ｘ線マスクからチャッ
クに至る熱伝達経路の時定数よりも充分小さくなる速度
で隙間を移動させれば、露光領域に照射される照明光の
実質的な強度を減衰させることになる。又、隙間の寸法
を調整することによって減衰率を調整することができ
る。図１３では２つの遮光手段をそれぞれモータ１２
２，１２３によって同期回転させることによって隙間を
移動させており、隙間寸法は２つのモータの回転の位相
を調整することによって調整する。
【００３７】以上の実施例によれば、シンクロトロン放
射光等の共通の光源を利用するＸ線露光装置において、
他の露光装置の照明光強度に影響を与えることなく照明
光強度を調整することができるため、Ｘ線マスク複製時
にはＸ線強度を減衰することによって高い解像度が得ら
れ、一方、ウエハ露光時にはＸ線強度を大きくすること
によって高い生産性が得られる。又、Ｘ線マスクの複製
のみならず、より高精度のデバイスを製造する場合、す
なわち露光時間を要しても良いから高精度の露光を行な
いたいという場合にはＸ線強度を減衰すれば良く、より
集積度の高い半導体デバイスを製造することもできる。
【００３８】＜実施例３＞次に上記説明した露光装置を
利用したデバイスの製造方法の実施例を説明する。図１
４は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液
晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン
等）の製造のフローを示す。ステップ１（回路設計）で
はデバイスの回路設計を行なう。ステップ２（マスク製
作）では設計した回路パターンを形成したマスクを製作
する。このマスクの製作には上記説明した露光装置を使
用する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン
等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエ
ハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクと
ウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に
実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は
後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハ
を用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ
工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工
程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）
ではステップ５で作製されたデバイスの動作確認テス
ト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経
てデバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）され
る。
【００３９】図１５は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステッ
プ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上
に多重に回路パターンが形成される。本実施例の製造方
法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度のデバ
イスを高い生産性で製造することができる。
【００４０】
【表１】
【００４１】
【表２】
【００４２】
【発明の効果】本発明の露光システムを用いれば高精度
のＸ線マスクを低コストに提供することができる。又、
高集積度のデバイスを高い生産性で製造することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例のシンクロトロンＸ線露光システムの全
体図である。
【図２】ウエハ露光用のビームラインと露光装置の構成
を示す図である。
【図３】図２の装置を用いた際の、レジストの吸収強度
分布スペクトルを示すグラフ図である。
【図４】Ｘ線マスク複製用のビームラインと露光装置の
構成を示す図である。
【図５】図４の装置を用いた際の、レジストの吸収強度
分布スペクトルを示すグラフ図である。
【図６】波長選別用の平面ミラーを有さないＸ線マスク
複製用のビームラインの構成を示す図である。
【図７】Ｘ線マスク複製用露光装置の構成を示す図であ
る。
【図８】第２実施例のビームラインと露光装置の構成を
示す図である。
【図９】強度減衰手段の詳細な構成（Ｘ線を減衰しない
状態）を示すである。
【図１０】強度減衰手段の詳細な構成（Ｘ線を減衰した
状態）を示す図である。
【図１１】強度減衰の別の例を示す図である。
【図１２】強度減衰の別の例を示す図である。
【図１３】強度減衰の別の例を示す図である。
【図１４】デバイス製造フローを示す図である。
【図１５】ウエハプロセスの詳細なフローを示す図であ
る。
【符号の説明】
１ ＳＯＲ光源装置 ２１〜２８ ビームライン ３１〜３８ ウエハ露光用の露光装置 ４ａ，４ｂ ビームライン ５ａ，５ｂ Ｘ線マスク複製用の露光装置

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 共通のＳＯＲ光源からビームラインによ
    って接続された複数のＸ線露光装置を有するＳＯＲ露光
    システムにおいて、少なくとも１つのビームラインにマ
    スク複製に使用可能な露光装置を接続したことを特徴と
    するＳＯＲ露光システム。
  2. 【請求項２】 マスク複製に使用可能な露光装置が接続
    されたビームラインを他のビームラインよりも長くした
    ことを特徴とする請求項１記載のＳＯＲ露光システム。
  3. 【請求項３】 マスク複製に使用可能な露光装置が接続
    されたビームラインにＸ線強度調整手段を設けたことを
    特徴とする請求項１記載のＳＯＲ露光システム。
  4. 【請求項４】 マスク複製に使用可能な露光装置に供給
    する露光光の波長を、他の露光装置に供給するそれより
    長くしたことを特徴とする請求項１記載のＳＯＲ露光シ
    ステム。
  5. 【請求項５】 各ビームラインにはＸ線ミラーを含む照
    明光学系が設けられ、マスク複製に使用可能な露光装置
    が接続されたビームラインの照明光学系のＸ線ミラー反
    射面の表面粗さを、他のビームラインのそれよりも大き
    くしたことを特徴とする請求項１記載のＳＯＲ露光シス
    テム。
  6. 【請求項６】 各ビームラインにはＸ線ミラーを含む照
    明光学系が設けられ、マスク複製に使用可能な露光装置
    が接続されたビームラインの照明光学系のＸ線ミラーに
    対するビームの入射角を、他のビームラインのそれより
    も大きくしたことを特徴とする請求項１記載のＳＯＲ露
    光システム。
  7. 【請求項７】 マスク複製に使用可能な露光装置におけ
    る原版マスクと被露光基板とのプロキシミティギャップ
    を、他の露光装置のそれよりも小さくしたことを特徴と
    する請求項１記載のＳＯＲ露光システム。
  8. 【請求項８】 請求項１乃至７のいずれか記載のＳＯＲ
    露光システムを用いて製造されたことを特徴とするデバ
    イス。
  9. 【請求項９】 請求項１乃至７のいずれか記載のＳＯＲ
    露光システムを用いて製造されたことを特徴とするマス
    ク。
  10. 【請求項１０】 原版マスクを用いて近接露光によって
    パターン転写することを含む工程によって複製された複
    製マスクにおいて、該原版マスクよりも高アスペクト比
    のパターンを有することを特徴とする複製マスク。
  11. 【請求項１１】 露光転写時に原版マスクと複製マスク
    用基板とが相対的に移動しないように、原版マスクの保
    持手段と複製マスク基板の保持手段とを結合するロック
    機構を設けたことを特徴とする複製マスク製造用露光装
    置。
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