JP2002124461A - 平板投影装置、素子製造方法およびそれによって製造された素子 - Google Patents
平板投影装置、素子製造方法およびそれによって製造された素子Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は諸要素をより良好に等温に保持しう
る改良された平板投影装置を提供する。 【解決手段】 マスクテーブルＭＴ、基板テーブルＷ
Ｔ、投影システムＰＬおよび隔離した基準フレームＭＦ
からなる群から選択した少なくとも１個の要素を少なく
とも部分的に囲み、囲まれた要素の温度を制御する少な
くとも１個の温度制御部材ＶＣ，ＴＥ，ＴＢを含む。そ
れが部分的に囲む要素を作動の間等温に保持しやすくす
る表面仕上げが前記温度制御部材に対して選択される。
る改良された平板投影装置を提供する。 【解決手段】 マスクテーブルＭＴ、基板テーブルＷ
Ｔ、投影システムＰＬおよび隔離した基準フレームＭＦ
からなる群から選択した少なくとも１個の要素を少なく
とも部分的に囲み、囲まれた要素の温度を制御する少な
くとも１個の温度制御部材ＶＣ，ＴＥ，ＴＢを含む。そ
れが部分的に囲む要素を作動の間等温に保持しやすくす
る表面仕上げが前記温度制御部材に対して選択される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、放射線の投影ビー
ムを供給する放射システムと、所望のパターンに従って
前記投影ビームをパターン化するように作用するパター
ン化手段を支持する支持構造体と、基板を保持する基板
テーブルと、基板の目標部分上に前記パターン化された
ビームを投影する投影システムとを含む平板投影装置に
関する。
ムを供給する放射システムと、所望のパターンに従って
前記投影ビームをパターン化するように作用するパター
ン化手段を支持する支持構造体と、基板を保持する基板
テーブルと、基板の目標部分上に前記パターン化された
ビームを投影する投影システムとを含む平板投影装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】本明細書で使用している「パターン化手
段」という用語は基板の目標部分において形成すべきパ
ターンに対応したパターンの断面を到来する放射線ビー
ムに付与するために使用しうる手段を指すものと広義に
解釈し、これに関連して「光弁」という用語も使用しう
る。一般に、前記パターンは、例えば集積回路あるいは
その他の素子(以下を参照)のような目標部分において形
成される素子の特定の機能層に対応する。そのようなパ
ターン化手段は以下を含む。マスク。マスクの概念は平
板印刷技術において周知であり、バイナリ、交番相シフ
ト、および減衰相シフト並びに各種のハイブリッドのマ
スク型式のようなマスク型式を含む。放射線ビームにそ
のようなマスクを位置させることによって、マスクに衝
突する放射線を選択的に（透過マスクの場合は）透過
を、（反射マスクの場合は）反射を発生させる。マスク
の場合、支持構造体は一般にマスクが到来する放射線ビ
ームにおける所望の位置に確実に保持可能で、かつ希望
に応じてビームに対して相対運動可能にするマスクテー
ブルである。プログラム可能なミラーアレイ。そのよう
な素子の一例は粘弾性の制御層と反射面とを有するマト
リックス−アドレス可能な面である。そのような装置の
背景にある基本原理は(例えば)反射面のアドレス領域が
入射光線を回折光線として反射し、一方非アドレス領域
は入射光線を非回折光線として反射することである。適
当なフィルタを使用することによって、前記非回折光線
は反射されたビームから濾過され、回折された光線のみ
を残すことができる。このようにして、ビームはマトリ
ックス−アドレス可能な面のアドレスパターンに従って
パターン化されるようになる。必要なマトリックスのア
ドレス指定は適当な電子手段を使用して実行可能であ
る。そのようなミラーアレイに関するそれ以上の情報は
例えば、参考のために本明細書に含めている米国特許第
５，２９６，８９１号および同第５，５２３，１９３号
から収集しうる。プログラム化されたミラーアレイの場
合、前記支持構造体は、例えば必要に応じて固定あるい
は可動としうるフレームあるいはテーブルとして実施す
ればよい。プログラム化可能なＬＣＤアレイ。そのよう
な構造の一例が参考のために本明細書に含めている米国
特許第５，２２９，８７２号に提供されている。前述と
同様に、この場合の支持構造体は、例えば必要に応じて
固定あるいは可動としうるフレームあるいはテーブルと
すればよい。
段」という用語は基板の目標部分において形成すべきパ
ターンに対応したパターンの断面を到来する放射線ビー
ムに付与するために使用しうる手段を指すものと広義に
解釈し、これに関連して「光弁」という用語も使用しう
る。一般に、前記パターンは、例えば集積回路あるいは
その他の素子(以下を参照)のような目標部分において形
成される素子の特定の機能層に対応する。そのようなパ
ターン化手段は以下を含む。マスク。マスクの概念は平
板印刷技術において周知であり、バイナリ、交番相シフ
ト、および減衰相シフト並びに各種のハイブリッドのマ
スク型式のようなマスク型式を含む。放射線ビームにそ
のようなマスクを位置させることによって、マスクに衝
突する放射線を選択的に（透過マスクの場合は）透過
を、（反射マスクの場合は）反射を発生させる。マスク
の場合、支持構造体は一般にマスクが到来する放射線ビ
ームにおける所望の位置に確実に保持可能で、かつ希望
に応じてビームに対して相対運動可能にするマスクテー
ブルである。プログラム可能なミラーアレイ。そのよう
な素子の一例は粘弾性の制御層と反射面とを有するマト
リックス−アドレス可能な面である。そのような装置の
背景にある基本原理は(例えば)反射面のアドレス領域が
入射光線を回折光線として反射し、一方非アドレス領域
は入射光線を非回折光線として反射することである。適
当なフィルタを使用することによって、前記非回折光線
は反射されたビームから濾過され、回折された光線のみ
を残すことができる。このようにして、ビームはマトリ
ックス−アドレス可能な面のアドレスパターンに従って
パターン化されるようになる。必要なマトリックスのア
ドレス指定は適当な電子手段を使用して実行可能であ
る。そのようなミラーアレイに関するそれ以上の情報は
例えば、参考のために本明細書に含めている米国特許第
５，２９６，８９１号および同第５，５２３，１９３号
から収集しうる。プログラム化されたミラーアレイの場
合、前記支持構造体は、例えば必要に応じて固定あるい
は可動としうるフレームあるいはテーブルとして実施す
ればよい。プログラム化可能なＬＣＤアレイ。そのよう
な構造の一例が参考のために本明細書に含めている米国
特許第５，２２９，８７２号に提供されている。前述と
同様に、この場合の支持構造体は、例えば必要に応じて
固定あるいは可動としうるフレームあるいはテーブルと
すればよい。
【０００３】判り易くするために、本文の残りのある個
所においては、マスクおよびマスクテーブルを含む例を
特に指向する。しかしながら、そのような場合にも説明
される一般的な原理は前述したように広義のパターン化
手段に関連して理解すべきである。
所においては、マスクおよびマスクテーブルを含む例を
特に指向する。しかしながら、そのような場合にも説明
される一般的な原理は前述したように広義のパターン化
手段に関連して理解すべきである。
【０００４】例えば、集積回路（ＩＣｓ）の製造におい
て、平板投影装置が使用可能である。そのような場合、
パターン化手段はＩＣの個々の層に対応する回路パター
ンを発生させ、このパターンは放射線に感応する材料の
層（レジスト）をコーテイングした基板（シリコンウエ
ーファー）の（例えば１個以上のダイからなる）目標部
分上に像形成しうる。一般に、単一のウエーファーは一
時に投影システムを介して順次照射された隣接する目標
部分の全体ネットワークを包含する。マスクテーブル上
のマスクによってパターン化することを採用している現
在の装置においては、２種類の型式の機械の区別が可能
である。一方の型式の平板投影装置においては、各目標
部分は１回の操作で目標部分上にマスクパターン全体を
露出することによって照射される。そのような装置は通
常ウエーファーステッパと称されている。ステップ・ア
ンド・スキャン装置と一般に称される代替的な装置にお
いては、各目標部分は所定の基準方向（「スキャン」方
向）において投影ビームの下でマスクパターンを徐々に
スキャンし、一方前記方向に対して平行あるいは逆平行
の基板テーブルを同期的にスキャンすることによって照
射される。一般に、投影システムは倍率Ｍ（一般に＜
１）を有し、基板テーブルがスキャンされる速度Ｖはマ
スクテーブルがスキャンされる速度のＭ倍の係数であ
る。本明細書に記載の平板印刷装置に関する更なる情報
は例えば参考のために本明細書に含めている米国特許第
６，０４６，７９２号から収集しうる。
て、平板投影装置が使用可能である。そのような場合、
パターン化手段はＩＣの個々の層に対応する回路パター
ンを発生させ、このパターンは放射線に感応する材料の
層（レジスト）をコーテイングした基板（シリコンウエ
ーファー）の（例えば１個以上のダイからなる）目標部
分上に像形成しうる。一般に、単一のウエーファーは一
時に投影システムを介して順次照射された隣接する目標
部分の全体ネットワークを包含する。マスクテーブル上
のマスクによってパターン化することを採用している現
在の装置においては、２種類の型式の機械の区別が可能
である。一方の型式の平板投影装置においては、各目標
部分は１回の操作で目標部分上にマスクパターン全体を
露出することによって照射される。そのような装置は通
常ウエーファーステッパと称されている。ステップ・ア
ンド・スキャン装置と一般に称される代替的な装置にお
いては、各目標部分は所定の基準方向（「スキャン」方
向）において投影ビームの下でマスクパターンを徐々に
スキャンし、一方前記方向に対して平行あるいは逆平行
の基板テーブルを同期的にスキャンすることによって照
射される。一般に、投影システムは倍率Ｍ（一般に＜
１）を有し、基板テーブルがスキャンされる速度Ｖはマ
スクテーブルがスキャンされる速度のＭ倍の係数であ
る。本明細書に記載の平板印刷装置に関する更なる情報
は例えば参考のために本明細書に含めている米国特許第
６，０４６，７９２号から収集しうる。
【０００５】平板投影装置を使用した製造工程におい
て、（例えばマスクにおける）パターンは放射線感応材
料（レジスト）の層によって少なくとも部分的に被覆さ
れている基板上に像形成される。像形成段階の前に、基
板は、例えばプライミング、レジストコーティング、お
よびソフトベークのような各種の過程を通すことができ
る。露出後、基板には、例えば露出後ベーク（ＰＥ
Ｂ），現像、ハードベーク、および像形成された形成物
の測定／検査のようなその他の過程を実施しうる。この
ような配列の過程は例えばＩＣｓのような素子の個々の
層をパターン化する基準として使用される。そのような
パターン化された層は、次に例えばエッチィング、イオ
ン注入（ドーピング）、金属化、化学−機械的研磨等の
ような各種の過程を通すことができる。数枚の層が必要
とされる場合、全体の手順あるいはその変形を新規の各
層に対して繰り返す必要がある。最終的に、ある配列の
素子が基板（ウエーファー）に存在することになる。次
に、これらの素子は、例えばダイシング、あるいはソー
イングのような技術によって相互に分離され、その後個
々の素子はピン等に接続されたキャリヤに装着しうる。
そのような方法に関する更なる情報は、参考のために本
明細書に含めている、ＩＳＢＮ０−０７−０６７２５０
−４、マグローヒル出版社刊行ピータファンザント（Ｐ
ｅｔｅｒｖａｎ Ｚａｎｔ）による「マイクロチップ製
造：半導体処理に対する実用ガイド」（Ｍｉｃｒｏｃｈ
ｉｐ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ：Ａ Ｐｒａｃｔｉｃａｌ
Ｇｕｉｄｅｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｐｒｏ
ｃｅｓｓｉｎｇ）という名称の本から収集することがで
きる。
て、（例えばマスクにおける）パターンは放射線感応材
料（レジスト）の層によって少なくとも部分的に被覆さ
れている基板上に像形成される。像形成段階の前に、基
板は、例えばプライミング、レジストコーティング、お
よびソフトベークのような各種の過程を通すことができ
る。露出後、基板には、例えば露出後ベーク（ＰＥ
Ｂ），現像、ハードベーク、および像形成された形成物
の測定／検査のようなその他の過程を実施しうる。この
ような配列の過程は例えばＩＣｓのような素子の個々の
層をパターン化する基準として使用される。そのような
パターン化された層は、次に例えばエッチィング、イオ
ン注入（ドーピング）、金属化、化学−機械的研磨等の
ような各種の過程を通すことができる。数枚の層が必要
とされる場合、全体の手順あるいはその変形を新規の各
層に対して繰り返す必要がある。最終的に、ある配列の
素子が基板（ウエーファー）に存在することになる。次
に、これらの素子は、例えばダイシング、あるいはソー
イングのような技術によって相互に分離され、その後個
々の素子はピン等に接続されたキャリヤに装着しうる。
そのような方法に関する更なる情報は、参考のために本
明細書に含めている、ＩＳＢＮ０−０７−０６７２５０
−４、マグローヒル出版社刊行ピータファンザント（Ｐ
ｅｔｅｒｖａｎ Ｚａｎｔ）による「マイクロチップ製
造：半導体処理に対する実用ガイド」（Ｍｉｃｒｏｃｈ
ｉｐ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ：Ａ Ｐｒａｃｔｉｃａｌ
Ｇｕｉｄｅｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｐｒｏ
ｃｅｓｓｉｎｇ）という名称の本から収集することがで
きる。
【０００６】判り易くするために、投影システムは以下
「レンズ」称しうる。しかしながら、この用語は屈折光
学装置、反射光学装置および反射屈折光学装置を含む各
種の型式の投影システムを網羅するものとして広義に解
釈すべきである。本放射システムは、また放射線の投影
ビームを導き、形成し、あるいは制御するための設計型
式のいずれかによって作動する要素を含み、そのような
要素は集約して、あるいは単数で以下「レンズ」と称しう
る。更に、平板装置は２個以上の基板テーブル（および
（または）２個以上のマスクテーブル）を有する型式の
ものでよい。そのような「多段」装置において、並列で追
加のテーブルを使用することができ、あるいは１個以上
のテーブルを露出に使用している間に１個以上のテーブ
ルにおいて準備段階を実行することができる。例えば、
参考のために本明細書に含めている米国特許第５，９６
９，４４１号および国際特許第９８／４０７９１号に複
式段階の平板装置が記載されている。
「レンズ」称しうる。しかしながら、この用語は屈折光
学装置、反射光学装置および反射屈折光学装置を含む各
種の型式の投影システムを網羅するものとして広義に解
釈すべきである。本放射システムは、また放射線の投影
ビームを導き、形成し、あるいは制御するための設計型
式のいずれかによって作動する要素を含み、そのような
要素は集約して、あるいは単数で以下「レンズ」と称しう
る。更に、平板装置は２個以上の基板テーブル（および
（または）２個以上のマスクテーブル）を有する型式の
ものでよい。そのような「多段」装置において、並列で追
加のテーブルを使用することができ、あるいは１個以上
のテーブルを露出に使用している間に１個以上のテーブ
ルにおいて準備段階を実行することができる。例えば、
参考のために本明細書に含めている米国特許第５，９６
９，４４１号および国際特許第９８／４０７９１号に複
式段階の平板装置が記載されている。
【０００７】平板装置において、ウエーファー上に像形
成可能な形成物のサイズは投影放射線の波長によって制
限される。高密度の素子を備え、従って高作動速度の集
積回路を製造するには、より小さい形成物を像形成でき
ることが望ましい。殆んどの現在の平板投影装置は水銀
ランプあるいはエキシマレーザによって発生する紫外線
を採用しているが、約１３ｎｍのより短い波長の放射線
を使用することが提案されてきた。そのような放射線は
極紫外線（ＥＵＶ）あるいはソフトＸ線と称され、その
供給源としてはレーザ発生プラズマ源、放電プラズマ
源、あるいは電子ストレイジリングからのシンクロトロ
ン放射線を含む。シンクロトロン放射線を使用して平板
投影装置の概要設計が応用光学（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｏｐ
ｔｉｃｓ）の３２巻、２４号の６９２０―６９２９ペー
ジ（１９９３年）におけるジェイ・ビー・マーフィ他
（ＪＢ Ｍｕｒｐｈｙ ｅｔ ａｌ）による「Ｘ線を投影
するためのシンクロトロン放射線源およびコンデンサ」
（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ ｒａｄｉａｔｉｏｎ ｓｏｕ
ｒｃｃｅｓ ａｎｄ ｃｏｎｄｅｎｓｅｒｓ ｆｏｒ ｐｒ
ｏｊｅｃｔｉｏｎ ｘ−ｒａｙ ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈ
ｙ）に記載されている。
成可能な形成物のサイズは投影放射線の波長によって制
限される。高密度の素子を備え、従って高作動速度の集
積回路を製造するには、より小さい形成物を像形成でき
ることが望ましい。殆んどの現在の平板投影装置は水銀
ランプあるいはエキシマレーザによって発生する紫外線
を採用しているが、約１３ｎｍのより短い波長の放射線
を使用することが提案されてきた。そのような放射線は
極紫外線（ＥＵＶ）あるいはソフトＸ線と称され、その
供給源としてはレーザ発生プラズマ源、放電プラズマ
源、あるいは電子ストレイジリングからのシンクロトロ
ン放射線を含む。シンクロトロン放射線を使用して平板
投影装置の概要設計が応用光学（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｏｐ
ｔｉｃｓ）の３２巻、２４号の６９２０―６９２９ペー
ジ（１９９３年）におけるジェイ・ビー・マーフィ他
（ＪＢ Ｍｕｒｐｈｙ ｅｔ ａｌ）による「Ｘ線を投影
するためのシンクロトロン放射線源およびコンデンサ」
（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ ｒａｄｉａｔｉｏｎ ｓｏｕ
ｒｃｃｅｓ ａｎｄ ｃｏｎｄｅｎｓｅｒｓ ｆｏｒ ｐｒ
ｏｊｅｃｔｉｏｎ ｘ−ｒａｙ ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈ
ｙ）に記載されている。
【０００８】その他の提案された放射線の種類は電子ビ
ームやイオンビームを含む。これらの種類のビームはマ
スク、基板および光学要素を含むビーム軌道が高い真空
に保たれるべきという要件かＥＵＶと同じである。これ
はビームの吸収および（または）拡散を阻止することで
あり、それによって約１０-6ミリバール未満の全体圧力
がそのように荷電された粒子のビームに対して典型的に
必要である。それらの面に炭素の層が堆積することによ
ってウエーファーが汚損したり、ＥＵＶ放射線用の光学
要素が不具合とされる可能性があり、それが炭化水素の
粒子が一般的に１０-8あるいは１０-9ミリバール以下に
保たれるべきという別な要件を課する。さもなければ、
ＥＵＶ放射線を使用した装置に対しては、全体の真空圧
は典型的に大雑把な真空度である１０-3あるいは１０-4
ミリバールであるだけでよい。
ームやイオンビームを含む。これらの種類のビームはマ
スク、基板および光学要素を含むビーム軌道が高い真空
に保たれるべきという要件かＥＵＶと同じである。これ
はビームの吸収および（または）拡散を阻止することで
あり、それによって約１０-6ミリバール未満の全体圧力
がそのように荷電された粒子のビームに対して典型的に
必要である。それらの面に炭素の層が堆積することによ
ってウエーファーが汚損したり、ＥＵＶ放射線用の光学
要素が不具合とされる可能性があり、それが炭化水素の
粒子が一般的に１０-8あるいは１０-9ミリバール以下に
保たれるべきという別な要件を課する。さもなければ、
ＥＵＶ放射線を使用した装置に対しては、全体の真空圧
は典型的に大雑把な真空度である１０-3あるいは１０-4
ミリバールであるだけでよい。
【０００９】平板装置において電子ビームを使用するこ
とに関する更なる情報は例えば米国特許第５，０７９，
１２２号および同第５，２６０，１５１号並びに欧州特
許第Ａ−０９６５８８８号から収集しうる。
とに関する更なる情報は例えば米国特許第５，０７９，
１２２号および同第５，２６０，１５１号並びに欧州特
許第Ａ−０９６５８８８号から収集しうる。
【００１０】温度変化は熱膨張あるいは熱収縮および関
連のエラーをもたらすので、ある重要な要素の温度安定
性は平板装置において極めて重要である。
連のエラーをもたらすので、ある重要な要素の温度安定
性は平板装置において極めて重要である。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は諸要素がより良好に等温に保持可能である改良された
平板投影装置を提供することである。
は諸要素がより良好に等温に保持可能である改良された
平板投影装置を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、この目
的およびその他の目的は、放射線の投影ビームを提供す
る放射システムと、所望のパターンに従って投影ビーム
をパターン化するように作用するパターン化手段を支持
する支持構造体と、基板を保持する基板テーブルと、パ
ターン化したビームを基板の目標部分上に投影する投影
システムと、パターン化手段と基板の少なくとも一方の
ための位置センサが装着される隔離した基準フレーム
と、前記支持構造体、前記基板テーブル、前記投影シス
テム、および前記隔離した基準フレームとからなる群か
ら選択した少なくとも１個の要素を密閉する真空室と、
前記真空室の前記要素の１個を少なくとも部分的に囲む
少なくとも１個の温度制御部材であって、前記１個の要
素を作動中概ね等温に保つように概ね吸収および放射を
阻止する表面仕上げを少なくとも部分的に有する材料か
ら少なくとも部分的に形成されている温度制御部材とを
含む平板装置によって達成される。
的およびその他の目的は、放射線の投影ビームを提供す
る放射システムと、所望のパターンに従って投影ビーム
をパターン化するように作用するパターン化手段を支持
する支持構造体と、基板を保持する基板テーブルと、パ
ターン化したビームを基板の目標部分上に投影する投影
システムと、パターン化手段と基板の少なくとも一方の
ための位置センサが装着される隔離した基準フレーム
と、前記支持構造体、前記基板テーブル、前記投影シス
テム、および前記隔離した基準フレームとからなる群か
ら選択した少なくとも１個の要素を密閉する真空室と、
前記真空室の前記要素の１個を少なくとも部分的に囲む
少なくとも１個の温度制御部材であって、前記１個の要
素を作動中概ね等温に保つように概ね吸収および放射を
阻止する表面仕上げを少なくとも部分的に有する材料か
ら少なくとも部分的に形成されている温度制御部材とを
含む平板装置によって達成される。
【００１３】面の吸収と放射とは相互に連動している。
低い吸収は低い放射、あるいはその逆を意味する。吸収
係数と放射係数とは同一の値を有する。温度制御部材に
よって囲まれた要素と面する面に吸収および放射阻止仕
上げが提供される場合、放射係数が極めて低い、すなわ
ち制御部材がエネルギを全く放射しない、あるいは殆ど
放射しないことを意味し、かつ当該要素の温度が影響を
受けないことを意味するので、温度制御部材の温度変化
は放射を介しての要素に対する熱負荷を全く構成しな
い、あるいは殆ど構成しない。他方、温度制御部材に囲
まれた要素から離れる方向に面し、外部の熱源に向って
面している面に吸収および放射阻止面が提供される場
合、熱源から放射されたエネルギを吸収しないので、制
御部材の温度は全く変化しない、あるいは殆ど変化しな
い。制御部材の温度は変化しないので、囲まれた要素に
熱負荷を加えることはない。前記吸収および放射を阻止
する表面仕上げの放射係数は０．１未満であることが好
ましく、より好ましくは０．０５未満である。そのよう
な表面仕上げはミラー状の表面仕上げを適用することに
よって達成しうる。
低い吸収は低い放射、あるいはその逆を意味する。吸収
係数と放射係数とは同一の値を有する。温度制御部材に
よって囲まれた要素と面する面に吸収および放射阻止仕
上げが提供される場合、放射係数が極めて低い、すなわ
ち制御部材がエネルギを全く放射しない、あるいは殆ど
放射しないことを意味し、かつ当該要素の温度が影響を
受けないことを意味するので、温度制御部材の温度変化
は放射を介しての要素に対する熱負荷を全く構成しな
い、あるいは殆ど構成しない。他方、温度制御部材に囲
まれた要素から離れる方向に面し、外部の熱源に向って
面している面に吸収および放射阻止面が提供される場
合、熱源から放射されたエネルギを吸収しないので、制
御部材の温度は全く変化しない、あるいは殆ど変化しな
い。制御部材の温度は変化しないので、囲まれた要素に
熱負荷を加えることはない。前記吸収および放射を阻止
する表面仕上げの放射係数は０．１未満であることが好
ましく、より好ましくは０．０５未満である。そのよう
な表面仕上げはミラー状の表面仕上げを適用することに
よって達成しうる。
【００１４】ある有利な実施例において、前記要素と前
記真空室内の熱源との少なくとも一方に向かって面する
前記温度制御部材の面の少なくとも一部は概ね吸収およ
び放射を促進する表面仕上げを含む。本実施例に対し
て、要素の温度は制御部材から入射する放射線によって
調整しうる。本実施例から、要素の温度は制御部材から
の入射放射線によって調整しうる。他方、吸収および放
射を促進する表面仕上げに面する熱源からの放射線は温
度制御部材のその面によって吸収され、従って吸収され
てしまう。このように、熱源はその面によって反射さ
れ、重要な要素に対する熱負荷となることが阻止され
る。吸収および放射を促進する表面仕上げの放射係数は
少なくとも０．９、より好ましくは少なくとも０．９５
である。そのような表面仕上げは黒い表面仕上げを提供
することによって付与しうる。
記真空室内の熱源との少なくとも一方に向かって面する
前記温度制御部材の面の少なくとも一部は概ね吸収およ
び放射を促進する表面仕上げを含む。本実施例に対し
て、要素の温度は制御部材から入射する放射線によって
調整しうる。本実施例から、要素の温度は制御部材から
の入射放射線によって調整しうる。他方、吸収および放
射を促進する表面仕上げに面する熱源からの放射線は温
度制御部材のその面によって吸収され、従って吸収され
てしまう。このように、熱源はその面によって反射さ
れ、重要な要素に対する熱負荷となることが阻止され
る。吸収および放射を促進する表面仕上げの放射係数は
少なくとも０．９、より好ましくは少なくとも０．９５
である。そのような表面仕上げは黒い表面仕上げを提供
することによって付与しうる。
【００１５】更に、温度制御部材は所定の温度範囲に温
度制御部材を保つために約１００Ｗ／ミリケルビン（Ｗ
／ｍＫ）以上が有利である大きな熱伝導率を有する。
度制御部材を保つために約１００Ｗ／ミリケルビン（Ｗ
／ｍＫ）以上が有利である大きな熱伝導率を有する。
【００１６】温度制御部材は真空室の壁、真空室の壁か
らある距離をおいた別個の密閉体、あるいは真空ポンプ
への開口部の上の熱そらせ板でよい。そのような制御部
材は、また組み合わせてもよい。
らある距離をおいた別個の密閉体、あるいは真空ポンプ
への開口部の上の熱そらせ板でよい。そのような制御部
材は、また組み合わせてもよい。
【００１７】本発明の別な局面によると、放射線に感応
する材料の層によって少なくとも部分的に被覆された基
板を提供する段階と、放射システムを使用して放射線の
投影ビームを提供する段階と、投影ビームに断面にパタ
ーンを付与するパターン化手段を使用する段階と、放射
線感応材料の層の目標部分上に放射線のパターン化した
ビームを投影する段階と、真空室に設けられた要素を概
ね等温に保つために真空室に設けられた要素を少なくと
も部分的に囲む少なくとも１個の温度制御部材であっ
て、吸収および放射を阻止する表面仕上げを有する材料
から少なくとも部分的に形成された温度制御部材を提供
する段階とを含む素子製造方法が提供される。
する材料の層によって少なくとも部分的に被覆された基
板を提供する段階と、放射システムを使用して放射線の
投影ビームを提供する段階と、投影ビームに断面にパタ
ーンを付与するパターン化手段を使用する段階と、放射
線感応材料の層の目標部分上に放射線のパターン化した
ビームを投影する段階と、真空室に設けられた要素を概
ね等温に保つために真空室に設けられた要素を少なくと
も部分的に囲む少なくとも１個の温度制御部材であっ
て、吸収および放射を阻止する表面仕上げを有する材料
から少なくとも部分的に形成された温度制御部材を提供
する段階とを含む素子製造方法が提供される。
【００１８】本明細書ではＩＣの製造において本発明に
よる装置の使用を特に参照してよいが、そのような装置
はその他の多くの可能な用途を有することを明確に理解
すべきである。例えば、それは集積光学系、磁気ドメイ
ンメモリのための案内および検出パターン、液晶ディス
プレイパネル、薄膜磁気ヘッド等の製造に採用してもよ
い。当該技術分野の専門家はそのような代替的適用に関
して、ここで使用する「レチクル」、「ウエーファ
ー」、「ダイ」という用語はそれぞれより一般的な「マ
スク」、「基板」、および「目標部分」という用語に置
き換えたものと考えるべきである。
よる装置の使用を特に参照してよいが、そのような装置
はその他の多くの可能な用途を有することを明確に理解
すべきである。例えば、それは集積光学系、磁気ドメイ
ンメモリのための案内および検出パターン、液晶ディス
プレイパネル、薄膜磁気ヘッド等の製造に採用してもよ
い。当該技術分野の専門家はそのような代替的適用に関
して、ここで使用する「レチクル」、「ウエーファ
ー」、「ダイ」という用語はそれぞれより一般的な「マ
スク」、「基板」、および「目標部分」という用語に置
き換えたものと考えるべきである。
【００１９】本文書においては、「放射線」とか「ビー
ム」という用語は（例えば波長が３６５，２４８，１９
３，１５７あるいは１２６ｎｍである）紫外線や（例え
ば波長が５−２０ｎｍの範囲の）極紫外線並びに例えば
イオンビームあるいは電子ビームのような粒子ビームを
含む全ての種類の電磁放射線を網羅するために使用され
ている。
ム」という用語は（例えば波長が３６５，２４８，１９
３，１５７あるいは１２６ｎｍである）紫外線や（例え
ば波長が５−２０ｎｍの範囲の）極紫外線並びに例えば
イオンビームあるいは電子ビームのような粒子ビームを
含む全ての種類の電磁放射線を網羅するために使用され
ている。
【００２０】本発明の実施例を例示のみとして添付の概
略図面を参照して以下説明する。
略図面を参照して以下説明する。
【００２１】
【発明の実施の形態】図１は本発明の特定の実施例によ
る平板投影装置を概略図示する。本装置は以下を含む。
放射線（例えばＥＵＶ放射線）の投影ビームＰＢを供給
するための放射システムＥｘ，ＩＬ．この特定の場合、
放射システムは、また放射源ＬＡを含む。マスクＭＡ
（例えばレチクル）を保持するためのマスクホルダを備
え、物品ＰＬに対してマスクを正確に位置決めするため
に第１の位置決め手段に接続された第１の対象物テーブ
ル（マスクテーブル）。基板Ｗ（例えばレジストをコー
ティングしたシリコンウエーファー）を保持する基板ホ
ルダを備え、物品ＰＬに対して基板を正確に位置決めす
るために第２の位置決め手段に接続された第２の対象物
テーブル。基板Ｗの（例えば１個以上のダイを含む）目
標部分上へマスクＭＡの照射された部分を像形成するた
めの投影システム（「レンズ」）ＰＬ（例えば、反射投
影システム）。
る平板投影装置を概略図示する。本装置は以下を含む。
放射線（例えばＥＵＶ放射線）の投影ビームＰＢを供給
するための放射システムＥｘ，ＩＬ．この特定の場合、
放射システムは、また放射源ＬＡを含む。マスクＭＡ
（例えばレチクル）を保持するためのマスクホルダを備
え、物品ＰＬに対してマスクを正確に位置決めするため
に第１の位置決め手段に接続された第１の対象物テーブ
ル（マスクテーブル）。基板Ｗ（例えばレジストをコー
ティングしたシリコンウエーファー）を保持する基板ホ
ルダを備え、物品ＰＬに対して基板を正確に位置決めす
るために第２の位置決め手段に接続された第２の対象物
テーブル。基板Ｗの（例えば１個以上のダイを含む）目
標部分上へマスクＭＡの照射された部分を像形成するた
めの投影システム（「レンズ」）ＰＬ（例えば、反射投
影システム）。
【００２２】ここで説明するように、本装置は反射型式
（例えば反射マスクを有する）である。しかしながら、
一般に、それは例えば（透過マスクを備えた）透過型式
であってもよい。代替的に、本装置は例えば前述した型
式のプログラム化可能なミラーアレイのような別な種類
のパターン化手段を採用してもよい。
（例えば反射マスクを有する）である。しかしながら、
一般に、それは例えば（透過マスクを備えた）透過型式
であってもよい。代替的に、本装置は例えば前述した型
式のプログラム化可能なミラーアレイのような別な種類
のパターン化手段を採用してもよい。
【００２３】放射源ＬＡ（例えば、レーザ発生のプラズ
マ源あるいは放電源）が放射線のビームを発生させる。
このビームは直接あるいは例えばビームエクスパンダの
ような調節手段を通過した後照射システム（イルミネー
タ）に送り込まれる。イルミネータＩＬは、ビームにお
ける強度配分の（通常σ―外部およびσ−内部と称され
る）外側および（または）内側の半径方向範囲を設定す
るための調整手段から構成しうる。更に、一般に例えば
積分器やコンデンサのようなその他の各種の要素から構
成される。このように、マスクＭＡに衝突するビームＰ
Ｂは断面方向に所望の均一性と強度分布とを有する。
マ源あるいは放電源）が放射線のビームを発生させる。
このビームは直接あるいは例えばビームエクスパンダの
ような調節手段を通過した後照射システム（イルミネー
タ）に送り込まれる。イルミネータＩＬは、ビームにお
ける強度配分の（通常σ―外部およびσ−内部と称され
る）外側および（または）内側の半径方向範囲を設定す
るための調整手段から構成しうる。更に、一般に例えば
積分器やコンデンサのようなその他の各種の要素から構
成される。このように、マスクＭＡに衝突するビームＰ
Ｂは断面方向に所望の均一性と強度分布とを有する。
【００２４】図１に関して、放射源ＬＡは（放射源ＬＡ
が例えば水銀ランプである場合によくあることである
が）平板投影装置のハウジング内に位置してよいが、平
板投影装置から遠隔であってもよく、それが発生させる
放射線のビームは（例えば、適当な指向ミラーによっ
て）本装置内へ導かれる。この後者の場合の方法は放射
源ＬＡがエキシマレーザである場合によく見られる、本
発明および特許請求の範囲はこれら双方の場合を網羅し
ている。
が例えば水銀ランプである場合によくあることである
が）平板投影装置のハウジング内に位置してよいが、平
板投影装置から遠隔であってもよく、それが発生させる
放射線のビームは（例えば、適当な指向ミラーによっ
て）本装置内へ導かれる。この後者の場合の方法は放射
源ＬＡがエキシマレーザである場合によく見られる、本
発明および特許請求の範囲はこれら双方の場合を網羅し
ている。
【００２５】その後ビームＰＢはマスクテーブルＭＴに
保持されたマスクＭＡを遮る。ビームＰＢはマスクＭＡ
によって選択的に反射されているので、レンズＰＬを通
過し、該レンズはビームＰＢを基板Ｗの目標部分Ｃ上に
集光する。第２の位置決め手段（および干渉測定手段Ｉ
Ｆ）によって、基板テーブルＷＴは正確に運動し、例え
ばビームＰＢの通路において種々の目標部分Ｃを位置決
めする。同様に、第１の位置決め手段を使用して、例え
ばマスクＭＡがマスクライブラリから機械的に検索され
た後、あるいはスキャンの間にビームＰＢの通路に対し
てＭＡを正確に位置決めすることができる。一般に、対
象物テーブルＭＴ，ＷＴの運動は図１に明確に示してい
ないが長いストロークのモジュール（粗い位置決め）お
よび短いストロークのモジュール（微細な位置決め）の
援助によって実現される。しかしながら、（ステップ・
アンド・スキャン装置とは対照的に）ウエーファーステ
ッパの場合、マスクテーブルＭＴは短いストロークのモ
ジュールに接続あるいは固定してよい。
保持されたマスクＭＡを遮る。ビームＰＢはマスクＭＡ
によって選択的に反射されているので、レンズＰＬを通
過し、該レンズはビームＰＢを基板Ｗの目標部分Ｃ上に
集光する。第２の位置決め手段（および干渉測定手段Ｉ
Ｆ）によって、基板テーブルＷＴは正確に運動し、例え
ばビームＰＢの通路において種々の目標部分Ｃを位置決
めする。同様に、第１の位置決め手段を使用して、例え
ばマスクＭＡがマスクライブラリから機械的に検索され
た後、あるいはスキャンの間にビームＰＢの通路に対し
てＭＡを正確に位置決めすることができる。一般に、対
象物テーブルＭＴ，ＷＴの運動は図１に明確に示してい
ないが長いストロークのモジュール（粗い位置決め）お
よび短いストロークのモジュール（微細な位置決め）の
援助によって実現される。しかしながら、（ステップ・
アンド・スキャン装置とは対照的に）ウエーファーステ
ッパの場合、マスクテーブルＭＴは短いストロークのモ
ジュールに接続あるいは固定してよい。
【００２６】図示した装置は２種類のモードで使用可能
である。 １．ステップモードにおいて、マスクテーブルＭＴは基
本的に静止状態に保たれ、マスク全体の像が一回の操作
（すなわち一回の「フラッシュ」）で目標部分Ｃ上に投
影される。次に、種々の目標部分ＣがビームＰＢによっ
て照射されうるように基板テーブルＷＴがｘおよびｙ方
向に移動される。 ２．スキャンモードにおいて、特定の目標部分Ｃが一回
の「ファラッシュ」で露出されないことを除いて同じ手
順が適用される。その代わりに、マスクテーブルＭＴは
ｖの速度で特定の方向（所謂「スキャン方向」、例えば
ｙ方向）に運動可能で、そのため投影ビームＰＢはマス
ク像の上をスキャンするようにされ、同時に基板テーブ
ルＷＴは同時に速度Ｖ＝Ｍｖで同じ方向あるいは反対の
方向に運動する。ＭはレンズＰＬの倍率（典型的には、
Ｍ＝１／４または１／５）である。このように、比較的
大きな目標部分Ｃを解像力を犠牲にする必要なく露出す
ることができる。
である。 １．ステップモードにおいて、マスクテーブルＭＴは基
本的に静止状態に保たれ、マスク全体の像が一回の操作
（すなわち一回の「フラッシュ」）で目標部分Ｃ上に投
影される。次に、種々の目標部分ＣがビームＰＢによっ
て照射されうるように基板テーブルＷＴがｘおよびｙ方
向に移動される。 ２．スキャンモードにおいて、特定の目標部分Ｃが一回
の「ファラッシュ」で露出されないことを除いて同じ手
順が適用される。その代わりに、マスクテーブルＭＴは
ｖの速度で特定の方向（所謂「スキャン方向」、例えば
ｙ方向）に運動可能で、そのため投影ビームＰＢはマス
ク像の上をスキャンするようにされ、同時に基板テーブ
ルＷＴは同時に速度Ｖ＝Ｍｖで同じ方向あるいは反対の
方向に運動する。ＭはレンズＰＬの倍率（典型的には、
Ｍ＝１／４または１／５）である。このように、比較的
大きな目標部分Ｃを解像力を犠牲にする必要なく露出す
ることができる。
【００２７】前記例の平板投影装置はビームＰＢがマス
クＭＡに衝突し、その後基板Ｗの目標部分に衝突する真
空室ＶＣを含む。
クＭＡに衝突し、その後基板Ｗの目標部分に衝突する真
空室ＶＣを含む。
【００２８】所謂「度量衡フレーム」ＭＦが本装置の主
要構造体から機械的に隔離された基準の隔離フレームを
提供し、例えば干渉計ＩＦおよびその他の位置センサの
ような感応要素を支持し、それらを振動から隔離する。
基準フレームは、例えばインバール（登録商標）のよう
な熱膨張係数が極めて低い材料で作りうるが、度量衡フ
レームやそれに装着された要素は等温に、そうでなくて
も最大温度が０．１℃未満であるように保持すべきであ
る。
要構造体から機械的に隔離された基準の隔離フレームを
提供し、例えば干渉計ＩＦおよびその他の位置センサの
ような感応要素を支持し、それらを振動から隔離する。
基準フレームは、例えばインバール（登録商標）のよう
な熱膨張係数が極めて低い材料で作りうるが、度量衡フ
レームやそれに装着された要素は等温に、そうでなくて
も最大温度が０．１℃未満であるように保持すべきであ
る。
【００２９】本実施例の平板投影装置は密閉体によって
囲まれた要素の温度に影響するある要素を囲んでいる温
度制御部材としての密閉体を含む。そのような密閉体に
よって囲まれる典型的な要素は第１と第２の対象物テー
ブル、投影システム、および度量衡フレームを含む。前
記密閉体は本実施例においては真空室ＶＣの壁によって
少なくとも部分的に形成されている。別な密閉体ＴＥが
真空室の壁の一部と温度に対して敏感な要素との間に存
在していることが判る。図面は例示目的のためのみであ
る。実際の状況においては、そのような熱密閉体ＴＥは
そのような敏感な要素を完全に密閉してよい。
囲まれた要素の温度に影響するある要素を囲んでいる温
度制御部材としての密閉体を含む。そのような密閉体に
よって囲まれる典型的な要素は第１と第２の対象物テー
ブル、投影システム、および度量衡フレームを含む。前
記密閉体は本実施例においては真空室ＶＣの壁によって
少なくとも部分的に形成されている。別な密閉体ＴＥが
真空室の壁の一部と温度に対して敏感な要素との間に存
在していることが判る。図面は例示目的のためのみであ
る。実際の状況においては、そのような熱密閉体ＴＥは
そのような敏感な要素を完全に密閉してよい。
【００３０】真空ポンプＶＰは真空室と関連しており、
極めて高温になりうる。例えば、ターボ−分子ポンプの
ロータは８０℃程度まで高くなりうる。真空ポンプへの
開口部の上に別な温度制御部材として熱そらせ板ＴＢを
設けることにより、真空室内の要素を等温に保持し易く
する。
極めて高温になりうる。例えば、ターボ−分子ポンプの
ロータは８０℃程度まで高くなりうる。真空ポンプへの
開口部の上に別な温度制御部材として熱そらせ板ＴＢを
設けることにより、真空室内の要素を等温に保持し易く
する。
【００３１】本発明によると、温度制御部材が少なくと
も部分的に囲む要素の温度を制御するために平板投影装
置の温度制御部材に特殊な表面仕上げが適用される。そ
の対象となる部材は前述したように密閉体、真空室の壁
あるいは熱そらせ板でよい。
も部分的に囲む要素の温度を制御するために平板投影装
置の温度制御部材に特殊な表面仕上げが適用される。そ
の対象となる部材は前述したように密閉体、真空室の壁
あるいは熱そらせ板でよい。
【００３２】温度を制御する部材には例えば研磨によっ
てミラー状の表面仕上げが提供される。そのような表面
仕上げは好ましくは０．１以下，あるいは０．０５以下
でさえ好ましい低い放射性、すなわち放射係数を有する
吸収および放射を阻止する表面仕上げを提供する。ま
た、ミラー状の表面仕上げはそれ自体が低い放射係数を
有する材料に適用されることも好ましい。ミラー状表面
仕上げは真空室ＶＣの壁の内面に、真空室の壁に面する
密閉体ＴＥの外側に、そしてそらせ板ＴＢの（真空ポン
プＶＣおよび密閉体ＴＥに向って面する）両方の側に対
して適用される。
てミラー状の表面仕上げが提供される。そのような表面
仕上げは好ましくは０．１以下，あるいは０．０５以下
でさえ好ましい低い放射性、すなわち放射係数を有する
吸収および放射を阻止する表面仕上げを提供する。ま
た、ミラー状の表面仕上げはそれ自体が低い放射係数を
有する材料に適用されることも好ましい。ミラー状表面
仕上げは真空室ＶＣの壁の内面に、真空室の壁に面する
密閉体ＴＥの外側に、そしてそらせ板ＴＢの（真空ポン
プＶＣおよび密閉体ＴＥに向って面する）両方の側に対
して適用される。
【００３３】この結果、真空室の壁における熱変動は部
分的に囲まれた要素に発散されず、壁は多くのエネルギ
を発散しないので該壁の正確な温度制御は極めて重要と
いうのではない。本実施例において、真空室の壁は放射
率、すなわち特定の温度におけるある面の放射パワーの
同じ温度および周囲環境における黒体の放射パワーに対
する比率が最適には多くて０．１，好ましくは０．０５
未満となるように調製された面を有する。このように、
部分的に囲まれた要素の最大の温度差は０．１℃程度低
く抑えればよく、これはある平板投影装置における要件
である。
分的に囲まれた要素に発散されず、壁は多くのエネルギ
を発散しないので該壁の正確な温度制御は極めて重要と
いうのではない。本実施例において、真空室の壁は放射
率、すなわち特定の温度におけるある面の放射パワーの
同じ温度および周囲環境における黒体の放射パワーに対
する比率が最適には多くて０．１，好ましくは０．０５
未満となるように調製された面を有する。このように、
部分的に囲まれた要素の最大の温度差は０．１℃程度低
く抑えればよく、これはある平板投影装置における要件
である。
【００３４】しかしながら、真空室内の熱源はそれらの
放射線がミラー状の真空室の壁によって温度に感応する
要素に反射される可能性がある。従って、吸収を促進す
る表面仕上げを有する別個の密閉体ＴＥが採用されるの
である。温度制御部材ＴＥの吸収（および放射）を促進
する表面仕上げが真空室の内部に向って面する面に適用
される。熱源からの放射線は吸収されるのであり、反射
されず、その他の要素に対する熱負荷を構成する。黒い
表面仕上げは好ましくは０．９以上の値、あるいは０．
９５の値さえも有する高い透過係数あるいは放射係数を
提供する。ＳｉＯ2の真空とは相容性のコーティングも
また約０．９という高い放射係数を提供する。このよう
に、密閉体は効率的に放射し、かつ密閉された要素から
放射される放射線を効率的に吸収するので部分的に密閉
された要素の温度は密閉体ＴＥのそれと同じ温度まで制
御可能である。
放射線がミラー状の真空室の壁によって温度に感応する
要素に反射される可能性がある。従って、吸収を促進す
る表面仕上げを有する別個の密閉体ＴＥが採用されるの
である。温度制御部材ＴＥの吸収（および放射）を促進
する表面仕上げが真空室の内部に向って面する面に適用
される。熱源からの放射線は吸収されるのであり、反射
されず、その他の要素に対する熱負荷を構成する。黒い
表面仕上げは好ましくは０．９以上の値、あるいは０．
９５の値さえも有する高い透過係数あるいは放射係数を
提供する。ＳｉＯ2の真空とは相容性のコーティングも
また約０．９という高い放射係数を提供する。このよう
に、密閉体は効率的に放射し、かつ密閉された要素から
放射される放射線を効率的に吸収するので部分的に密閉
された要素の温度は密閉体ＴＥのそれと同じ温度まで制
御可能である。
【００３５】真空室に面する密閉体ＴＥの側には真空室
の壁ＶＣあるいは熱そらせ板ＴＢからの何らかの残余放
射線を反射するように吸収を阻止する（ミラー状の）表
面仕上げが提供されている。このように、更に良好な温
度制御が達成される。熱そらせ板ＴＢには真空ポンプＶ
Ｐからの放射線は吸収せず、かつ密閉体ＴＥに向かって
放射しないようにしてより良好な温度制御を行なうよう
に両側に吸収および放射を阻止する表面仕上げが提供さ
れている。
の壁ＶＣあるいは熱そらせ板ＴＢからの何らかの残余放
射線を反射するように吸収を阻止する（ミラー状の）表
面仕上げが提供されている。このように、更に良好な温
度制御が達成される。熱そらせ板ＴＢには真空ポンプＶ
Ｐからの放射線は吸収せず、かつ密閉体ＴＥに向かって
放射しないようにしてより良好な温度制御を行なうよう
に両側に吸収および放射を阻止する表面仕上げが提供さ
れている。
【００３６】密閉体ＴＥは、また温度に感応する要素を
真空室内で緊密に密閉するように構成しうる。更に、温
度に感応する要素には何らかの残留熱負荷放射線を反射
する吸収を阻止する表面仕上げ、あるいは密閉体ＴＥに
よって効率的に温度制御するための吸収を促進する表面
仕上げを設ければよい。
真空室内で緊密に密閉するように構成しうる。更に、温
度に感応する要素には何らかの残留熱負荷放射線を反射
する吸収を阻止する表面仕上げ、あるいは密閉体ＴＥに
よって効率的に温度制御するための吸収を促進する表面
仕上げを設ければよい。
【００３７】また、１００Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有
する材料は密閉体の温度を概ね均一に有利に保持しうる
ようにすることが判明した。温度を制御するための部材
の材料２００Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有することが好
ましい。そのような材料はアルミニューム、銅およびそ
れらの合金である。例えば水のような流体を通すための
流路を温度制御部材に設けるような、温度制御部材の温
度を調節する何れかの手段を採用すると有利である。
する材料は密閉体の温度を概ね均一に有利に保持しうる
ようにすることが判明した。温度を制御するための部材
の材料２００Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有することが好
ましい。そのような材料はアルミニューム、銅およびそ
れらの合金である。例えば水のような流体を通すための
流路を温度制御部材に設けるような、温度制御部材の温
度を調節する何れかの手段を採用すると有利である。
【００３８】本発明の特定の実施例を説明してきたが、
本発明は前述したもの以外の方法でも実施可能であるこ
とが認められる。前述の説明は本発明を制限する意図の
ものではない。
本発明は前述したもの以外の方法でも実施可能であるこ
とが認められる。前述の説明は本発明を制限する意図の
ものではない。
【図１】本発明の実施例による平板投影装置を示す。
Ｃ 目標部分 ＩＦ 干渉計 ＩＬ 放射システム ＬＡ 熱源 ＭＡ マスク ＭＦ 度量衡テーブル ＭＴ マスクテーブル ＰＢ 投影ビーム ＰＬ レンズ ＴＢ 熱そらせ板 ＴＥ 密閉体 ＶＣ 真空室 ＶＰ 真空ポンプ Ｗ 基板 ＷＴ 基板テーブル
Claims (19)
- 【請求項１】 放射線の投影ビームを提供する放射シス
テムと、 所望のパターンに従って投影ビームをパターン化するよ
うに作用するパターン化手段を支持する支持構造体と、 基板を保持する基板テーブルと、 前記基板の目標部分上にパターン化されたビームを投影
する投影システムと、 前記パターン化手段と基板との少なくとも一方のための
位置センサが装着される隔離した基準フレームと、 前記支持構造体、前記基板テーブル、前記投影システム
および前記隔離した基準フレームからなる群から選択し
た少なくとも１個の要素を密閉する真空室と、 前記要素のうちの少なくとも１個を前記真空室において
少なくとも部分的に囲む少なくとも１個の温度制御部材
であって、作動の間前記少なくとも１個の要素を等温に
保つように実質的に吸収および放射を阻止する表面仕上
げを少なくとも部分的に有する材料から少なくとも部分
的に形成された温度制御部材とを含むことを特徴とする
平板投影装置。 - 【請求項２】 前記吸収および放射を阻止する表面仕上
げが概ねミラー状の表面仕上げからなることを特徴とす
る請求項１に記載の平板投影装置。 - 【請求項３】 前記吸収および放射を阻止する表面仕上
げの放射係数が０．１未満であることを特徴とする請求
項１または２に記載の平板投影装置。 - 【請求項４】 前記吸収および放射を阻止する表面仕上
げの前記放射係数が０．０５未満であることを特徴とす
る請求項３に記載の平板投影装置。 - 【請求項５】 前記少なくとも１個の要素および前記真
空室の内部の熱源に向って面する前記温度制御部材の面
の少なくとも一部が概ね吸収および放射を促進する表面
仕上げを含むことを特徴とする請求項１から４までのい
ずれか１項に記載の平板投影装置。 - 【請求項６】 前記吸収および放射を促進する表面仕上
げが裏表面仕上げからなることを特徴とする請求項５に
記載の平板投影装置。 - 【請求項７】 前記吸収および放射を促進する表面仕上
げの放射係数が少なくとも０．９であることを特徴とす
る請求項５または６に記載の平板投影装置。 - 【請求項８】 前記吸収および放射を促進する表面仕上
げの放射係数が少なくとも０．９５であることを特徴と
する請求項７に記載の平板投影装置。 - 【請求項９】 前記吸収および放射を阻止する表面仕上
げを含む前記温度制御部材の面が、前記温度制御部材に
よって少なくとも部分的に囲まれた空間であって、前記
要素を含む空間の外側にある熱源に向って面しているこ
とを特徴とする請求項１から８までのいずれか１項に記
載の平板投影装置。 - 【請求項１０】 前記温度制御部材の材質の熱伝導率が
少なくとも１００Ｗ／ｍＫであることを特徴とする請求
項１から９までのいずれか１項に記載の平板投影装置。 - 【請求項１１】 前記温度制御部材がアルミニューム、
アルミニューム合金、銅および銅合金からなる群から選
択された材料からなることを特徴とする請求項１から１
０までのいずれか１項に記載の平板投影装置。 - 【請求項１２】 前記温度制御部材が前記真空室の壁に
よって少なくとも部分的に形成されていることを特徴と
する請求項１から１１までのいずれか１項に記載の平板
投影装置。 - 【請求項１３】 前記温度制御部材が前記真空室の壁か
らある距離をおいて設けられた密閉体からなることを特
徴とする請求項１から１２までのいずれか１項に記載の
平板投影装置。 - 【請求項１４】 前記温度制御部材が真空ポンプへの開
口部の上に設けられた熱そらせ板の壁からなることを特
徴とする請求項１から１３までのいずれか１項に記載の
平板投影装置。 - 【請求項１５】 前記支持構造体がマスクを保持するマ
スクテーブルからなることを特徴とする請求項１から１
４までのいずれか１項に記載の平板投影装置。 - 【請求項１６】 前記放射システムが放射源からなるこ
とを特徴とする請求項１から１５までのいずれか１項に
記載の平板投影装置。 - 【請求項１７】 前記投影ビームが５から２０ｎｍまで
の範囲の波長を有するＥＵＶ放射線からなることを特徴
とする請求項１から１６までのいずれか１項に記載の平
板投影装置。 - 【請求項１８】 放射線に感応する材料の層によって少
なくとも被覆された基板を提供する段階と、 放射システムを使用して放射線の投影ビームを提供する
段階と、 投影ビームに断面のパターンを付与するパターン化手段
を使用する段階と、 パターン化した放射線ビームを放射線に感応する材料の
層の目標部分上に投影する段階と、 真空室に設けられた要素を概ね等温に保つために前記要
素を少なくとも部分的に囲む少なくとも１個の温度制御
部材であって、吸収および放射を阻止する表面仕上げを
有する材料から形成された温度制御部材を提供する段階
とを含むことを特徴とする素子製造方法。 - 【請求項１９】 請求項１８に記載の方法によって製造
された素子。
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