JPH0679157B2 - フオトリソグラフイ用反射型マスク - Google Patents
フオトリソグラフイ用反射型マスクInfo
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- JPH0679157B2 JPH0679157B2 JP6853685A JP6853685A JPH0679157B2 JP H0679157 B2 JPH0679157 B2 JP H0679157B2 JP 6853685 A JP6853685 A JP 6853685A JP 6853685 A JP6853685 A JP 6853685A JP H0679157 B2 JPH0679157 B2 JP H0679157B2
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、例えば半導体製造における半導体ウエハ焼付
け装置などで使用され、所定パターンの投影を行う投影
光学装置に用いられるマスクあるいはレチクルに関する
ものである。
け装置などで使用され、所定パターンの投影を行う投影
光学装置に用いられるマスクあるいはレチクルに関する
ものである。
従来のリソグラフイ用マスクあるいはレチクル（以下単
に「マスク」と総称する）は、透過光を利用してそのパ
ターンが投影されるようにしたものである。例えばガラ
スなどの光透過性の基板に対し、クロムなどのしや光物
質によつて必要なパターンを形成することによりマスク
が形成される。このマスクの一方の面側から適宜の光源
により光を照射すると、パターン部分を除いて光が他方
の面側に透過する。この透過光は、所定の投影光学系に
入射し、更には所定のウエハ上にパターンの投影が行な
われることとなる。
に「マスク」と総称する）は、透過光を利用してそのパ
ターンが投影されるようにしたものである。例えばガラ
スなどの光透過性の基板に対し、クロムなどのしや光物
質によつて必要なパターンを形成することによりマスク
が形成される。このマスクの一方の面側から適宜の光源
により光を照射すると、パターン部分を除いて光が他方
の面側に透過する。この透過光は、所定の投影光学系に
入射し、更には所定のウエハ上にパターンの投影が行な
われることとなる。
ところで、以上のようなリソグラフイ用マスクにおい
て、 マスク基板上の光が透過すべき部分に塵埃、指紋あるい
は傷などが存在すること、これらによつて透過すべき光
がさえぎられるようになる。このため、該塵埃等のパタ
ーンも投影されることとなり、本来の投影されるべきパ
ターンに悪影響を与えることとなる。従つて、半導体ウ
エハ上に形成されるエレメントあるいは回路の不良など
を招き、生産歩留りが低下することとなる。
て、 マスク基板上の光が透過すべき部分に塵埃、指紋あるい
は傷などが存在すること、これらによつて透過すべき光
がさえぎられるようになる。このため、該塵埃等のパタ
ーンも投影されることとなり、本来の投影されるべきパ
ターンに悪影響を与えることとなる。従つて、半導体ウ
エハ上に形成されるエレメントあるいは回路の不良など
を招き、生産歩留りが低下することとなる。
このような不都合を改善するものとして、例えばマスク
からの透過光ではなく反射光を利用することによつて塵
埃等による悪影響を防止するようにした露光方式が考え
られる。ところが異物、塵埃等の程度によつては反射光
にコントラストが生じ投影パターンに影響を与えるおそ
れがある。
からの透過光ではなく反射光を利用することによつて塵
埃等による悪影響を防止するようにした露光方式が考え
られる。ところが異物、塵埃等の程度によつては反射光
にコントラストが生じ投影パターンに影響を与えるおそ
れがある。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、上記
背景技術の欠点を改善し、塵埃等による投影パターンに
対する不良発生を低減することができる投影光学装置に
使用されるリソグラフイ用マスクを提供することをその
目的とするものである。
背景技術の欠点を改善し、塵埃等による投影パターンに
対する不良発生を低減することができる投影光学装置に
使用されるリソグラフイ用マスクを提供することをその
目的とするものである。
本発明は、原画パターンを互いに反射率の異なる２つの
領域によつて構成するとともに、いずれの領域も実質的
にしや光性を有する部材によつて形成するようにし、こ
れらによる反射光をパターンに応じて部分的に増幅した
後、原画パターンの投影を行うことを技術的要点とする
ものである。即ち、本発明に係るフォトリソグラフィ用
反射型マスクは、所定のエネルギー線の照射によって幾
何学的なパターンを感応基板に転写するためのマスクで
あって、前記エネルギー線に対してほぼ不透明で、かつ
前記エネルギー線に対する反射率が互いに異なる複数の
領域から成るパターンを、前記エネルギー線に対してほ
ぼ透明な基板上に形成すると共に、パターンと基板との
間に、前記エネルギー線に対する反射増幅層を部分的に
含む中間層を設けたものである。
領域によつて構成するとともに、いずれの領域も実質的
にしや光性を有する部材によつて形成するようにし、こ
れらによる反射光をパターンに応じて部分的に増幅した
後、原画パターンの投影を行うことを技術的要点とする
ものである。即ち、本発明に係るフォトリソグラフィ用
反射型マスクは、所定のエネルギー線の照射によって幾
何学的なパターンを感応基板に転写するためのマスクで
あって、前記エネルギー線に対してほぼ不透明で、かつ
前記エネルギー線に対する反射率が互いに異なる複数の
領域から成るパターンを、前記エネルギー線に対してほ
ぼ透明な基板上に形成すると共に、パターンと基板との
間に、前記エネルギー線に対する反射増幅層を部分的に
含む中間層を設けたものである。
本発明のフォトリソグラフィ用反射型マスクを用いて転
写を行う場合には、前記エネルギー線は基板及び中間層
を透過してから前記パターンを構成する反射率の互いに
異なる複数の領域で反射され、この反射エネルギー線は
再び基板、中間層を透過してから投影光学系を介して前
記感応基板上にパターン像として露光されるが、前記エ
ネルギー線が中間層に部分的に設けられた反射増幅層を
通ることによって、前記反射エネルギー線がパターンに
応じて増幅され、感応基板上に露光されるのはコントラ
ストの増大されたパターン像である。
写を行う場合には、前記エネルギー線は基板及び中間層
を透過してから前記パターンを構成する反射率の互いに
異なる複数の領域で反射され、この反射エネルギー線は
再び基板、中間層を透過してから投影光学系を介して前
記感応基板上にパターン像として露光されるが、前記エ
ネルギー線が中間層に部分的に設けられた反射増幅層を
通ることによって、前記反射エネルギー線がパターンに
応じて増幅され、感応基板上に露光されるのはコントラ
ストの増大されたパターン像である。
［実施例］ 以下、本発明にかかるソグラフィ用マスクを添附図面に
示す実施例に基づいて詳細に説明する。そこで、まず、
第１図に、本発明にかかるリソグラフイ用マスクに好適
な投影光学装置の一例を示す。この図において、露光光
源10の背後には楕円鏡12が設けられており、露光光源10
の光が集光されるようになつている。集光された光は、
干渉フイルタ14により単色化され、更には、フライアイ
インテグレータ16に入射して均一な照度分布に変換され
るようになつている。
示す実施例に基づいて詳細に説明する。そこで、まず、
第１図に、本発明にかかるリソグラフイ用マスクに好適
な投影光学装置の一例を示す。この図において、露光光
源10の背後には楕円鏡12が設けられており、露光光源10
の光が集光されるようになつている。集光された光は、
干渉フイルタ14により単色化され、更には、フライアイ
インテグレータ16に入射して均一な照度分布に変換され
るようになつている。
フライアイインテグレータ16の次には、コンデンサレン
ズ18が配置されており、均一な照度分布に変換された光
がほぼ平行光線化されるようになつている。この平行光
線化された光が光路分割を行うハーフプリズム20に照明
光として入射するように構成されている。なお、以下の
説明にいて、楕円鏡12,干渉フイルタ14,フライアイイン
テグレータ16及びコンデンサレンズ18を照明光学系100
と総称することとする。
ズ18が配置されており、均一な照度分布に変換された光
がほぼ平行光線化されるようになつている。この平行光
線化された光が光路分割を行うハーフプリズム20に照明
光として入射するように構成されている。なお、以下の
説明にいて、楕円鏡12,干渉フイルタ14,フライアイイン
テグレータ16及びコンデンサレンズ18を照明光学系100
と総称することとする。
ハーフプリズム20の上方には、マスク22が配置されてい
る。マスク22は、ガラス基板のパターン面側の端部が真
空チヤツク24によつて固定支持されている。すなわち、
真空チヤツク24に設けられている真空配管26により図示
しない配気系により配気を行うことにより真空チヤツク
24にマスク22が吸着保持されている。なお、本実施例で
は、マスク22の下方すなわちガラス基板のガラス面側か
ら照明光が入射し、パターン面での反射光を投影に利用
するので、これらの照明光に入射あるいは反射光を妨げ
ることがないようにするため、マスク22の上面側で支持
が行なわれている。
る。マスク22は、ガラス基板のパターン面側の端部が真
空チヤツク24によつて固定支持されている。すなわち、
真空チヤツク24に設けられている真空配管26により図示
しない配気系により配気を行うことにより真空チヤツク
24にマスク22が吸着保持されている。なお、本実施例で
は、マスク22の下方すなわちガラス基板のガラス面側か
ら照明光が入射し、パターン面での反射光を投影に利用
するので、これらの照明光に入射あるいは反射光を妨げ
ることがないようにするため、マスク22の上面側で支持
が行なわれている。
他方、ハーフプリズム20の下方すなわち、マスク22と反
対側の位置には、投影光学系（縮小投影レンズ）28が配
置されており、その下方には、被転写体であるウエハ30
が配置されている。尚投影光学系28としては、縮小投影
レンズ以外に、等倍投影レンズ，等倍ミラープロジエク
シヨンなど使用される。
対側の位置には、投影光学系（縮小投影レンズ）28が配
置されており、その下方には、被転写体であるウエハ30
が配置されている。尚投影光学系28としては、縮小投影
レンズ以外に、等倍投影レンズ，等倍ミラープロジエク
シヨンなど使用される。
前述したように、この装置においては、マスク22のよう
に裏面反射型マスクを用いるよう構成されている。即ち
ガラス基板のガラス面側から照明光が入射し、パターン
面（基板との境界面）からの反射光を投影に利用するも
のである。本発明はこのマスク22のような裏面反射型の
構成を基本とするものであるが、ここで、図２を用いて
裏面反射型マスクを説明する。この図において、ガラス
基板32上には、光に対する反射率の異なるパターン形成
体としての反射層34,36によつて適宜のパターンが形成
されている。反射率の高い高反射層34は、例えばアルミ
ニウム（Al）の蒸着膜によつて形成され、反射率の低い
低反射層36は、例えばクロム（Cr）、金（Au）等の蒸着
膜によつて形成される。反射層34,36は、その反射率の
差が大きいものほど好ましく、また各層はともに光学的
に不透明の材料が使用される。別言すれば、反射層34,3
6は、光に対する吸収率が異なる材料で形成される。
尚、従来のマスクに対応させるなら、高反射層34は透明
部、低反射層36は不透明部に相当する。
に裏面反射型マスクを用いるよう構成されている。即ち
ガラス基板のガラス面側から照明光が入射し、パターン
面（基板との境界面）からの反射光を投影に利用するも
のである。本発明はこのマスク22のような裏面反射型の
構成を基本とするものであるが、ここで、図２を用いて
裏面反射型マスクを説明する。この図において、ガラス
基板32上には、光に対する反射率の異なるパターン形成
体としての反射層34,36によつて適宜のパターンが形成
されている。反射率の高い高反射層34は、例えばアルミ
ニウム（Al）の蒸着膜によつて形成され、反射率の低い
低反射層36は、例えばクロム（Cr）、金（Au）等の蒸着
膜によつて形成される。反射層34,36は、その反射率の
差が大きいものほど好ましく、また各層はともに光学的
に不透明の材料が使用される。別言すれば、反射層34,3
6は、光に対する吸収率が異なる材料で形成される。
尚、従来のマスクに対応させるなら、高反射層34は透明
部、低反射層36は不透明部に相当する。
露光光源10から発せられ、照明光学系100により単色の
均一な照度分布を有する平行光線に変換され、右方から
ハーフプリズム20に入射する照明光は、ハーフプリズム
20によって上方に光路が反射され、マスク22に対してそ
のガラス面側から入射する。このマスク22の高反射層34
には傷38があり、低反射層36上には異物40があるものと
する。矢印FAの如くハーフプリズム20を介して入射する
照明光は、ほとんどガラス基板32を通過する。このガラ
ス基板32のガラス側面で反射される光は極めて少ない。
均一な照度分布を有する平行光線に変換され、右方から
ハーフプリズム20に入射する照明光は、ハーフプリズム
20によって上方に光路が反射され、マスク22に対してそ
のガラス面側から入射する。このマスク22の高反射層34
には傷38があり、低反射層36上には異物40があるものと
する。矢印FAの如くハーフプリズム20を介して入射する
照明光は、ほとんどガラス基板32を通過する。このガラ
ス基板32のガラス側面で反射される光は極めて少ない。
照明光は、ガラス基板32を透過するが、反射層34,36に
達すると各層の反射率に対応して矢印FB,FCで示す反対
の方向に鏡面反射されることとなる。従つて、傷38ある
いは異物40があつても、これらの影響を受けることな
く、反射層34,36によつて照明光の反射が行なわれる。
この反射光は、ハーフプリズム20を通過し、更には投影
光学系28を通過してウエハ30に結像する。
達すると各層の反射率に対応して矢印FB,FCで示す反対
の方向に鏡面反射されることとなる。従つて、傷38ある
いは異物40があつても、これらの影響を受けることな
く、反射層34,36によつて照明光の反射が行なわれる。
この反射光は、ハーフプリズム20を通過し、更には投影
光学系28を通過してウエハ30に結像する。
前述したように、反射層34,36は必要なパターン形状に
形成されているため、反射光の強弱がパターンに対応す
ることとなる。従つて、反射光がウエハ30上に結像する
ことにより所定のパターンの投影が行なわれることとな
る。この場合、投影光学系28に関して、ウエハ30の表面
と、ガラス基板32と反射層34,36の境界面とが光学的に
共役になつている。
形成されているため、反射光の強弱がパターンに対応す
ることとなる。従つて、反射光がウエハ30上に結像する
ことにより所定のパターンの投影が行なわれることとな
る。この場合、投影光学系28に関して、ウエハ30の表面
と、ガラス基板32と反射層34,36の境界面とが光学的に
共役になつている。
また、異物40がガラス基板32のガラス面側にあるとき
は、照明光が散乱されて鏡面反射の成分は少ないことに
加えて、ガラス基板32の厚みによる焦点位置のずれも作
用することとなる。このため、異物40の像はデフオーカ
スされ、パターンとして投影されるおそれは少ない。
は、照明光が散乱されて鏡面反射の成分は少ないことに
加えて、ガラス基板32の厚みによる焦点位置のずれも作
用することとなる。このため、異物40の像はデフオーカ
スされ、パターンとして投影されるおそれは少ない。
また、上述した場合と反対に、マスク22の上下をひつく
り返して、マスク22のパターン面側から照明光を入射さ
せるようにした場合であつても、反射層34,36の表面を
鏡面として反射率の差を高めるようにすれば、異物40の
部分に入射する照明光は散乱されることとなり、同様の
効果を得ることができる。しかしながら、この方法で
は、特に高反射層34の表面上に異物が付着した場合に
は、当該異物の部分が照明光が散乱されることとなり、
パターン投影時のコントラストに影響を与えて好ましく
ない。このような点から、照明光は第１図に示すように
マスク22のうちガラス面側から入射させるようにした方
がよい。
り返して、マスク22のパターン面側から照明光を入射さ
せるようにした場合であつても、反射層34,36の表面を
鏡面として反射率の差を高めるようにすれば、異物40の
部分に入射する照明光は散乱されることとなり、同様の
効果を得ることができる。しかしながら、この方法で
は、特に高反射層34の表面上に異物が付着した場合に
は、当該異物の部分が照明光が散乱されることとなり、
パターン投影時のコントラストに影響を与えて好ましく
ない。このような点から、照明光は第１図に示すように
マスク22のうちガラス面側から入射させるようにした方
がよい。
以上のように、本発明にかかるリソグラフイ用マスクを
用いる投影光学装置では、マスクから反射光を利用する
ので、照明用の光源は、光量の大きなものが好ましい。
この光源としては、例えば超高圧水銀放電灯、あるいは
パルス発光タイプのエキシマレーザが好適である。
用いる投影光学装置では、マスクから反射光を利用する
ので、照明用の光源は、光量の大きなものが好ましい。
この光源としては、例えば超高圧水銀放電灯、あるいは
パルス発光タイプのエキシマレーザが好適である。
次に、本発明の第１の実施例について説明する。第３図
には、本発明の第１実施例によるマスクの断面が示され
ている。これは、基本的には、第２図で示したマスク22
と同様に、光に対する反射率の異なるパターン形成体と
しての高反射層64、低反射層66によって適宜パターンが
形成されており、さらに、これら反射層64、66とガラス
基板62との間に１層もしくは複数の層からなる薄膜68,7
0が形成されたマスクである。
には、本発明の第１実施例によるマスクの断面が示され
ている。これは、基本的には、第２図で示したマスク22
と同様に、光に対する反射率の異なるパターン形成体と
しての高反射層64、低反射層66によって適宜パターンが
形成されており、さらに、これら反射層64、66とガラス
基板62との間に１層もしくは複数の層からなる薄膜68,7
0が形成されたマスクである。
これらの薄膜68,70は高反射層64に対しては反射増幅作
用を営み、低反射層66に対しては反射防止作用を営むも
のである。詳述すると、一般に露光用の光は例えば436m
m程度の単波長の光である。このため、薄膜68,70のガラ
ス基板62との境界面における第１の反射光と、反射層6
4,66による第２の反射光とが干渉の原理で全体として反
射光が増大したり、あるいは低下したりする。例えば、
第１及び第２の反射光の位相差が1/2波長の奇数倍であ
ると干渉によつて両者が打ち消し合うようになり、反射
防止の効果が得られる。また、位相が1/2波長の偶数倍
であると反射光が強め合い反射増加の効果が得られる。
従つて、薄膜68,70の膜厚を、照明光の波長や反射層64,
66の屈折率を考慮して適宜に設定してやれば、反射増
幅、反射防止の効果を得ることができ、投影パターンの
コントラストの増加を図ることができる。
用を営み、低反射層66に対しては反射防止作用を営むも
のである。詳述すると、一般に露光用の光は例えば436m
m程度の単波長の光である。このため、薄膜68,70のガラ
ス基板62との境界面における第１の反射光と、反射層6
4,66による第２の反射光とが干渉の原理で全体として反
射光が増大したり、あるいは低下したりする。例えば、
第１及び第２の反射光の位相差が1/2波長の奇数倍であ
ると干渉によつて両者が打ち消し合うようになり、反射
防止の効果が得られる。また、位相が1/2波長の偶数倍
であると反射光が強め合い反射増加の効果が得られる。
従つて、薄膜68,70の膜厚を、照明光の波長や反射層64,
66の屈折率を考慮して適宜に設定してやれば、反射増
幅、反射防止の効果を得ることができ、投影パターンの
コントラストの増加を図ることができる。
次に、本発明の第２実施例を、第４図を参照しながら説
明する。この実施例のマスク72は、第３図に示す実施例
のマスク60上に保護層74を設けたものである。保護層74
は、例えば金属、ガラス、樹脂等が使用される。反射層
64,66はいずれも不透明であるため、保護層74を設ける
ことによつて格別の不都合は生じない。むしろ反射層6
4,66に傷などが発生することによるパターンの変化が防
止される。
明する。この実施例のマスク72は、第３図に示す実施例
のマスク60上に保護層74を設けたものである。保護層74
は、例えば金属、ガラス、樹脂等が使用される。反射層
64,66はいずれも不透明であるため、保護層74を設ける
ことによつて格別の不都合は生じない。むしろ反射層6
4,66に傷などが発生することによるパターンの変化が防
止される。
次に、第５図を参照しながら、本発明の第３実施例につ
いて説明する。この実施例によるマスクでは、まず、ガ
ラス基板82の主表面全体に反射増加層として作用する薄
膜84が形成され、更にこの上に高反射層86が全体に形成
される。次に、リソグラフイ技術によつて所定のパター
ン部分を残して高反射層86及び薄膜84のエッチングが行
なわれる。次に、反射防止層として作用する薄膜88が全
体に形成され、更にこの上の全体に低反射層90が形成さ
れる。もちろん、高反射層86が低反射層90を覆うように
形成されても、全く同様の効果が得られる。
いて説明する。この実施例によるマスクでは、まず、ガ
ラス基板82の主表面全体に反射増加層として作用する薄
膜84が形成され、更にこの上に高反射層86が全体に形成
される。次に、リソグラフイ技術によつて所定のパター
ン部分を残して高反射層86及び薄膜84のエッチングが行
なわれる。次に、反射防止層として作用する薄膜88が全
体に形成され、更にこの上の全体に低反射層90が形成さ
れる。もちろん、高反射層86が低反射層90を覆うように
形成されても、全く同様の効果が得られる。
次に、第６図を参照しながら、本発明の第４実施例につ
いて説明する。この実施例のマスク92は、第５図に示す
マスク80とほぼ同様であるが、薄膜84に対応する薄膜94
がガラス基板82の全面に形成されている点で異なる。薄
膜94は、高反射層86に対して反射増加層として作用し、
また、低反射層90に対しては他の薄膜88と共働すること
により反射防止層として作用するように、その膜厚が制
御されている。これらの第３、第４実施例のマスク80,9
2は、製作も容易であり、一層現実的な構造となつてい
る。尚、高反射層86が低反射層90を覆うような構成とし
ても全く同様の効果が得られる。ただしその場合、薄膜
88と94とが２層になつた部分では反射増加作用をもたせ
ることになる。
いて説明する。この実施例のマスク92は、第５図に示す
マスク80とほぼ同様であるが、薄膜84に対応する薄膜94
がガラス基板82の全面に形成されている点で異なる。薄
膜94は、高反射層86に対して反射増加層として作用し、
また、低反射層90に対しては他の薄膜88と共働すること
により反射防止層として作用するように、その膜厚が制
御されている。これらの第３、第４実施例のマスク80,9
2は、製作も容易であり、一層現実的な構造となつてい
る。尚、高反射層86が低反射層90を覆うような構成とし
ても全く同様の効果が得られる。ただしその場合、薄膜
88と94とが２層になつた部分では反射増加作用をもたせ
ることになる。
なお、本発明は何ら上記実施例に限定されるものではな
く、基板、反射層、薄膜、あるいは保護膜の組み合せは
種々変更し得るものである。また、使用する材料も上述
したものに限定されるものではなく、マスク，レチクル
のいずれに対しても適用されるものである。特に、パタ
ーン形成体である各反射層の材料は、使用する照明光の
波長すなわち感光剤の感光波長の光に対してしや光性を
有すればよく、その他の波長の光に対しては半透明なも
のであつてもよい。
く、基板、反射層、薄膜、あるいは保護膜の組み合せは
種々変更し得るものである。また、使用する材料も上述
したものに限定されるものではなく、マスク，レチクル
のいずれに対しても適用されるものである。特に、パタ
ーン形成体である各反射層の材料は、使用する照明光の
波長すなわち感光剤の感光波長の光に対してしや光性を
有すればよく、その他の波長の光に対しては半透明なも
のであつてもよい。
以上説明したように、本発明によるリソグラフイ用マス
クによれば、反射率の異なる２つの領域と反射増幅層を
含む中間層とを有し、いずれの領域もしや光性の材料で
原画パターンを形成し、中間層によって部分的に増幅さ
れた反射光によってコントラストが増大されたパターン
の投影を行うこととしたので、異物、塵埃あるいは傷な
どの影響を受けることなく良好にパターンの投影が行な
われることとなり、マスクの洗浄、検査などの手間が簡
略化されて半導体製造における省カ化、生産性向上を図
ることができるという効果がある。
クによれば、反射率の異なる２つの領域と反射増幅層を
含む中間層とを有し、いずれの領域もしや光性の材料で
原画パターンを形成し、中間層によって部分的に増幅さ
れた反射光によってコントラストが増大されたパターン
の投影を行うこととしたので、異物、塵埃あるいは傷な
どの影響を受けることなく良好にパターンの投影が行な
われることとなり、マスクの洗浄、検査などの手間が簡
略化されて半導体製造における省カ化、生産性向上を図
ることができるという効果がある。
第１図は本発明にかかるリソグラフイ用マスクの適用可
能な投影光学装置の一例を示す構成図、第２図は第１図
の装置における作用を示す説明図、第３図は本発明の第
１実施例を示す断面図、第４図、第５図、第６図は本発
明の他の実施例を示す断面図である。 主要部分の符号の説明 22,60,72,80,92……マスク、 32,62,72……ガラス基板、 34,64,86……高反射層、 36,66,90……低反射層。
能な投影光学装置の一例を示す構成図、第２図は第１図
の装置における作用を示す説明図、第３図は本発明の第
１実施例を示す断面図、第４図、第５図、第６図は本発
明の他の実施例を示す断面図である。 主要部分の符号の説明 22,60,72,80,92……マスク、 32,62,72……ガラス基板、 34,64,86……高反射層、 36,66,90……低反射層。
Claims (2)
- 【請求項１】所定のエネルギー線の照射によって幾何学
的なパターンを感応基板に転写するために使われるフォ
トリソグラフィ用反射型マスクにおいて、 前記エネルギー線に対してほぼ不透明で、かつ前記エネ
ルギー線に対する反射率が互いに異なる複数の領域から
成るパターンを、前記エネルギー線に対してほぼ透明な
基板上に形成すると共に、該パターンと基板との間に、
前記エネルギー線に対する反射増幅層を部分的に含む中
間層を設けたことを特徴とするフォトリソグラフィ用反
射型マスク。 - 【請求項２】前記中間層は、前記反射増幅層と共に前記
エネルギー線に対する反射防止層を含むことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項に記載のフォトリソグラフィ用
反射型マスク。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6853685A JPH0679157B2 (ja) | 1985-04-02 | 1985-04-02 | フオトリソグラフイ用反射型マスク |
| US06/769,164 US4666292A (en) | 1984-08-24 | 1985-08-23 | Projection optical apparatus and a photographic mask therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6853685A JPH0679157B2 (ja) | 1985-04-02 | 1985-04-02 | フオトリソグラフイ用反射型マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61228447A JPS61228447A (ja) | 1986-10-11 |
| JPH0679157B2 true JPH0679157B2 (ja) | 1994-10-05 |
Family
ID=13376557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6853685A Expired - Fee Related JPH0679157B2 (ja) | 1984-08-24 | 1985-04-02 | フオトリソグラフイ用反射型マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0679157B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5827622A (en) * | 1995-11-02 | 1998-10-27 | International Business Machines Corporation | Reflective lithographic mask |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5396677A (en) * | 1977-02-03 | 1978-08-24 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Reflective mask for forming pattern |
| JPS60120359A (ja) * | 1983-12-05 | 1985-06-27 | Tokyo Optical Co Ltd | 光学マスク基板及びこれを使用する反射型光学マスクの製造方法 |
-
1985
- 1985-04-02 JP JP6853685A patent/JPH0679157B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61228447A (ja) | 1986-10-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |