JP2984328B2 - フォトマスク及びレジストパターンの形成方法 - Google Patents
フォトマスク及びレジストパターンの形成方法Info
- Publication number
- JP2984328B2 JP2984328B2 JP19747490A JP19747490A JP2984328B2 JP 2984328 B2 JP2984328 B2 JP 2984328B2 JP 19747490 A JP19747490 A JP 19747490A JP 19747490 A JP19747490 A JP 19747490A JP 2984328 B2 JP2984328 B2 JP 2984328B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- photomask
- film
- transparent substrate
- shielding pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体ウェハ等の被加工物をリソグラフ
ィ技術を用いて加工する際に使用されるフォトマスク及
びレジストパターンの形成方法に関する。
ィ技術を用いて加工する際に使用されるフォトマスク及
びレジストパターンの形成方法に関する。
第９図はフォトリソグラフィ工程において従来より用
いられているフォトマスクを含む露光装置の概略構成図
を示し、第10図はその要部拡大図を示す。
いられているフォトマスクを含む露光装置の概略構成図
を示し、第10図はその要部拡大図を示す。
両図に示すように、光源１から出射された光L1は、レ
ンズ系２で集束されてフォトマスク３上に照射される。
フォトマスク３には、透明基板４の一方主面上に遮光パ
ターン５が形成されており、フォトマスク３に入射され
た光L2のうち遮光パターン５に対応する領域に入射され
た光は遮断され、残りの領域に入射された光は透過す
る。フォトマスク３を選択的に透過した光L3は、例えば
倍数ｍの投影レンズ系６を介し、被加工物の基板７上に
形成されたレジスト膜８内で集光されて結像される。こ
うして、レジスト膜８が部分的に感光され、マスクパタ
ーンがレジスト膜８に転写される。
ンズ系２で集束されてフォトマスク３上に照射される。
フォトマスク３には、透明基板４の一方主面上に遮光パ
ターン５が形成されており、フォトマスク３に入射され
た光L2のうち遮光パターン５に対応する領域に入射され
た光は遮断され、残りの領域に入射された光は透過す
る。フォトマスク３を選択的に透過した光L3は、例えば
倍数ｍの投影レンズ系６を介し、被加工物の基板７上に
形成されたレジスト膜８内で集光されて結像される。こ
うして、レジスト膜８が部分的に感光され、マスクパタ
ーンがレジスト膜８に転写される。
従来のフォトマスク３は以上のように構成されてお
り、フォトマスク３を選択的に透過したそれぞれの光L3
は、レンズ系６を介して集光点Ｐを含む焦平面９（集光
面Ｐを通ってレンズ系６の光軸に垂直な平面）上に結像
される。この場合、レンズ系６には、その開口数をNAと
した場合、波長λの光に対して下記式により表わされる
所定の焦点深度DOFが認められる。
り、フォトマスク３を選択的に透過したそれぞれの光L3
は、レンズ系６を介して集光点Ｐを含む焦平面９（集光
面Ｐを通ってレンズ系６の光軸に垂直な平面）上に結像
される。この場合、レンズ系６には、その開口数をNAと
した場合、波長λの光に対して下記式により表わされる
所定の焦点深度DOFが認められる。
レジスト膜８は、実質上、焦平面９を中心にレジスト
膜８の厚み方向に沿って上記焦点深度DOFの範囲内で感
光されるため、焦点深度DOFの値はレジスト膜８の厚み
に対して充分に大きいことが望ましい。
膜８の厚み方向に沿って上記焦点深度DOFの範囲内で感
光されるため、焦点深度DOFの値はレジスト膜８の厚み
に対して充分に大きいことが望ましい。
しかしながら、近年LSIの微細化に伴いレンズ系６の
分解能を考慮してその開口数NAが増大する傾向にあり、
その結果焦点深度DOFは逆に減少する傾向にある。現在
のLSIの製造工程では、例えば波長λが436nmの紫外線に
対し開口数NAが約0.54のレンズ系６が使用される場合が
あり、この場合の焦点深度DOFは約1.5μｍとなる。これ
に対し、レジスト膜８の膜厚が約1.5μｍで、焦点深度D
OFとほぼ等しい。したがって、レジスト膜８を焦点深度
DOF内に正確に位置させるために、露光装置の精度が要
求されるとともに、被加工物のセット作業にも精度が要
求され、それらの精度のわずかの低下でレジスト膜８に
感光不良の領域を生じるという問題を有していた。
分解能を考慮してその開口数NAが増大する傾向にあり、
その結果焦点深度DOFは逆に減少する傾向にある。現在
のLSIの製造工程では、例えば波長λが436nmの紫外線に
対し開口数NAが約0.54のレンズ系６が使用される場合が
あり、この場合の焦点深度DOFは約1.5μｍとなる。これ
に対し、レジスト膜８の膜厚が約1.5μｍで、焦点深度D
OFとほぼ等しい。したがって、レジスト膜８を焦点深度
DOF内に正確に位置させるために、露光装置の精度が要
求されるとともに、被加工物のセット作業にも精度が要
求され、それらの精度のわずかの低下でレジスト膜８に
感光不良の領域を生じるという問題を有していた。
したがって、この発明は、上記問題を解決するために
なされたもので、焦点深度の拡大を図れるフォトマスク
及びレジストパターンの形成方法を提供することであ
る。
なされたもので、焦点深度の拡大を図れるフォトマスク
及びレジストパターンの形成方法を提供することであ
る。
請求項１に係る発明は、リソグラフィ技術を用いて被
加工物上のレジスト膜に所定のパターンを転写する際に
使用するフォトマスクであって、上記目的を達成するた
めに、透明基板と、前記透明基板の一方主面側に積層さ
れた、遮光パターンと、第１及び第２の主面にて光の一
部を内部で反射する反射性膜とを備える。
加工物上のレジスト膜に所定のパターンを転写する際に
使用するフォトマスクであって、上記目的を達成するた
めに、透明基板と、前記透明基板の一方主面側に積層さ
れた、遮光パターンと、第１及び第２の主面にて光の一
部を内部で反射する反射性膜とを備える。
請求項２に係る発明は、請求項１に係るフォトマスク
において、前記高反射膜が前記透明基板の前記一方主面
上に形成され、前記遮光パターンが前記高反射膜上に形
成される。
において、前記高反射膜が前記透明基板の前記一方主面
上に形成され、前記遮光パターンが前記高反射膜上に形
成される。
請求項３に係るフォトマスクは、請求項１に係るフォ
トマスクにおいて、前記遮光パターンが前記透明基板の
前記一方主面上に形成されるとともに、前記高反射膜が
前記遮光パターンを覆うように前記透明基板の前記一方
主面上に形成される。
トマスクにおいて、前記遮光パターンが前記透明基板の
前記一方主面上に形成されるとともに、前記高反射膜が
前記遮光パターンを覆うように前記透明基板の前記一方
主面上に形成される。
請求項４に係る発明は、遮光パターンと、第１及び第
２の主面にて光の一部を内部で反射する反射性膜とが透
明基板の一方主面側に積層されたフォトマスクと、表面
にレジスト膜を有する被加工物と、前記レジスト膜に対
して集光及び結像を行う光学系とを準備する工程と、前
記フォトマスクへと透光を行う工程とを備える。
２の主面にて光の一部を内部で反射する反射性膜とが透
明基板の一方主面側に積層されたフォトマスクと、表面
にレジスト膜を有する被加工物と、前記レジスト膜に対
して集光及び結像を行う光学系とを準備する工程と、前
記フォトマスクへと透光を行う工程とを備える。
請求項１〜４に係る発明によれば、透明基板の反射性
膜の第１及び第２の主面によって光の一部が内部で反射
されるため、反射性膜をそのまま透過した光に対するレ
ジスト膜内での焦点位置と、反射性膜の第１及び第２の
主面によって反射された光に対するレジスト膜内での焦
点位置とがレジスト膜の厚み方向に沿って離れて存在す
ることになり、結果的に焦点深度が拡大する。
膜の第１及び第２の主面によって光の一部が内部で反射
されるため、反射性膜をそのまま透過した光に対するレ
ジスト膜内での焦点位置と、反射性膜の第１及び第２の
主面によって反射された光に対するレジスト膜内での焦
点位置とがレジスト膜の厚み方向に沿って離れて存在す
ることになり、結果的に焦点深度が拡大する。
第１図はこの発明の第１実施例であるフォトマスクを
含む露光装置の要部構成図を示す。この露光装置の全体
構成は、第９図に示される露光装置と同一であるので、
同一又は相当部分に同一符号を用いて以下説明する。
含む露光装置の要部構成図を示す。この露光装置の全体
構成は、第９図に示される露光装置と同一であるので、
同一又は相当部分に同一符号を用いて以下説明する。
第１図に示されるように、フォトマスク３は、透明基
板４と、透明基板４の一方主面側に形成された高反射膜
10と、高反射膜10上に形成された遮光パターン５とを備
える。
板４と、透明基板４の一方主面側に形成された高反射膜
10と、高反射膜10上に形成された遮光パターン５とを備
える。
透明基板４は、例えば石英により構成され、その屈折
率n1は1.47、厚みd1は約5mmである。
率n1は1.47、厚みd1は約5mmである。
高反射膜10は、例えば鉛ガラスやシリコンナイトライ
ド等により構成される。この高反射膜10は、透明基板４
の屈折率n1に比してその屈折率n2が大きく、かつ光吸収
能の小さな材料で構成するのが望ましい。高反射膜10の
屈折率n2が大きくなると、透明基板４との境界面および
空気層との境界面における反射率がそれぞれ高くなっ
て、高反射膜10による多重反射が促進される。また、高
反射膜10の光吸収能が小さくなると、高反射膜10内での
多重反射光の吸収が抑制される。上記条件を満たす材料
として、例えば鉛ガラスの一種であるLaF2ガラス（ホヤ
株式会社製）あるいはTaFD6ガラスを用いるのが望まし
い。LaF2ガラスを使用した場合には、屈折率n2は、1.78
66、波長360nmの光に対する透過率は0.8となる。なお、
高反射膜10の厚みd2は、焦点深度を考慮して定められる
が、その詳細は後述する。
ド等により構成される。この高反射膜10は、透明基板４
の屈折率n1に比してその屈折率n2が大きく、かつ光吸収
能の小さな材料で構成するのが望ましい。高反射膜10の
屈折率n2が大きくなると、透明基板４との境界面および
空気層との境界面における反射率がそれぞれ高くなっ
て、高反射膜10による多重反射が促進される。また、高
反射膜10の光吸収能が小さくなると、高反射膜10内での
多重反射光の吸収が抑制される。上記条件を満たす材料
として、例えば鉛ガラスの一種であるLaF2ガラス（ホヤ
株式会社製）あるいはTaFD6ガラスを用いるのが望まし
い。LaF2ガラスを使用した場合には、屈折率n2は、1.78
66、波長360nmの光に対する透過率は0.8となる。なお、
高反射膜10の厚みd2は、焦点深度を考慮して定められる
が、その詳細は後述する。
遮光パターン５は、CrやMoSi等により構成され、その
厚みd3は通常0.1μｍ程度である。
厚みd3は通常0.1μｍ程度である。
投影レンズ系６は、複数枚の組み合せレンズにより構
成され、入射と出射の両方向に対しテレセントリックに
仕上げられている。このレンズ系６の倍率ｍは、例えば
1/5が設定される。もっとも、倍率ｍは上記値に限定さ
れず、例えば、ｍ＝1/10であってもよく、またｍ＝１で
あってもよい。
成され、入射と出射の両方向に対しテレセントリックに
仕上げられている。このレンズ系６の倍率ｍは、例えば
1/5が設定される。もっとも、倍率ｍは上記値に限定さ
れず、例えば、ｍ＝1/10であってもよく、またｍ＝１で
あってもよい。
被加工物であるウェハ基板７上に形成されるレジスト
膜８は、従来より周知のレジスト材料が使用される。例
えばMCPR2000H（三菱化成株式会社製）を使用した場合
には、屈折率n4は1.68で、厚みd4は約1.5μｍである。
膜８は、従来より周知のレジスト材料が使用される。例
えばMCPR2000H（三菱化成株式会社製）を使用した場合
には、屈折率n4は1.68で、厚みd4は約1.5μｍである。
このフォトマスク３を含む露光装置において、光源１
（第９図参照）から例えば波長436nmの紫外線の光L1が
照射されると、レンズ系２で集束されて光L2としてフォ
トマスク３上に照射され、透明基板４を経て高反射膜10
に入射される。
（第９図参照）から例えば波長436nmの紫外線の光L1が
照射されると、レンズ系２で集束されて光L2としてフォ
トマスク３上に照射され、透明基板４を経て高反射膜10
に入射される。
そして、遮光パターン５の設けられていない領域で
は、光L2の一部が透過光L3としてレンズ系６に向けてそ
のまま出射される一方、残りの光は、高反射膜10の下面
と上面で順次反射された後、１次反射光L4としてレンズ
系６に向けて出射される。なお、高反射膜10内では多重
反射が行われるため、１次反射光L4以外に２次以上の高
次の反射光がレンズ系６に向けて出射されることになる
が、２次以上の高次の反射光の光強度は極めて小さくな
るため、実用上は無視しうる。
は、光L2の一部が透過光L3としてレンズ系６に向けてそ
のまま出射される一方、残りの光は、高反射膜10の下面
と上面で順次反射された後、１次反射光L4としてレンズ
系６に向けて出射される。なお、高反射膜10内では多重
反射が行われるため、１次反射光L4以外に２次以上の高
次の反射光がレンズ系６に向けて出射されることになる
が、２次以上の高次の反射光の光強度は極めて小さくな
るため、実用上は無視しうる。
一方、遮光パターン５の設けられている領域では、レ
ンズ系６への光の透過が阻止される。
ンズ系６への光の透過が阻止される。
こうして、フォトマスク３を選択的に透過した透過光
L3および１次反射光L4が、投影レンズ系６を介しSi基板
７上に形成されたレジスト膜８内で集光されて結像され
る。
L3および１次反射光L4が、投影レンズ系６を介しSi基板
７上に形成されたレジスト膜８内で集光されて結像され
る。
この場合、透過光L3は、第10図の従来例の場合と同
様、集光点Ｐを含む焦平面９上に結像されることにな
る。これに対し１次反射光L4は、高反射膜10内で生じる
光路差のために、集光点Ｐに対しレンズ系６の光軸方向
に沿って距離Ｄだけ離れた点Ｑを含む焦平面11上に結像
される。
様、集光点Ｐを含む焦平面９上に結像されることにな
る。これに対し１次反射光L4は、高反射膜10内で生じる
光路差のために、集光点Ｐに対しレンズ系６の光軸方向
に沿って距離Ｄだけ離れた点Ｑを含む焦平面11上に結像
される。
いま、点P,Q間の光学的距離n4Dは、高反射膜10内で生
じる光路差2n2d2とレンズ系６の倍率ｍを用いて、 n4D＝m2×（2n2d2） と表わされるため、高反射膜10の厚みd2は、 となる。ここで、屈折率n2,n4および倍率ｍは既知のた
め、距離Ｄが分れば、厚みd2が定まる。
じる光路差2n2d2とレンズ系６の倍率ｍを用いて、 n4D＝m2×（2n2d2） と表わされるため、高反射膜10の厚みd2は、 となる。ここで、屈折率n2,n4および倍率ｍは既知のた
め、距離Ｄが分れば、厚みd2が定まる。
ところで、レンズ系６による焦点深度は、第２図に示
すように、透過光L3および１次反射光L4のそれぞれに対
して点P,Qを中心にそれぞれDOF3,DOF4で表わされる一定
範囲内で認められる。したがって、レジスト膜８を厚み
方向に沿って全領域にわたり感光するためには、光L3,L
4の焦点深度の範囲DOF3,DOF4を連続させて形成する必要
があり、すなわち を満足する必要がある。
すように、透過光L3および１次反射光L4のそれぞれに対
して点P,Qを中心にそれぞれDOF3,DOF4で表わされる一定
範囲内で認められる。したがって、レジスト膜８を厚み
方向に沿って全領域にわたり感光するためには、光L3,L
4の焦点深度の範囲DOF3,DOF4を連続させて形成する必要
があり、すなわち を満足する必要がある。
焦点深度DOF3,DOF4はそれぞれ（１）式により表わさ
れるため、上記（３）式は次のように書き直せる。
れるため、上記（３）式は次のように書き直せる。
レンズ系６の開口数NAおよび入射光の波長λは既知の
ため、（４）式より距離Ｄが決定され、さらに（２）式
より高反射膜10の厚みd2が求まる。例えば、NA＝0.54,
λ＝436nm,n2＝1.7866,n4＝1.68,m＝1/5の場合、Ｄ1.
5μm,d217.6μｍとなる。
ため、（４）式より距離Ｄが決定され、さらに（２）式
より高反射膜10の厚みd2が求まる。例えば、NA＝0.54,
λ＝436nm,n2＝1.7866,n4＝1.68,m＝1/5の場合、Ｄ1.
5μm,d217.6μｍとなる。
以上のように、透過光L3と高反射膜10による１次反射
光L4を利用してレジスト膜８の感光を行うため、焦点深
度を従来に比べ最大２倍まで拡大できる。
光L4を利用してレジスト膜８の感光を行うため、焦点深
度を従来に比べ最大２倍まで拡大できる。
第３図ないし第６図は、上記実施例のフォトマスク３
の変形例をそれぞれ示す。
の変形例をそれぞれ示す。
第３図のフォトマスク３は、遮光パターン５に対応し
て、遮光パターン５と高反射膜10との間に反射防止膜12
をさらに備えている。反射防止膜12は、たとえば酸化ク
ロムにより構成され、その屈折率n5は約1.4である。高
反射膜10,反射防止膜12,遮光パターン５の屈折率n2,n5,
n6の間には、N2＜n5＜n6の関係が成立しているため、反
射防止膜12の厚みd5を、例えば に設定することにより、良好な反射防止効果が得られ
る。
て、遮光パターン５と高反射膜10との間に反射防止膜12
をさらに備えている。反射防止膜12は、たとえば酸化ク
ロムにより構成され、その屈折率n5は約1.4である。高
反射膜10,反射防止膜12,遮光パターン５の屈折率n2,n5,
n6の間には、N2＜n5＜n6の関係が成立しているため、反
射防止膜12の厚みd5を、例えば に設定することにより、良好な反射防止効果が得られ
る。
この反射防止膜12が設けられていない場合には、高反
射膜10と遮光パターン５の境界面で反射された光の一部
が、高反射膜10内で多重反射された後、迷光となってレ
ンズ系６側に出射される。反射防止膜12はこのような迷
光の発生を防止して、露光精度の向上を図る。
射膜10と遮光パターン５の境界面で反射された光の一部
が、高反射膜10内で多重反射された後、迷光となってレ
ンズ系６側に出射される。反射防止膜12はこのような迷
光の発生を防止して、露光精度の向上を図る。
また、第４図のフォトマスク３は、透明基板４の他方
主面上に、反射防止膜13をさらに備えている。反射防止
膜13は、例えばMgF2により構成され、その屈折率n7は1.
378である。空気層，反射防止膜13,透明基板４の屈折率
n0,n7,n1の間には、n0＜n7＜n1の関係が成立しているた
め、反射防止膜13の厚みd7を例えば、 に設定することにより、良好な反射防止効果が得られ
る。
主面上に、反射防止膜13をさらに備えている。反射防止
膜13は、例えばMgF2により構成され、その屈折率n7は1.
378である。空気層，反射防止膜13,透明基板４の屈折率
n0,n7,n1の間には、n0＜n7＜n1の関係が成立しているた
め、反射防止膜13の厚みd7を例えば、 に設定することにより、良好な反射防止効果が得られ
る。
この反射防止膜13が設けられていない場合には、光源
１からフォトマスク３に入射された光の一部が透明基板
４の上面で反射されて迷光となり、あるいは透明基板４
の下面で反射された入射光の一部が透明基板４の上面で
再度反射されて迷光となって、レンズ系６側に出射され
る。反射防止膜13は、このような迷光の発生を防止し
て、露光精度の向上を図る。
１からフォトマスク３に入射された光の一部が透明基板
４の上面で反射されて迷光となり、あるいは透明基板４
の下面で反射された入射光の一部が透明基板４の上面で
再度反射されて迷光となって、レンズ系６側に出射され
る。反射防止膜13は、このような迷光の発生を防止し
て、露光精度の向上を図る。
また、第５図のフォトマスク３は、遮光パターン５の
投影レンズ６側の表面上に、反射防止膜14をさらに形成
している。この反射防止膜14は、遮光パターン５の下面
側に入射される光の反射を防止して露光精度の向上を図
る。
投影レンズ６側の表面上に、反射防止膜14をさらに形成
している。この反射防止膜14は、遮光パターン５の下面
側に入射される光の反射を防止して露光精度の向上を図
る。
もちろん、第３図ないし第５図に示される反射防止膜
12,13,14を適宜組み合わせてフォトマスク３内に形成し
てもよい。第６図は、上記反射防止膜12,13,14のすべて
を備えたフォトマスク３の例を示す。
12,13,14を適宜組み合わせてフォトマスク３内に形成し
てもよい。第６図は、上記反射防止膜12,13,14のすべて
を備えたフォトマスク３の例を示す。
第７図はこの発明の第２実施例であるフォトマスクを
含む露光装置の要部構成図を示す。
含む露光装置の要部構成図を示す。
第７図に示すように、このフォトマスク３は、遮光パ
ターン５が透明基板４の一方主面上に形成されており、
この遮光パターン５を覆うように、高反射膜10が透明基
板４の一方主面上に形成されている。その他の構成は、
第１図の第１実施例と同一であるため、同一または相当
部分に同一符号を付してその説明を省略する。
ターン５が透明基板４の一方主面上に形成されており、
この遮光パターン５を覆うように、高反射膜10が透明基
板４の一方主面上に形成されている。その他の構成は、
第１図の第１実施例と同一であるため、同一または相当
部分に同一符号を付してその説明を省略する。
このフォトマスク３を使用した場合にも、高反射膜10
をそのまま透過した光L3に対するレジスト膜８内での焦
点位置Ｐと、高反射膜10による１次反射光L4に対するレ
ジスト膜８内での焦点位置Ｑとが、レジスト膜８の厚み
方向に沿って離れて存在することになり、焦点深度が拡
大する。
をそのまま透過した光L3に対するレジスト膜８内での焦
点位置Ｐと、高反射膜10による１次反射光L4に対するレ
ジスト膜８内での焦点位置Ｑとが、レジスト膜８の厚み
方向に沿って離れて存在することになり、焦点深度が拡
大する。
第８図は、上記第２実施例において、透明基板４の他
方主面上に反射防止膜15を形成した例を示す。この反射
防止膜15は、第４図の反射防止膜13と同様の作用を果た
す。
方主面上に反射防止膜15を形成した例を示す。この反射
防止膜15は、第４図の反射防止膜13と同様の作用を果た
す。
請求項１〜４に係る発明によれば、透明基板の反射性
膜の第１及び第２の主面によって光の一部が内部で反射
されるため、反射性膜をそのまま透過した光に対するレ
ジスト膜内での焦点位置と、反射性膜の第１及び第２の
主面によって反射された光に対するレジスト膜内での焦
点位置とがレジスト膜の厚み方向に沿って離れて存在す
ることになり、これにより焦点深度を拡大できるという
効果が得られる。
膜の第１及び第２の主面によって光の一部が内部で反射
されるため、反射性膜をそのまま透過した光に対するレ
ジスト膜内での焦点位置と、反射性膜の第１及び第２の
主面によって反射された光に対するレジスト膜内での焦
点位置とがレジスト膜の厚み方向に沿って離れて存在す
ることになり、これにより焦点深度を拡大できるという
効果が得られる。
第１図はこの発明の第１実施例であるフォトマスクを含
む露光装置の要部構成図、第２図は焦点深度の拡大を説
明するための図、第３図ないし第６図は上記第１実施例
に係るフォトマスクの変形例をそれぞれ示す図、第７図
はこの発明の第２実施例であるフォトマスクを含む露光
装置の要部構成図、第８図は上記第２実施例に係るフォ
トマスクの変形例を示す図、第９図はフォトリソグラフ
ィ工程において従来より用いられているフォトマスクを
含む露光装置の概略構成図、第10図はその要部拡大図で
ある。 図において、３はフォトマスク、４は透明基板、５は遮
光パターン、６はレンズ系、７は基板、８はレジスト膜
である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
む露光装置の要部構成図、第２図は焦点深度の拡大を説
明するための図、第３図ないし第６図は上記第１実施例
に係るフォトマスクの変形例をそれぞれ示す図、第７図
はこの発明の第２実施例であるフォトマスクを含む露光
装置の要部構成図、第８図は上記第２実施例に係るフォ
トマスクの変形例を示す図、第９図はフォトリソグラフ
ィ工程において従来より用いられているフォトマスクを
含む露光装置の概略構成図、第10図はその要部拡大図で
ある。 図において、３はフォトマスク、４は透明基板、５は遮
光パターン、６はレンズ系、７は基板、８はレジスト膜
である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−167025（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−95356（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−123464（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−168641（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−2756（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−109349（ＪＰ，Ａ) 実開 昭60−104840（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G03F 1/08
Claims (4)
- 【請求項１】リソグラフィ技術を用いて被加工物上のレ
ジスト膜に所定のパターンを転写する際に使用するフォ
トマスクであって、 透明基板と、 前記透明基板の一方主面側に積層された、遮光パターン
と、第１及び第２の主面にて光の一部を内部で反射する
反射性膜とを備えた、フォトマスク。 - 【請求項２】前記反射性膜が前記透明基板の前記一方主
面上に形成され、前記遮光パターンが前記反射性膜上に
形成された請求項１記載のフォトマスク。 - 【請求項３】前記遮光パターンが前記透明基板の前記一
方主面上に形成され、前記反射性膜が前記遮光パターン
を覆うように前記透明基板の前記一方主面上に形成され
た請求項１記載のフォトマスク。 - 【請求項４】遮光パターンと、第１及び第２の主面にて
光の一部を内部で反射する反射性膜とが透明基板の一方
主面側に積層されたフォトマスクと、 表面にレジスト膜を有する被加工物と、 前記レジスト膜に対して集光及び結像を行う光学系と を準備する工程と、 前記フォトマスクへと透光を行う工程とを備える、レジ
ストパターンの形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19747490A JP2984328B2 (ja) | 1990-07-23 | 1990-07-23 | フォトマスク及びレジストパターンの形成方法 |
| US07/793,319 US5279911A (en) | 1990-07-23 | 1991-11-15 | Photomask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19747490A JP2984328B2 (ja) | 1990-07-23 | 1990-07-23 | フォトマスク及びレジストパターンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0480756A JPH0480756A (ja) | 1992-03-13 |
| JP2984328B2 true JP2984328B2 (ja) | 1999-11-29 |
Family
ID=16375087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19747490A Expired - Lifetime JP2984328B2 (ja) | 1990-07-23 | 1990-07-23 | フォトマスク及びレジストパターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2984328B2 (ja) |
-
1990
- 1990-07-23 JP JP19747490A patent/JP2984328B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0480756A (ja) | 1992-03-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3047541B2 (ja) | 反射型マスクおよび欠陥修正方法 | |
| KR100218074B1 (ko) | 투영 석판 인쇄 시스템 및 전반사용 광학 소자 이용방법 | |
| JPH05281469A (ja) | 異なる屈折率の材質からなる適合された複数の要素を用いた広帯域光学縮小系 | |
| JPH07111512B2 (ja) | 補償型光学システム | |
| US6967796B2 (en) | Optical element and optical system | |
| KR940007066B1 (ko) | 반사형 포토마스크와 반사형 포토리소그래피 방법 | |
| JP3374875B2 (ja) | 半導体写真製版装置及びそれを用いて形成された微細パターン | |
| JPH05326370A (ja) | 投影露光装置 | |
| US6576375B1 (en) | Photomask | |
| US5279911A (en) | Photomask | |
| US6797439B1 (en) | Photomask with back-side anti-reflective layer and method of manufacture | |
| JP3499592B2 (ja) | 投影露光装置及びパターン転写方法 | |
| JP2001264626A (ja) | 回折光学素子を有する光学系 | |
| US20070134563A1 (en) | Photomask and method of manufacturing semiconductor device | |
| US7271950B1 (en) | Apparatus and method for optimizing a pellicle for off-axis transmission of light | |
| JP2901201B2 (ja) | フォトマスク | |
| JPH06250378A (ja) | 露光方法及び該露光方法で使用されるフォトマスク | |
| JP2785757B2 (ja) | フォトマスク | |
| JP2984328B2 (ja) | フォトマスク及びレジストパターンの形成方法 | |
| JP2579416B2 (ja) | リソグラフィ用の光学系 | |
| US6780548B1 (en) | Alternating aperture phase shifting photomask with improved transmission balancing | |
| JP3178516B2 (ja) | 位相シフトマスク | |
| JP4095791B2 (ja) | パターンの転写方法とそのフォトマスク | |
| EP0581585A1 (en) | Catadioptric reduction projection optical system | |
| JP3110245B2 (ja) | 反射型露光用マスクとパターン形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070924 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080924 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080924 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090924 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090924 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100924 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |