JP2901201B2 - フォトマスク - Google Patents
フォトマスクInfo
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- JP2901201B2 JP2901201B2 JP2309491A JP2309491A JP2901201B2 JP 2901201 B2 JP2901201 B2 JP 2901201B2 JP 2309491 A JP2309491 A JP 2309491A JP 2309491 A JP2309491 A JP 2309491A JP 2901201 B2 JP2901201 B2 JP 2901201B2
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- photomask
- transparent substrate
- film
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体ウェハ等の被
加工物をリソグラフィ技術を用いて加工する際に使用さ
れるフォトマスクに関する。
加工物をリソグラフィ技術を用いて加工する際に使用さ
れるフォトマスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】図６はフォトリソグラフィ工程において
従来より用いられているフォトマスクを含む露光装置の
概略構成図を示し、図７はその要部拡大図を示す。
従来より用いられているフォトマスクを含む露光装置の
概略構成図を示し、図７はその要部拡大図を示す。
【０００３】両図に示すように、光源１から出射された
光Ｌ１は、レンズ系２で集束されてフォトマスク３上に
照射される。フォトマスク３には、透明基板４の一方主
面上に遮光パターン５が形成されており、フォトマスク
３に入射された光Ｌ２のうち遮光パターン５に対応する
領域に入射された光は遮断され、残りの領域に入射され
た光は透過する。フォトマスク３を選択的に透過した光
Ｌ３は、例えばテレセントリックに仕上げられた倍率ｍ
の投影レンズ系６を介し、被加工物の基板７上に形成さ
れたレジスト膜８内で集光されて結像される。こうし
て、レジスト膜８が部分的に感光され、マスクパターン
がレジスト膜８に転写される。
光Ｌ１は、レンズ系２で集束されてフォトマスク３上に
照射される。フォトマスク３には、透明基板４の一方主
面上に遮光パターン５が形成されており、フォトマスク
３に入射された光Ｌ２のうち遮光パターン５に対応する
領域に入射された光は遮断され、残りの領域に入射され
た光は透過する。フォトマスク３を選択的に透過した光
Ｌ３は、例えばテレセントリックに仕上げられた倍率ｍ
の投影レンズ系６を介し、被加工物の基板７上に形成さ
れたレジスト膜８内で集光されて結像される。こうし
て、レジスト膜８が部分的に感光され、マスクパターン
がレジスト膜８に転写される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のフォトマスク３
は以上のようにマスク表面が平滑的に仕上げられている
ため、フォトマスク３を選択的に透過したそれぞれの光
Ｌ３は、レンズ系６を介して一平面（焦平面）９上に結
像される。これに対し、被加工物である基板７の表面
は、その基板７に形成される各種集積回路パターンに応
じて凹凸に仕上げられており、これに合わせてレジスト
膜８も凹凸に形成されている。例えば図７に示すような
凸状領域７ａが基板７の表面に形成されていると、レジ
スト膜８の領域８ａと領域８ｂとの間で段差が生じるこ
とになる。このとき、レンズ系６の焦点を領域８ａに合
わせると領域８ｂで焦点が合わなくなり、逆にその焦点
を領域８ｂに合わせると領域８ａで焦点が合わなくなっ
て、レジスト膜８に感光不良の領域が不可避的に発生す
るという問題を有していた。
は以上のようにマスク表面が平滑的に仕上げられている
ため、フォトマスク３を選択的に透過したそれぞれの光
Ｌ３は、レンズ系６を介して一平面（焦平面）９上に結
像される。これに対し、被加工物である基板７の表面
は、その基板７に形成される各種集積回路パターンに応
じて凹凸に仕上げられており、これに合わせてレジスト
膜８も凹凸に形成されている。例えば図７に示すような
凸状領域７ａが基板７の表面に形成されていると、レジ
スト膜８の領域８ａと領域８ｂとの間で段差が生じるこ
とになる。このとき、レンズ系６の焦点を領域８ａに合
わせると領域８ｂで焦点が合わなくなり、逆にその焦点
を領域８ｂに合わせると領域８ａで焦点が合わなくなっ
て、レジスト膜８に感光不良の領域が不可避的に発生す
るという問題を有していた。
【０００５】さらに詳しく説明すると、レンズ系６に
は、その開口数をＮＡとした場合、波長λの光に対して
数１により表わされる所定の焦点深度ＤＯＦが認められ
る。
は、その開口数をＮＡとした場合、波長λの光に対して
数１により表わされる所定の焦点深度ＤＯＦが認められ
る。
【０００６】
【数１】
【０００７】レジスト膜８は、実質上、焦平面９を中心
にレジスト膜８の厚み方向に沿って上記焦点深度ＤＯＦ
の範囲内で感光されるため、焦点深度ＤＯＦの値がレジ
スト膜８の凹凸に対して充分に大きいと上記問題は発生
しない。
にレジスト膜８の厚み方向に沿って上記焦点深度ＤＯＦ
の範囲内で感光されるため、焦点深度ＤＯＦの値がレジ
スト膜８の凹凸に対して充分に大きいと上記問題は発生
しない。
【０００８】しかしながら、近年ＬＳＩの微細化に伴い
レンズ系６の集光能を考慮してその開口数ＮＡが増大す
る傾向にあり、その結果焦点深度ＤＯＦは逆に減少する
傾向にある。例えば現在のＬＳＩの製造工程では、波長
λが４３６ｎｍの紫外線に対し開口数ＮＡが約０．５４
のレンズ系６が使用される場合があり、この場合の焦点
深度ＤＯＦは約１．５μｍとなる。これに対し、レジス
ト膜８の膜厚も約１．５μｍで、焦点深度ＤＯＦとほぼ
等しい。したがって、このような場合には、レジスト膜
８に段差が形成されると、感光不良の領域が必然的に発
生することになる。
レンズ系６の集光能を考慮してその開口数ＮＡが増大す
る傾向にあり、その結果焦点深度ＤＯＦは逆に減少する
傾向にある。例えば現在のＬＳＩの製造工程では、波長
λが４３６ｎｍの紫外線に対し開口数ＮＡが約０．５４
のレンズ系６が使用される場合があり、この場合の焦点
深度ＤＯＦは約１．５μｍとなる。これに対し、レジス
ト膜８の膜厚も約１．５μｍで、焦点深度ＤＯＦとほぼ
等しい。したがって、このような場合には、レジスト膜
８に段差が形成されると、感光不良の領域が必然的に発
生することになる。
【０００９】したがって、この発明は、上記問題を解決
するためになされたもので、レジスト膜の段差に応じて
精度良く感光できるフォトマスクを提供することであ
る。
するためになされたもので、レジスト膜の段差に応じて
精度良く感光できるフォトマスクを提供することであ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明にかかるフォト
マスクは、リソグラフィ技術を用いて被加工物上のレジ
スト膜に所定のパターンを転写する際に使用するフォト
マスクであって、透明基板と、前記透明基板の一方主面
側に形成された遮光パターンと、前記透明基板の他方主
面側に形成され、前記レジスト膜の段差に応じて焦点距
離が変化するように、前記遮光パターン間を通過する光
の光学距離を調整する光学距離調整膜とを備える。望ま
しくは、前記光学距離調整膜の屈折率は前記透明基板の
屈折率に等しい。
マスクは、リソグラフィ技術を用いて被加工物上のレジ
スト膜に所定のパターンを転写する際に使用するフォト
マスクであって、透明基板と、前記透明基板の一方主面
側に形成された遮光パターンと、前記透明基板の他方主
面側に形成され、前記レジスト膜の段差に応じて焦点距
離が変化するように、前記遮光パターン間を通過する光
の光学距離を調整する光学距離調整膜とを備える。望ま
しくは、前記光学距離調整膜の屈折率は前記透明基板の
屈折率に等しい。
【００１１】
【作用】この発明のフォトマスクによれば、透明基板上
に光学距離調整膜を形成しているため、遮光パターンを
通過した光の焦点位置がレジスト膜の段差に応じレジス
ト膜の厚み方向に変化し、これにより基板表面の凹凸が
補償された状態でレジスト膜が感光される。特に光学距
離調整膜の屈折率は透明基板の屈折率に等しい場合に
は、両者の境界面での反射率が小さくなって、入射した
光は効率よく出射する。
に光学距離調整膜を形成しているため、遮光パターンを
通過した光の焦点位置がレジスト膜の段差に応じレジス
ト膜の厚み方向に変化し、これにより基板表面の凹凸が
補償された状態でレジスト膜が感光される。特に光学距
離調整膜の屈折率は透明基板の屈折率に等しい場合に
は、両者の境界面での反射率が小さくなって、入射した
光は効率よく出射する。
【００１２】
【実施例】図１はこの発明の一実施例の前駆的思想の例
であるフォトマスクの斜視図、図２はそのフォトマスク
を含む露光装置の要部構成図である。この露光装置の全
体構成は、図６に示される露光装置と同一であるので、
同一又は相当部分に同一符号を用いて以下説明する。
であるフォトマスクの斜視図、図２はそのフォトマスク
を含む露光装置の要部構成図である。この露光装置の全
体構成は、図６に示される露光装置と同一であるので、
同一又は相当部分に同一符号を用いて以下説明する。
【００１３】図１に示されるように、フォトマスク３
は、透明基板４と、透明基板４の一方主面側に形成され
た遮光パターン５と、遮光パターン５を部分的に覆うよ
うに透明基板４の一方主面側に形成された光学距離調整
膜１０とを備える。
は、透明基板４と、透明基板４の一方主面側に形成され
た遮光パターン５と、遮光パターン５を部分的に覆うよ
うに透明基板４の一方主面側に形成された光学距離調整
膜１０とを備える。
【００１４】透明基板４は、例えば石英により構成さ
れ、その屈折率ｎ１は１．４７、厚みｄは約５ｍｍであ
る。
れ、その屈折率ｎ１は１．４７、厚みｄは約５ｍｍであ
る。
【００１５】遮光パターン５は、ＣｒやＭｏＳｉ等によ
り構成され、その厚みｄ３は通常０．１μｍ程度であ
る。
り構成され、その厚みｄ３は通常０．１μｍ程度であ
る。
【００１６】光学距離調整膜１０は、たとえば石英（Ｓ
ｉＯ２）により構成される。この光学距離調整膜１０
は、その屈折率ｎ２が透明基板４の屈折率ｎ１と同一又
はほぼ等しい材料によって構成されるのが望ましい。屈
折率ｎ１，ｎ２の差が小さくなるほど、透明基板４と光
学距離調整膜１０との境界面での反射率が小さくなっ
て、フォトマスク３に入射された光がレンズ系６側に効
率良く透過されるようになるためである。光学距離調整
膜１０を、石英（ＳｉＯ２）により構成した場合には、
屈折率ｎ２が１．４７となって透明基板４の屈折率ｎ１
と等しくなり、その境界面での反射率がほぼゼロとな
る。なお、光学距離調整膜１０の形成位置および厚みｄ
２は、レジスト膜８の段差に基づいて決定されるが、そ
の詳細は後述する。
ｉＯ２）により構成される。この光学距離調整膜１０
は、その屈折率ｎ２が透明基板４の屈折率ｎ１と同一又
はほぼ等しい材料によって構成されるのが望ましい。屈
折率ｎ１，ｎ２の差が小さくなるほど、透明基板４と光
学距離調整膜１０との境界面での反射率が小さくなっ
て、フォトマスク３に入射された光がレンズ系６側に効
率良く透過されるようになるためである。光学距離調整
膜１０を、石英（ＳｉＯ２）により構成した場合には、
屈折率ｎ２が１．４７となって透明基板４の屈折率ｎ１
と等しくなり、その境界面での反射率がほぼゼロとな
る。なお、光学距離調整膜１０の形成位置および厚みｄ
２は、レジスト膜８の段差に基づいて決定されるが、そ
の詳細は後述する。
【００１７】投影レンズ系６は、複数枚の組み合せレン
ズにより構成され、入射と出射の両方向に対しテレセン
トリックに仕上げられている。このレンズ系６の倍率ｍ
は、例えば１／５が設定される。もっとも、倍率ｍは上
記値に限定されず、例えば、ｍ＝１／１０であってもよ
く、またｍ＝１であってもよい。
ズにより構成され、入射と出射の両方向に対しテレセン
トリックに仕上げられている。このレンズ系６の倍率ｍ
は、例えば１／５が設定される。もっとも、倍率ｍは上
記値に限定されず、例えば、ｍ＝１／１０であってもよ
く、またｍ＝１であってもよい。
【００１８】被加工物であるウェハ基板７上に形成され
るレジスト膜８は、従来より周知のレジスト材料が使用
される。例えばＭＣＰＲ２０００Ｈ（三菱化成株式会社
製）を使用した場合には、屈折率ｎ４は１．６８で、厚
みｄ４は約１．５μｍである。このレジスト膜８は、例
えば図７に示すような凸状領域７ａが基板７の表面に形
成されていると、領域８ａと領域８ｂとの間で段差が生
じることになる。
るレジスト膜８は、従来より周知のレジスト材料が使用
される。例えばＭＣＰＲ２０００Ｈ（三菱化成株式会社
製）を使用した場合には、屈折率ｎ４は１．６８で、厚
みｄ４は約１．５μｍである。このレジスト膜８は、例
えば図７に示すような凸状領域７ａが基板７の表面に形
成されていると、領域８ａと領域８ｂとの間で段差が生
じることになる。
【００１９】このフォトマスク３を含む露光装置におい
て、光源１（図６参照）から例えば波長４３６ｎｍの紫
外線の光Ｌ１が照射されると、レンズ系２で集束されて
光Ｌ２としてフォトマスク３に入射される。
て、光源１（図６参照）から例えば波長４３６ｎｍの紫
外線の光Ｌ１が照射されると、レンズ系２で集束されて
光Ｌ２としてフォトマスク３に入射される。
【００２０】フォトマスク３に入射された光Ｌ２のうち
遮光パターン５に対応する領域に入射された光は遮断さ
れ、残りの光は遮光パターン５間を透過してレンズ系６
に向け出射される。この場合、光学距離調整膜１０の設
けられていない領域では、透過光Ｌ３は、透明基板４か
ら直接レンズ系６に向けて出射されることになり、一
方、光学距離調整膜１０の設けられている領域では、透
過光Ｌ４は光学距離調整膜１０を通過した後レンズ系６
に向けて出射されることになる。
遮光パターン５に対応する領域に入射された光は遮断さ
れ、残りの光は遮光パターン５間を透過してレンズ系６
に向け出射される。この場合、光学距離調整膜１０の設
けられていない領域では、透過光Ｌ３は、透明基板４か
ら直接レンズ系６に向けて出射されることになり、一
方、光学距離調整膜１０の設けられている領域では、透
過光Ｌ４は光学距離調整膜１０を通過した後レンズ系６
に向けて出射されることになる。
【００２１】こうして、フォトマスク３を選択的に透過
した透過光Ｌ３およびＬ４が、投影レンズ系６を介しＳ
ｉ基板７上に形成されたレジスト膜８上に集光されて結
像される。
した透過光Ｌ３およびＬ４が、投影レンズ系６を介しＳ
ｉ基板７上に形成されたレジスト膜８上に集光されて結
像される。
【００２２】ところで、光学距離調整膜１０の屈折率ｎ
２は空気の屈折率１よりも大きいため、透過光Ｌ４は透
過光Ｌ３に対して（ｎ２−１）ｄ２だけ光路長（光学距
離）が長くなる。このため、レンズ系６の透過光Ｌ４に
対する焦点位置Ｑは、透過光Ｌ３に対する焦点位置Ｐよ
りも、レンズ系６の光軸方向に沿って距離Ｄだけ近づく
ことになる。
２は空気の屈折率１よりも大きいため、透過光Ｌ４は透
過光Ｌ３に対して（ｎ２−１）ｄ２だけ光路長（光学距
離）が長くなる。このため、レンズ系６の透過光Ｌ４に
対する焦点位置Ｑは、透過光Ｌ３に対する焦点位置Ｐよ
りも、レンズ系６の光軸方向に沿って距離Ｄだけ近づく
ことになる。
【００２３】いま、焦点位置Ｐ，Ｑ間の光学距離ｎ４Ｄ
は、透過光Ｌ３，Ｌ４の光路差（ｎ２−１）ｄ２と、レ
ンズ系６の倍率ｍを用いて、ｎ４Ｄ＝ ｍ２×（ｎ２−
１）ｄ２で表わされるため、距離Ｄは、
は、透過光Ｌ３，Ｌ４の光路差（ｎ２−１）ｄ２と、レ
ンズ系６の倍率ｍを用いて、ｎ４Ｄ＝ ｍ２×（ｎ２−
１）ｄ２で表わされるため、距離Ｄは、
【００２４】
【数２】
【００２５】となる。
【００２６】数２から明らかなように、距離Ｄは、倍率
ｍおよび屈折率ｎ２，ｎ４の値が固定されると、光学距
離調整膜１０の厚みｄ２に依存する。
ｍおよび屈折率ｎ２，ｎ４の値が固定されると、光学距
離調整膜１０の厚みｄ２に依存する。
【００２７】そこで、距離Ｄが、レジスト膜８の領域８
ａ，８ｂ間の段差の寸法Ｔに一致するように厚みｄ２を
定めると、言い換えれば厚みｄ２が
ａ，８ｂ間の段差の寸法Ｔに一致するように厚みｄ２を
定めると、言い換えれば厚みｄ２が
【００２８】
【数３】
【００２９】を満足するように設定すると、透過光Ｌ３
の焦点位置Ｐを領域８ａ内に位置させながら、同時に透
過光Ｌ４の焦点位置Ｑを領域８ｂ内に位置させることが
可能となる。例えば、ｎ２＝１．４７，ｎ４＝１．６
８，ｍ＝１／５の場合、ｄ２＝８９．４Ｔとなる。
の焦点位置Ｐを領域８ａ内に位置させながら、同時に透
過光Ｌ４の焦点位置Ｑを領域８ｂ内に位置させることが
可能となる。例えば、ｎ２＝１．４７，ｎ４＝１．６
８，ｍ＝１／５の場合、ｄ２＝８９．４Ｔとなる。
【００３０】以上のように、このフォトマスク３によれ
ば、レジスト膜８の段差に応じた厚みｄ２を有する光学
距離調整膜１０が透明基板４上に形成されているため、
遮光パターン５間を通過した光の焦点位置がレジスト膜
８の段差に応じて変化し、基板７表面の凹凸が補償され
た状態でレジスト膜８が感光される。
ば、レジスト膜８の段差に応じた厚みｄ２を有する光学
距離調整膜１０が透明基板４上に形成されているため、
遮光パターン５間を通過した光の焦点位置がレジスト膜
８の段差に応じて変化し、基板７表面の凹凸が補償され
た状態でレジスト膜８が感光される。
【００３１】また、光学距離調整膜１０を透明基板４と
同様に石英（ＳｉＯ２）により構成しているため、その
屈折率ｎ２が透明基板４の屈折率ｎ１とほぼ等しくな
る。その結果、透明基板４と光学距離調整膜１０の境界
面における反射率がほぼゼロとなり、フォトマスク３に
入射された光Ｌ２は、その境界面で反射されることなく
効率良くレジスト膜８上に投射される。
同様に石英（ＳｉＯ２）により構成しているため、その
屈折率ｎ２が透明基板４の屈折率ｎ１とほぼ等しくな
る。その結果、透明基板４と光学距離調整膜１０の境界
面における反射率がほぼゼロとなり、フォトマスク３に
入射された光Ｌ２は、その境界面で反射されることなく
効率良くレジスト膜８上に投射される。
【００３２】なお、上記の例では、レジスト膜８の段差
が１段の場合について説明したが、段差は複数段あって
もよく、また連続的に変化していてもよい。この場合、
光学距離調整膜１０は、レジスト膜８の段差に応じて、
その厚みｄ２が複数段あるいは連続的に変化するように
設定される。
が１段の場合について説明したが、段差は複数段あって
もよく、また連続的に変化していてもよい。この場合、
光学距離調整膜１０は、レジスト膜８の段差に応じて、
その厚みｄ２が複数段あるいは連続的に変化するように
設定される。
【００３３】図３ないし図５は、上記のフォトマスク３
の変形例をそれぞれ示す。即ち、図３ないし図５におい
て示された構成は図２におけるフォトマスクと置換され
得る。
の変形例をそれぞれ示す。即ち、図３ないし図５におい
て示された構成は図２におけるフォトマスクと置換され
得る。
【００３４】図３のフォトマスク３は、光学距離調整膜
１０の形成されている領域（光学距離調整膜１０の端部
領域を除く）では、遮光パターン５が、透明基板４上で
はなく、光学距離調整膜１０上に形成されている。その
他の構成は、図２のフォトマスク３と同様であり、同様
の効果を奏する。
１０の形成されている領域（光学距離調整膜１０の端部
領域を除く）では、遮光パターン５が、透明基板４上で
はなく、光学距離調整膜１０上に形成されている。その
他の構成は、図２のフォトマスク３と同様であり、同様
の効果を奏する。
【００３５】また、図４は本発明の実施例となるフォト
マスク３を例示し、光学距離調整膜１０が、透明基板４
の一方主面側ではなく、他方主面側に形成されている。
その他の構成は図２のフォトマスク３と同様であり、同
様の効果を奏する。もっとも、光学距離調整膜１０は、
透明基板４の一方主面と他方主面の両方に形成してもよ
く、その場合には両主面に形成される光学距離調整膜１
０の合計厚みが、数３で示される厚みｄ２になるように
設定すればよい。
マスク３を例示し、光学距離調整膜１０が、透明基板４
の一方主面側ではなく、他方主面側に形成されている。
その他の構成は図２のフォトマスク３と同様であり、同
様の効果を奏する。もっとも、光学距離調整膜１０は、
透明基板４の一方主面と他方主面の両方に形成してもよ
く、その場合には両主面に形成される光学距離調整膜１
０の合計厚みが、数３で示される厚みｄ２になるように
設定すればよい。
【００３６】また、図５は参考例たるフォトマスク３を
例示し、透明基板４の他方主面上に、反射防止膜１１を
さらに備えている。反射防止膜１１は、例えばＭｇＦ２
により構成され、その屈折率ｎ５は１．３７８である。
空気層，反射防止膜１１，透明基板４の屈折率ｎ０，ｎ
５，ｎ１の間には、ｎ０＜ｎ５＜ｎ１の関係が成立して
いるため、反射防止膜１１の厚みｄ５を例えば、
例示し、透明基板４の他方主面上に、反射防止膜１１を
さらに備えている。反射防止膜１１は、例えばＭｇＦ２
により構成され、その屈折率ｎ５は１．３７８である。
空気層，反射防止膜１１，透明基板４の屈折率ｎ０，ｎ
５，ｎ１の間には、ｎ０＜ｎ５＜ｎ１の関係が成立して
いるため、反射防止膜１１の厚みｄ５を例えば、
【００３７】
【数４】
【００３８】に設定することにより、良好な反射防止効
果が得られる。
果が得られる。
【００３９】この反射防止膜１１が設けられていない場
合には、光源１からフォトマスク３に入射された光の一
部が透明基板４の上面で反射されて迷光となり、あるい
は透明基板４の下面で反射された入射光の一部が透明基
板４の上面で再度反射されて迷光となって、レンズ系６
側に出射される。反射防止膜１１は、このような迷光の
発生を防止して、露光精度の向上を図る。
合には、光源１からフォトマスク３に入射された光の一
部が透明基板４の上面で反射されて迷光となり、あるい
は透明基板４の下面で反射された入射光の一部が透明基
板４の上面で再度反射されて迷光となって、レンズ系６
側に出射される。反射防止膜１１は、このような迷光の
発生を防止して、露光精度の向上を図る。
【００４０】
【発明の効果】この発明のフォトマスクによれば、遮光
パターンの間を通過する透過光の光学距離を調整するこ
とができるので、透過光の焦点位置を被投影面上の段差
に応じて変化させることができ、被投影面上の凹凸を補
償してレジスト膜を精度良く感光させることができる。
特に光学距離調整膜の屈折率は透明基板の屈折率に等し
い場合には、透過光をフォトマスク内で効率よく透過さ
せることができる。
パターンの間を通過する透過光の光学距離を調整するこ
とができるので、透過光の焦点位置を被投影面上の段差
に応じて変化させることができ、被投影面上の凹凸を補
償してレジスト膜を精度良く感光させることができる。
特に光学距離調整膜の屈折率は透明基板の屈折率に等し
い場合には、透過光をフォトマスク内で効率よく透過さ
せることができる。
【図１】この発明の前駆的思想であるフォトマスクの斜
視図である。
視図である。
【図２】図１のフォトマスクを含む露光装置の要部構成
図である。
図である。
【図３】この発明の前駆的思想に係るフォトマスクの変
形例を示す図である。
形例を示す図である。
【図４】この発明の一実施例に係るフォトマスクを示す
図である。
図である。
【図５】この発明の参考例を示す図である。
【図６】フォトリソグラフィ工程において、従来より用
いられているフォトマスクを含む露光装置の概略構成図
である。
いられているフォトマスクを含む露光装置の概略構成図
である。
【図７】図６の要部拡大図である。
３ フォトマスク ４ 透明基板 ５ 遮光パターン ７ 基板 ８ レジスト膜 １０ 光学距離調整膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G03F 1/08 G03F 1/00
Claims (2)
- 【請求項１】 リソグラフィ技術を用いて被加工物上の
レジスト膜に所定のパターンを転写する際に使用するフ
ォトマスクであって、透明基板と、前記透明基板の一方
主面側に形成された遮光パターンと、前記透明基板の他
方主面側に形成され、前記レジスト膜の段差に応じて焦
点距離が変化するように、前記遮光パターン間を通過す
る光の光学距離を調整する光学距離調整膜とを備えたフ
ォトマスク。 - 【請求項２】 前記光学距離調整膜の屈折率は前記透明
基板の屈折率に等しい、請求項１記載のフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/181,448 US5455130A (en) | 1990-08-18 | 1994-01-14 | Photomask comprising an optical path adjusting film |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21761290 | 1990-08-18 | ||
| JP2-217612 | 1990-08-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04212154A JPH04212154A (ja) | 1992-08-03 |
| JP2901201B2 true JP2901201B2 (ja) | 1999-06-07 |
Family
ID=16707021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2309491A Expired - Fee Related JP2901201B2 (ja) | 1990-08-18 | 1991-02-18 | フォトマスク |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5455130A (ja) |
| JP (1) | JP2901201B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06163361A (ja) * | 1992-11-25 | 1994-06-10 | Shodenryoku Kosoku Tsushin Kenkyusho:Kk | 光リソグラフィー縮小投影露光方法 |
| JP2725578B2 (ja) * | 1993-11-11 | 1998-03-11 | 日本電気株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
| US20030090636A1 (en) * | 2001-10-26 | 2003-05-15 | Corning, Inc. | Anti-reflective coating on a photomask |
| DE102008043324B4 (de) * | 2008-10-30 | 2010-11-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische Anordnung zur dreidimensionalen Strukturierung einer Materialschicht |
| JP7337014B2 (ja) * | 2020-03-23 | 2023-09-01 | キオクシア株式会社 | パターン形成方法、フォトマスク作成方法及びフォトマスク |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63204259A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-23 | Hitachi Ltd | マスク |
| JPH0681206B2 (ja) * | 1987-06-29 | 1994-10-12 | 沖電気工業株式会社 | 給電回路 |
| US5079113A (en) * | 1988-09-29 | 1992-01-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photo-mask |
| JP2564337B2 (ja) * | 1987-12-04 | 1996-12-18 | 株式会社日立製作所 | マスク及びパターン転写方法並びに半導体集積回路の製造方法 |
| US4906326A (en) * | 1988-03-25 | 1990-03-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask repair system |
| JP2710967B2 (ja) * | 1988-11-22 | 1998-02-10 | 株式会社日立製作所 | 集積回路装置の製造方法 |
| JPH02280161A (ja) * | 1989-04-20 | 1990-11-16 | Matsushita Electron Corp | フォトマスク |
| JPH03203737A (ja) * | 1989-12-29 | 1991-09-05 | Hitachi Ltd | マスクおよび露光装置 |
| JPH0467147A (ja) * | 1990-07-09 | 1992-03-03 | Matsushita Electron Corp | フォトマスク |
-
1991
- 1991-02-18 JP JP2309491A patent/JP2901201B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-01-14 US US08/181,448 patent/US5455130A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5455130A (en) | 1995-10-03 |
| JPH04212154A (ja) | 1992-08-03 |
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|
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