JPH04212154A - フォトマスク - Google Patents
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- JPH04212154A JPH04212154A JP3023094A JP2309491A JPH04212154A JP H04212154 A JPH04212154 A JP H04212154A JP 3023094 A JP3023094 A JP 3023094A JP 2309491 A JP2309491 A JP 2309491A JP H04212154 A JPH04212154 A JP H04212154A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体ウェハ等の被
加工物をリソグラフィ技術を用いて加工する際に使用さ
れるフォトマスクに関する。
加工物をリソグラフィ技術を用いて加工する際に使用さ
れるフォトマスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】図６はフォトリソグラフィ工程において
従来より用いられているフォトマスクを含む露光装置の
概略構成図を示し、図７はその要部拡大図を示す。
従来より用いられているフォトマスクを含む露光装置の
概略構成図を示し、図７はその要部拡大図を示す。
【０００３】両図に示すように、光源１から出射された
光Ｌ１ は、レンズ系２で集束されてフォトマスク３上
に照射される。フォトマスク３には、透明基板４の一方
主面上に遮光パターン５が形成されており、フォトマス
ク３に入射された光Ｌ２ のうち遮光パターン５に対応
する領域に入射された光は遮断され、残りの領域に入射
された光は透過する。フォトマスク３を選択的に透過し
た光Ｌ３ は、例えばテレセントリックに仕上げられた
倍率ｍの投影レンズ系６を介し、被加工物の基板７上に
形成されたレジスト膜８内で集光されて結像される。こ
うして、レジスト膜８が部分的に感光され、マスクパタ
ーンがレジスト膜８に転写される。
光Ｌ１ は、レンズ系２で集束されてフォトマスク３上
に照射される。フォトマスク３には、透明基板４の一方
主面上に遮光パターン５が形成されており、フォトマス
ク３に入射された光Ｌ２ のうち遮光パターン５に対応
する領域に入射された光は遮断され、残りの領域に入射
された光は透過する。フォトマスク３を選択的に透過し
た光Ｌ３ は、例えばテレセントリックに仕上げられた
倍率ｍの投影レンズ系６を介し、被加工物の基板７上に
形成されたレジスト膜８内で集光されて結像される。こ
うして、レジスト膜８が部分的に感光され、マスクパタ
ーンがレジスト膜８に転写される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のフォトマスク３
は以上のようにマスク表面が平滑的に仕上げられている
ため、フォトマスク３を選択的に透過したそれぞれの光
Ｌ３ は、レンズ系６を介して一平面（焦平面）９上に
結像される。これに対し、被加工物である基板７の表面
は、その基板７に形成される各種集積回路パターンに応
じて凹凸に仕上げられており、これに合わせてレジスト
膜８も凹凸に形成されている。例えば図７に示すような
凸状領域７ａが基板７の表面に形成されていると、レジ
スト膜８の領域８ａと領域８ｂとの間で段差が生じるこ
とになる。このとき、レンズ系６の焦点を領域８ａに合
わせると領域８ｂで焦点が合わなくなり、逆にその焦点
を領域８ｂに合わせると領域８ａで焦点が合わなくなっ
て、レジスト膜８に感光不良の領域が不可避的に発生す
るという問題を有していた。
は以上のようにマスク表面が平滑的に仕上げられている
ため、フォトマスク３を選択的に透過したそれぞれの光
Ｌ３ は、レンズ系６を介して一平面（焦平面）９上に
結像される。これに対し、被加工物である基板７の表面
は、その基板７に形成される各種集積回路パターンに応
じて凹凸に仕上げられており、これに合わせてレジスト
膜８も凹凸に形成されている。例えば図７に示すような
凸状領域７ａが基板７の表面に形成されていると、レジ
スト膜８の領域８ａと領域８ｂとの間で段差が生じるこ
とになる。このとき、レンズ系６の焦点を領域８ａに合
わせると領域８ｂで焦点が合わなくなり、逆にその焦点
を領域８ｂに合わせると領域８ａで焦点が合わなくなっ
て、レジスト膜８に感光不良の領域が不可避的に発生す
るという問題を有していた。
【０００５】さらに詳しく説明すると、レンズ系６には
、その開口数をＮＡとした場合、波長λの光に対して数
１により表わされる所定の焦点深度ＤＯＦが認められる
。
、その開口数をＮＡとした場合、波長λの光に対して数
１により表わされる所定の焦点深度ＤＯＦが認められる
。
【０００６】
【数１】
【０００７】レジスト膜８は、実質上、焦平面９を中心
にレジスト膜８の厚み方向に沿って上記焦点深度ＤＯＦ
の範囲内で感光されるため、焦点深度ＤＯＦの値がレジ
スト膜８の凹凸に対して充分に大きいと上記問題は発生
しない。
にレジスト膜８の厚み方向に沿って上記焦点深度ＤＯＦ
の範囲内で感光されるため、焦点深度ＤＯＦの値がレジ
スト膜８の凹凸に対して充分に大きいと上記問題は発生
しない。
【０００８】しかしながら、近年ＬＳＩの微細化に伴い
レンズ系６の集光能を考慮してその開口数ＮＡが増大す
る傾向にあり、その結果焦点深度ＤＯＦは逆に減少する
傾向にある。例えば現在のＬＳＩの製造工程では、波長
λが４３６ｎｍの紫外線に対し開口数ＮＡが約０．５４
のレンズ系６が使用される場合があり、この場合の焦点
深度ＤＯＦは約 １．５μｍとなる。これに対し、レジ
スト膜８の膜厚も約 １．５μｍで、焦点深度ＤＯＦと
ほぼ等しい。 したがって、このような場合には、レジスト膜８に段差
が形成されると、感光不良の領域が必然的に発生するこ
とになる。
レンズ系６の集光能を考慮してその開口数ＮＡが増大す
る傾向にあり、その結果焦点深度ＤＯＦは逆に減少する
傾向にある。例えば現在のＬＳＩの製造工程では、波長
λが４３６ｎｍの紫外線に対し開口数ＮＡが約０．５４
のレンズ系６が使用される場合があり、この場合の焦点
深度ＤＯＦは約 １．５μｍとなる。これに対し、レジ
スト膜８の膜厚も約 １．５μｍで、焦点深度ＤＯＦと
ほぼ等しい。 したがって、このような場合には、レジスト膜８に段差
が形成されると、感光不良の領域が必然的に発生するこ
とになる。
【０００９】したがって、この発明は、上記問題を解決
するためになされたもので、レジスト膜の段差に応じて
精度良く感光できるフォトマスクを提供することである
。
するためになされたもので、レジスト膜の段差に応じて
精度良く感光できるフォトマスクを提供することである
。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明は、リソグラフ
ィ技術を用いて被加工物上のレジスト膜に所定のパター
ンを転写する際に使用するフォトマスクであって、上記
目的を達成するために、透明基板と、前記透明基板の一
方主面側に形成された遮光パターンと、前記透明基板の
一方主面および／または他方主面側に形成され、前記レ
ジスト膜の段差に応じて焦点位置が変化するように、前
記遮光パターン間を通過する光の光学距離を調整する光
学距離調整膜とを備える。
ィ技術を用いて被加工物上のレジスト膜に所定のパター
ンを転写する際に使用するフォトマスクであって、上記
目的を達成するために、透明基板と、前記透明基板の一
方主面側に形成された遮光パターンと、前記透明基板の
一方主面および／または他方主面側に形成され、前記レ
ジスト膜の段差に応じて焦点位置が変化するように、前
記遮光パターン間を通過する光の光学距離を調整する光
学距離調整膜とを備える。
【００１１】
【作用】この発明のフォトマスクによれば、透明基板上
に光学距離調整膜を形成しているため、遮光パターン間
を通過した光の焦点位置がレジスト膜の段差に応じレジ
スト膜の厚み方向に変化し、これにより基板表面の凹凸
が補償された状態でレジスト膜が感光される。
に光学距離調整膜を形成しているため、遮光パターン間
を通過した光の焦点位置がレジスト膜の段差に応じレジ
スト膜の厚み方向に変化し、これにより基板表面の凹凸
が補償された状態でレジスト膜が感光される。
【００１２】
【実施例】図１はこの発明の一実施例であるフォトマス
クの斜視図、図２はそのフォトマスクを含む露光装置の
要部構成図である。この露光装置の全体構成は、図６に
示される露光装置と同一であるので、同一又は相当部分
に同一符号を用いて以下説明する。
クの斜視図、図２はそのフォトマスクを含む露光装置の
要部構成図である。この露光装置の全体構成は、図６に
示される露光装置と同一であるので、同一又は相当部分
に同一符号を用いて以下説明する。
【００１３】図１に示されるように、フォトマスク３は
、透明基板４と、透明基板４の一方主面側に形成された
遮光パターン５と、遮光パターン５を部分的に覆うよう
に透明基板４の一方主面側に形成された光学距離調整膜
１０とを備える。
、透明基板４と、透明基板４の一方主面側に形成された
遮光パターン５と、遮光パターン５を部分的に覆うよう
に透明基板４の一方主面側に形成された光学距離調整膜
１０とを備える。
【００１４】透明基板４は、例えば石英により構成され
、その屈折率ｎ１ は１．４７、厚みｄ１ は約５ｍｍ
である。
、その屈折率ｎ１ は１．４７、厚みｄ１ は約５ｍｍ
である。
【００１５】遮光パターン５は、ＣｒやＭｏＳｉ等によ
り構成され、その厚みｄ３ は通常 ０．１μｍ程度で
ある。
り構成され、その厚みｄ３ は通常 ０．１μｍ程度で
ある。
【００１６】光学距離調整膜１０は、たとえば石英（Ｓ
ｉＯ２ ）により構成される。この光学距離調整膜１０
は、その屈折率ｎ２ が透明基板４の屈折率ｎ１ と同
一又はほぼ等しい材料によって構成されるのが望ましい
。屈折率ｎ１ ，ｎ２ の差が小さくなるほど、透明基
板４と光学距離調整膜１０との境界面での反射率が小さ
くなって、フォトマスク３に入射された光がレンズ系６
側に効率良く透過されるようになるためである。光学距
離調整膜１０を、石英（ＳｉＯ２ ）により構成した場
合には、屈折率ｎ２ が１．４７となって透明基板４の
屈折率ｎ１ と等しくなり、その境界面での反射率がほ
ぼゼロとなる。なお、光学距離調整膜１０の形成位置お
よび厚みｄ２ は、レジスト膜８の段差に基づいて決定
されるが、その詳細は後述する。
ｉＯ２ ）により構成される。この光学距離調整膜１０
は、その屈折率ｎ２ が透明基板４の屈折率ｎ１ と同
一又はほぼ等しい材料によって構成されるのが望ましい
。屈折率ｎ１ ，ｎ２ の差が小さくなるほど、透明基
板４と光学距離調整膜１０との境界面での反射率が小さ
くなって、フォトマスク３に入射された光がレンズ系６
側に効率良く透過されるようになるためである。光学距
離調整膜１０を、石英（ＳｉＯ２ ）により構成した場
合には、屈折率ｎ２ が１．４７となって透明基板４の
屈折率ｎ１ と等しくなり、その境界面での反射率がほ
ぼゼロとなる。なお、光学距離調整膜１０の形成位置お
よび厚みｄ２ は、レジスト膜８の段差に基づいて決定
されるが、その詳細は後述する。
【００１７】投影レンズ系６は、複数枚の組み合せレン
ズにより構成され、入射と出射の両方向に対しテレセン
トリックに仕上げられている。このレンズ系６の倍率ｍ
は、例えば１／５が設定される。もっとも、倍率ｍは上
記値に限定されず、例えば、ｍ＝１／１０であってもよ
く、またｍ＝１であってもよい。
ズにより構成され、入射と出射の両方向に対しテレセン
トリックに仕上げられている。このレンズ系６の倍率ｍ
は、例えば１／５が設定される。もっとも、倍率ｍは上
記値に限定されず、例えば、ｍ＝１／１０であってもよ
く、またｍ＝１であってもよい。
【００１８】被加工物であるウェハ基板７上に形成され
るレジスト膜８は、従来より周知のレジスト材料が使用
される。例えば ＭＣＰＲ２０００Ｈ（三菱化成株式会
社製）を使用した場合には、屈折率ｎ４ は１．６８で
、厚みｄ４ は約 １．５μｍである。このレジスト膜
８は、例えば図７に示すような凸状領域７ａが基板７の
表面に形成されていると、領域８ａと領域８ｂとの間で
段差が生じることになる。
るレジスト膜８は、従来より周知のレジスト材料が使用
される。例えば ＭＣＰＲ２０００Ｈ（三菱化成株式会
社製）を使用した場合には、屈折率ｎ４ は１．６８で
、厚みｄ４ は約 １．５μｍである。このレジスト膜
８は、例えば図７に示すような凸状領域７ａが基板７の
表面に形成されていると、領域８ａと領域８ｂとの間で
段差が生じることになる。
【００１９】このフォトマスク３を含む露光装置におい
て、光源１（図６参照）から例えば波長４３６ｎｍの紫
外線の光Ｌ１ が照射されると、レンズ系２で集束され
て光Ｌ２ としてフォトマスク３に入射される。
て、光源１（図６参照）から例えば波長４３６ｎｍの紫
外線の光Ｌ１ が照射されると、レンズ系２で集束され
て光Ｌ２ としてフォトマスク３に入射される。
【００２０】フォトマスク３に入射された光Ｌ２ のう
ち遮光パターン５に対応する領域に入射された光は遮断
され、残りの光は遮光パターン５間を透過してレンズ系
６に向け出射される。この場合、光学距離調整膜１０の
設けられていない領域では、透過光Ｌ３ は、透明基板
４から直接レンズ系６に向けて出射されることになり、
一方、光学距離調整膜１０の設けられている領域では、
透過光Ｌ４ は光学距離調整膜１０を通過した後レンズ
系６に向けて出射されることになる。
ち遮光パターン５に対応する領域に入射された光は遮断
され、残りの光は遮光パターン５間を透過してレンズ系
６に向け出射される。この場合、光学距離調整膜１０の
設けられていない領域では、透過光Ｌ３ は、透明基板
４から直接レンズ系６に向けて出射されることになり、
一方、光学距離調整膜１０の設けられている領域では、
透過光Ｌ４ は光学距離調整膜１０を通過した後レンズ
系６に向けて出射されることになる。
【００２１】こうして、フォトマスク３を選択的に透過
した透過光Ｌ３ およびＬ４ が、投影レンズ系６を介
しＳｉ基板７上に形成されたレジスト膜８上に集光され
て結像される。
した透過光Ｌ３ およびＬ４ が、投影レンズ系６を介
しＳｉ基板７上に形成されたレジスト膜８上に集光され
て結像される。
【００２２】ところで、光学距離調整膜１０の屈折率ｎ
２ は空気の屈折率１よりも大きいため、透過光Ｌ４
は透過光Ｌ３ に対して（ｎ２ −１）ｄ２ だけ光路
長（光学距離）が長くなる。このため、レンズ系６の透
過光Ｌ４ に対する焦点位置Ｑは、透過光Ｌ３ に対す
る焦点位置Ｐよりも、レンズ系６の光軸方向に沿って距
離Ｄだけ近づくことになる。
２ は空気の屈折率１よりも大きいため、透過光Ｌ４
は透過光Ｌ３ に対して（ｎ２ −１）ｄ２ だけ光路
長（光学距離）が長くなる。このため、レンズ系６の透
過光Ｌ４ に対する焦点位置Ｑは、透過光Ｌ３ に対す
る焦点位置Ｐよりも、レンズ系６の光軸方向に沿って距
離Ｄだけ近づくことになる。
【００２３】いま、焦点位置Ｐ，Ｑ間の光学距離ｎ４
Ｄは、透過光Ｌ３ ，Ｌ４ の光路差（ｎ２ −１）ｄ
２ と、レンズ系６の倍率ｍを用いて、ｎ４ Ｄ＝
ｍ２ ×（ｎ２ −１）ｄ２ で表わされるため、距離
Ｄは、
Ｄは、透過光Ｌ３ ，Ｌ４ の光路差（ｎ２ −１）ｄ
２ と、レンズ系６の倍率ｍを用いて、ｎ４ Ｄ＝
ｍ２ ×（ｎ２ −１）ｄ２ で表わされるため、距離
Ｄは、
【００２４】
【数２】
【００２５】となる。
【００２６】数２から明らかなように、距離Ｄは、倍率
ｍおよび屈折率ｎ２，ｎ４ の値が固定されると、光学
距離調整膜１０の厚みｄ２に依存する。
ｍおよび屈折率ｎ２，ｎ４ の値が固定されると、光学
距離調整膜１０の厚みｄ２に依存する。
【００２７】そこで、距離Ｄが、レジスト膜８の領域８
ａ，８ｂ間の段差の寸法Ｔに一致するように厚みｄ２
を定めると、言い換えれば厚みｄ２が
ａ，８ｂ間の段差の寸法Ｔに一致するように厚みｄ２
を定めると、言い換えれば厚みｄ２が
【００２８】
【数３】
【００２９】を満足するように設定すると、透過光Ｌ３
の焦点位置Ｐを領域８ａ内に位置させながら、同時に
透過光Ｌ４ の焦点位置Ｑを領域８ｂ内に位置させるこ
とが可能となる。例えば、ｎ２ ＝１．４７，ｎ４ ＝
１．６８，ｍ＝１／５ の場合、ｄ２ ＝８９．４Ｔと
なる。
の焦点位置Ｐを領域８ａ内に位置させながら、同時に
透過光Ｌ４ の焦点位置Ｑを領域８ｂ内に位置させるこ
とが可能となる。例えば、ｎ２ ＝１．４７，ｎ４ ＝
１．６８，ｍ＝１／５ の場合、ｄ２ ＝８９．４Ｔと
なる。
【００３０】以上のように、このフォトマスク３によれ
ば、レジスト膜８の段差に応じた厚みｄ２ を有する光
学距離調整膜１０が透明基板４上に形成されているため
、遮光パターン５間を通過した光の焦点位置がレジスト
膜８の段差に応じて変化し、基板７表面の凹凸が補償さ
れた状態でレジスト膜８が感光される。
ば、レジスト膜８の段差に応じた厚みｄ２ を有する光
学距離調整膜１０が透明基板４上に形成されているため
、遮光パターン５間を通過した光の焦点位置がレジスト
膜８の段差に応じて変化し、基板７表面の凹凸が補償さ
れた状態でレジスト膜８が感光される。
【００３１】また、光学距離調整膜１０を透明基板４と
同様に石英（ＳｉＯ２ ）により構成しているため、そ
の屈折率ｎ２ が透明基板４の屈折率ｎ１ とほぼ等し
くなる。その結果、透明基板４と光学距離調整膜１０の
境界面における反射率がほぼゼロとなり、フォトマスク
３に入射された光Ｌ２ は、その境界面で反射されるこ
となく効率良くレジスト膜８上に投射される。
同様に石英（ＳｉＯ２ ）により構成しているため、そ
の屈折率ｎ２ が透明基板４の屈折率ｎ１ とほぼ等し
くなる。その結果、透明基板４と光学距離調整膜１０の
境界面における反射率がほぼゼロとなり、フォトマスク
３に入射された光Ｌ２ は、その境界面で反射されるこ
となく効率良くレジスト膜８上に投射される。
【００３２】なお、上記実施例では、レジスト膜８の段
差が１段の場合について説明したが、段差は複数段あっ
てもよく、また連続的に変化していてもよい。この場合
、光学距離調整膜１０は、レジスト膜８の段差に応じて
、その厚みｄ２ が複数段あるいは連続的に変化するよ
うに設定される。
差が１段の場合について説明したが、段差は複数段あっ
てもよく、また連続的に変化していてもよい。この場合
、光学距離調整膜１０は、レジスト膜８の段差に応じて
、その厚みｄ２ が複数段あるいは連続的に変化するよ
うに設定される。
【００３３】図３ないし図５は、上記実施例のフォトマ
スク３の変形例をそれぞれ示す。
スク３の変形例をそれぞれ示す。
【００３４】図３のフォトマスク３は、光学距離調整膜
１０の形成されている領域（光学距離調整膜１０の端部
領域を除く）では、遮光パターン５が、透明基板４上で
はなく、光学距離調整膜１０上に形成されている。その
他の構成は、図２のフォトマスク３と同様であり、同様
の効果を奏する。
１０の形成されている領域（光学距離調整膜１０の端部
領域を除く）では、遮光パターン５が、透明基板４上で
はなく、光学距離調整膜１０上に形成されている。その
他の構成は、図２のフォトマスク３と同様であり、同様
の効果を奏する。
【００３５】また、図４のフォトマスク３は、光学距離
調整膜１０が、透明基板４の一方主面側ではなく、他方
主面側に形成されている。その他の構成は図２のフォト
マスク３と同様であり、同様の効果を奏する。もっとも
、光学距離調整膜１０は、透明基板４の一方主面と他方
主面の両方に形成してもよく、その場合には両主面に形
成される光学距離調整膜１０の合計厚みが、数３で示さ
れる厚みｄ２ になるように設定すればよい。
調整膜１０が、透明基板４の一方主面側ではなく、他方
主面側に形成されている。その他の構成は図２のフォト
マスク３と同様であり、同様の効果を奏する。もっとも
、光学距離調整膜１０は、透明基板４の一方主面と他方
主面の両方に形成してもよく、その場合には両主面に形
成される光学距離調整膜１０の合計厚みが、数３で示さ
れる厚みｄ２ になるように設定すればよい。
【００３６】また、図５のフォトマスク３は、透明基板
４の他方主面上に、反射防止膜１１をさらに備えている
。反射防止膜１１は、例えばＭｇＦ２ により構成され
、その屈折率ｎ５ は １．３７８である。空気層，反
射防止膜１１，透明基板４の屈折率ｎ０ ，ｎ５ ，ｎ
１ の間には、ｎ０ ＜ｎ５ ＜ｎ１ の関係が成立し
ているため、反射防止膜１１の厚みｄ５ を例えば、
４の他方主面上に、反射防止膜１１をさらに備えている
。反射防止膜１１は、例えばＭｇＦ２ により構成され
、その屈折率ｎ５ は １．３７８である。空気層，反
射防止膜１１，透明基板４の屈折率ｎ０ ，ｎ５ ，ｎ
１ の間には、ｎ０ ＜ｎ５ ＜ｎ１ の関係が成立し
ているため、反射防止膜１１の厚みｄ５ を例えば、
【００３７】
【数４】
【００３８】に設定することにより、良好な反射防止効
果が得られる。
果が得られる。
【００３９】この反射防止膜１１が設けられていない場
合には、光源１からフォトマスク３に入射された光の一
部が透明基板４の上面で反射されて迷光となり、あるい
は透明基板４の下面で反射された入射光の一部が透明基
板４の上面で再度反射されて迷光となって、レンズ系６
側に出射される。反射防止膜１１は、このような迷光の
発生を防止して、露光精度の向上を図る。
合には、光源１からフォトマスク３に入射された光の一
部が透明基板４の上面で反射されて迷光となり、あるい
は透明基板４の下面で反射された入射光の一部が透明基
板４の上面で再度反射されて迷光となって、レンズ系６
側に出射される。反射防止膜１１は、このような迷光の
発生を防止して、露光精度の向上を図る。
【００４０】
【発明の効果】この発明のフォトマスクによれば、透明
基板上に形成された光学距離調整膜により、透過光の焦
点位置をレジスト膜の段差に応じて変化させ、被投影面
上の凹凸を補償するように構成しているので、被投影面
の凹凸に影響されずにレジスト膜を精度良く感光できる
。
基板上に形成された光学距離調整膜により、透過光の焦
点位置をレジスト膜の段差に応じて変化させ、被投影面
上の凹凸を補償するように構成しているので、被投影面
の凹凸に影響されずにレジスト膜を精度良く感光できる
。
【図１】この発明の一実施例であるフォトマスクの斜視
図である。
図である。
【図２】図１のフォトマスクを含む露光装置の要部構成
図である。
図である。
【図３】この発明の一実施例に係るフォトマスクの変形
例を示す図である。
例を示す図である。
【図４】この発明の一実施例に係るフォトマスクの他の
変形例を示す図である。
変形例を示す図である。
【図５】この発明の一実施例に係るフォトマスクのさら
に他の変形例を示す図である。
に他の変形例を示す図である。
【図６】フォトリソグラフィ工程において、従来より用
いられているフォトマスクを含む露光装置の概略構成図
である。
いられているフォトマスクを含む露光装置の概略構成図
である。
【図７】図６の要部拡大図である。
３ フォトマスク
４ 透明基板
５ 遮光パターン
７ 基板
８ レジスト膜
１０ 光学距離調整膜
Claims (1)
- 【請求項１】 リソグラフィ技術を用いて被加工物上
のレジスト膜に所定のパターンを転写する際に使用する
フォトマスクであって、透明基板と、前記透明基板の一
方主面側に形成された遮光パターンと、前記透明基板の
一方主面および／または他方主面側に形成され、前記レ
ジスト膜の段差に応じて焦点位置が変化するように、前
記遮光パターン間を通過する光の光学距離を調整する光
学距離調整膜とを備えた、フォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/181,448 US5455130A (en) | 1990-08-18 | 1994-01-14 | Photomask comprising an optical path adjusting film |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21761290 | 1990-08-18 | ||
| JP2-217612 | 1990-08-18 |
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|---|---|
| JPH04212154A true JPH04212154A (ja) | 1992-08-03 |
| JP2901201B2 JP2901201B2 (ja) | 1999-06-07 |
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ID=16707021
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2309491A Expired - Fee Related JP2901201B2 (ja) | 1990-08-18 | 1991-02-18 | フォトマスク |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5455130A (ja) |
| JP (1) | JP2901201B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH06163361A (ja) * | 1992-11-25 | 1994-06-10 | Shodenryoku Kosoku Tsushin Kenkyusho:Kk | 光リソグラフィー縮小投影露光方法 |
| JP2021149019A (ja) * | 2020-03-23 | 2021-09-27 | キオクシア株式会社 | パターン形成方法、フォトマスク基板作成方法、フォトマスク作成方法及びフォトマスク |
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1991
- 1991-02-18 JP JP2309491A patent/JP2901201B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-01-14 US US08/181,448 patent/US5455130A/en not_active Expired - Lifetime
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