JP2007019098A - 露光装置及び露光方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 フレア光に起因するレジストパターンの寸法のばらつきを抑制し、これによって半導体装置の配線幅のばらつきを抑制できる露光装置を提供する。
【解決手段】 露光装置100は、露光光源31と、露光光源31で発生した露光光52を、遮光領域16と透光領域15とから構成されるレチクル11上に照射する光照射部30と、レチクル11の透光領域15を透過した露光光52をウエハ21上に投影する投影部40とを備える露光光学系、及び、ウエハ21上に補償光63を投影する補償光学系(60)を備える。補償光63は、ウエハ21上でフレア光の光強度分布とは強弱関係が異なる光強度分布を有する。
【選択図】 図1
【解決手段】 露光装置100は、露光光源31と、露光光源31で発生した露光光52を、遮光領域16と透光領域15とから構成されるレチクル11上に照射する光照射部30と、レチクル11の透光領域15を透過した露光光52をウエハ21上に投影する投影部40とを備える露光光学系、及び、ウエハ21上に補償光63を投影する補償光学系(60)を備える。補償光63は、ウエハ21上でフレア光の光強度分布とは強弱関係が異なる光強度分布を有する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、露光装置及び露光方法に関し、特に、半導体製造のフォトリソグラフィ工程に好適に適用される技術に関する。
半導体製造のフォトリソグラフィ工程では、ウエハ表面にフォトレジストを塗布した後、露光、現像、及びエッチングを経て、使用済みのフォトレジストを除去する一連のプロセスが行われる。近年のフォトリソグラフィ工程では、半導体装置の配線幅の微小化に伴い、微細な回路パターンを形成する必要があり、高い位置精度による露光が要請されている。図16に従来の露光装置の概要を示す。露光装置200は、レチクル11の透光領域として構成される回路パターンを、露光光学系によってウエハステージ22上に載置されたウエハ21の表面に投影する装置であって、ウエハ21の表面には光感光性を有するフォトレジストが塗布されている。
露光光学系は、露光光源31から出射された露光光52をレチクル11に照射する光照射部30と、レチクル11の透光領域を透過した露光光52をウエハ21の表面に投影する投影部40とから構成されている。光照射部30及び投影部40は、レンズ等の各種の光学機器から構成されている。図中の符号32〜34,36は光照射部30の各種のレンズを、符号35は光照射部30の可変視野絞りをそれぞれ示している。
ところで、従来の露光装置では、露光光に起因してフレア(flare)光が発生し、ノイズ光としてウエハ上に投影される問題があった。フレア光は、レチクルの回路パターンの各部分の開口率によって、ウエハ上に投影される光強度が異なる。このため、現像後にウエハ上に形成されるフォトレジストのパターン(レジストパターン)では、フレア光の光強度のばらつきを反映し、レジストパターンの各部分の間で寸法にばらつきが生じる。近年の半導体装置の配線幅の微小化に伴って、フレア光がレジストパターンの寸法に与える影響が益々大きくなっている。
フレア光は、レンズ内の屈折率の不均一性、レンズ表面の形状誤差、ウエハ表面やレンズ表面での反射、レンズ表面に付着する不純物質などの様々な要因に起因して生じる。このため、従来より、収差の改善、レンズ表面のコーティング、又は、レンズ表面の加工精度の向上などの様々な対策によってフレア光を低減させている。
ところが、近年、露光光源の短波長化に伴って、露光光に対するフレア光の光強度が益々増大し、上記対策だけではフレア光の影響を充分に抑制できなくなっている。例えば露光光源に発光波長が193nmのArFエキシマレーザを用いると、レンズ表面に付着した不純物質が多い際には、フレア光の光強度が露光光の1/2から同程度までと極めて大きくなる。フレア光に起因するレジストパターン寸法のばらつきによって、半導体装置の配線幅がばらつき、歩留りが大幅に低下する事例も報告されている。
特許文献1は、ある回路パターンから50μm以内といった比較的近距離で発生するフレア光(ローカルフレア光)の影響を抑制するために、レチクルにダミーパターンを形成することを提案している。
特開2004−62088号公報
特許文献1によれば、回路パターンの各部分の間で、開口率のばらつきを低減できるようにダミーパターンを形成することによって、フォトレジストに投影されるローカルフレア光の光強度のばらつきを抑制できるものとしている。しかし、この技術では、ダミーパターンの大きさや形状が制約を受けるため、光強度のばらつきが比較的小さいローカルフレア光の抑制に対しては有効であるものの、レチクルの全範囲でフレア光の影響を抑制するには限界があった。
本発明は、上記に鑑み、フレア光に起因するレジストパターンの寸法のばらつきを抑制し、これによって半導体装置の配線幅のばらつきを抑制できる露光装置及び露光方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明に係る露光装置は、光源と、該光源で発生した露光光を、遮光領域と透光領域とから構成されるマスク上に照射する光照射部と、該マスクの透光領域を透過した露光光を感光体上に投影する投影部とを備える露光光学系を有する露光装置であって、
前記感光体上に補償光を投影する補償光学系を備え、
前記補償光は、前記感光体上でフレア光の光強度分布とは強弱関係が異なる光強度分布を有することを特徴とする。
前記感光体上に補償光を投影する補償光学系を備え、
前記補償光は、前記感光体上でフレア光の光強度分布とは強弱関係が異なる光強度分布を有することを特徴とする。
また、本発明に係る露光方法は、露光光を用いて遮光領域及び透光領域を有するマスクの画像を感光体上に投影する露光方法において、
露光光に加えて、露光光のフレア光を補償する補償光を前記感光体上に投影することを特徴とする。
露光光に加えて、露光光のフレア光を補償する補償光を前記感光体上に投影することを特徴とする。
本発明の露光装置及び露光方法によれば、フレア光の光強度分布とは強弱関係が異なる光強度分布を有する補償光が感光体上に投影されることによって、フレア光の光強度分布のばらつきを抑制できる。半導体製造のフォトリソグラフィ工程では、これによって、フレア光に起因するレジストパターン寸法のばらつきを抑制し、半導体装置の配線幅のばらつきを抑制することが出来る。ここで、本発明で使用する用語「マスク」には、露光装置で一般的に使用される基準パターンを形成した基板、例えばレチクルやマスクなどが含まれる。
本発明の露光装置の好適な実施態様では、前記補償光は前記マスクの遮光領域で反射された後に、前記感光体上に投影される。この場合、感光体上に投影される補償光は、感光体上に投影されるフレア光とは強弱関係がほぼ正反対の光強度分布を生じる。感光体上に投影される補償光の光強度をフレア光の光強度と同程度になるように調節することによって、感光体上に投影されるノイズ光全体の光強度分布を均一化することが出来る。
上記実施態様では、前記補償光は、前記露光光学系の投影部を経由してもよく、補償光学系を低コストに構成することが出来る。或いは、前記補償光は、前記露光光学系の投影部とは別の投影部を経由してもよく、この場合、補償光学系の投影部を独立に構成することによって、補償光の波長の選択範囲を広げることが出来る。
上記実施態様では、前記補償光は、ミラーによって、前記マスクに向けて反射されてもよく、マスクの遮光領域に向けて照射される補償光の指向性を高めることが出来る。
以下に、図面を参照し、本発明の実施形態に基づいて本発明を更に詳細に説明する。図1は、本発明の第1実施形態に係る露光装置の構成を示す断面図である。露光装置100は、レチクル11の透光領域として構成される回路パターンを、露光光学系によってウエハ21の表面に投影する装置であって、ウエハ21の表面には、例えばポジ型のフォトレジストが塗布されている。
レチクル11は、透明基板12と、透明基板12の表面に形成された、光透過率が0%のクロムから成る遮光膜13とから成る。レチクル11の中央のパターン形成領域14では、一部の遮光膜13が形成されず、光を透過させる透光領域15を構成している。遮光膜13が形成された領域は、遮光領域16を構成する。
レチクル11は、遮光膜13を下に向けた状態で、パターン形成領域14を露出する枠形状のレチクルステージ17上に載置される。レチクルステージ17は、レチクルステージ17を移動可能に保持するステージ駆動部18に接続されている。
ウエハ21は、ウエハステージ22上に配設されたウエハホルダ23上に載置され、ウエハステージ22は、ウエハステージ22を駆動するステージ駆動部24に接続されている。
露光光学系は、露光光源31から出射された露光光52をレチクル11に照射する光照射部30と、レチクルの透光領域15を透過した露光光52をウエハ21の表面に投影することによって、レチクル11の回路パターンをウエハ21の表面に結像する投影部40とから構成されている。同図中、符号51は、ウエハ21の表面に垂直な露光光学系の光軸を示している。
光照射部30は、露光光源31側から順次に配設された、コリメータレンズ32、フライアイレンズ33、リレーレンズ34、可変視野絞り35、及びリレーレンズ36を備える。露光光源31は、出射光の波長が193nmのArFエキシマレーザである。
露光光源31から出射された露光光52は、コリメータレンズ32によって光軸51と平行方向に視準され、フライアイレンズ33によって光軸51に垂直な面内での光強度が均一化される。フライアイレンズ33を通過した露光光52は、リレーレンズ34によって集光され、可変視野絞り35によってその視野が規定された後、再び拡散して次のリレーレンズ36に入射する。リレーレンズ36に入射した露光光52は、リレーレンズ36によってレチクル11の回路パターン上に集光される。
レチクルの透光領域15を透過した露光光52は拡散し、投影部40に入射する。投影部40に入射した露光光52は、光軸51に平行に進行した後に集光され、ウエハ21の表面にレチクル11の回路パターンを結像するように投影される。
本実施形態の露光装置100では、露光光学系とは別に、フレア光の光強度分布と強弱関係が正反対の光強度分布を有する補償光をウエハ21上に投影する、補償光学系が配設される。補償光学系は、露光光学系の投影部40の近傍に光照射部60を備える。補償光学系の光照射部60は、補償光源61と、補償光源61から出射された補償光63を、レチクル11に向けて反射するミラー62とを備える。補償光源61は、補償光63として波長が172nmの光を出射するXe2誘電体バリア放電ランプである。補償光学系の投影部は、本実施形態では、露光光学系の投影部40と一体的に構成される。
補償光源61から出射された補償光63は、ミラー62によってレチクル11に向けて反射される。レチクル11に入射した補償光63のうち遮光領域16に入射した光は、遮光膜13の反射率に応じて、その一部が光軸51を挟んでミラー62の反対側へ反射される。透光領域15に入射した光は、透明基板12を透過して外部に発散される。レチクル11で反射された光は、投影部40の周辺部に入射し、光軸51と平行に進行した後に集光され、ウエハ21の表面に投影される。
なお、本実施形態では、補償光学系の投影部が、露光光学系の投影部40と一体的に構成されるため、補償光63をウエハ21上に結像するためには、補償光源61に、露光光源31と波長が同じか又は近いものを用いることが望ましい。しかし、フレア光は比較的広い波長分布を有しているため、ウエハ21上に厳密な正確さで結像させる必要はなく、波長が露光光源31と若干異なっていても構わない。
例えば、本実施形態では、Xe2誘電体バリア放電ランプ以外に、ArFエキシマレーザ(193nm)、KrCl誘電体バリア放電ランプ(222nm)を用いることも出来る。しかし、Xe2誘電体バリア放電ランプは比較的安価であるため、これを補償光源61として用いることによって、低コストな補償光学系を実現することが出来る。
本実施形態の露光装置100では、ウエハ21上には、露光光52以外に、ノイズ光としてフレア光及び補償光63が投影される。レチクルの透光領域15を透過してウエハ21上に投影されるフレア光の光強度は、レチクル11の回路パターンの開口率が高い部分では大きく、低い部分で小さくなる。これに対して、レチクルの遮光領域16で反射されウエハ21上に投影される補償光の光強度は、レチクル11の回路パターンの開口率が高い部分では小さく、低い部分で大きくなる性質がある。なお、本発明で開口率とは、透光領域と遮光領域とを合わせた面積に対する、透光領域の面積の比率を言う。
つまり、ウエハ21上に投影される補償光63は、ウエハ21上に投影されるフレア光とは強弱関係が正反対の光強度分布を生じる。この関係は、レチクル11の回路パターンの形状に依存しない。従って、補償光源61の発光強度を調節することによって、ウエハ21上に投影される補償光63の光強度をフレア光の光強度と同程度になるように調節して、ウエハ21上に投影されるノイズ光全体の光強度分布を均一化することが出来る。これによって、レジストパターンの寸法のばらつきを抑制し、半導体装置の配線幅のばらつきを抑制することが出来る。
上記実施形態の作用を検討する第1の検討として、図4に示したレチクルの回路パターンをウエハ上に投影する場合を検討する。レチクル70では、その略全面が遮光領域16であり、中央のパターン形成領域14に、複数のストライプ状透光領域71が相互に平行に一定の間隔をおいて配設されている。ストライプ状透光領域71の幅と、隣接するストライプ状透光領域71の間隔とは、同じであり、従ってパターン形成領域14の平均の開口率は50%である。
ウエハ上に投影される露光光の光強度分布は、各ストライプ状透光領域71の形状及び間隔が同じであるため、図5(a)に示すように、各ストライプ状透光領域71に対応するウエハ上の部分の光強度が同じになる。レチクルの遮光膜が、光透過率が0%のクロムから構成されているため、遮光領域16に相当するウエハ上の部分の光強度は0になる。
仮に、ウエハ上に露光光のみが投影されるとすると、現像後に形成されるフォトレジスト25の各ストライプ状パターン72の線幅は、上記光強度分布を反映し、図5(b)に示すように、ほぼ同じになる。なお、図5(a)で、各ストライプ状透光領域71に対応するウエハ上の部分の光強度が矩形にならないのは、投影部が高次回折光を透過しないことに起因しており、フレア光によるものではない。
次に、フレア光の影響を考える。ウエハ上に投影されるフレア光の光強度分布は、図6に示すように、レチクル11の開口率が高いパターン形成領域14の中央部で大きく、開口率が低いパターン形成領域14の周辺部に向かって徐々に小さくなる。フレア光の光強度は、レチクル11の遮光領域と透光領域の境界で急激には変化せず、この境界付近で徐々に変化する性質がある。
図16に示した従来の露光装置では、ウエハ上に投影される光は、露光光とフレア光との重ね合わせとなり、各ストライプ状透光領域71に対応したウエハ21上の光強度は、図7(a)に示すように、パターン形成領域14の中央部に比して周辺部で小さくなる。従って、現像後に形成されるフォトレジスト25の各ストライプ状パターン72の線幅は、上記光強度分布を反映して、図7(b)に示すように、フォトレジスト25のパターン形成領域73の中央部に比して周辺部で太くなる。
上記従来の露光装置に対して、本実施形態の露光装置では、補償光学系が配設され、図8に示すように、フレア光の光強度分布と強弱関係が正反対の光強度分布を有する補償光がウエハ上に投影される。このため、ウエハ上に投影される光は、図7(a)に示した光と図8に示した光と重ね合わせになり、図9に示すように、ノイズ光全体の光強度分布が均一化され、各ストライプ状透光領域71に対応したウエハ21上の光強度は、ほぼ同じになる。
従って、現像後に形成されるフォトレジスト25の各ストライプ状パターン72の線幅は、上記光強度分布を反映して、図5(b)と同様に、ほぼ同じになる。なお、図5〜9は何れも、図4のV−V線に対応するウエハの部分のグラフ又は断面を示している。
上記実施形態の作用を検討する第2の検討として、図10に示したレチクルの回路パターンをウエハ上に投影する場合を検討する。レチクル80では、その略全面が透光領域15であり、中央のパターン形成領域14に、複数のストライプ状遮光領域81が相互に平行に一定の間隔をおいて配設されている。ストライプ状遮光領域81の幅と、隣接するストライプ状遮光領域81の間隔とは、同じであり、従ってパターン形成領域14の平均の開口率は50%である。
ウエハ上に投影される露光光の光強度分布は、各ストライプ状遮光領域81の形状及び間隔が同じであるため、図11(a)に示すように、各ストライプ状遮光領域81に挟まれる各ストライプ状透光領域82に対応するウエハ上の部分の光強度が同じになる。レチクルの遮光膜が、光透過率が0%のクロムから構成されているため、遮光領域16に相当するウエハ上の部分の光強度は0になる。仮に、ウエハ上に露光光のみが投影されるとすると、現像後に形成されるフォトレジスト25の各ストライプ状パターン83の線幅は、上記光強度分布を反映し、図11(b)に示すように、ほぼ同じになる。
フレア光の影響を考えると、ウエハ上に投影されるフレア光の光強度分布は、図12に示すように、レチクル11の開口率が低いパターン形成領域14の中央部で小さく、開口率が高いパターン形成領域14の周辺部に向かって徐々に大きくなる。
図16に示した従来の露光装置では、ウエハ上に投影される光は、露光光とフレア光との重ね合わせとなり、各ストライプ状透光領域82に対応したウエハ21上の光強度は、図13(a)に示すように、パターン形成領域14の中央部に比して周辺部で大きくなる。従って、現像後に形成されるフォトレジスト25の各ストライプ状パターン83の線幅は、上記光強度分布を反映して、図13(b)に示すように、フォトレジスト25のパターン形成領域84の中央部に比して周辺部で細くなる。
上記従来の露光装置に対して、本実施形態の露光装置では、補償光学系が配設され、図14に示すように、フレア光の光強度分布と強弱関係が正反対の光強度分布を有する補償光がウエハ上に投影される。このため、ウエハ上に投影される光は、図13(a)に示した光と図14に示した光と重ね合わせになり、図15に示すように、ノイズ光全体の光強度分布が均一化され、各ストライプ状透光領域82に対応したウエハ21上の光強度は、ほぼ同じになる。
従って、現像後に形成されるフォトレジスト25の各ストライプ状パターン83の線幅は、上記光強度分布を反映して、図11(b)と同様に、ほぼ同じになる。なお、図11〜15は何れも、図10のXI−XI線に対応するウエハの部分のグラフ又は断面を示している。なお、上記実施形態で、補償光の光強度はフレア光の光強度とほぼ同じとしたが、必ずしも同じでなくてもよい。また、補償光は、フレア光の光強度分布を補償すればよく、必ずしも光強度の強弱関係が正反対でなくてもよい。
図2は、上記実施形態の第1変形例に係る露光装置の構成を示す断面図である。露光装置101では、補償光学系の投影部64が、露光光学系の投影部40とは独立に構成されている。補償光学系の投影部64は、露光光学系の投影部40を挟んで、補償光学系の光照射部60の反対側に配設されている。
本変形例によれば、補償光学系の投影部64を、露光光学系の投影部40とは独立に設計できる。従って、補償光源61に、フォトレジストが感光する波長の範囲内で、様々な波長の補償光を出射する光源を用いることが出来る。例えば、i線水銀ランプ(365nm)、g線水銀ランプ(438nm)、KrFエキシマレーザ(248nm)、ArFエキシマレーザ(193nm)、F2エキシマレーザ(157nm)、Kr2エキシマレーザ(146nm)、Ar2エキシマレーザ(126nm)、XeCl誘電体バリア放電ランプ(308nm)、KrCl誘電体バリア放電ランプ(222nm)、又は、Xe2誘電体バリア放電ランプ(172nm)などを用いることが出来る。本変形例では、補償光源61として、i線水銀ランプを用いる。
図3は、上記実施形態の第2変形例に係る露光装置の構成を示す断面図である。露光装置102では、補償光源61から出射された補償光63が、レチクル11に向けて直接に出射されるように配置されている。露光装置102では、ミラー62は配設されない。本変形例の露光装置102は、上記を除いては、図2に示した露光装置と同様の構成を有している。ミラーを省略することによって、補償光学系に必要なコストを低減することが出来る。
なお、上記実施形態では、レチクルの遮光膜が、光透過率が0%のクロムから成るものとしたが、遮光膜が、金属酸化物、金属窒化物、又は金属フッ化物のように数%程度の光透過率を有する材料であっても、上記実施形態と同様な効果が得られる。また、ウエハ上に塗布されるフォトレジストは、ポジ型でなくネガ型であっても同様な効果が得られる。露光光源には、ArFエキシマレーザ以外の光源を用いても構わない。
以上、本発明をその好適な実施形態に基づいて説明したが、本発明に係る露光装置及び露光方法は、上記実施形態の構成にのみ限定されるものではなく、上記実施形態の構成から種々の修正及び変更を施した露光装置及び露光方法も、本発明の範囲に含まれる。
100,101,102:露光装置
11:レチクル
12:透明基板
13:遮光膜
14:パターン形成領域
15:透光領域
16:遮光領域
17:レチクルステージ
18:ステージ駆動部
21:ウエハ
22:ウエハステージ
23:ウエハホルダ
24:ステージ駆動部
25:フォトレジスト
30:露光光学系の光照射部
31:露光光源
32:コリメータレンズ
33:フライアイレンズ
34:リレーレンズ
35:可変視野絞り
36:リレーレンズ
40:露光光学系の投影部
51:光軸
52:露光光
60:補償光学系の光照射部
61:補償光源
62:ミラー
63:補償光
64:補償光学系の投影部
70:レチクル
71:ストライプ状透光領域
72:フォトレジストのストライプ状パターン
73:フォトレジストのパターン形成領域
80:レチクル
81:ストライプ状遮光領域
82:ストライプ状透光領域
83:フォトレジストのストライプ状パターン
84:フォトレジストのパターン形成領域
11:レチクル
12:透明基板
13:遮光膜
14:パターン形成領域
15:透光領域
16:遮光領域
17:レチクルステージ
18:ステージ駆動部
21:ウエハ
22:ウエハステージ
23:ウエハホルダ
24:ステージ駆動部
25:フォトレジスト
30:露光光学系の光照射部
31:露光光源
32:コリメータレンズ
33:フライアイレンズ
34:リレーレンズ
35:可変視野絞り
36:リレーレンズ
40:露光光学系の投影部
51:光軸
52:露光光
60:補償光学系の光照射部
61:補償光源
62:ミラー
63:補償光
64:補償光学系の投影部
70:レチクル
71:ストライプ状透光領域
72:フォトレジストのストライプ状パターン
73:フォトレジストのパターン形成領域
80:レチクル
81:ストライプ状遮光領域
82:ストライプ状透光領域
83:フォトレジストのストライプ状パターン
84:フォトレジストのパターン形成領域
Claims (7)
- 光源と、該光源で発生した露光光を、遮光領域と透光領域とから構成されるマスク上に照射する光照射部と、該マスクの透光領域を透過した露光光を感光体上に投影する投影部とを備える露光光学系を有する露光装置であって、
前記感光体上に補償光を投影する補償光学系を備え、
前記補償光は、前記感光体上でフレア光の光強度分布とは強弱関係が異なる光強度分布を有することを特徴とする露光装置。 - 前記補償光は前記マスクの遮光領域で反射された後に、前記感光体上に投影される、請求項1に記載の露光装置。
- 前記補償光は、前記露光光学系の投影部を経由する、請求項2に記載の露光装置。
- 前記補償光は、前記露光光学系の投影部とは別の投影部を経由する、請求項2に記載の露光装置。
- 前記補償光は、ミラーによって、前記マスクに向けて反射される、請求項2〜4の何れか一に記載の露光装置。
- 露光光を用いて遮光領域及び透光領域を有するマスクの画像を感光体上に投影する露光方法において、
露光光に加えて、露光光のフレア光を補償する補償光を前記感光体上に投影することを特徴とする露光方法。 - 補償光源からの光を、前記遮光領域で反射させて前記補償光とする、請求項6に記載の露光方法。
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