KR20070073632A - 센서유닛, 노광장치 및 디바이스의 제조방법 - Google Patents

센서유닛, 노광장치 및 디바이스의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20070073632A
KR20070073632A KR1020070000829A KR20070000829A KR20070073632A KR 20070073632 A KR20070073632 A KR 20070073632A KR 1020070000829 A KR1020070000829 A KR 1020070000829A KR 20070000829 A KR20070000829 A KR 20070000829A KR 20070073632 A KR20070073632 A KR 20070073632A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mark
light
sensor unit
sensor
shielding portion
Prior art date
Application number
KR1020070000829A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100846044B1 (ko
Inventor
마코토 오구스
Original Assignee
캐논 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 캐논 가부시끼가이샤 filed Critical 캐논 가부시끼가이샤
Publication of KR20070073632A publication Critical patent/KR20070073632A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100846044B1 publication Critical patent/KR100846044B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
    • G03F9/7026—Focusing
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61G—TRANSPORT, PERSONAL CONVEYANCES, OR ACCOMMODATION SPECIALLY ADAPTED FOR PATIENTS OR DISABLED PERSONS; OPERATING TABLES OR CHAIRS; CHAIRS FOR DENTISTRY; FUNERAL DEVICES
    • A61G7/00—Beds specially adapted for nursing; Devices for lifting patients or disabled persons
    • A61G7/05—Parts, details or accessories of beds
    • A61G7/0528—Steering or braking devices for castor wheels
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073—Alignment marks and their environment
    • G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61G—TRANSPORT, PERSONAL CONVEYANCES, OR ACCOMMODATION SPECIALLY ADAPTED FOR PATIENTS OR DISABLED PERSONS; OPERATING TABLES OR CHAIRS; CHAIRS FOR DENTISTRY; FUNERAL DEVICES
    • A61G2203/00—General characteristics of devices
    • A61G2203/70—General characteristics of devices with special adaptations, e.g. for safety or comfort
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54453—Marks applied to semiconductor devices or parts for use prior to dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Veterinary Medicine (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Animal Behavior & Ethology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Nursing (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

제1 마크와, 제1 마크의 위치를 특정하는데 사용되는 제2 마크를 가지는 기판과, 상기 제1 마크와 상기 기판을 투과한 광을 검출하는 센서와, 상기 제2 마크와 상기 센서의 사이에 설치되어 상기 제2 마크로부터의 광을 상기 센서에 대해 차광하는 차광부를 가지는 것을 특징으로 하는 센서유닛을 제공한다.

Description

센서유닛, 노광장치 및 디바이스의 제조방법{SENSOR UNIT, EXPOSURE APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD}
도 1은, 일 실시형태에 의한 노광장치의 개략적인 블럭도;
도 2는, 도 1에 도시된 센서유닛을 도시한 개략 단면도;
도 3은, 도 2에 도시된 센서유닛의 변형을 도시한 개략 단면도;
도 4A 및 도 4B는, 도 3에 도시된 센서유닛을 나타내는 개략 단면도;
도 5는, 도 2에 도시된 센서유닛의 변형예를 도시한 개략 단면도;
도 6은, 도 2에 도시된 센서유닛의 변형예를 도시한 개략 단면도;
도 7은, 도 2에 도시된 센서유닛의 변형예를 도시한 개략 단면도;
도 8은, 도 2에 도시된 센서유닛의 변형예를 도시한 개략 단면도;
도 9는, 도 2에 도시된 센서유닛의 변형예를 도시한 개략 단면도;
도 10은, 도 1에 도시된 노광장치를 사용한 디바이스의 제조방법을 설명하기 위한 흐름도;
도 11은, 도 10에 도시된 흐름도의 스텝 4인 웨이퍼프로세스의 상세한 흐름도.
[도면의 주요부분에 대한 부호의 설명]
1: 노광장치 10:조명장치
11: 광원 13: 조명광학계
20: 레티클스테이지 30: 투영광학계
40: 웨이퍼스테이지 100: 센서유닛
101: 제1 센서 102: 제2 센서
103: 제1 마크 104: 제2 마크
105: 차광부 107: 기판
RC: 레티클
본 발명은, 센서유닛, 노광장치 및 디바이스 제조방법에 관한 것이다.
미세한 반도체소자 및 액정 표시 소자를 제조할 때에, 종래의 노광장치는 레티클(마스크)의 회로패턴을 투영광학계에 의해 웨이퍼에 투영하여 노광시킨다.
노광장치에서는, 패턴의 선폭이 매우 미세화되고, 각 구성요소는 완전하게 개선되고 있다. 예를 들면, 한층 더 미세한 패턴이 측정에 이용된다. 이와 같이, 투영광학계의 초점면을 측정하는 센서유닛이 제안되고 있다 (일본국 특개 2005-175400호공보, 특개 2005-166722호 공보 및 특개2005-175034호 공보 참조).
여기서 이용되는 센서유닛은, 기준마크를 통과한 광을 센서에 의해 수광함으로써 투영광학계의 초점면을 측정한다. 기준마크는 광을 투과하는 핀홀 또는 슬릿을 가진다. 기준마크를 가진 기판도, 상기 측정 전에 기준마크의 위치를 조정하기 위해 이용되는 다른 마크를 가지고 있다. 상기 기준마크의 위치 조정을 하기 위해 이용되는 다른 마크는 반사형 마크이고, 상기 다른 마크에서 반사한 광을 센서가 검출할 때, 다른 마크의 위치가 검출된다.
종래는, 기준마크를 투과한 광을 검출할 때에, 기준마크의 위치를 조정하기 위해 이용되는 다른 마크 등의 반사형 마크를 투과한 광도 센서에 의해 검출하고 있고 그에 따라, S/N비를 악화시킨다.
측정 정밀도의 요구가 증가됨에 따라, S/N비를 한층 더 개선할 필요가 있다. 그러므로, 경미한 S/N비의 악화도 무시할 수 없게 된다.
본 발명은, 반사형 마크를 투과한 광의 검출을 억제하도록 구성된 센서유닛, 그것을 가진 노광장치 및 상기 노광장치를 이용한 디바이스의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 일 측면에 의한 센서유닛은, 제1 마크와 제1 마크의 위치를 특정하기 위해 사용되는 제2 마크를 가지는 기판과, 상기 제1 마크 및 상기 기판을 투과한 광을 검출하는 센서 및 상기 제2 마크와 상기 센서의 사이에 설치되어 상기 제2 마크로부터의 광을 상기 센서에 대해 차광하는 차광부를 가지는 것을 특징으로한다.
본 발명의 목적 및 그 외의 특징은, 이하, 첨부의 도면을 참조하면서 이하의 바람직한 실시형태의 설명으로부터 자명해질 것이다.
[바람직한 실시형태의 상세한 설명]
이하, 도 1을 참조하면서, 일 실시형태에 의한 예시적인 노광장치(1)에 대해서 설명한다. 도 1은, 노광장치(1)의 개략 블럭도이다. 노광장치(1)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 조명장치(10), 레티클스테이지(20), 투영광학계(30), 웨이퍼스테이지(40) 및 센서유닛(100)을 포함하고 있다.
노광장치(1)는, 예를 들면, 스텝 앤드 스캔방식으로 레티클(마스크)(RC)의 회로패턴을 웨이퍼(W)에 노광하는 투영노광장치이다. 그러나, 스텝 앤드 리피트 방식의 노광장치를 사용할 수도 있다.
조명장치(10)는, 전사용의 회로패턴을 가진 레티클(RC)를 조명한다.
조명장치(10)는, 광원(11) 및 조명광학계(13)를 포함하고 있다.
광원(11)으로서는, 파장 약 193nm의 ArF 엑시머 레이져를 사용할 수 있다. 이 경우에는, 레이저광원으로부터의 평행빔을 소망한 빔형상으로 정형하는 빔정형 광학계와, 코히렌트인 레이저빔을 인코히렌트화 하는 인코히렌트화 광학계 양자 모두를 사용하는 것이 바람직하다. 또는, 광원(11)으로서는, 파장 약 248nm의 KrF 엑시머 레이져, 파장 약 157nm의 F2레이저 또는 한 개 이상의 수은램프나 크세논램프도 사용 가능하다.
조명광학계(13)는, 광원(11)으로부터의 광을 사용하여 레티클(RC)을 조명하는 광학계이다.
레티클스테이지(20)는, 레티클(RC)을 지지한다.
레티클(RC)은, 예를 들면, 석영으로 이루어지고, 전사되어야 할 회로패턴을 가진다.
투영광학계(30)는, 레티클(RC)의 패턴을 웨이퍼(W) 상에 투영하는 기능을 한다. 투영광학계로서는, 디옵트릭, 카타디옵트릭 또는 카톱트릭 광학계를 사용할 수 있다.
웨이퍼(W)는, 피노광체이며, 포토레지스트가 웨이퍼(W)에 도포되어 있다. 피노광체로서는, 웨이퍼 이외에도, 유리판을 사용할 수 있다.
웨이퍼스테이지(40)는, 웨이퍼(W)를 지지한다.
센서유닛(100)은, 투영광학계(30)의 초점위치의 측정에 사용된다. 투영광학계(30)의 초점위치의 측정 이외에도, 상기 센서유닛(100)을, 투영광학계(30)의 상면 또는 초점면 상의 광량의 측정, 투영광학계(30)의 파면수차의 측정, 기타의 측정에 이용하는 것도 가능하다.
센서유닛(100)은, 제1 센서(101), 제2 센서(102), 제1 마크(103), 제2 마크(104) 및 차광부(105)를 포함하고 있다.
제1 센서(101)는, 제1 마크(103)를 투과한 광을 검출한다. 제1 마크는 광을 투과하는 핀홀 또는 슬릿을 가진다. 제1 센서(101)는 CCD 등의 광전변환소자이다.
제2 센서(102)는, 제2 마크(104)에 반사한 광을 검출하여, 제2 마크의 위치를 검출한다.
제1 마크(103)는, 투과형 마크이며, 그 마크를 투과한 광이 센서(101)에 의해 검출된다. 제1 마크(103)는, 도 2에 도시된 바와 같이 기판(107)상에 배치된다. 여기서, 도 2는, 센서유닛(100)의 단면도이다.
제2 마크(104)는, 반사형 마크이며, 그 마크에 의해 반사된 광이 센서(102)에 의해 검출된다. 제2 마크(104)는, 기판(107)상에 배치되고, 본 실시형태에서는 제1 마크(103)의 부근에 배치된다. 본 실시형태에서는, 제1 마크(103)와 제2 마크(104)가 동시에 형성되어서, 제작공정의 효율을 향상시킨다. 차광부(105)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 제2 마크(104)를 투과한 광을 차광한다. 종래는, 반사형 마크의 개구를 투과한 광이 투과형 마크로부터 광을 검출하도록 설계된 센서에 도달하여 노이즈가 된다. 본 실시형태에서는, 제1 마크(투과형 마크)(103)를 투과한 광을 차단하지 않도록 기판(107)의 뒤편의 제2 마크(104)에 대향하는 차광막으로 이루어진 각각의 차광부(105)를 배치하고 있다. 이 구성에 의해, 제1 마크(103)를 이용하여 측정할 때의, 제2 마크(반사형 마크)(104)를 통과한 불필요한 광이 제1 센서(101)에 도달하는 것을 방지한다. 그 결과, 센서유닛(100)은, 측정오차를 저감하고, 측정을 고정밀도로 실시할 수 있다.
흡수막을 차광막 대신에 차광부(105)로서 이용하여도 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다. 흡수막에 의해, 기판(107)의 내부에서의 반사를 적극적으로 억제한다. 본 실시형태에 의해 반사형 마크를 투과형 마크와 함께 동일한 기판상에 배치할 수 있고, 또한 본 실시형태의 구성에 의해 광검출 센서의 S/N비를 열화시키는 불필요한 광의 투과를 방지할 수 있다.
제1 센서(101)는, 차광부(105)와 접촉하지 않도록 U자 형상을 가진 센서 패키지(106)에 배치된다.
이하, 도 3을 참조하면서, 센서유닛(100)의 변형예인 센서유닛(100A)을 설명한다. 여기서, 도 3은, 센서유닛(100A)을 나타내는 단면도이다.
센서유닛(100A)은, 각 차광부(105a)의 표면에 단차를 형성함으로써, 이루어진 한 쌍의 제2 마크(104a)를 가지고 있다. 도 4A 및 도 4B는, 차광부(105a)에 형성된 제2 마크(104a)와 기판(107)상에 형성한 제1 마크(103a)를 나타내고 있다. 제1 마크(103a)를 투과한 광을 제1 센서(101)를 사용하여 측정한다. 실제로는, 제1 마크(103a)의 크기는, 도 4에 도시된 크기만큼 크지는 않고, 매우 작은 것이 많다. 따라서, 측정 전에, 제1 마크(103a)보다 충분히 더 큰 각각의 제2 마크(104a)에 의해 제1 마크(103a)의 위치를 대략적으로 특정한다.
본 실시형태에서는, 제2 마크(104a)의 단부에서의 산란에 의해서 발생되는 콘트라스트에 의해, 제2 마크(104a)가 검출된다. 제2 마크(104a)를 투과한 광은 존재하지 않는다. 이 결과, 제2 마크(104a)로부터 어떠한 광도 제1 센서(101)에 도달하지 않는다. S/N를 열화시키지 않고, 제1 마크(103a)를 투과한 광을 검출할 수 있다. 도시하고 있지 않지만, 차광부(105a)와 기판(107)의 사이에 흡수성 막을 소망한 두께로 형성하여도 된다.
본 실시형태의 구성에 의해, 제1 마크(103a)로부터의 투과광을 검출할 때에, 제2 마크(반사형 마크)(104a)로부터의 불필요한 광이 제1 센서(101)에 도달하는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 센서유닛(100A)은, 측정오차를 저감하고, 검출을 고정밀도로 실시할 수 있다.
이하, 도 5를 참조하면서, 센서유닛(100)의 변형예인 센서유닛(100B)을 설명 한다. 여기서, 도 5는, 센서유닛(100B)을 나타내는 단면도이다.
센서유닛(100B)의 제2 마크(104b)는, 서로 다른 재료로 구성된 차광부(105b1)와 차광부(105b2)를 가지고 있다. 그 때문에, 제2 마크(104b)는, 장소에 따라서 반사율이 다르다. 그 결과, 제2 센서(102)에 의해 얻어지는 콘트라스트에 의해, 제2 마크(104b)를 검출할 수 있다. 상기 제2 마크(104b)는, 투과한 광을 모니터하는 센서의 S/N비를 열화시키는 불필요한 광을 투과시키지 않는 구성으로 할 수 있다. 또한, 본 실시형태에서는 상기 마크(104b)의 상면을 평탄하게 할 수 있다.
본 실시형태에 의해, 제1 마크(103b)를 이용하여 측정할 때에, 제2 마크(반사형)(104b)를 통과한 불필요한 광이 제1 센서(101)에 도달하는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 센서유닛(100B)은, 측정오차를 저감하고, 검출을 높은 정밀도로 실시할 수 있다.
이하, 도 6을 참조하면서, 센서유닛(100)의 변형예인 센서유닛(100C)을 설명한다. 여기서, 도 6은, 센서유닛(100C)을 나타내는 단면도이다.
센서유닛(100C)의 제2 마크(104c)는, 서로 다른 재료로 이루어진 차광부(1O5c1)와 차광부(1O5c2)를 가진다.
제2 마크(104c)는, 이들 차광부(105c1) 및 차광부(105c2)를 적층함으로써 이루어진다. 차광부(105c1)에 대해서 에칭 등의 제거처리를 함으로써, 차광부(105c1) 의 제거된 부분에 차광부(105c2)를 노출시켜서, 제2 마크(104c)를 제작한다.
차광부(105c1)와 차광부(105c2)의 반사율이 다르므로, 제2 마크(104c)는 제2 센서(102)를 이용하여 검출할 수 있다. 본 실시형태에서도 투과광을 모니터하는 측정계의 S/N비를 열화시키는 불필요한 광의 투과를 방지할 수 있다. 또한, 본 실시형태에 의하면 제작 프로세스를 비교적 용이하게 실시할 수 있다.
따라서, 본 실시형태에서는, 제1 마크(103c)를 이용하여 측정할 때에 제2 마크(반사형 마크)(104c)를 통과한 불필요한 광이 제1 센서(101)에 도달하는 것을 방지할수 있다. 그 결과, 센서유닛(10OC)은, 측정오차를 저감하고, 검출을 고정밀도 실시할 수 있다.
이하, 도 7을 참조하면서, 센서유닛(100)의 변형예인 센서유닛(100D)을 설명한다. 여기서, 도 7은, 센서유닛(100D)을 나타내는 단면도이다.
센서유닛(100D)의 제2 마크(104d)는, 차광부(105d)에 각각 형성되어 있는 요철(relief)이고, 하나 이상의 경사면과 하나 이상의 직각면을 가진다. 제2 마크(104d)에 투영된 관찰광은, 경사면에 의해 제2 센서(102)가 배치되어 있는 방향과는 다른 방향으로 반사된다. 그 결과, 마크의 양쪽 표면 사이에서 명암의 콘트라스트를 얻을 수 있고, 제2 마크(104d)를 고정밀도로 인식할 수 있어서 적절하게 마크를 관찰할 수 있다.
본 실시형태에서도 투과형 마크로부터의 투과광을 검출하는 센서의 S/N비를 열화시키는 불필요한 광을 발생시키지 않는 반사형의 마크를 형성할 수 있다. 본 실시형태에 의해, 마크영역의 반사광을 적극적으로 저감하여, 콘트라스트가 높은 마크를 형성할 수 있다.
본 실시형태에 의해, 제1 마크(투과형 마크)(103d)를 이용하여 측정할 때에, 제2 마크(반사형 마크)(104d)를 통과한 불필요한 광이 제1 센서(101)에 도달하는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 센서유닛(100D)은, 측정오차를 저감하고, 검출을 고정밀도로 실시할 수 있다.
이하, 도 8을 참조하면서 센서유닛(100)의 변형예인 센서유닛(100E)을 설명한다. 여기서, 도 8은, 센서유닛(100E)을 나타내는 단면도이다.
센서유닛(100E)의 제2 마크(104e)는, 각 차광부(105d)의 요철(relief)로서 형성되어 있고, 내측과 외측 사이의 표면조도가 다르다. 제2 마크(104e)의 마크의 내측면과 외측면에서 반사율이 다르므로, 제2 마크(104e)를 양호한 콘트라스트를 가진 제2 센서(102)에 의해 검출할 수 있다.
본 실시형태에서도 투과형 마크로부터의 투과광을 검출하는 센서의 S/N비를 열화시키는 불필요한 광을 발생시키지 않는 반사형 마크(제2 마크)(104e)를 형성할 수 있다. 본 실시형태에 의해, 마크영역의 반사광을 적극적으로 저감하고, 콘트라스트가 높은 마크를 형성할 수 있다. 또한, 가공 조건을 변경함으로써 제2 마크를 형성할 수 있으므로 프로세스가 용이하게 된다.
본 실시형태에서는, 제1 마크(투과형 마크)(103e)를 이용하여 측정할 때에 제2 마크(반사형 마크)(104e)를 통과한 불필요한 광이 제1 센서(101)에 도달하는 것을 방지한다. 그 결과, 센서유닛(100E)은, 측정오차를 저감하고, 검출을 고정도 로 실시할 수 있다.
이하, 도 9를 참조하면서, 센서유닛(100)의 변형예인 센서유닛(10OF)을 설명한다. 여기서, 도 9는, 센서유닛(100F)을 나타내는 단면도이다. 센서유닛(100 F)은, 도 2에 도시된 차광부(105)를 구조체(108)로 변경한 점이 다르다. 센서유닛(100F)은, 상술한 바와 같이, 차광부(105)를 제거함으로써, 제1 마크(103) 및 제2 마크(104)를 형성한다. 기판(107)과 센서패키지(106)를 조립할 때에, 제1 마크(103)로부터의 광의 유효투과 공간으로부터 떨어져서 센서패키지(106)와 기준 웨이퍼(1)의 사이에 구조체(108)를 배치한다. 그 결과, 차광부를 제거함으로써 형성된 제2 마크(104)를 투과한 광을 차광하여, 투과형 마크로부터 투과광을 검출하는 센서의 S/N비를 열화시키는 어떠한 불필요한 광도 발생시키지 않는다.
구조체(108)에 의해 차광되는 부분의 기판(107)에서 이면에 흡수막을 적절한두께로 형성하여도 된다. 이 구성에 의해, 기판(107)의 내부를 반사와 전파를 반복 하는 광도 효율적으로 억제할 수 있다.
본 실시형태에 의해, 제1 마크(투과형 마크)(103)를 이용하여 측정할 때에, 제2 마크(반사형 마크)(104)를 투과한 불필요한 광이 제1 센서(101)에 도달하는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 센서유닛(100F)은, 측정오차를 저감하고, 검출을 고정밀도로 실시할 수 있다.
다음에, 도 10및 도 11을 참조하면서, 상술한 노광장치(1)을 이용하여 디바이스의 제조방법의 실시형태를 설명한다. 도 10은, 반도체 디바이스나 LCD 디바이스 등의 디바이스의 제조를 설명하기 위한 흐름도이다. 여기서는, 반도체 디바이스 의 제조를 예로서 설명한다. 스텝 1(회로설계)에서는, 반도체 디바이스의 회로를 설계한다. 스텝 2(레티클 제작)에서는, 회로패턴이 설계된 레티클을 형성한다. 스텝 3(웨이퍼 제조)에서는, 실리콘 등의 재료를 이용하여 웨이퍼를 제조한다. 스텝 4(웨이퍼프로세스)는, 전공정으로 부르며, 레티클과 웨이퍼를 이용하여 포토리소그래피 기술에 의해 웨이퍼상에 실제의 회로를 형성한다. 스텝 5(조립)는, 후공정으로 부르며, 스텝 4에서 형성된 웨이퍼를 반도체 칩으로 형성하는 공정이며, 조립공정(예를 들면, 다이싱, 본딩), 패키징 공정(칩 밀봉) 등의 공정을 포함한다.스텝 6(검사)에서는, 스텝 5에서 제작된 반도체 디바이스의 동작확인 테스트 및 내구성 테스트 등의 각종 검사를 실시한다. 이들 공정을 거쳐서, 반도체 디바이스가 완성되고, 출하된다(스텝 7).
도 11은, 스텝 4의 웨이퍼프로세스의 상세한 흐름도이다. 스텝 11(산화)에서는, 웨이퍼의 표면을 산화시킨다. 스텝 12(CVD)에서는, 웨이퍼의 표면에 절연막을 형성한다. 스텝 13(전극형성)에서는, 웨이퍼상에 전극을 증착 등에 의해 형성한다.스텝 14(이온 주입)에서는, 웨이퍼에 이온을 주입한다. 스텝 15(레지스트 처리)에서는, 웨이퍼에 감광제를 도포한다. 스텝 16(노광)에서는, 노광장치(1)에 의해 레티클의 회로패턴을 웨이퍼에 노광한다. 스텝 17(현상)에서는, 노광한 웨이퍼를 현상한다. 스텝 18(에칭)에서는, 현상된 레지스트상 이외의 부분을 제거한다. 스텝 19(레지스트 박리)에서는, 에칭 후에, 불필요해진 레지스트 상을 제거한다. 이들 공정을 반복하여 웨이퍼상에 다층의 회로패턴을 형성한다. 이 디바이스의 제조방법에 의해 이전보다 한층 더 고품질의 디바이스를 제조할 수 있다.
본 발명에 의하면, 반사형 마크를 투과한 광의 검출을 억제하도록 구성된 센서유닛, 그것을 가진 노광장치 및 상기 노광장치를 이용한 디바이스의 제조방법을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 바람직한 실시형태에 대해 설명했지만, 본 발명은 이러한 실시형태로 한정되지 않고, 본 발명의 범위 내에서 여러 가지의 변형 및 변경이 가능하다.
본 출원은 2006년 1월 5일에 출원된 일본국 특허출원 2006-000615호에 의거한 우선권의 권리를 주장하며, 본 명세서에서 충분히 설명된 바와 같이, 상기 우선권의 전체를 참조하여 구체화되어 있다.

Claims (7)

  1. 제1 마크와 제1 마크의 위치를 특정하기 위해 사용되는 제2 마크를 가지는 기판과,
    상기 제1 마크 및 상기 기판을 투과한 광을 검출하는 센서와,
    상기 제2 마크와 상기 센서의 사이에 설치되고, 상기 제2 마크로부터의 광을 상기 센서에 대해 차광하는 차광부
    를 가지는 것을 특징으로 하는 센서유닛.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 마크는 투과형마크이고, 상기 제2 마크는 반사형마크인 것을 특징으로 하는 센서유닛.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 마크는, 상기 차광부의 단차인 것을 특징으로 하는 센서유닛.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 마크는, 상기 차광부의 일부로서 형성되고, 상기 차광부는, 반사율이 서로 다른 복수의 부분을 포함하는 것을 특징으로 센서유닛.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 제2의 마크는, 상기 차광부의 요철(relief)인 것을 특징으로 하는 센서유닛.
  6. 레티클의 패턴을 기판에 투영하는 투영광학계와;
    상기 투영광학계를 투과한 광을 검출하는 제 1항에 기재된 센서유닛
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  7. 제6 항에 기재된 노광장치에 의해 상기 기판을 노광하는 노광스텝과;
    상기 노광된 기판을 현상하는 현상스텝
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스의 제조방법.
KR1020070000829A 2006-01-05 2007-01-04 센서유닛, 노광장치 및 디바이스의 제조방법 KR100846044B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006000615A JP2007184357A (ja) 2006-01-05 2006-01-05 センサユニット、露光装置及びデバイス製造方法
JPJP-P-2006-00000615 2006-01-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070073632A true KR20070073632A (ko) 2007-07-10
KR100846044B1 KR100846044B1 (ko) 2008-07-11

Family

ID=38223996

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070000829A KR100846044B1 (ko) 2006-01-05 2007-01-04 센서유닛, 노광장치 및 디바이스의 제조방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7352441B2 (ko)
JP (1) JP2007184357A (ko)
KR (1) KR100846044B1 (ko)
TW (1) TW200739286A (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008294019A (ja) * 2007-05-22 2008-12-04 Canon Inc 空中像計測方法および装置
WO2009115251A1 (de) * 2008-03-15 2009-09-24 Celgen Ag Vorrichtung, umfassend ein quellmittel und eine ummantelung, zur künstlichen kallusdistraktion
CN102207683B (zh) * 2010-03-30 2013-05-22 上海微电子装备有限公司 一种用于duv光刻装置的掩模对准面形探测装置
JP7186531B2 (ja) * 2018-07-13 2022-12-09 キヤノン株式会社 露光装置、および物品製造方法
KR20200122665A (ko) 2019-04-18 2020-10-28 삼성전자주식회사 진공 챔버용 계측 장치, 및 그 계측 장치를 포함한 계측 시스템

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5757505A (en) * 1996-02-16 1998-05-26 Nikon Corporation Exposure apparatus
KR970072024A (ko) * 1996-04-09 1997-11-07 오노 시게오 투영노광장치
KR20010038083A (ko) * 1999-10-21 2001-05-15 이구택 슈트 벽체의 부착물 제거장치
TWI610342B (zh) * 2003-09-29 2018-01-01 曝光裝置及曝光方法、以及元件製造方法
JP2005166722A (ja) 2003-11-28 2005-06-23 Canon Inc 位置検出装置及び該位置検出装置を用いた投影露光装置及び露光方法
JP2005175034A (ja) 2003-12-09 2005-06-30 Canon Inc 露光装置
JP2005175400A (ja) * 2003-12-15 2005-06-30 Canon Inc 露光装置
JP4018647B2 (ja) * 2004-02-09 2007-12-05 キヤノン株式会社 投影露光装置およびデバイス製造方法
JP2006073657A (ja) * 2004-08-31 2006-03-16 Canon Inc 位置合わせ装置、露光装置及びデバイス製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR100846044B1 (ko) 2008-07-11
US20070153251A1 (en) 2007-07-05
US7352441B2 (en) 2008-04-01
TW200739286A (en) 2007-10-16
JP2007184357A (ja) 2007-07-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20050146693A1 (en) Exposure apparatus
US20060221316A1 (en) Optical element, exposure apparatus, and device manufacturing method
KR20110016398A (ko) 검출 장치, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
KR20080065940A (ko) 위치검출장치 및 노광장치
KR100846044B1 (ko) 센서유닛, 노광장치 및 디바이스의 제조방법
US8085384B2 (en) Exposure apparatus
JP4217692B2 (ja) 異物検査装置及び異物検査方法、露光装置、並びにデバイス製造方法
US7154582B2 (en) Exposure apparatus and method
US7466395B2 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method using the apparatus
KR20080073229A (ko) 액침 노광장치 및 디바이스 제조방법
KR100955116B1 (ko) 수차측정방법 및 코마수차측정방법
US7499179B2 (en) Measurement method and apparatus, exposure apparatus, exposure method, and adjusting method
US7623219B2 (en) Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method
US7081956B1 (en) Method and device for determining reflection lens pupil transmission distribution and illumination intensity distribution in reflective imaging system
JP4532927B2 (ja) 露光装置
US7936442B2 (en) Exposure apparatus, exposure method, and device fabrication method
US20050128455A1 (en) Exposure apparatus, alignment method and device manufacturing method
US20050270509A1 (en) Measuring apparatus, exposure apparatus having the same, and device manufacturing method
JP2006351990A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP2004279166A (ja) 位置検出装置
JP7446131B2 (ja) 検出装置、露光装置および物品製造方法
US20080213704A1 (en) Measurement apparatus, exposure apparatus, and device fabrication method
JP4137087B2 (ja) 露光装置、及びデバイス製造方法
JP2007019098A (ja) 露光装置及び露光方法
JPH08298238A (ja) 投影露光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130626

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140625

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150625

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee