JP4018647B2 - 投影露光装置およびデバイス製造方法 - Google Patents

投影露光装置およびデバイス製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4018647B2
JP4018647B2 JP2004032450A JP2004032450A JP4018647B2 JP 4018647 B2 JP4018647 B2 JP 4018647B2 JP 2004032450 A JP2004032450 A JP 2004032450A JP 2004032450 A JP2004032450 A JP 2004032450A JP 4018647 B2 JP4018647 B2 JP 4018647B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid
light
optical system
container
sensor unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004032450A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005223275A (ja
Inventor
孝弘 赤松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2004032450A priority Critical patent/JP4018647B2/ja
Priority to TW094103074A priority patent/TWI255973B/zh
Priority to CNB2005100082483A priority patent/CN100524031C/zh
Priority to KR1020050011076A priority patent/KR100716135B1/ko
Priority to EP05002611A priority patent/EP1562079A3/en
Priority to US11/052,088 priority patent/US7256868B2/en
Publication of JP2005223275A publication Critical patent/JP2005223275A/ja
Priority to US11/764,276 priority patent/US7522264B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4018647B2 publication Critical patent/JP4018647B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G07CHECKING-DEVICES
    • G07FCOIN-FREED OR LIKE APPARATUS
    • G07F17/00Coin-freed apparatus for hiring articles; Coin-freed facilities or services
    • G07F17/32Coin-freed apparatus for hiring articles; Coin-freed facilities or services for games, toys, sports, or amusements
    • G07F17/3286Type of games
    • G07F17/3297Fairground games, e.g. Tivoli, coin pusher machines, cranes
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70341Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A63SPORTS; GAMES; AMUSEMENTS
    • A63FCARD, BOARD, OR ROULETTE GAMES; INDOOR GAMES USING SMALL MOVING PLAYING BODIES; VIDEO GAMES; GAMES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • A63F9/00Games not otherwise provided for
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A63SPORTS; GAMES; AMUSEMENTS
    • A63FCARD, BOARD, OR ROULETTE GAMES; INDOOR GAMES USING SMALL MOVING PLAYING BODIES; VIDEO GAMES; GAMES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • A63F2250/00Miscellaneous game characteristics
    • A63F2250/14Coin operated

Description

本発明は、投影露光装置およびデバイス製造方法に関する。
半導体素子の微細化が進み、露光光源としては、高圧水銀灯のg線からより波長の短いi線へと移行し、更に、より波長の短いKrFエキシマレーザ、ArFエキシマレーザへと移行してきた。また、より高い解像力を実現するためには、投影レンズのNA(開口数)を大きくしなければならず、その為、焦点深度はますます浅くなる傾向にある。これらの関係は、一般に良く知られている様に、次式で表すことができる。
(解像力)=k1・(λ/NA)
(焦点深度)=±k2・λ/NA2
ここで、λは露光に使用する光の波長、NAは投影レンズのNA(開口数)、k1、k2は、プロセスに関係する係数である。
近年では、波長の短いKrF、ArFエキシマレーザが使われるようになり、更には、F2エキシマレーザやEUV光源、X線光源の使用も検討されている。また、一方では、位相シフトマスク、或は変形照明等による高解像力、高深度化技術が実用化されている。しかし、F2エキシマレーザ、EUV光源、X線光源を利用する方法は、装置コストの増加を招く。
そこで、既存のArFエキシマレーザを用いた投影露光装置に対して液浸方式を適用しようとする試みがなされている。ここで、液浸方式は、投影レンズとウエハとの間の空間を高屈折率の液体で満たすことにより高い解像度と深い焦点深度を得る方法である。液浸方式の投影露光装置は、例えば、特許文献1に開示されている。
具体的には、液浸方式では、図13に示すように、投影レンズの最終段の光学素子7とウエハ2との間隙に液体25を満たす。ここで、露光光の空気中における波長をλ0、液浸に使用する液体25の空気に対する屈折率をn、光線の収束半角をαとし、NA0=sinαとすると、液浸した場合の解像力及び焦点深度は、次式のようになる。
(解像力)=k1・(λ0/n)/NA0
(焦点深度)=±k2・(λ0/n)/(NA0)2
すなわち、液浸の効果は、露光波長を1/nにすることと等価であると言える。換言すると、同じNAの投影光学系を設計した場合、液浸により、焦点深度をn倍にすることができる。これは、あらゆるパターンの形状に対して有効であり、更に位相シフト法、変形照明法等と組み合わせることも可能である。
この効果を活用するためには、液体の純度、均一性、温度等の精密な管理が必要であり、ステップ・アンド・リピ−ト動作でウエハ上に逐次露光を行なう露光装置では、動作中に発生する液体の流動や振動を極力少なくすること、ウエハを液体内に搬入する際にウエハ表面に残留する気泡をいかにして除去するか等が重要である。
また、液浸方式ではない一般的な投影露光装置では、ウエハの近傍に、ウエハ上に照射される露光光の照度や露光光の照度むらを計測する照度むらセンサが搭載されていることが一般的である。また、ウエハの近傍には、キャリブレーションのために投影レンズの倍率や焦点位置変動を計測するセンサが設けられることが一般的である。
キャリブレーション用のセンサユニットとしては、クロム等により図4に示すような基準マークパターンが形成された石英ガラスの下に受光素子を設置したものがある。このようなセンサユニットは、次のように利用される。すなわち、レチクルに図4の基準マークと同様なパターンを設けて、このパターンを基準マーク上に投影し、基準マークを通過した光量を受光素子により計測する。フォーカスが合っているときは、レチクルに形成されたパターンの投影像と基準マークのパターンとが一致するため受光素子によって検出される光量が最大となる。フォーカスがずれると、レチクルに形成されたパターンがボケて基準マークパターン上に投影されるため、受光素子によって検出される光量が低下する。したがって、受光素子によって光量を検出しながらフォーカスを変動させ、検出光量が最大となるフォーカス位置を見つけることによりフォーカスのキャリブレーションを実行することができる。
また、レチクルに形成されたパターンの投影像に対してXY方向に基準マークが変位すると同様に検出光量が変化する。したがって、XY方向のズレも検出することが可能である。即ち、このようなセンサユニットは、アライメント用センサユニットとしても使用可能である。この他にも、ショット内の露光むらの計測や有効光源の計測に用いられる多数の画素より構成されるラインセンサ、投影レンズの収差計測に用いられる二次元CCDなどがウエハステージに搭載される場合もある。
このようなセンサユニットは、計測精度等を考慮すると、液浸式投影露光装置では、ウエハと同様に、投影レンズ下に液を満たした状態(液浸状態)で使われることが望ましい。
特開平06−124873号公報
しかし、液浸状態で上記のようなセンサユニットを使用すると、以下のような問題が発生する。
図12に照度むらセンサユニットの従来例を示す。照度むらセンサユニットは、封止窓21で密閉されたセンサ容器22の中に受光素子23を配置し、封止窓21の上に、ピンホールが形成された遮光部材28を配置して構成されている。受光素子23を密閉空間に配置しているのは、湿度等の影響を受けて受光素子23の特性が劣化することを防止するためである。このような構造のセンサユニットに光が入射すると、スネルの法則として知られているように、空気と封止窓21の境界面、封止窓21とセンサユニットの内部空間との境界面で屈折が起こる。
センサユニットの外部空間の屈折率をn1、封止窓21の屈折率をn2、センサユニットの内部空間の屈折率をn3、センサユニットの外部空間と封止窓21との境界面に対する光の入射角をθi1、屈折角をθr1、封止窓21とセンサユニットの内部空間との境界面に対する光の入射角をθi2、屈折角をθr2とすると、スネルの法則より、
n2・sin(θi2)=n3・sin(θr2)
が成り立つ。したがって、
sin(θr2)=(n2/n3)・sin(θi2)
の関係が得られ、n2>n3の場合には、sin(θi2’)=n3/n2で定義されるθi2’(臨界角)以上の入射角で入射する光は、屈折せずに全反射を起こす。
投影レンズのNAは、
NA=n1・sin(θi1)
で求められる。
液浸式ではない一般的な投影露光装置では、センサユニットの外部空間は空気なので、屈折率n1=1である。屈折率が1の場合、NAは1.0未満であり、実際には、大きくても0.9程度である。NA=0.83とした場合、入射角θi1=56.44°である。封止窓21の材質が石英ガラスとすると、屈折率n2=1.56である。スネルの法則より、センサユニットの外部空間と封止窓21との境界面での屈折角θr1=32.29°である。θr1=θi2の関係より、封止窓21とセンサユニットの内部空間との境界面に対する光の入射角θi2もθi2=32.29°である。封止窓とセンサユニットの内部空間との境界面での臨界角θi2’は、
sinθi2’=n3/n2=1/1.56=0.64
である。したがって、θi2’=39.9°となり、θi2’>θi2となるので全反射にはならず、光は受光素子表面まで到達することができる。
一方、液浸式の投影露光装置では、センサユニットの外部空間は液体で満たされる。ここでは、液体として純水を想定する。純水の屈折率は1.44である。上記の例で屈折率n1=1.44とすると、入射角θi1=56.44°であり、屈折率n2=1.56であるので、スネルの法則より、センサユニットの外部空間と封止窓21との境界面での屈折角θr1=50.28°である。θr1=θi2の関係より、封止窓21とセンサユニットの内部空間との境界面に対する光の入射角θi2もθi2=50.28°となる。封止窓21とセンサユニットの内部空間との境界面での臨界角θi2’は、上記と同様に、
sinθi2’=n3/n2=1/1.56=0.64
である。したがって、θi2’=39.9°となり、θi2’<θi2となるので全反射となってしまう。したがって、入射角が39.9°〜50.28°の範囲の光は境界面で全反射して受光素子の表面に到達し得ないので、全光束を用いた正確な計測をすることができないという問題がある。このような問題は、照度むらセンサユニットに留まらず、前述したキャリブレーション用センサユニットその他に対しても同様な悪影響を及ぼす。
以上の議論は液浸式投影露光装置における問題に関するが、高NAの投影露光装置では、液浸式でない従来方式でもセンサユニットの計測精度を劣化させる要因があった。一般的に光センサは受光面に対する光の入射角に応じて感度が変化するという特性をもっている。したがって、従来方式の投影露光装置では、光の全反射なしに全光束が受光素子まで到達するが、センサの受光面に対する入射角の大きい光が存在するため、感度の角度特性の影響を受けて正確な光量計測が行なえないという問題があった。
これらの問題は、センサ上に複雑な光学系を構成することにより対処することも可能であるが、ウエハを保持して高速で移動するステージ上にセンサユニットが搭載されることを考えると、重量的にもスペース的にも実現は非常に困難である。
本発明は、上記の課題認識を基礎としてなされたものであり、高NAの光学系から射出した束を高精度に検出できるようにすることを主たる目的とする。
本発明の第1の側面は、投影光学系を有し、前記投影光学系と基板との間に液体を満たした状態で、前記投影光学系と該液体とを介して基板を露光する投影露光装置に係り、該装置は、前記投影光学系と該液体とを通過した光を検出する受光素子と、前記受光素子が配された容器と、前記受光素子を覆うように前記容器内に満たされたフッ素系樹脂と、を有するように構成されている。
本発明の好適な実施形態によれば、前記投影露光装置は、前記フッ素系樹脂上に配された遮光部材をさらに有しうる。
本発明の第2の側面は、投影光学系を有し、前記投影光学系と基板との間に液体を満たした状態で、前記投影光学系と該液体とを介して基板を露光する投影露光装置に係り、該装置は、前記投影光学系と該液体とを通過した光を検出する受光素子と、前記受光素子が配された容器と、前記容器を密閉し、かつ前記光が入射する封止窓と、前記受光素子を覆うフッ素系樹脂と、前記封止窓と前記フッ素系樹脂との間に満たされた液体と、を有するように構成されている。
本発明の第3の側面は、投影光学系を有し、前記投影光学系と基板との間に液体を満たした状態で、前記投影光学系と該液体とを介して基板を露光する投影露光装置に係り、該装置は、前記投影光学系と該液体とを通過した光を検出する受光素子と、前記受光素子が配された容器と、前記容器を密閉し、かつ前記光が入射する封止窓と、前記基板を保持し、かつ移動するステージと、前記ステージの冷却用の液体を前記容器内に供給する供給手段と、を有するように構成されている。
本発明の第4の側面は、投影光学系を有し、前記投影光学系と基板との間に液体を満たした状態で、前記投影光学系と該液体とを介して基板を露光する投影露光装置に係り、該装置は、前記投影光学系と該液体とを通過した光を検出する受光素子と、前記受光素子が配された容器と、前記容器を密閉し、かつ前記光が入射する封止窓と、前記容器内に満たされた液体と、前記基板を保持するチャックと、前記チャックを保持するステージと、を有し、前記封止窓は、前記チャックに取り付けられ、前記容器は、前記ステージに取り付けられているように構成されている。
本発明の好適な実施形態によれば、前記容器と前記封止窓との間に配されたOリングをさらに有しうる。
本発明の好適な実施形態によれば、前記受光素子を覆うフッ素系樹脂をさらに有しうる。
本発明の好適な実施形態によれば、前記封止窓は、遮光部材を含みうる。
本発明の好適な実施形態によれば、前記液体は、例えば、不活性液体でありうる。前記液体は、例えば、PFE(パー・フルオロ・エーテル)、PFPE(パー・フルオロ・ポリエーテル)、HFE(ハイドロ・フルオロ・エーテル)およびHFPE(ハイドロ・フルオロ・ポリエーテル)のいずれかを含みうる
本発明によれば、高NAの光学系から射出した束を高精度に検出することができる。
まず、本発明の原理を説明する。図2は、本発明が適用されたセンサユニット(例えば、照度むらセンサユニット)の概略構成を示す図である。図2に示すセンサユニットは、封止窓21で密閉されたセンサ容器22の中に受光素子23を配置し、センサユニットの内部空間、即ち封止窓21と受光素子23との間の空間を液体、例えばウエハ露光の液浸に使用する液体とほぼ同等な屈折率を持つ液体24で満たして構成されている。封止窓21の上に、ピンホールが形成された遮光部材28が配置されている。このような構造のセンサユニットに光が入射すると、空気と封止窓21との境界面、及び、封止窓21とセンサユニットの内部空間との境界面で屈折が起こる。
センサユニットの外部空間の屈折率をn1、封止窓21の屈折率をn2、センサユニットの内部空間の屈折率をn3、センサユニットの外部空間と封止窓21との境界面に対する光の入射角をθi1、屈折角をθr1、封止窓21とセンサユニットの内部空間との境界面に対する光の入射角をθi2、屈折角をθr2とする。
液浸式投影露光装置では、センサユニットの外部空間は液体で満たされる。ここでは、液体として純水(屈折率=1.44)を想定する。屈折率n1=1.44とすると、NA=0.83における入射角はθi1=56.44°であり、屈折率はn2=1.56であるので、スネルの法則よりセンサユニットの外部空間と封止窓21との境界面での屈折角θr1=50.28°となる。θr1=θi2の関係より、封止窓21とセンサユニットの内部空間との境界面に対する光の入射角θi2もθi2=50.28°となる。封止窓とセンサユニットの内部空間との境界面での臨界角θi2’は、センサユニットの内部空間を屈折率n3=1.34の不活性な液体で満たした場合を考えると、
sinθi2’=n3/n2=1.34/1.56=0.86
を満たす。したがって、θi2’=59.20°となり、θi2’>θi2となるので全反射は起こらず、全入射光が受光素子23の表面まで到達する。
図7は、本発明が適用された他の照度むらセンサユニットの概略構成を示す図である。図7に示すセンサユニットは、センサ容器22の中に受光素子23を配置し、受光素子23をコーティング部材(固体物質)33でコーティングし、コーティング部材33の上に、ピンホールが形成された遮光部材28を配置して構成されている。コーティング部材33は、液浸に使用する液体から受光素子23を保護するように機能し、液浸に使用する液体とほぼ同等かそれ以上の屈折率を有することが好ましい。コーティング部材33は、センサユニット内部に空間が生じないように配置された遮光窓として把握することもできる。
このような構造のセンサユニットに光が入射すると、空気とコーティング部材33との境界面で屈折が起こる。センサユニットの外部空間の屈折率をn1、コーティング部材33の屈折率をn2、センサユニットの外部空間とコーティング部材33との境界面に対する光の入射角をθi1、屈折角をθr1とする。液浸式投影露光装置では、センサユニットの外部空間は液体で満たされる。ここでは、液体として純水(屈折率=1.44)を想定する。屈折率n1=1.44とすると、NA=0.83における入射角θi1=56.44°である。コーティング部材33の屈折率n2が1.30より大きければ全ての入射光をコーティング部材中に導き、受光素子表面に到達させることができる。
図2、図7に例示的に示すようなセンサユニットを液浸式投影露光装置に組み込むことにより、高NAの光学系から射出してセンサユニットに入射する広角の入射光であっても、照度むら計測やキャリブレーション計測等において、高い精度で当該入射光を検出することができる。
また、図2、図7に例示的に示すようなセンサユニットを液浸式以外の投影露光装置に組み込んだ場合においても、照度むら計測やキャリブレーション計測等において、高い精度で入射光を検出することができる
以下、本発明の好適な実施形態を説明する。
[第1実施形態]
図1は、本発明の第1実施形態に係る液浸式投影露光装置の概略構成を示す図である。図1に示す露光装置は、照明光学系3によってレチクル1を照明し、レチクル1に形成された回路パターンを感光剤が塗布されたウエハ2に投影光学系4を介して投影し転写する。照明光学系3は、ウエハ2上にレチクル1の回路パターンを投影するための変形照明形成装置及び調光装置等を備えうる。レチクル1は、レチクルステージ5によって保持され、所定位置に位置決めされる。レチクル1の位置は、レチクルステージ5に設けられた参照ミラー14を利用してレーザ干渉計16によって計測される。また、レチクルステージ5は、駆動モータ18によって駆動される。
レチクル1の回路パターンとウエハ2に既に形成されているパターンとを位置合わせするための情報は、アライメント光学系6を用いて取得される。
投影光学系4は、複数の光学素子を含んで構成され、それらのうち最終段の光学素子として光学素子7を有する。光学素子7の下面、すなわちウエハ2表面に対向する面は、平面形状、又は、ウエハ2表面に向かって凸となる形状に構成されることが好ましい。これは、光学素子7とウエハ2との間の空間、又は、光学素子7とセンサユニット27との間の空間を液体で満たす際(液浸する際)に、光学素子7の表面に空気層や気泡を残留させないことに寄与する。また、液浸される光学素子7の表面、ウエハ2上の感光剤光量センサユニット27の表面は、液浸に使用する液体25と親和性のあるコーティングがなされることが好ましい。
液浸は、液体供給装置12が光学素子7とウエハ2(又はセンサユニット27)との間の空間に液体25を供給することによってなされる。この液体25は、液体回収装置11によって回収される。
ウエハ2は、ウエハチャック8によって保持される。ウエハチャック8(ウエハ2)は、駆動モータ17によって駆動されるXYステージ10、及び、XYステージ10上に配置された微動ステージ9によって駆動される。微動ステージ9は、ウエハ2のθ方向位置を補正する機能、ウエハ2のZ位置を調整する機能、及び、ウエハ2の傾きを補正するためのチルト機能を有する。
微動ステージ9には、X方向及びY方向の位置を計測するための参照ミラー13(Y方向の参照ミラーは不図示)が取り付けられており、これらを利用してレーザ干渉計15によって微動ステージ9のX方向及びY方向の位置が計測される。フォーカス計測装置19、20は、ウエハ2のZ方向の位置及びウエハ2の傾きを計測する。
XYステージ10、レチクルステージ5、フォーカス計測装置19、20等は、コントローラ26によって制御される。
センサユニット27は、この実施形態では、露光光の光量を計測する光量センサユニットとして構成されている。センサユニット27は、封止窓21で密閉されたセンサ容器22内に配置された受光素子23を有し、センサ容器22内の空間が不活性液体24で満たされている。センサユニット27は、ウエハチャック8に配置されてもよいし、微動ステージ9に配置されてもよいし、露光光の光量を計測することができる限りにおいて他の場所に配置されてもよい。光量センサユニット27の表面の封止窓21には、ピンホールを有するパターンが形成されており、センサユニット27は、例えば露光光の絶対照度や照度むらの計測に用いられうる。センサユニット27の表面の光通過部分の形状(マスクの形状)を変更することにより、センサユニット27をアライメントやキャリブレーションの用途に使用することもできる。
次に、図1に示す露光装置の動作を説明する。露光光の照度計測の際は、光量センサユニットとして構成されたセンサユニット27は、XYステージ17を駆動することにより投影光学系4の中心の下に位置決めされる。次に、光学素子7とセンサユニット27との間の空間に液体供給装置12により液体25を供給する。この状態で、照明光学系3によって投影光学系4を通してセンサユニット27を露光しながら露光光の照度が計測される。液浸に使用する液体25は、液体供給装置12から光学素子7とセンサユニット27との間の空間に供給されるとともに液体回収装置11により回収される。
センサユニット27のセンサ容器22内は、液体、例えば液浸に使用する液体25とほぼ同等な屈折率を持った不活性液体24で満たされる。したがって、高いNAの投影光学系4からの露光光であってもその全てが受光素子23まで到達し高精度な計測が可能となる。
次に、図10を参照しながらウエハの露光について説明する。ウエハを露光する際には、まず、あらかじめ感光剤を塗布してあるウエハ2を不図示のウエハ搬送装置によりウエハチャック8上に搬送する。ウエハチャック8上に載せられたウエハ2は、バキューム吸着等の吸着法によって固定され、平面矯正される。次に、フォーカス計測装置19、20によりウエハ2の全面についてフォーカス及びチルトに関する計測がなされる。
次に、フォーカス及びチルトに関する計測情報に従って、微動ステージ9の位置を制御しながら、光学素子7とウエハ2との間の空間に液体供給装置12により液体25を供給しつつ液体回収装置11により回収しながら、ウエハ2にレチクル1のパターンが投影され、これによってウエハ2が露光される。ウエハ2の露光が終了すると、不図示のウエハ搬送装置によりウエハチャック9上からウエハ2が回収され、一連の露光動作が終了する。
次に、図2を参照しながらセンサユニット27について更に詳細に説明する。センサユニット27は、光量センサユニットとして構成される場合は、図3に例示的に示すようなピンホールを有するパターンを構成する遮光部材28がクロム等により表面に形成された封止窓21によってセンサ容器22を密閉し、センサ容器22内に受光素子23を配置するとともにセンサ容器22内に不活性液体24等の液体を満たすことにより構成されうる。
封止窓21の材質としては、例えば、石英等、露光光を効率よく透過する材料が好ましい。不活性液体24としては、例えば、PFE(パー・フルオロ・エーテル)、PFPE(パー・フルオロ・ポリエーテル)、HFE(ハイドロ・フルオロ・エーテル)、HFPE(ハイドロ・フルオロ・ポリエーテル)等のフッ素系不活性液体が好適である。選択の目安としては、液浸に使用する液体25とほぼ同等の屈折率を持ち、露光光に対して良好な透過率を持ち、かつ露光光による劣化が少なく、かつ受光素子23に対して特性劣化等を引き起こさないことが重要である。
ピンホールを有するパターンを形成する遮光部材28は、例えば、貫通孔が形成された薄板を使用することができ、この薄板は、封止窓21の表面又は近傍に配置されうる。また、アライメント計測やキャリブレーション計測に好適なセンサユニットは、ピンホールを有するパターンに代えて、例えば図4に例示的に示すような複数のバーを配列したパターンを配置することによって構成されうる。もちろん、他の用途に使用する場合は、その用途に適したパターン形状を採用すればよい。
封止窓21及びセンサ容器22は、センサユニット内部の不活性液体24が揮発しない構造にするのが望ましい。また、図5に示すように、封止窓21とセンサ容器22との結合部にOリング29を配置して密封するような構造にすると、必要に応じて封止窓21とセンサ容器22とを容易に分離することができる。例えば、光量センサユニット27をウエハチャック8に固定した構造においては、ウエハチャック8を露光装置から取り外す際に、受光素子23と他のユニット(例えば、コントローラ26)との間の電気配線を切り離すことが困難な場合が想定されうる。そこで、図5に示すような構成のセンサユニットにおいて、例えば、封止窓21をウエハチャック8に取り付け、センサ容器22を微動ステージ9に取り付けるような構造にすると、受光素子23からの電気配線を気にせずにウエハチャック8を露光装置から取り外すことが可能となる。
[第2実施形態]
図6は、本発明の第2実施形態に係る液浸式投影露光装置のセンサユニットの概略構成を示す図である。センサユニット以外の装置全体の構成及び動作は、第1実施形態と同様である。図6では、光量センサユニット27は、図3に例示的に示すようなピンホールを有するパターンを構成する遮光部材28がクロム等により表面に形成された封止窓21、及び、循環用ポート32a、32bを有するセンサ容器32によって外部空間から内部空間を仕切っている。内部空間には、受光素子23が配置されている。この構成例は、センサ容器32の内部空間に不活性液体24を供給し循環させる構造を有する。
外部空間には、不活性液体24を貯留するタンク30、タンク30内の不活性液体24をセンサ容器24内に供給する送液ポンプ31が配置されうる。不活性液体24は、ポンプ31により常にセンサ容器32内を循環させることができる。或いは、不活性液体24がセンサ容器32内を満たした状態でポンプ31を停止させておき、必要時にのみポンプ31を駆動して不活性液体24を循環させてもよい。
このようにセンサ容器24内に不活性液体24を供給可能な構成によれば、例えば、封止窓21とセンサ容器32との結合部(図5のようにOリング29があってもよい)の間に意図せずして生じうる隙間より不活性液体24が揮発してセンサ容器32内部が液体25で満たされなくなった場合においても、センサ容器24内を再び不活性液体24で満たすことができる。また、長期間の露光光照射により不活性液体24の組成が変化し劣化が起こった場合においても、容易に新しい液体に交換することができる。また、センサ容器32の内壁や受光素子23からの不純物の発生により不活性液体24が汚染された場合においても、容易に新しい液体に交換することができる。
また、タンク30にある程度の量の不活性液体24を貯留して循環させることにより、例えば第1実施形態よりも総量の多い不活性液体24を使用することになるので、露光光照射や不純物による不活性液体24の劣化が抑えられるという利点もある。
更に、不活性液体24としてXYステージ10の冷却に用いられる冷媒を使用することも可能である。不活性液体と冷媒とを共通化することにより、センサユニット専用の送液ポンプやタンクを持つ必要がなくなるという利点がある。
図6に示すセンサユニットにおいて、遮光部材28は、例えば、図3や図4に例示的に示すように用途に応じたパターン形状に変更されうる。また、封止窓21とセンサ容器32との結合構造は、例えば、図5に例示的に示す構成に変更されうる。
[第3実施形態]
図7は、本発明の第3実施形態に係る液浸式投影露光装置のセンサユニットの概略構成を示す図である。センサユニット以外の装置全体の構成及び動作は第1実施形態と同様である。
図7に示す構成例では、センサユニット27は、図3に例示的に示すようなピンホールを有するパターンを構成する遮光部材28、センサ容器22、受光素子23、受光素子23を覆うようにセンサ容器22内に満たされたコーティング部材(固体物質)33を含む。コーティング部材33は、液浸に使用する液体25とほぼ同等かそれより大きな屈折率を有することが好ましく、また、露光光に対して良好な透過率を有し、かつ露光光による劣化が少なく、かつ受光素子23に対して特性劣化等を引き起こさず、かつ液浸に使用する液体25に対して耐性がある材料、例えば、フッ素系樹脂やガラス系の材料で構成されることが好ましい。図7に示すセンサユニットにおいて、遮光部材28は、例えば、図3や図4に例示的に示すように用途に応じたパターン形状に変更されうる。
[第4実施形態]
図8は、本発明の第4実施形態に係る液浸式投影露光装置のセンサユニットの概略構成を示す図である。センサユニット以外の装置全体の構成及び動作は第1実施形態と同様である。図8に示すセンサユニット27は、図3に例示的に示すようなピンホールを有するパターンを構成する遮光部材28がクロム等により表面に形成された封止窓21、センサ容器22、受光素子23、受光素子23を覆うコーティング部材33、センサ容器内に満たされた液体34を含む。
コーティング部材(固体物質)33は、センサ容器22内に満たされた液体34とほぼ同等かそれより大きな屈折率を有することが好ましく、また、露光光に対して良好な透過率を有し、かつ露光光による劣化が少なく、かつ受光素子23に対して特性劣化等を引き起こさず、センサ容器内に満たされた液体34に対して耐性がある材料、例えばフッ素系樹脂やガラス系の材質で構成されることが好ましい。
センサ容器22内を満たす液体34としては、例えば、第1、第2実施形態で提示された不活性液体でもよいし、液浸に使用する液体25をそのまま用いてもよい。図8に示すセンサユニットにおいて、遮光部材28は、例えば、図3や図4に例示的に示すように用途に応じたパターン形状に変更されうる。また、封止窓21とセンサ容器32との結合構造は、例えば、図5に例示的に示す構成に変更されうる。
[第5実施形態]
図9は、本発明の第5実施形態に係る液浸式投影露光装置のセンサユニット及びその周辺部の概略構成を示す図である。ここで言及する事項以外は、第1実施形態に従いうる。図9に示す光量センサユニット27は、図3に例示的に示すようなピンホールを有するパターンを構成する遮光部材28がクロム等により表面に形成された封止窓21、及び、循環用ポート32a、32bを有するセンサ容器32によって外部空間から内部空間を仕切った構成を有する。内部空間には、受光素子23が配置され、受光素子23がコーティング部材33で覆われている。内部空間は、光学素子7とウエハ2又はセンサユニットとの間の空間に供給される液体と同一の液体25によって満たされる。
液体25は、タンク30に貯留され、送液管40、42を通して送液ポンプ31によって液体供給装置12に供給されるとともに、送液管40、41、ポート32bを通してセンサ容器32内に供給される。液体供給装置12によって光学素子7とウエハ2又はセンサユニットとの間の空間に供給された液体25は液体回収装置11によって回収されて送液管52に送り出され、また、ポート32bを通してセンサ容器32に供給された液体25はポート32aを通して送液管51に送り出され、送液管50を通してタンク30に戻る。液体25は、このようにして2つの経路を循環する。
コーティング部材33は、センサ容器32内に満たされる液体25とほぼ同等かそれより大きな屈折率を有することが好ましく、また、露光光に対して良好な透過率を有し、かつ露光光による劣化が少なく、かつ受光素子23に対して特性劣化等を引き起こさず、センサ容器内に満たされた液浸に使用する液体25に対して耐性がある材料、例えばフッ素系樹脂やガラス系の材質で構成されることが好ましい。
送液管41、51にバルブを設けて、液体25がセンサ容器32内を満たした状態で該バルブを閉じることができる構成も有用であり、この場合、センサ容器32内の液体25を交換する場合など、必要時にのみ該バルブを開けることができる。
このようにセンサ容器32内に液体25を供給可能な構成によれば、例えば、封止窓21とセンサ容器32との結合部等から液体25が揮発してセンサ容器32内部が液体25で満たされなくなった場合においても、センサ容器32内を再び液体25で満たすことができる。また、長期間の露光光照射により液体25の組成が変化し劣化が起こった場合においても、容易に新しい液体に交換することができる。また、センサ容器32の内壁やコーティング部材33等からの不純物の発生により液体25が汚染された場合においても、容易に新しい液体に交換することができる。
また、タンク30にある程度の量の液体25を貯留して循環させることにより、例えば第4実施形態よりも総量の多い液体25を使用することになるので、露光光照射や不純物による液体25の劣化が抑えられるという利点もある。
図9のセンサユニットにおいて、遮光部材28は、例えば、図3や図4に例示的に示すように用途に応じたパターン形状に変更されうる。また、封止窓21とセンサ容器32との結合構造は、例えば、図5に例示的に示す構成に変更されうる。
また、センサ容器32内に充填する液体を第1および第2実施形態のように不活性液体にしてもよい。この場合、液体供給装置12、液体回収装置11にそれぞれ通じる送液管42、52は省かれるのが一般的である。更に、不活性液体としてXYステージ10の冷却に用いられる冷媒を使用することも可能である。不活性液体と冷媒とを共通化することにより、センサユニット専用の輸送ポンプやタンクを持つ必要がなくなるという利点がある。
11は、影露光装置の構成図である。この投影露光装置は、液浸法ではなく、光学素子7とウエハとの間がガスで満たされた環境又は減圧環境の下で露光を行なう投影露光装置として構成されている。
図11に示す露光装置は、照明光学系3によってレチクル1を照明し、レチクル1に形成された回路パターンを感光剤が塗布されたウエハ2に投影光学系4を介して投影し転写する。照明光学系3は、ウエハ2上にレチクル1の回路パターンを投影するための変形照明形成装置及び調光装置等を備えうる。レチクル1は、レチクルステージ5によって保持され、所定位置に位置決めされる。レチクル1の位置は、レチクルステージ5に設けられた参照ミラー14を利用してレーザ干渉計16によって計測される。また、レチクルステージ5は、駆動モータ18によって駆動される。
レチクル1の回路パターンとウエハ2に既に形成されているパターンとを位置合わせするための情報は、アライメント光学系6を用いて取得される。
ウエハ2は、ウエハチャック8によって保持される。ウエハチャック8(ウエハ2)は、駆動モータ17によって駆動されるXYステージ10、及び、XYステージ10上に配置された微動ステージ9によって駆動される。微動ステージ9は、ウエハ2のθ方向位置を補正する機能、ウエハ2のZ位置を調整する機能、及び、ウエハ2の傾きを補正するためのチルト機能を有する。
微動ステージ9には、X方向及びY方向の位置を計測するための参照ミラー13(Y方向の参照ミラーは不図示)が取り付けられており、これらを利用してレーザ干渉計15によって微動ステージ9のX方向及びY方向の位置が計測される。フォーカス計測装置19、20は、ウエハ2のZ方向の位置及びウエハ2の傾きを計測する。
XYステージ10、レチクルステージ5、フォーカス計測装置19、20等は、コントローラ26によって制御される。
センサユニット27は、この実施形態では、露光光の光量を計測する光量センサユニットとして構成されている。センサユニット27は、封止窓21で密閉されたセンサ容器22内に配置された受光素子23を有し、センサ容器22内の空間が不活性液体24で満たされている。センサユニット27は、ウエハチャック8に配置されてもよいし、微動ステージ9に配置されてもよいし、露光光の光量を計測することができる限りにおいて他の場所に配置されてもよい。光量センサユニット27の表面の封止窓21には、ピンホールを有するパターンが形成されており、センサユニット27は、例えば露光光の絶対照度や照度むらの計測に用いられうる。センサユニット27の表面の光通過部分の形状(マスクの形状)を変更することにより、センサユニット27をアライメントやキャリブレーションの用途に使用することができる。
次に、図11に示す露光装置の動作説明する。露光光の照度計測の際は、光量センサユニットとして構成されたセンサユニット27は、XYステージ17を駆動することにより投影光学系4の中心の下に位置決めされる。次に、照明光学系3によって投影光学系4を通してセンサユニット27を露光しながら露光光の照度が計測される。
センサユニット27のセンサ容器22内には屈折率が1より大きい液体35が満たされているので、高いNAの投影光学系4からの露光光であってもその全てが受光素子23まで到達し、これにより高精度な計測が可能となる。
次に、図11を参照しながらウエハの露光について説明する。ウエハを露光する際には、まず、あらかじめ感光剤を塗布してあるウエハ2を不図示のウエハ搬送装置によりウエハチャック8上にセットする。ウエハチャック8上に載せられたウエハ2は、バキューム吸着等の吸着法によって固定され、平面矯正される。次に、フォーカス計測装置19、20によりウエハ2の全面についてフォーカス及びチルトに関する計測を行ないつつ微動ステージ9の位置を制御しながら露光を行なう。
ウエハ2の露光が終了すると、不図示のウエハ搬送装置によりウエハチャック9上からウエハ2を回収し、一連の露光動作が終了する。センサユニット27の動作は、第1実施形態において説明した通りである。また、センサユニット27の構成としては、第1〜第4実施形態として例示的に説明された構成を採用しうる。また、第5実施形態についても、液体供給装置12、液体回収装置11とそれぞれ接続する経路(送液管42、52)を除去した構成を採用することができる。
[第実施形態]
第1〜第実施形態として例示的に説明したセンサユニットの遮光部材28は、用途に応じたパターン又は構造に変更されうるし、特定の用途においては除去されてもよい。また、封止窓は、例えば、基準マークパターン等のパターンを含んで構成されてもよい。すなわち、封止窓の他に遮光部材を設けるのではなく、封止窓自体がパターン(遮光部材)を有してもよい。また、封止窓は、板形状の他、種々の形状に変更されてもよい。
また、センサユニットに使用される受光素子の種類は、特定のものに限定されず、単一のフォトダイオードで構成されてもよいし、一次元や二次元CCD等のリニア又はエリアセンサとし構成されてもよいし、他の形式で構成されてもよい。
[応用例]
次に、上記の露光装置を利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図14は、半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。ステップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ2(マスク作製)では設計した回路パターンに基づいてマスクを作製する。一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記のマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の組み立て工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷(ステップ7)する。
図15は、上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す図である。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸化させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶縁膜を成膜する。ステップ13(電極形成)ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ16(露光)では上記の露光装置によって回路パターンをウエハに転写する。ステップ17(現像)ではパターンが転写されたウエハ上の感光剤を現像する。ステップ18(エッチング)では現像で残ったレジスト像の開口部を通してエッチングを行う。ステップ19(レジスト剥離)ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
本発明の第1実施形態に係る液浸式投影露光装置の概略構成を示す図である。 センサユニットの構成例を概略的に示す図である。 センサユニットに適用されうるピンホールパターンを例示的に示す図である。 センサユニットに適用されうる複数のバーで構成されるパターンを例示的に示す図である。 センサユニットの他の構成例を概略的に示す図である。 本発明の第2実施形態のセンサユニットの概略構成を示す図である。 本発明の第3実施形態のセンサユニットの概略構成を示す図である。 本発明の第4実施形態のセンサユニットの概略構成を示す図である。 本発明の第5実施形態のセンサユニットの概略構成を示す図である。 本発明の第1実施形態に係る液浸式投影露光装置の概略構成を示す図である。 影露光装置の構成を概略的に示す図である。 従来の光量センサユニットの構成を概略的に示す図である。 液浸の効果を説明するためのセンサユニットの断面図である。 半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。 ウエハプロセスの詳細なフローを示す図である。
符号の説明
1:レチクル、2:ウエハ、3:照明光学系、4:投影光学系、5:レチクルステージ、6:アライメント光学系、7:光学素子、8:ウエハチャック、9:微動ステージ、10:XYステージ、11:液体回収装置、12:液体供給装置、13、14:参照ミラー、15:XYステージ用レーザ干渉計、16:レチクルステージ用レーザ干渉計、17:XYステージ駆動用モータ、18:レチクルステージ駆動用モータ、19、20:フォーカス計測装置、21:封止窓、22:センサ容器、23:受光素子、24:不活性液体、25:液浸用液体、26:コントローラ、27:センサユニット(光量センサユニット等)、28:遮光部材、29:Oリング、30:タンク、31:輸送ポンプ、32:センサ容器、33:コーティング部材、34:センサ容器に充填された液体

Claims (11)

  1. 投影光学系を有し、前記投影光学系と基板との間に液体を満たした状態で、前記投影光学系と該液体とを介して基板を露光する投影露光装置であって、
    前記投影光学系と該液体と通過した光を検出する受光素子
    前記受光素子が配された容器と、
    前記受光素子を覆うように前記容器内に満たされたフッ素系樹脂と、
    を有することを特徴とする投影露光装置。
  2. 前記フッ素系樹脂上に配された遮光部材をさらに有することを特徴とする請求項1に記載の投影露光装置。
  3. 投影光学系を有し、前記投影光学系と基板との間に液体を満たした状態で、前記投影光学系と該液体とを介して基板を露光する投影露光装置であって、
    前記投影光学系と該液体とを通過した光を検出する受光素子と、
    前記受光素子が配された容器と、
    前記容器を密閉し、かつ前記光が入射する封止窓と、
    前記受光素子を覆うフッ素系樹脂と、
    前記封止窓と前記フッ素系樹脂との間に満たされた液体と、
    を有することを特徴とする投影露光装置。
  4. 投影光学系を有し、前記投影光学系と基板との間に液体を満たした状態で、前記投影光学系と該液体とを介して基板を露光する投影露光装置であって、
    前記投影光学系と該液体とを通過した光を検出する受光素子と、
    前記受光素子が配された容器と、
    前記容器を密閉し、かつ前記光が入射する封止窓と、
    前記基板を保持し、かつ移動するステージと、
    前記ステージの冷却用の液体を前記容器内に供給する供給手段と、
    を有することを特徴とする投影露光装置。
  5. 投影光学系を有し、前記投影光学系と基板との間に液体を満たした状態で、前記投影光学系と該液体とを介して基板を露光する投影露光装置であって、
    前記投影光学系と該液体とを通過した光を検出する受光素子と、
    前記受光素子が配された容器と、
    前記容器を密閉し、かつ前記光が入射する封止窓と、
    前記容器内に満たされた液体と、
    前記基板を保持するチャックと、
    前記チャックを保持するステージと、
    を有し、
    前記封止窓は、前記チャックに取り付けられ、前記容器は、前記ステージに取り付けられている、
    ことを特徴とする投影露光装置。
  6. 前記容器と前記封止窓との間に配されたOリングをさらに有する、ことを特徴とする請求項5に記載の投影露光装置。
  7. 前記受光素子を覆うフッ素系樹脂をさらに有する、ことを特徴とする請求項4乃至6のいずれかに記載の投影露光装置。
  8. 前記封止窓は、遮光部材を含む、ことを特徴とする請求項3乃至7のいずれかに記載の投影露光装置。
  9. 前記液体は、不活性液体である、ことを特徴とする請求項3乃至8のいずれかに記載の投影露光装置。
  10. 前記液体は、PFE(パー・フルオロ・エーテル)、PFPE(パー・フルオロ・ポリエーテル)、HFE(ハイドロ・フルオロ・エーテル)およびHFPE(ハイドロ・フルオロ・ポリエーテル)のいずれかを含む、ことを特徴とする請求項3乃至8のいずれかに記載の投影露光装置
  11. デバイス製造方法であって、
    請求項1乃至10のいずれかに記載の投影露光装置を用いて基板を露光する工程
    を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
JP2004032450A 2004-02-09 2004-02-09 投影露光装置およびデバイス製造方法 Expired - Fee Related JP4018647B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004032450A JP4018647B2 (ja) 2004-02-09 2004-02-09 投影露光装置およびデバイス製造方法
TW094103074A TWI255973B (en) 2004-02-09 2005-02-01 Projection exposure apparatus, device manufacturing method, and sensor unit
KR1020050011076A KR100716135B1 (ko) 2004-02-09 2005-02-07 투영노광장치 및 디바이스 제조방법
CNB2005100082483A CN100524031C (zh) 2004-02-09 2005-02-07 投影曝光装置、器件制造方法和传感器单元
EP05002611A EP1562079A3 (en) 2004-02-09 2005-02-08 Projection exposure apparatus and sensor unit
US11/052,088 US7256868B2 (en) 2004-02-09 2005-02-08 Projection exposure apparatus, device manufacturing method, and sensor unit
US11/764,276 US7522264B2 (en) 2004-02-09 2007-06-18 Projection exposure apparatus, device manufacturing method, and sensor unit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004032450A JP4018647B2 (ja) 2004-02-09 2004-02-09 投影露光装置およびデバイス製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005223275A JP2005223275A (ja) 2005-08-18
JP4018647B2 true JP4018647B2 (ja) 2007-12-05

Family

ID=34675598

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004032450A Expired - Fee Related JP4018647B2 (ja) 2004-02-09 2004-02-09 投影露光装置およびデバイス製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US7256868B2 (ja)
EP (1) EP1562079A3 (ja)
JP (1) JP4018647B2 (ja)
KR (1) KR100716135B1 (ja)
CN (1) CN100524031C (ja)
TW (1) TWI255973B (ja)

Families Citing this family (96)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9482966B2 (en) 2002-11-12 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100568101C (zh) 2002-11-12 2009-12-09 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
SG135052A1 (en) 2002-11-12 2007-09-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121822A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7110081B2 (en) 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7372541B2 (en) * 2002-11-12 2008-05-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10503084B2 (en) 2002-11-12 2019-12-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1486827B1 (en) 2003-06-11 2011-11-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7528929B2 (en) * 2003-11-14 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7034917B2 (en) * 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7486381B2 (en) * 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20070216889A1 (en) * 2004-06-04 2007-09-20 Yasufumi Nishii Exposure Apparatus, Exposure Method, and Method for Producing Device
US20070103661A1 (en) * 2004-06-04 2007-05-10 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
EP3067750B1 (en) * 2004-06-10 2019-01-30 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US20070222959A1 (en) * 2004-06-10 2007-09-27 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7209213B2 (en) * 2004-10-07 2007-04-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7411657B2 (en) 2004-11-17 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7256121B2 (en) * 2004-12-02 2007-08-14 Texas Instruments Incorporated Contact resistance reduction by new barrier stack process
US7446850B2 (en) * 2004-12-03 2008-11-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7196770B2 (en) * 2004-12-07 2007-03-27 Asml Netherlands B.V. Prewetting of substrate before immersion exposure
US7397533B2 (en) * 2004-12-07 2008-07-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7365827B2 (en) 2004-12-08 2008-04-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7352440B2 (en) 2004-12-10 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Substrate placement in immersion lithography
US7403261B2 (en) * 2004-12-15 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7880860B2 (en) 2004-12-20 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7528931B2 (en) 2004-12-20 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7491661B2 (en) * 2004-12-28 2009-02-17 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method, top coat material and substrate
US7405805B2 (en) 2004-12-28 2008-07-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060147821A1 (en) 2004-12-30 2006-07-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG124359A1 (en) * 2005-01-14 2006-08-30 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG124351A1 (en) * 2005-01-14 2006-08-30 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8692973B2 (en) 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
KR20180125636A (ko) 2005-01-31 2018-11-23 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
EP1849040A2 (en) * 2005-02-10 2007-10-31 ASML Netherlands B.V. Immersion liquid, exposure apparatus, and exposure process
US8018573B2 (en) * 2005-02-22 2011-09-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7378025B2 (en) 2005-02-22 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Fluid filtration method, fluid filtered thereby, lithographic apparatus and device manufacturing method
US7224431B2 (en) * 2005-02-22 2007-05-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7282701B2 (en) * 2005-02-28 2007-10-16 Asml Netherlands B.V. Sensor for use in a lithographic apparatus
US7428038B2 (en) 2005-02-28 2008-09-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and apparatus for de-gassing a liquid
US8547522B2 (en) * 2005-03-03 2013-10-01 Asml Netherlands B.V. Dedicated metrology stage for lithography applications
US20060219947A1 (en) * 2005-03-03 2006-10-05 Asml Netherlands B.V. Dedicated metrology stage for lithography applications
US7324185B2 (en) * 2005-03-04 2008-01-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7684010B2 (en) * 2005-03-09 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, seal structure, method of removing an object and a method of sealing
US7330238B2 (en) * 2005-03-28 2008-02-12 Asml Netherlands, B.V. Lithographic apparatus, immersion projection apparatus and device manufacturing method
US7411654B2 (en) * 2005-04-05 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7291850B2 (en) * 2005-04-08 2007-11-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1876635A4 (en) 2005-04-25 2010-06-30 Nikon Corp EXPOSURE METHOD, EXPOSURE APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
US7433016B2 (en) 2005-05-03 2008-10-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8248577B2 (en) * 2005-05-03 2012-08-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7317507B2 (en) * 2005-05-03 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7652746B2 (en) * 2005-06-21 2010-01-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7751027B2 (en) 2005-06-21 2010-07-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7474379B2 (en) 2005-06-28 2009-01-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7834974B2 (en) 2005-06-28 2010-11-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7468779B2 (en) * 2005-06-28 2008-12-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4761873B2 (ja) * 2005-08-01 2011-08-31 株式会社日立メディコ 超音波診断装置
US7535644B2 (en) * 2005-08-12 2009-05-19 Asml Netherlands B.V. Lens element, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US8054445B2 (en) * 2005-08-16 2011-11-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7411658B2 (en) 2005-10-06 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7804577B2 (en) 2005-11-16 2010-09-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7656501B2 (en) * 2005-11-16 2010-02-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7864292B2 (en) 2005-11-16 2011-01-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7633073B2 (en) * 2005-11-23 2009-12-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7420194B2 (en) * 2005-12-27 2008-09-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and substrate edge seal
US7839483B2 (en) * 2005-12-28 2010-11-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a control system
US7459669B2 (en) * 2005-12-30 2008-12-02 Asml Netherlands B.V. Sensor and lithographic apparatus
US7649611B2 (en) 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007184357A (ja) * 2006-01-05 2007-07-19 Canon Inc センサユニット、露光装置及びデバイス製造方法
US8045134B2 (en) 2006-03-13 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, control system and device manufacturing method
US9477158B2 (en) 2006-04-14 2016-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7969548B2 (en) * 2006-05-22 2011-06-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and lithographic apparatus cleaning method
US7826030B2 (en) * 2006-09-07 2010-11-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8045135B2 (en) 2006-11-22 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus with a fluid combining unit and related device manufacturing method
US8634053B2 (en) 2006-12-07 2014-01-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9632425B2 (en) 2006-12-07 2017-04-25 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus, a dryer and a method of removing liquid from a surface
US7791709B2 (en) 2006-12-08 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Substrate support and lithographic process
JP2008159695A (ja) 2006-12-21 2008-07-10 Canon Inc 露光装置
JP2008192854A (ja) * 2007-02-05 2008-08-21 Canon Inc 液浸露光装置
US8654305B2 (en) 2007-02-15 2014-02-18 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning in immersion lithography
US8817226B2 (en) 2007-02-15 2014-08-26 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning using ozone in immersion lithography
US7724349B2 (en) * 2007-05-02 2010-05-25 Asml Netherlands B.V. Device arranged to measure a quantity relating to radiation and lithographic apparatus
US9013672B2 (en) * 2007-05-04 2015-04-21 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US7866330B2 (en) * 2007-05-04 2011-01-11 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US8947629B2 (en) * 2007-05-04 2015-02-03 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US8011377B2 (en) 2007-05-04 2011-09-06 Asml Netherlands B.V. Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method
NL2002998A1 (nl) * 2008-06-18 2009-12-22 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus.
NL2004242A (en) 2009-04-13 2010-10-14 Asml Netherlands Bv Detector module, cooling arrangement and lithographic apparatus comprising a detector module.
NL2004322A (en) 2009-04-13 2010-10-14 Asml Netherlands Bv Cooling device, cooling arrangement and lithographic apparatus comprising a cooling arrangement.
NL2005207A (en) * 2009-09-28 2011-03-29 Asml Netherlands Bv Heat pipe, lithographic apparatus and device manufacturing method.
EP2381310B1 (en) 2010-04-22 2015-05-06 ASML Netherlands BV Fluid handling structure and lithographic apparatus
NL2006506A (en) * 2010-04-28 2011-10-31 Asml Netherlands Bv A component of an immersion system, an immersion lithographic apparatus and a device manufacturing method.
NL2006773A (en) 2010-06-23 2011-12-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus.
KR101689226B1 (ko) * 2012-05-22 2016-12-23 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 센서, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
JP2014229716A (ja) * 2013-05-21 2014-12-08 キヤノン株式会社 描画装置、および物品の製造方法

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3903413A (en) * 1973-12-06 1975-09-02 Polaroid Corp Glass-filled polymeric filter element
JPS57153433A (en) * 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
US4887904A (en) * 1985-08-23 1989-12-19 Canon Kabushiki Kaisha Device for positioning a semi-conductor wafer
US4853880A (en) * 1985-08-23 1989-08-01 Canon Kabushiki Kaisha Device for positioning a semi-conductor wafer
US5162642A (en) * 1985-11-18 1992-11-10 Canon Kabushiki Kaisha Device for detecting the position of a surface
JPH0247515A (ja) * 1988-08-09 1990-02-16 Mitsubishi Electric Corp 光学式エンコーダ
JP2559076B2 (ja) * 1990-06-28 1996-11-27 キヤノン株式会社 プリアライメント装置
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
KR20010034274A (ko) * 1998-01-29 2001-04-25 오노 시게오 조도계 및 노광장치
AU2747999A (en) * 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
JPH11297615A (ja) * 1998-04-09 1999-10-29 Nikon Corp 投影露光装置および該装置を用いた半導体デバイスの製造方法
CN2356333Y (zh) * 1998-11-17 1999-12-29 宝德科技股份有限公司 改进式红外线接收器
JP2001281050A (ja) * 2000-03-30 2001-10-10 Canon Inc 光検出装置、露光装置、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法
JP2002005737A (ja) * 2000-06-20 2002-01-09 Komatsu Ltd 光検出装置
JP2002151400A (ja) * 2000-11-15 2002-05-24 Canon Inc 露光装置、その保守方法並びに同装置を用いた半導体デバイス製造方法及び半導体製造工場
DE10058810A1 (de) * 2000-11-27 2002-06-06 Philips Corp Intellectual Pty Röntgendetektormodul
GB2369724B (en) * 2000-12-04 2003-04-30 Infrared Integrated Syst Ltd Improving individual detector performance in radiation detector arrays
DE10261775A1 (de) * 2002-12-20 2004-07-01 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems
EP1486828B1 (en) * 2003-06-09 2013-10-09 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7213963B2 (en) * 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI263859B (en) * 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI525660B (zh) * 2003-09-29 2016-03-11 尼康股份有限公司 An exposure apparatus and an exposure method, and an element manufacturing method
JP4466300B2 (ja) * 2003-09-29 2010-05-26 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法、計測装置
JP4515209B2 (ja) * 2003-10-02 2010-07-28 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2005175034A (ja) 2003-12-09 2005-06-30 Canon Inc 露光装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20050200815A1 (en) 2005-09-15
US7256868B2 (en) 2007-08-14
US20080030703A1 (en) 2008-02-07
CN100524031C (zh) 2009-08-05
CN1655063A (zh) 2005-08-17
EP1562079A2 (en) 2005-08-10
KR100716135B1 (ko) 2007-05-08
TWI255973B (en) 2006-06-01
EP1562079A3 (en) 2006-10-04
TW200528937A (en) 2005-09-01
KR20060041791A (ko) 2006-05-12
US7522264B2 (en) 2009-04-21
JP2005223275A (ja) 2005-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4018647B2 (ja) 投影露光装置およびデバイス製造方法
US9599907B2 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
JP4463863B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
KR100727516B1 (ko) 노광장치 및 디바이스 제조방법
US20090061331A1 (en) Exposure method and apparatus, maintenance method, and device manufacturing method
KR20070115863A (ko) 노광 방법, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
TW201351021A (zh) 用於浸沒式微影術的晶圓桌
KR20060129387A (ko) 노광 장치, 노광 방법, 디바이스 제조 방법
WO2007066692A1 (ja) 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
KR101342330B1 (ko) 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP2008300839A (ja) 検出装置、移動体装置、パターン形成装置及びパターン形成方法、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
KR20070095272A (ko) 노광 방법, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
KR101560007B1 (ko) 노광 장치의 조정 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
JP4544303B2 (ja) 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JPWO2009133704A1 (ja) 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
KR20100107481A (ko) 스테이지 장치, 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법
JP4715505B2 (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP2011222610A (ja) 位置合わせ方法、露光方法及びデバイスの製造方法、並びに露光装置
JP2006261334A (ja) 露光装置
JP2010034605A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP5057220B2 (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005302862A (ja) 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2009032750A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP2009099694A (ja) 露光装置およびデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060206

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060508

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060707

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070903

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070920

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100928

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100928

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110928

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110928

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120928

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120928

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130928

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees