JP2001281050A - 光検出装置、露光装置、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法 - Google Patents
光検出装置、露光装置、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法Info
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- JP2001281050A JP2001281050A JP2000095449A JP2000095449A JP2001281050A JP 2001281050 A JP2001281050 A JP 2001281050A JP 2000095449 A JP2000095449 A JP 2000095449A JP 2000095449 A JP2000095449 A JP 2000095449A JP 2001281050 A JP2001281050 A JP 2001281050A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 短い波長の光に対して高感度の光検出装置を
提供する。 【解決手段】 感光素子と、感光素子を収容する容器
と、感光素子に光を入射するため容器の一部に設けられ
る入射窓とを有する光検出装置において、入射窓はフッ
素ドープ石英、無水石英およびフッ素ドープ無水石英の
うち少なくとも一つを含有するものである。
提供する。 【解決手段】 感光素子と、感光素子を収容する容器
と、感光素子に光を入射するため容器の一部に設けられ
る入射窓とを有する光検出装置において、入射窓はフッ
素ドープ石英、無水石英およびフッ素ドープ無水石英の
うち少なくとも一つを含有するものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は受光した光を検出す
るための光検出装置並びに該光検出装置を用いた露光装
置、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置
の保守方法に関する。
るための光検出装置並びに該光検出装置を用いた露光装
置、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置
の保守方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの製造において
は、露光装置に用いられる露光光の波長を短くする傾向
が著しい。波長を短くすることで露光する投影光学系の
解像度が上がり、より微細なパターンの露光が可能とな
るからである。
は、露光装置に用いられる露光光の波長を短くする傾向
が著しい。波長を短くすることで露光する投影光学系の
解像度が上がり、より微細なパターンの露光が可能とな
るからである。
【０００３】Ｆ2 エキシマレーザは波長が１５７ｎｍと
短い光を発するため、露光装置への応用が進められてい
る。Ｆ2 エキシマレーザを用いた露光装置（以下「Ｆ2
露光装置」と称する）の露光光となる１５７ｎｍの波長
の光は空気中に存在する酸素により吸収されやすく、透
過率は０．１％／ｍｍ程しかない。従って、一般的にこ
の１５７ｎｍの光の通る光路上の酸素濃度は１ｐｐｍ以
下とすることが求められる。この１ｐｐｍの酸素は１気
圧の雰囲気中では１３３×１０-4Ｐａ程度の圧力に相当
する。
短い光を発するため、露光装置への応用が進められてい
る。Ｆ2 エキシマレーザを用いた露光装置（以下「Ｆ2
露光装置」と称する）の露光光となる１５７ｎｍの波長
の光は空気中に存在する酸素により吸収されやすく、透
過率は０．１％／ｍｍ程しかない。従って、一般的にこ
の１５７ｎｍの光の通る光路上の酸素濃度は１ｐｐｍ以
下とすることが求められる。この１ｐｐｍの酸素は１気
圧の雰囲気中では１３３×１０-4Ｐａ程度の圧力に相当
する。
【０００４】通常、露光装置には、露光光軸の調節や基
板の位置合わせ等を行う目的で複数の光検出装置が設け
られている。
板の位置合わせ等を行う目的で複数の光検出装置が設け
られている。
【０００５】ここで、１５７ｎｍに感度を有する各種光
検出装置において感光素子面近傍の酸素濃度を１３３×
１０-4Ｐａ程度に保ちながら感光素子面をほこり等から
守るために、感光素子を容器（カン）内に収容する必要
がある。特に、検出対象となる光をカン内の感光素子に
取り入れるための入射窓は金属を高温で溶かしてカンに
溶接する必要がある。溶接の代わりに接着剤による接着
を行うと、接着剤からの脱ガスで光検出装置内の真空度
を劣化させたり、接着剤を酸素が透過して光検出装置内
の酸素濃度を著しく高めたりする恐れがあるからであ
る。
検出装置において感光素子面近傍の酸素濃度を１３３×
１０-4Ｐａ程度に保ちながら感光素子面をほこり等から
守るために、感光素子を容器（カン）内に収容する必要
がある。特に、検出対象となる光をカン内の感光素子に
取り入れるための入射窓は金属を高温で溶かしてカンに
溶接する必要がある。溶接の代わりに接着剤による接着
を行うと、接着剤からの脱ガスで光検出装置内の真空度
を劣化させたり、接着剤を酸素が透過して光検出装置内
の酸素濃度を著しく高めたりする恐れがあるからであ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来センサ等
のカバーガラスとして使用されていた石英ガラスは、波
長１５７ｎｍの光の透過率が十分に得られず光検出装置
の感度を低下させる原因となっていた。また、１５７ｎ
ｍの光を透過するＣａＦ2 やＭｇＦ2 等は結晶であり、
その高い熱膨張率と相まって、溶接時の高温で結晶面に
沿って割れ易いという問題点を有していた。
のカバーガラスとして使用されていた石英ガラスは、波
長１５７ｎｍの光の透過率が十分に得られず光検出装置
の感度を低下させる原因となっていた。また、１５７ｎ
ｍの光を透過するＣａＦ2 やＭｇＦ2 等は結晶であり、
その高い熱膨張率と相まって、溶接時の高温で結晶面に
沿って割れ易いという問題点を有していた。
【０００７】本発明の目的は、このような従来技術の課
題を解決し、センサ面近傍を所望の雰囲気に保ち短い波
長の光に対して高感度の光検出装置並びに該光検出装置
を用いた露光装置、デバイス製造方法、半導体製造工場
および露光装置の保守方法を提供することにある。
題を解決し、センサ面近傍を所望の雰囲気に保ち短い波
長の光に対して高感度の光検出装置並びに該光検出装置
を用いた露光装置、デバイス製造方法、半導体製造工場
および露光装置の保守方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、フォトダイオード、ラインセンサ等の１
次元素子、または、背面照射ＣＣＤを含むＣＣＤ素子・
Ｃ−ＭＯＳセンサ等の２次元センサ素子のような感光素
子と、感光素子を収容する容器と、感光素子に光を入射
するため容器の一部に設けられる入射窓とを有する光検
出装置において、入射窓はフッ素ドープ石英、無水石
英、および、フッ素ドープ無水石英のうち少なくとも一
つを含有するものであることを特徴とする。
め、本発明は、フォトダイオード、ラインセンサ等の１
次元素子、または、背面照射ＣＣＤを含むＣＣＤ素子・
Ｃ−ＭＯＳセンサ等の２次元センサ素子のような感光素
子と、感光素子を収容する容器と、感光素子に光を入射
するため容器の一部に設けられる入射窓とを有する光検
出装置において、入射窓はフッ素ドープ石英、無水石
英、および、フッ素ドープ無水石英のうち少なくとも一
つを含有するものであることを特徴とする。
【０００９】これらのフッ素ドープ石英、無水石英、フ
ッ素ドープ無水石英は、１５７ｎｍワークショップ等に
おいてＭＩＴリンカーン研究所、ニコン株式会社等によ
り報告されているように、夫々溶融シリカへのフッ素の
ドープ、溶融シリカからの脱ＯＨ基またはその両方によ
り改質したガラス材料である。本発明者等は、これらの
ガラス材料が、短波長の光の透過率に優れていることに
加えて実用的な加工容易性を有していることから、Ｆ2
露光装置用光検出装置の入射窓の窓板材料として好適で
あることを見いだし本発明を完成したものである。
ッ素ドープ無水石英は、１５７ｎｍワークショップ等に
おいてＭＩＴリンカーン研究所、ニコン株式会社等によ
り報告されているように、夫々溶融シリカへのフッ素の
ドープ、溶融シリカからの脱ＯＨ基またはその両方によ
り改質したガラス材料である。本発明者等は、これらの
ガラス材料が、短波長の光の透過率に優れていることに
加えて実用的な加工容易性を有していることから、Ｆ2
露光装置用光検出装置の入射窓の窓板材料として好適で
あることを見いだし本発明を完成したものである。
【００１０】本発明の光検出装置を、所望の雰囲気に調
節して酸素や水分をパージしたＦ2露光装置のチャンバ
ー内等に取りつけるときは、ごみを通さず気体のみを透
過する通気孔を容器に設けることにより容器内部空間で
の光吸収を防止することができる。
節して酸素や水分をパージしたＦ2露光装置のチャンバ
ー内等に取りつけるときは、ごみを通さず気体のみを透
過する通気孔を容器に設けることにより容器内部空間で
の光吸収を防止することができる。
【００１１】一方、容器内の雰囲気を窒素・ヘリウム・
アルゴン等の不活性ガス雰囲気または真空雰囲気等に調
節して密封する場合には、入射窓は金属を用いて容器に
溶接されることが望ましい。入射窓の接着を接着剤によ
り行うと、接着剤からの脱ガスが発生して容器内外の雰
囲気を劣化させる恐れがあるためである。特に１３３×
１０-7Ｐａ以下の真空度として密閉する場合には脱ガス
が激しく発生するため溶接することが必要となる。
アルゴン等の不活性ガス雰囲気または真空雰囲気等に調
節して密封する場合には、入射窓は金属を用いて容器に
溶接されることが望ましい。入射窓の接着を接着剤によ
り行うと、接着剤からの脱ガスが発生して容器内外の雰
囲気を劣化させる恐れがあるためである。特に１３３×
１０-7Ｐａ以下の真空度として密閉する場合には脱ガス
が激しく発生するため溶接することが必要となる。
【００１２】また、必要に応じて入射窓の表面に反射防
止膜等をコーティングしてもよい。また本発明は、原版
のパターンを基板に露光する露光装置において、原版も
しくは基板の位置検出または露光光束を検出するための
光検出装置として、上記本発明の光検出装置を用いるも
のである。上述のように、露光装置がＦ2 露光装置の場
合は特に好ましい。
止膜等をコーティングしてもよい。また本発明は、原版
のパターンを基板に露光する露光装置において、原版も
しくは基板の位置検出または露光光束を検出するための
光検出装置として、上記本発明の光検出装置を用いるも
のである。上述のように、露光装置がＦ2 露光装置の場
合は特に好ましい。
【００１３】さらに、本発明の露光装置に、ディスプレ
イと、ネットワークインタフェースと、ネットワーク用
ソフトウェアを実行するコンピュータとを設けることに
より、露光装置の保守情報をコンピュータネットワーク
を介してデータ通信することが可能となる。このネット
ワーク用ソフトウェアは、露光装置が設置された工場の
外部ネットワークに接続され露光装置のベンダーもしく
はユーザーが提供する保守データベースにアクセスする
ためのユーザーインタフェースをディスプレイ上に提供
することにより、外部ネットワークを介して該データベ
ースから情報を得ることを可能にする。
イと、ネットワークインタフェースと、ネットワーク用
ソフトウェアを実行するコンピュータとを設けることに
より、露光装置の保守情報をコンピュータネットワーク
を介してデータ通信することが可能となる。このネット
ワーク用ソフトウェアは、露光装置が設置された工場の
外部ネットワークに接続され露光装置のベンダーもしく
はユーザーが提供する保守データベースにアクセスする
ためのユーザーインタフェースをディスプレイ上に提供
することにより、外部ネットワークを介して該データベ
ースから情報を得ることを可能にする。
【００１４】本発明のデバイス製造方法は、露光装置を
含む各種プロセス用の製造装置群を半導体製造工場に設
置する工程と、該製造装置群を用いて複数のプロセスに
よって半導体デバイスを製造する工程とを有することを
特徴とする。さらに、製造装置群をローカルエリアネッ
トワークで接続する工程と、ローカルエリアネットワー
クと半導体製造工場外の外部ネットワークとの間で、製
造装置群の少なくとも１台に関する情報をデータ通信す
る工程とを有してもよい。また、露光装置のベンダーも
しくはユーザーが提供するデータベースに外部ネットワ
ークを介してアクセスしてデータ通信によって製造装置
の保守情報を得る、または半導体製造工場とは別の半導
体製造工場との間で外部ネットワークを介してデータ通
信して生産管理を行うようにしてもよい。
含む各種プロセス用の製造装置群を半導体製造工場に設
置する工程と、該製造装置群を用いて複数のプロセスに
よって半導体デバイスを製造する工程とを有することを
特徴とする。さらに、製造装置群をローカルエリアネッ
トワークで接続する工程と、ローカルエリアネットワー
クと半導体製造工場外の外部ネットワークとの間で、製
造装置群の少なくとも１台に関する情報をデータ通信す
る工程とを有してもよい。また、露光装置のベンダーも
しくはユーザーが提供するデータベースに外部ネットワ
ークを介してアクセスしてデータ通信によって製造装置
の保守情報を得る、または半導体製造工場とは別の半導
体製造工場との間で外部ネットワークを介してデータ通
信して生産管理を行うようにしてもよい。
【００１５】本発明の半導体製造工場は、上記本発明の
露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群と、該製造
装置群を接続するローカルエリアネットワークと、該ロ
ーカルエリアネットワークから工場外の外部ネットワー
クにアクセス可能にするゲートウェイを有し、製造装置
群の少なくとも１台に関する情報をデータ通信すること
を可能にしたものである。
露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群と、該製造
装置群を接続するローカルエリアネットワークと、該ロ
ーカルエリアネットワークから工場外の外部ネットワー
クにアクセス可能にするゲートウェイを有し、製造装置
群の少なくとも１台に関する情報をデータ通信すること
を可能にしたものである。
【００１６】本発明の露光装置の保守方法は、露光装置
のベンダーもしくはユーザーが、半導体製造工場の外部
ネットワークに接続された保守データベースを提供する
工程と、半導体製造工場内から外部ネットワークを介し
て保守データベースへのアクセスを許可する工程と、保
守データベースに蓄積される保守情報を外部ネットワー
クを介して半導体製造工場側に送信する工程とを有する
ことを特徴とする。
のベンダーもしくはユーザーが、半導体製造工場の外部
ネットワークに接続された保守データベースを提供する
工程と、半導体製造工場内から外部ネットワークを介し
て保守データベースへのアクセスを許可する工程と、保
守データベースに蓄積される保守情報を外部ネットワー
クを介して半導体製造工場側に送信する工程とを有する
ことを特徴とする。
【００１７】
【実施例】（実施例１）本実施例ではＣＶＤ法（Ｃｈｅ
ｍｉｃａｌ Ｖａｐｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等に
より作成されるフッ素ドープ石英、無水石英、フッ素ド
ープ無水石英からなる厚さ０．６ｍｍ程度のガラス板を
入射窓の窓材として用いるものである。例えば、フッ素
ドープ石英は、ケイ素化合物を火炎中で加水分解し、堆
積させて高純度の多孔質ガラスを形成した後、フッ素を
含んだ雰囲気中で加熱処理をし、フッ素を多孔質ガラス
にドープさせることで、形成される。フッ素の他に水素
等を多孔質ガラスにドープさせてもよく、以下、これら
を総称してフッ素ドープ石英と呼ぶことにする。
ｍｉｃａｌ Ｖａｐｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等に
より作成されるフッ素ドープ石英、無水石英、フッ素ド
ープ無水石英からなる厚さ０．６ｍｍ程度のガラス板を
入射窓の窓材として用いるものである。例えば、フッ素
ドープ石英は、ケイ素化合物を火炎中で加水分解し、堆
積させて高純度の多孔質ガラスを形成した後、フッ素を
含んだ雰囲気中で加熱処理をし、フッ素を多孔質ガラス
にドープさせることで、形成される。フッ素の他に水素
等を多孔質ガラスにドープさせてもよく、以下、これら
を総称してフッ素ドープ石英と呼ぶことにする。
【００１８】本実施例に係る光検出装置の概略構成を図
１に示す。同図において、１はフッ素ドープ石英を含有
した入射窓、２は旭硝子株式会社の商標でもあるセラソ
ルザ等のろう材からなる溶接部分、３は窒素ガス等の不
活性ガス雰囲気に保たれた内部空間、４はフォトダイオ
ード等の感光素子、６は収納容器（カン）である。入射
窓１から入射した光は、カン６の内部空間３を通り感光
素子４の受光面を照射する。受光面に光が照射されると
光信号は電気信号に変換されて、カン６の底面を通る不
図示の電極により光検出装置外部へ伝達され、検出対象
の光の位置・強度等の情報が検知される。本実施例の光
検出装置は、１５７ｎｍのＦ2 エキシマレーザ光に対し
て非常に有効である。また、入射窓の表面に反射防止膜
をコーティングすることにより、より精度の高い光検出
が可能になる。
１に示す。同図において、１はフッ素ドープ石英を含有
した入射窓、２は旭硝子株式会社の商標でもあるセラソ
ルザ等のろう材からなる溶接部分、３は窒素ガス等の不
活性ガス雰囲気に保たれた内部空間、４はフォトダイオ
ード等の感光素子、６は収納容器（カン）である。入射
窓１から入射した光は、カン６の内部空間３を通り感光
素子４の受光面を照射する。受光面に光が照射されると
光信号は電気信号に変換されて、カン６の底面を通る不
図示の電極により光検出装置外部へ伝達され、検出対象
の光の位置・強度等の情報が検知される。本実施例の光
検出装置は、１５７ｎｍのＦ2 エキシマレーザ光に対し
て非常に有効である。また、入射窓の表面に反射防止膜
をコーティングすることにより、より精度の高い光検出
が可能になる。
【００１９】（実施例２）本実施例は、実施例１とほぼ
同様の構成であるが、感光素子４としてＣＣＤ素子の２
次元センサを用い、感光素子４の下に、ペルチェ素子を
設けたものである。さらに、カン６の内部空間３を真空
封じ切りとして１３３×１０-7Ｐａ以下の真空度に維持
するものである。
同様の構成であるが、感光素子４としてＣＣＤ素子の２
次元センサを用い、感光素子４の下に、ペルチェ素子を
設けたものである。さらに、カン６の内部空間３を真空
封じ切りとして１３３×１０-7Ｐａ以下の真空度に維持
するものである。
【００２０】本実施例において、内部空間は高い真空度
に維持されるため、ペルチェ素子による高い冷却性能が
得られる。また、このような状況の中では、感光素子と
してＣＣＤ素子を用いるのが非常に有効である。
に維持されるため、ペルチェ素子による高い冷却性能が
得られる。また、このような状況の中では、感光素子と
してＣＣＤ素子を用いるのが非常に有効である。
【００２１】（実施例３）本実施例は、図２に示すよう
に、光検出装置のカン６の部分に雰囲気ガスは通すがゴ
ミは通さない通気孔５を取り付けたものである。これに
より、真空封着などが不要になるので、外部環境が調節
されている場合には、実施例１と同様の効果が安価に得
られることになる。
に、光検出装置のカン６の部分に雰囲気ガスは通すがゴ
ミは通さない通気孔５を取り付けたものである。これに
より、真空封着などが不要になるので、外部環境が調節
されている場合には、実施例１と同様の効果が安価に得
られることになる。
【００２２】（実施例４） ＜半導体生産システムの実施例＞次に、半導体デバイス
（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣ
Ｄ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の生産システ
ムの例を説明する。これは半導体製造工場に設置された
製造装置のトラブル対応や定期メンテナンス、あるいは
ソフトウェア提供などの保守サービスを、製造工場外の
コンピュータネットワークを利用して行うものである。
（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣ
Ｄ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の生産システ
ムの例を説明する。これは半導体製造工場に設置された
製造装置のトラブル対応や定期メンテナンス、あるいは
ソフトウェア提供などの保守サービスを、製造工場外の
コンピュータネットワークを利用して行うものである。
【００２３】図３は全体システムをある角度から切り出
して表現したものである。図中、１０１は半導体デバイ
スの製造装置を提供するベンダー（装置供給メーカ）の
事業所である。製造装置の実例として、半導体製造工場
で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例えば、
前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッチン
グ装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装置、
平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査装置
等）を想定している。事業所１０１内には、製造装置の
保守データベースを提供するホスト管理システム１０
８、複数の操作端末コンピュータ１１０、これらを結ん
でイントラネットを構築するローカルエリアネットワー
ク（ＬＡＮ）１０９を備える。ホスト管理システム１０
８は、ＬＡＮ１０９を事業所の外部ネットワークである
インタネット１０５に接続するためのゲートウェイと、
外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能を備え
る。
して表現したものである。図中、１０１は半導体デバイ
スの製造装置を提供するベンダー（装置供給メーカ）の
事業所である。製造装置の実例として、半導体製造工場
で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例えば、
前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッチン
グ装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装置、
平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査装置
等）を想定している。事業所１０１内には、製造装置の
保守データベースを提供するホスト管理システム１０
８、複数の操作端末コンピュータ１１０、これらを結ん
でイントラネットを構築するローカルエリアネットワー
ク（ＬＡＮ）１０９を備える。ホスト管理システム１０
８は、ＬＡＮ１０９を事業所の外部ネットワークである
インタネット１０５に接続するためのゲートウェイと、
外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能を備え
る。
【００２４】一方、１０２〜１０４は、製造装置のユー
ザーとしての半導体製造メーカの製造工場である。製造
工場１０２〜１０４は、互いに異なるメーカに属する工
場であっても良いし、同一のメーカに属する工場（例え
ば、前工程用の工場、後工程用の工場等）であっても良
い。各工場１０２〜１０４内には、夫々、複数の製造装
置１０６と、それらを結んでイントラネットを構築する
ローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１１１と、各製
造装置１０６の稼動状況を監視する監視装置としてホス
ト管理システム１０７とが設けられている。各工場１０
２〜１０４に設けられたホスト管理システム１０７は、
各工場内のＬＡＮ１１１を工場の外部ネットワークであ
るインタネット１０５に接続するためのゲートウェイを
備える。これにより各工場のＬＡＮ１１１からインタネ
ット１０５を介してベンダー１０１側のホスト管理シス
テム１０８にアクセスが可能となり、ホスト管理システ
ム１０８のセキュリティ機能によって限られたユーザー
だけがアクセスが許可となっている。具体的には、イン
タネット１０５を介して、各製造装置１０６の稼動状況
を示すステータス情報（例えば、トラブルが発生した製
造装置の症状）を工場側からベンダー側に通知する他、
その通知に対応する応答情報（例えば、トラブルに対す
る対処方法を指示する情報、対処用のソフトウェアやデ
ータ）や、最新のソフトウェア、ヘルプ情報などの保守
情報をベンダー側から受け取ることができる。各工場１
０２〜１０４とベンダー１０１との間のデータ通信およ
び各工場内のＬＡＮ１１１でのデータ通信には、インタ
ネットで一般的に使用されている通信プロトコル（ＴＣ
Ｐ／ＩＰ）が使用される。なお、工場外の外部ネットワ
ークとしてインタネットを利用する代わりに、第三者か
らのアクセスができずにセキュリティの高い専用線ネッ
トワーク（ＩＳＤＮなど）を利用することもできる。ま
た、ホスト管理システムはベンダーが提供するものに限
らずユーザーがデータベースを構築して外部ネットワー
ク上に置き、ユーザーの複数の工場から該データベース
へのアクセスを許可するようにしてもよい。
ザーとしての半導体製造メーカの製造工場である。製造
工場１０２〜１０４は、互いに異なるメーカに属する工
場であっても良いし、同一のメーカに属する工場（例え
ば、前工程用の工場、後工程用の工場等）であっても良
い。各工場１０２〜１０４内には、夫々、複数の製造装
置１０６と、それらを結んでイントラネットを構築する
ローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１１１と、各製
造装置１０６の稼動状況を監視する監視装置としてホス
ト管理システム１０７とが設けられている。各工場１０
２〜１０４に設けられたホスト管理システム１０７は、
各工場内のＬＡＮ１１１を工場の外部ネットワークであ
るインタネット１０５に接続するためのゲートウェイを
備える。これにより各工場のＬＡＮ１１１からインタネ
ット１０５を介してベンダー１０１側のホスト管理シス
テム１０８にアクセスが可能となり、ホスト管理システ
ム１０８のセキュリティ機能によって限られたユーザー
だけがアクセスが許可となっている。具体的には、イン
タネット１０５を介して、各製造装置１０６の稼動状況
を示すステータス情報（例えば、トラブルが発生した製
造装置の症状）を工場側からベンダー側に通知する他、
その通知に対応する応答情報（例えば、トラブルに対す
る対処方法を指示する情報、対処用のソフトウェアやデ
ータ）や、最新のソフトウェア、ヘルプ情報などの保守
情報をベンダー側から受け取ることができる。各工場１
０２〜１０４とベンダー１０１との間のデータ通信およ
び各工場内のＬＡＮ１１１でのデータ通信には、インタ
ネットで一般的に使用されている通信プロトコル（ＴＣ
Ｐ／ＩＰ）が使用される。なお、工場外の外部ネットワ
ークとしてインタネットを利用する代わりに、第三者か
らのアクセスができずにセキュリティの高い専用線ネッ
トワーク（ＩＳＤＮなど）を利用することもできる。ま
た、ホスト管理システムはベンダーが提供するものに限
らずユーザーがデータベースを構築して外部ネットワー
ク上に置き、ユーザーの複数の工場から該データベース
へのアクセスを許可するようにしてもよい。
【００２５】さて、図４は本実施形態の全体システムを
図３とは別の角度から切り出して表現した概念図であ
る。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユー
ザー工場と、該製造装置のベンダーの管理システムとを
外部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介
して各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情
報をデータ通信するものであった。これに対し本例は、
複数のベンダーの製造装置を備えた工場と、該複数の製
造装置のそれぞれのベンダーの管理システムとを工場外
の外部ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報
をデータ通信するものである。図中、２０１は製造装置
ユーザー（半導体デバイス製造メーカ）の製造工場であ
り、工場の製造ラインには各種プロセスを行う製造装
置、ここでは例として露光装置２０２、レジスト処理装
置２０３、成膜処理装置２０４が導入されている。なお
図４では製造工場２０１は１つだけ描いているが、実際
は複数の工場が同様にネットワーク化されている。工場
内の各装置はＬＡＮ２０６で接続されてイントラネット
を構成し、ホスト管理システム２０５で製造ラインの稼
動管理がされている。一方、露光装置メーカ２１０、レ
ジスト処理装置メーカ２２０、成膜装置メーカ２３０な
どベンダー（装置供給メーカ）の各事業所には、それぞ
れ供給した機器の遠隔保守を行なうためのホスト管理シ
ステム２１１，２２１，２３１を備え、これらは上述し
たように保守データベースと外部ネットワークのゲート
ウェイを備える。ユーザーの製造工場内の各装置を管理
するホスト管理システム２０５と、各装置のベンダーの
管理システム２１１，２２１，２３１とは、外部ネット
ワーク２００であるインタネットもしくは専用線ネット
ワークによって接続されている。このシステムにおい
て、製造ラインの一連の製造機器の中のどれかにトラブ
ルが起きると、製造ラインの稼動が休止してしまうが、
トラブルが起きた機器のベンダーからインタネット２０
０を介した遠隔保守を受けることで迅速な対応が可能
で、製造ラインの休止を最小限に抑えることができる。
図３とは別の角度から切り出して表現した概念図であ
る。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユー
ザー工場と、該製造装置のベンダーの管理システムとを
外部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介
して各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情
報をデータ通信するものであった。これに対し本例は、
複数のベンダーの製造装置を備えた工場と、該複数の製
造装置のそれぞれのベンダーの管理システムとを工場外
の外部ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報
をデータ通信するものである。図中、２０１は製造装置
ユーザー（半導体デバイス製造メーカ）の製造工場であ
り、工場の製造ラインには各種プロセスを行う製造装
置、ここでは例として露光装置２０２、レジスト処理装
置２０３、成膜処理装置２０４が導入されている。なお
図４では製造工場２０１は１つだけ描いているが、実際
は複数の工場が同様にネットワーク化されている。工場
内の各装置はＬＡＮ２０６で接続されてイントラネット
を構成し、ホスト管理システム２０５で製造ラインの稼
動管理がされている。一方、露光装置メーカ２１０、レ
ジスト処理装置メーカ２２０、成膜装置メーカ２３０な
どベンダー（装置供給メーカ）の各事業所には、それぞ
れ供給した機器の遠隔保守を行なうためのホスト管理シ
ステム２１１，２２１，２３１を備え、これらは上述し
たように保守データベースと外部ネットワークのゲート
ウェイを備える。ユーザーの製造工場内の各装置を管理
するホスト管理システム２０５と、各装置のベンダーの
管理システム２１１，２２１，２３１とは、外部ネット
ワーク２００であるインタネットもしくは専用線ネット
ワークによって接続されている。このシステムにおい
て、製造ラインの一連の製造機器の中のどれかにトラブ
ルが起きると、製造ラインの稼動が休止してしまうが、
トラブルが起きた機器のベンダーからインタネット２０
０を介した遠隔保守を受けることで迅速な対応が可能
で、製造ラインの休止を最小限に抑えることができる。
【００２６】半導体製造工場に設置された各製造装置は
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用
ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行
するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモ
リやハードディスク、あるいはネットワークファイルサ
ーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフト
ウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例え
ば図５に一例を示す様な画面のユーザーインタフェース
をディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理
するオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機
種（４０１）、シリアルナンバー（４０２）、トラブル
の件名（４０３）、発生日（４０４）、緊急度（４０
５）、症状（４０６）、対処法（４０７）、経過（４０
８）等の情報を画面上の入力項目に入力する。入力され
た情報はインタネットを介して保守データベースに送信
され、その結果の適切な保守情報が保守データベースか
ら返信されディスプレイ上に提示される。またウェブブ
ラウザが提供するユーザーインタフェースはさらに図示
のごとくハイパーリンク機能（４１０〜４１２）を実現
し、オペレータは各項目の更に詳細な情報にアクセスし
たり、ベンダーが提供するソフトウェアライブラリから
製造装置に使用する最新バージョンのソフトウェアを引
出したり、工場のオペレータの参考に供する操作ガイド
（ヘルプ情報）を引出したりすることができる。
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用
ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行
するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモ
リやハードディスク、あるいはネットワークファイルサ
ーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフト
ウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例え
ば図５に一例を示す様な画面のユーザーインタフェース
をディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理
するオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機
種（４０１）、シリアルナンバー（４０２）、トラブル
の件名（４０３）、発生日（４０４）、緊急度（４０
５）、症状（４０６）、対処法（４０７）、経過（４０
８）等の情報を画面上の入力項目に入力する。入力され
た情報はインタネットを介して保守データベースに送信
され、その結果の適切な保守情報が保守データベースか
ら返信されディスプレイ上に提示される。またウェブブ
ラウザが提供するユーザーインタフェースはさらに図示
のごとくハイパーリンク機能（４１０〜４１２）を実現
し、オペレータは各項目の更に詳細な情報にアクセスし
たり、ベンダーが提供するソフトウェアライブラリから
製造装置に使用する最新バージョンのソフトウェアを引
出したり、工場のオペレータの参考に供する操作ガイド
（ヘルプ情報）を引出したりすることができる。
【００２７】次に上記説明した生産システムを利用した
半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図６は半導
体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。ス
テップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を
行なう。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パ
ターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３
（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを
製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼
ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラ
フィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次
のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ
４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化す
る工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンデ
ィング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組立
て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作
製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テス
ト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイ
スが完成し、これを出荷（ステップ７）する。前工程と
後工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場
毎に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなさ
れる。また前工程工場と後工程工場との間でも、インタ
ネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装
置保守のための情報がデータ通信される。
半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図６は半導
体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。ス
テップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を
行なう。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パ
ターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３
（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを
製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼
ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラ
フィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次
のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ
４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化す
る工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンデ
ィング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組立
て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作
製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テス
ト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイ
スが完成し、これを出荷（ステップ７）する。前工程と
後工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場
毎に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなさ
れる。また前工程工場と後工程工場との間でも、インタ
ネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装
置保守のための情報がデータ通信される。
【００２８】図７は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ
１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ
１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分
を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造
機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がな
されているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしト
ラブルが発生しても迅速な復旧が可能で、従来に比べて
半導体デバイスの生産性を向上させることができる。
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ
１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ
１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分
を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造
機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がな
されているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしト
ラブルが発生しても迅速な復旧が可能で、従来に比べて
半導体デバイスの生産性を向上させることができる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
短波長光のレーザ光を高感度で検出することができる。
したがって、高解像度の半導体デバイスを歩留りよく製
造することができる。
短波長光のレーザ光を高感度で検出することができる。
したがって、高解像度の半導体デバイスを歩留りよく製
造することができる。
【図１】 本発明の一実施例にかかる光検出装置の概略
を示す図。
を示す図。
【図２】 本発明の他の実施例にかかる光検出装置の概
略を示す図。
略を示す図。
【図３】 半導体デバイスの生産システムをある角度か
ら見た概念図。
ら見た概念図。
【図４】 半導体デバイスの生産システムを別の角度か
ら見た概念図。
ら見た概念図。
【図５】 ユーザーインタフェースの具体例。
【図６】 デバイスの製造プロセスのフローを説明する
図。
図。
【図７】 ウエハプロセスを説明する図。
１：入射窓、２：溶接部分、３：内部空間、４：感光素
子、５：通気孔、６：カン。
子、５：通気孔、６：カン。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｇ 27/14 ５０３Ｚ 27/148 27/14 Ｄ 31/02 Ｂ 31/02 Ｂ Ｆターム(参考） 2G065 AA04 AB05 AB09 BA04 BA09 BA33 BA34 BA36 BA37 BA38 BC35 2H097 BA02 BA04 CA13 LA10 4M118 AA01 AB02 BA10 BA14 CA02 FA06 FA08 HA02 HA36 5F046 AA28 CA04 CA08 DB01 DD01 DD06 5F088 AA01 BA10 BA20 BB10 EA03 EA04 JA05 LA05
Claims (21)
- 【請求項１】 感光素子と、前記感光素子を収容する容
器と、前記感光素子に光を入射するため前記容器の一部
に設けられる入射窓とを有する光検出装置において、前
記入射窓はフッ素ドープ石英、無水石英およびフッ素ド
ープ無水石英のうち少なくとも一つを含有するものであ
ることを特徴とする光検出装置。 - 【請求項２】 前記入射窓は前記容器に溶接されている
ことを特徴とする請求項１に記載の光検出装置。 - 【請求項３】 前記入射窓の表面には反射防止膜がコー
ティングされていることを特徴とする請求項１または２
に記載の光検出装置。 - 【請求項４】 前記感光素子がフォトダイオードである
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の
光検出装置。 - 【請求項５】 前記感光素子がラインセンサであること
を特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の光検
出装置。 - 【請求項６】 前記感光素子が２次元センサであること
を特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の光検
出装置。 - 【請求項７】 前記感光素子がＣＣＤ素子であることを
特徴とする請求項６に記載の光検出装置。 - 【請求項８】 前記容器内は不活性ガス雰囲気として密
閉されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか
１つに記載の光検出装置。 - 【請求項９】 前記不活性ガス雰囲気は、窒素ガス雰囲
気、ヘリウムガス雰囲気、アルゴンガス雰囲気、また
は、窒素ガスとヘリウムガスとアルゴンガスの混合ガス
雰囲気であることを特徴とする請求項８に記載の光検出
装置。 - 【請求項１０】 前記容器内は１３３×１０-7Ｐａ以下
の真空度として密閉されていることを特徴とする請求項
１〜９のいずれか１つに記載の光検出装置。 - 【請求項１１】 前記容器には気体のみを透過する通気
孔が設けられていることを特徴とする請求項１〜１０の
いずれか１つに記載の光検出装置。 - 【請求項１２】 原版のパターンを基板に露光する露光
装置において、前記原版または基板の位置検出のための
光検出装置として、請求項１〜１１のいずれか１つに記
載の光検出装置を具備することを特徴とする露光装置。 - 【請求項１３】 原版のパターンを基板に露光する露光
装置において、露光光束を検出するための光検出装置と
して、請求項１〜１１のいずれか１つに記載の光検出装
置を具備することを特徴とする露光装置。 - 【請求項１４】 前記露光光束の光源がＦ2 エキシマレ
ーザであることを特徴とする請求項１２または１３に記
載の露光装置。 - 【請求項１５】 請求項１２〜１４のいずれか１つに記
載の露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群を半導
体製造工場に設置する工程と、該製造装置群を用いて複
数のプロセスによって半導体デバイスを製造する工程と
を有することを特徴とするデバイス製造方法。 - 【請求項１６】 前記製造装置群をローカルエリアネッ
トワークで接続する工程と、前記ローカルエリアネット
ワークと前記半導体製造工場外の外部ネットワークとの
間で、前記製造装置群の少なくとも１台に関する情報を
データ通信する工程とをさらに有する請求項１５に記載
の方法。 - 【請求項１７】 前記露光装置のベンダーもしくはユー
ザーが提供するデータベースに前記外部ネットワークを
介してアクセスしてデータ通信によって前記製造装置の
保守情報を得る、または前記半導体製造工場とは別の半
導体製造工場との間で前記外部ネットワークを介してデ
ータ通信して生産管理を行う請求項１５に記載の方法。 - 【請求項１８】 請求項１２〜１４のいずれか１つに記
載の露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群と、該
製造装置群を接続するローカルエリアネットワークと、
該ローカルエリアネットワークから工場外の外部ネット
ワークにアクセス可能にするゲートウェイを有し、前記
製造装置群の少なくとも１台に関する情報をデータ通信
することを可能にした半導体製造工場。 - 【請求項１９】 半導体製造工場に設置された請求項１
２〜１４のいずれか１つに記載の露光装置の保守方法で
あって、前記露光装置のベンダーもしくはユーザーが、
半導体製造工場の外部ネットワークに接続された保守デ
ータベースを提供する工程と、前記半導体製造工場内か
ら前記外部ネットワークを介して前記保守データベース
へのアクセスを許可する工程と、前記保守データベース
に蓄積される保守情報を前記外部ネットワークを介して
半導体製造工場側に送信する工程とを有することを特徴
とする露光装置の保守方法。 - 【請求項２０】 請求項１２〜１４のいずれか１つに記
載の露光装置において、ディスプレイと、ネットワーク
インタフェースと、ネットワーク用ソフトウェアを実行
するコンピュータとをさらに有し、露光装置の保守情報
をコンピュータネットワークを介してデータ通信するこ
とを可能にした露光装置。 - 【請求項２１】 前記ネットワーク用ソフトウェアは、
前記露光装置が設置された工場の外部ネットワークに接
続され前記露光装置のベンダーもしくはユーザーが提供
する保守データベースにアクセスするためのユーザーイ
ンタフェースを前記ディスプレイ上に提供し、前記外部
ネットワークを介して該データベースから情報を得るこ
とを可能にする請求項２０に記載の装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000095449A JP2001281050A (ja) | 2000-03-30 | 2000-03-30 | 光検出装置、露光装置、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000095449A JP2001281050A (ja) | 2000-03-30 | 2000-03-30 | 光検出装置、露光装置、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001281050A true JP2001281050A (ja) | 2001-10-10 |
Family
ID=18610350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000095449A Pending JP2001281050A (ja) | 2000-03-30 | 2000-03-30 | 光検出装置、露光装置、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001281050A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1562079A2 (en) * | 2004-02-09 | 2005-08-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus and sensor unit |
| JP2006303094A (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Nikon Corp | 紫外光学装置 |
| JP2008070163A (ja) * | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Denso Corp | 赤外線式ガス検出器 |
| JP2008251712A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
| US8154708B2 (en) | 2003-06-09 | 2012-04-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US8941810B2 (en) | 2005-12-30 | 2015-01-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
-
2000
- 2000-03-30 JP JP2000095449A patent/JP2001281050A/ja active Pending
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8154708B2 (en) | 2003-06-09 | 2012-04-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US10678139B2 (en) | 2003-06-09 | 2020-06-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US10180629B2 (en) | 2003-06-09 | 2019-01-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9541843B2 (en) | 2003-06-09 | 2017-01-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a sensor detecting a radiation beam through liquid |
| US9152058B2 (en) | 2003-06-09 | 2015-10-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a member and a fluid opening |
| US9081299B2 (en) | 2003-06-09 | 2015-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method involving removal of liquid entering a gap |
| US8482845B2 (en) | 2003-06-09 | 2013-07-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7522264B2 (en) | 2004-02-09 | 2009-04-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus, device manufacturing method, and sensor unit |
| EP1562079A3 (en) * | 2004-02-09 | 2006-10-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus and sensor unit |
| EP1562079A2 (en) * | 2004-02-09 | 2005-08-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus and sensor unit |
| US7256868B2 (en) | 2004-02-09 | 2007-08-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus, device manufacturing method, and sensor unit |
| JP2006303094A (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Nikon Corp | 紫外光学装置 |
| JP4618552B2 (ja) * | 2005-04-19 | 2011-01-26 | 株式会社ニコン | 紫外光学装置および光源装置 |
| US9851644B2 (en) | 2005-12-30 | 2017-12-26 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9436096B2 (en) | 2005-12-30 | 2016-09-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US8941810B2 (en) | 2005-12-30 | 2015-01-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US10222711B2 (en) | 2005-12-30 | 2019-03-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US8947631B2 (en) | 2005-12-30 | 2015-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US10761433B2 (en) | 2005-12-30 | 2020-09-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US11275316B2 (en) | 2005-12-30 | 2022-03-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US11669021B2 (en) | 2005-12-30 | 2023-06-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2008070163A (ja) * | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Denso Corp | 赤外線式ガス検出器 |
| US8680636B2 (en) | 2007-03-29 | 2014-03-25 | Sony Corporation | Package-type solid-state imaging apparatus with exhausting means |
| JP2008251712A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
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