JP2001345255A - 露光装置、コートディベロップ装置、基板搬送方法、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法 - Google Patents

露光装置、コートディベロップ装置、基板搬送方法、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法

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JP2001345255A JP2000165026A JP2000165026A JP2001345255A JP 2001345255 A JP2001345255 A JP 2001345255A JP 2000165026 A JP2000165026 A JP 2000165026A JP 2000165026 A JP2000165026 A JP 2000165026A JP 2001345255 A JP2001345255 A JP 2001345255A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 装置間の基板の搬入・搬出時における雰囲気
ガスの流入、流出を抑制して、スループットの向上およ
び運用コストの低減を図る。 【解決手段】 内部の雰囲気を管理するための筐体と、
基板を前記筐体内へ搬入または搬出するためのゲート弁
と、ゲート弁に隣接した位置に基板の移動方向に対して
垂直にガスを噴射するガス噴射手段を有し、このガス噴
射手段から噴射したガスによってゲート弁の開口部を遮
るようにエアカーテンを発生する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、レチクルパターン
をウエハ上に転写露光する露光装置、該ウエハにレジス
トを塗布し、現像するコートディベロップ装置、基板
(レチクルおよびウエハ)の搬送方法、デバイス製造方
法、半導体製造工場および露光装置の保守方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】近年、露光装置に用いられる露光光は、
解像度を上げて、より微細なパターンを露光するため、
波長を短くする傾向にある。一方、短波長の光を発する
フッ素エキシマレーザ(F2 エキシマレーザ)を光源と
する露光装置の場合、光の透過率を低下させないため、
露光光の光路からO2 をパージする必要がある。この
とき、O2 濃度は1ppm以下程度にするのが好ましい
とされている。
【0003】そのため、コーターデベロッパ(コートデ
ィベロップ装置、CD装置)と呼ぶ塗布・現像機から露
光装置にウエハおよびレチクル等の基板の受け渡しを行
う際には、外部雰囲気からO2 等の侵入を防ぐためロー
ドロック室(LL室)を介して行われる。該ロードロッ
ク室内は、コーターデベロッパ側雰囲気が不活性ガスで
満たされた露光装置側雰囲気に入り込まないように、基
板の移動に伴い、内部雰囲気を大気にしたり、不活性ガ
スにしたりと変換する必要がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ロード
ロック室内雰囲気をガス変換している間はロードロック
室内に基板を待機させておく必要があるため、スループ
ット向上の限界要因となっていた。
【0005】本発明は、このような従来技術の課題を解
決し、露光装置、コートディベロップ装置、ロードロッ
ク室のような装置間の基板の搬入・搬出時における雰囲
気ガスの流入、流出を抑制して、スループットの向上お
よび運用コストの低減を図ることを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の露光装置は、内部の雰囲気を管理するため
の筐体と、基板を前記筐体内へ搬入または搬出するため
のゲート弁と、ゲート弁に隣接した位置に前記基板の移
動方向に対して垂直にガスを噴射するガス噴射手段を有
し、このガス噴射手段から噴射したガスによって前記ゲ
ート弁の開口部を遮るようにエアーカーテンを発生する
ことを特徴とする。この筐体には、例えば、露光時のウ
エハ、レチクル等の基板を搭載するステージを含むもの
である。
【0007】また、本発明のコートディベロップ装置
は、ウエハにレジストを塗布するレジスト塗布部と、ウ
エハを現像するウエハ現像部を有するコートディベロッ
プ装置において、レジスト塗布部または現像部を含み、
その内部環境を管理するための筐体と、基板を前記筐体
内へ搬入または搬出するためのゲート弁と、ゲート弁の
近傍にウエハの移動方向に対して垂直にガスを噴射する
ガス噴射手段を有し、このガス噴射手段から噴射したガ
スによってゲート弁の開口部を遮るようにエアーカーテ
ンを発生することを特徴とする。
【0008】本発明においては、ガスの噴射方向は、基
板の表面に平行な向きにすることが好ましい、こうする
ことによって、基板がエアーカーテンを通過する際、エ
アーカーテンの流れを乱すのを防ぐことができる。
【0009】噴射するガスは、大気と同じ組成であって
もよいが、各部屋の雰囲気と同じ組成の物を使用するこ
とが望ましい。各部屋の雰囲気と同じ組成とは、酸素や
水分をパージするためのパージガスと同じものであれば
良く、例えば、純粋な窒素ガスまたはヘリウムガス等の
純粋な不活性ガスが挙げられる。これにより、管理して
いる装置内部の酸素濃度を上昇させることなく安定した
エアーカーテンを発生させることができる。
【0010】また、エアーカーテンのガス噴射部と、そ
の反対側端部に、ガスの流動方向を規制するためのガイ
ドを設けてもよい。これにより、エアーカーテンとパー
ジ空間内の雰囲気との混入を避けることができるため、
大気(あるいは雰囲気よりO 2 濃度が高いエアー)のよ
うなコストの安いエアーを用いてエアーカーテンを構成
することができる。また、不活性ガスを使用する場合で
も、エアーカーテンの乱流を防ぐことができるので、シ
ール能力が向上する。
【0011】本発明において、エアーカーテンのガスは
常に一定量噴射されても良いが、装置の運用コスト等を
考慮して、必要時のみ発生させたり、流量を調節させる
ことができる。
【0012】具体的には、第1の構成として、露光装
置、コートディベロップ装置またはそれらの間に設けた
ロードロック室を囲う筐体の内部雰囲気の酸素または水
分の濃度を検知する濃度検知手段(センサ、F光透過
率測定器等)と、濃度検知手段で検知した検知結果に基
づいてエアーカーテンをON−OFFする手段または流
量をアナログ的に可変にする手段を有する構成とするこ
とができる。
【0013】また第2の構成として、ゲート弁近傍にお
ける基板の有無を検知する基板検知手段(センサまたは
シーケンスで検知する手段)と、基板検知手段の検知結
果に基づいて、ゲート弁を開閉する手段およびエアーカ
ーテンをON−OFFする手段または流量をアナログ的
に可変にする流量調節手段を有する構成とすることがで
きる。
【0014】このような構成として、ゲート弁を開き、
基板を移動させる時、基板が通過することをセンサで検
知し、流量コントローラに信号を送り、エアーカーテン
の流量を増加させCD装置側からの酸素流入を防ぐこと
ができる。また、ウエハ連続搬出入時は、エアーカーテ
ンでシールし、しばらく使わないときにはゲート弁でシ
ールすれば、エアーを節約することができる。
【0015】以上のような構成により、環境を酸素濃度
が比較的高い状態でウエハあるいはレチクルを露光装置
に搬入することが可能となる。そのため、ロードロック
室内での不活性ガス置換の時間短縮が可能となる。本発
明の基板搬送方法は、レチクルまたはウエハを上記本発
明の露光装置内に搬入または搬出する方法であって、筐
体内の雰囲気を管理する工程と、前記筐体に設けられた
ゲート弁の開閉を行う工程と、前記レチクルを前記ゲー
ト弁を介して前記筐体内へ搬入または搬出する工程と、
前記ゲート弁に隣接した位置に前記レチクルの移動方向
に対して垂直にガスを噴射するガス噴射工程を有し、こ
の噴射したガスによって前記ゲート弁の開口部を遮るよ
うにエアーカーテンを発生することを特徴とする。
【0016】さらに、本発明の露光装置に、ディスプレ
イと、ネットワークインタフェースと、ネットワーク用
ソフトウェアを実行するコンピュータとを設けることに
より、露光装置の保守情報をコンピュータネットワーク
を介してデータ通信することが可能となる。このネット
ワーク用ソフトウェアは、露光装置が設置された工場の
外部ネットワークに接続され露光装置のベンダーもしく
はユーザが提供する保守データベースにアクセスするた
めのユーザインタフェースをディスプレイ上に提供する
ことにより、外部ネットワークを介して該データベース
から情報を得ることを可能にする。
【0017】本発明のデバイス製造方法は、露光装置を
含む各種プロセス用の製造装置群を半導体製造工場に設
置する工程と、該製造装置群を用いて複数のプロセスに
よって半導体デバイスを製造する工程とを有することを
特徴とする。さらに、製造装置群をローカルエリアネッ
トワークで接続する工程と、ローカルエリアネットワー
クと半導体製造工場外の外部ネットワークとの間で、製
造装置群の少なくとも1台に関する情報をデータ通信す
る工程とを有してもよい。また、露光装置のベンダーも
しくはユーザが提供するデータベースに外部ネットワー
クを介してアクセスしてデータ通信によって製造装置の
保守情報を得る、または半導体製造工場とは別の半導体
製造工場との間で外部ネットワークを介してデータ通信
して生産管理を行うようにしてもよい。
【0018】本発明の半導体製造工場は、上記本発明の
露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群と、該製造
装置群を接続するローカルエリアネットワークと、該ロ
ーカルエリアネットワークから工場外の外部ネットワー
クにアクセス可能にするゲートウェイを有し、製造装置
群の少なくとも1台に関する情報をデータ通信すること
を可能にしたものである。
【0019】本発明の露光装置の保守方法は、露光装置
のベンダーもしくはユーザーが、半導体製造工場の外部
ネットワークに接続された保守データベースを提供する
工程と、半導体製造工場内から外部ネットワークを介し
て保守データベースへのアクセスを許可する工程と、保
守データベースに蓄積される保守情報を外部ネットワー
クを介して半導体製造工場側に送信する工程とを有する
ことを特徴とする。
【0020】
【実施例】(実施例1)図1は本発明に係るF2 エキシ
マレーザを光源とする半導体露光装置の一例を示す断面
模式図である。
【0021】同図において、1はパターンの描画された
レチクルを搭載するレチクルステージ、2はレチクル上
のパターンをウエハに投影する投影光学系(鏡筒)、3
はウエハを搭載しX、Y、Z、θおよびチルト方向に駆
動するウエハステージ、4は照明光をレチクル上に照射
するための照明光学系、5は光源からの光を照明光学系
4に導光する引き回し光学系、6は光源であるF2 レー
ザ部、7はレチクル上のパターン領域以外が照明されな
いように露光光を遮光するマスキングブレード、8およ
び9は各々レチクルステージ1およびウエハステージ3
周囲の露光光軸を覆う筐体、10は鏡筒2および照明光
学系4の内部を所定のHe雰囲気に調節するHe空調
機、11および12は筐体8および9各々の内部を所定
のN2 雰囲気に調節するN2 空調機、13および14
はレチクルおよびウエハを各々筐体8および9内に搬入
する時に使用するロードロック室(LL室)、15およ
び16は各々レチクルおよびウエハを搬送するためのレ
チクルハンドおよびウエハハンド、17はレチクルの位
置調節に用いるレチクルアライメント検出系、18は複
数のレチクルを筐体8内で保管するレチクル保管庫、1
9はウエハのプリアライメントを行うプリアライメント
部である。
【0022】図2は、本実施例に係る露光装置とその周
辺装置との関係を説明するための模式図である。同図に
おいて、21はウエハ26にレジストを塗布するコータ
と露光後のウエハを現像するディベロッパを有するコー
トディベロップ装置(CD装置)、22は露光装置、1
4はCD装置21と露光装置22の間でウエハ26の受
け渡しを行うLL室である。23aはCD装置21とL
L室14との間のエアーカーテン、23bはLL室14
と露光装置22との間のエアーカーテン、24aはCD
装置21とLL室14との間のゲート弁、24bはLL
室14と露光装置22との間のゲート弁、25はエアー
カーテン23aのガイドである。
【0023】本実施例において、CD装置21内のO2
は、濃度1%程度になるようにN2等の不活性ガ スで
パージされている。同様にLL室14内部および露光装
置22内部もO2 がパージされ、LL室14でO2 濃度
10ppm程度、露光装置22でO2 濃度1ppm程度
となるように調節 されている。ここでは、O2 濃度を
CD装置21内では1%、LL室内で10ppm、露光
装置内で1ppmとしているが、これは一例であり、露
光装置内の雰囲気を乱さないというエアーカーテンの効
果の程度に応じて、それぞれのO2 濃度の許容値を変え
ることも可能である。ただし、LL室内のO2 濃度は露
光装置内より高く、CD装置内のO2 濃度はLL室内よ
り高く設定す ることが好ましい。エアーカーテン23
aは大気と同じ組成であり、エアーカーテンはCD装置
21内に流れ込まないように、ガイド25によって不図
示の循環係に導かれている。一方、エアーカーテン23
bは露光装置22内のH2 O、O2 濃度等を上昇させな
いように、N2 ガスの流体と なっている。また、LL
室14は、CD装置21から露光装置23へウエハ26
を搬送するときに、内部にウエハ26のある状態で両端
のゲート弁24aおよび24bを閉じて内部雰囲気の入
れ替えを行い酸素濃度が許容値になるまでパージするこ
とができるように雰囲気置換機能を有している。
【0024】本実施例の構成において、エアーカーテン
23a,23bは、ガス噴射ノズル27aおよび27b
から噴出される。エアーの噴出量は、装置稼働中、常に
一定量噴出してもよいが、ウエハ26を搬送するための
ウエハ搬送手段(不図示)や、各装置間のゲート弁24
a,24bと連動できるように装置全体を制御する手段
(不図示)を有する。この制御手段により、エアーカー
テンのON−OFF制御あるいは流量調整の方法を図3
を用いて説明する。
【0025】図3は、ウエハ26をLL室14から露光
装置22に移動させる際の手順を示すフローチャートで
ある。
【0026】CD装置21においてレジストを塗布され
たウエハ26は、まず、ゲート弁24aからLL室14
に搬入される。この状態で、露光装置22側のゲート弁
24bは閉じており、エアーカーテン23bは初期状
態、即ちノズル27bのエアー噴出を行っていない(あ
るいは少量のエアーを噴出している)状態となっている
(ステップS101)。そしてCD装置21側のゲート
弁24aを閉じてウエハ26搬入のため移動を開始する
(ステップS102)。ステップS102でウエハ26
の移動を開始すると、それに連動し、ノズル27bから
エアーの噴出を行い(あるいはエアー噴出量を増加さ
せ)、エアーカーテン23bを発生する(ステップS1
03)。次にLL室14と露光装置22の間のゲート弁
24bを開き(ステップS104)、ウエハ26をLL
室14から露光装置22へ移動する(ステップS10
5)。このとき、ウエハ26の表面にエアーが当たって
乱流が発生するのを防ぐため、エアーはウエハ26の側
面から噴出される。ウエハ26の露光装置22内への移
動が終了したら(ステップS106)、ゲート弁24b
を閉じて(ステップS107)、エアーカーテン23b
のエアーを止める(ステップS108)。
【0027】このようにエアーカーテン23bのON−
OFFあるいは流量を調整することによって、不活性ガ
スを節約し運用コストを低減することが可能となる。
【0028】また、同様にCD装置21内に設けたエア
ーカーテン23aについても、ON−OFFあるいは流
量を調整することができる。本実施例の場合、エアーカ
ーテン23aとしては大気を使用しているので、CD装
置21内の雰囲気劣化を最小限に抑えることができる。
【0029】なお、本実施例において、エアーカーテン
23aはCD装置21内に設け、23bは露光装置22
内に設けたが、この構成に限らず、エアーカーテン23
aの代わりにLL室14内のCD装置側に設け(23
a’)、エアーカーテン23bの代わりにLL室14内
の露光装置側に設け(23b’)てもよい。これらは、
エアーカーテン23aと23b、エアーカーテン23a
と23b’、エアーカーテン23a’と23b、エアー
カーテン23a’と23b’の組み合わせのいずれの配
置としても良い。
【0030】(実施例2)図4に、本実施例に係る露光
装置とその周辺装置との関係を示す。本実施例では、L
L室14の内部に酸素濃度を計測するための酸素濃度計
28aが設けられ、その計測値に基づいてガス噴射ノズ
ル27aの噴出量を調節するための流量コントローラ2
9aが設けられている。これと同様に、露光装置22の
内部にも酸素濃度計28bが設けられ、その計測値に基
づいてガス噴射ノズル27b’の噴出量を調節するため
の流量コントローラ29bが設けられている。この流量
コントローラ29aおよび29bは、ガス噴出量をアナ
ログ的に可変にする機能とエアーをON−OFFする機
能を有している。また、本実施例ではエアーカーテン2
3aおよび23b’はいずれもN2 ガスを用いている
が、その他の構成は実施例1と同様である。
【0031】以下、本実施例の装置においてウエハ26
をLL室14から露光装置22に移動させる際の手順を
図5のフローチャートを用いて説明する。CD装置21
においてレジストを塗布されたウエハ26は、まず、ゲ
ート弁24aからLL室14に搬入される。この状態
で、露光装置22側のゲート弁24bは閉じており、エ
アーカーテン23b’は初期状態、即ちノズル27b’
のエアー噴出を行っていない(あるいは少量のエアーを
噴出している)状態となっている(ステップS20
1)。そして、CD装置21側のゲート弁24aを閉じ
てウエハ26搬入のため移動を開始する(ステップS2
02)。
【0032】この後、不図示の制御手段で、以下の並列
処理を行う。まず一方では、LL室14と露光装置22
の間のゲート弁24bを開き(ステップS203)、ウ
エハ26をLL室14から露光装置22へ移動し(ステ
ップS204)、移動が終了したら(ステップS20
5)、ゲート弁24bを閉じ(ステップS206)処理
を終了する。
【0033】さて、上記ステップS202においてウエ
ハ26の移動を開始してから、ゲート弁24bを閉じる
までの間(ステップS203〜S206)、並行して、
エアーカーテン23b’の流量の制御処理を行う。この
流量の制御処理を以下に説明する。
【0034】まず、不図示の制御手段により酸素濃度計
28bの計測値を読み込み、酸素濃度が設定値以上か否
かを判断する(ステップS207)。計測値が設定値以
上であったら、ステップS208に進み、酸素濃度が高
すぎるのでパージガスを噴出するように(ステップS2
01の初期状態で少量のパージガスを噴出している場合
はパージガスの流量を増加させるように)流量コントロ
ーラ29bに信号を送る。流量コントローラ29bは、
制御手段からの信号に従って、エアーカーテン23b’
の流量を調節して(ステップS209)、ステップS2
10に進む。一方、ステップS207で計測値が設定値
未満であったら、ステップS211に進み、酸素濃度が
高すぎるのでパージガスの噴出を行わないように(ステ
ップS201の初期状態で少量のパージガスを噴出して
いる場合はパージガスの流量を減少させるように)流量
コントローラ29bに信号を送る。流量コントローラ2
9bは、制御手段からの信号に従って、エアーカーテン
23b’の流量を調節して(ステップS212)、ステ
ップS210に進む。
【0035】ステップS210では、ゲート弁24bが
閉じたか否かを判断して、閉じていなければステップS
207に戻り、閉じていれば処理を終了する。
【0036】以上のように、本実施例によれば、エアー
の流量を調節することで露光装置22内の酸素濃度を常
に1ppm以下に保つことができる。
【0037】また、本実施例の装置においてウエハ26
をCD装置21からLL室14に移動させる際も同様の
手順でエアーカーテン23aの流量調節をしている。流
量コントローラ29a側の処理は、酸素濃度計28aの
値が10ppmを越えたらエアーカーテン23aの流量
を増加させLL室への酸素の進入を抑える。
【0038】(実施例3)本実施例の装置間構成は、実
施例2のもの(図5)とほぼ同様である。以下、本例の
構成においてウエハ26をLL室14から露光装置22
に移動させる際の手順を図6のフローチャートを用いて
説明する。
【0039】CD装置21においてレジストを塗布され
たウエハ26は、まず、ゲート弁24aからLL室14
に搬入される。この状態で、露光装置22側のゲート弁
24bは閉じており、エアーカーテン23b’は初期状
態、即ちノズル27b’のエアー噴出を行っていない状
態となっている(ステップS301)。そしてCD装置
21側のゲート弁24aを閉じてウエハ26搬入のため
移動を開始する(ステップS302)。ステップS30
2でウエハ26の移動を開始すると、それに連動し、ノ
ズル27b’から所定量のエアーの噴出を行い、エアー
カーテン23b’を発生する(ステップS303)。次
に、LL室14と露光装置22の間のゲート弁24bを
開き(ステップS304)、ウエハ26をLL室14か
ら露光装置22へ移動する(ステップS305)。ウエ
ハ26の露光装置22内への移動が終了したら(ステッ
プS306)、ゲート弁24bを閉じて(ステップS3
07)、エアーカーテン23b’のエアーを止めて(ス
テップS308)処理を終了する。
【0040】一方、ステップS303においてエアーカ
ーテン23b’を発生するのとほぼ同時に、制御手段
(不図示)は酸素濃度計28bのモニタリングを開始す
る(ステップS309)。その後、制御手段は、処理
(ステップS303〜S307)と並行して、酸素濃度
計28bの計測値に基づき流量コントローラ29bに対
して、エアー噴出量の制御を行う(ステップS31
0)。本例の場合は、酸素濃度計28bの値が1ppm
を越えたらエアーカーテン23b’の流量を増加させ、
露光装置へのO2 の進入を抑える。流量コントローラ2
9bは、制御手段(不図示)からの信号に基づいてゲー
ト弁24bが閉じたか否かを判断し(ステップS31
1)、閉じていれば流量コントローラ29bは処理を終
了する。
【0041】以上のように、本実施例によれば、エアー
の流量を調節することで露光装置22内の酸素濃度を常
に1ppm以下に保つことができる。
【0042】また、本実施例の構成においてウエハ26
をCD装置21からLL室14に移動させる際も同様の
手順でエアーカーテン23aの流量調節をしている。流
量コントローラ29a側の処理は、酸素濃度計28aの
値が10ppmを越えたらエアーカーテン23aの流量
を増加させLL室14へのO2 の進入を抑える。
【0043】(実施例4)図7に、本実施例に係る露光
装置とその周辺装置との関係を示す。本実施例では、C
D装置21とLL室14の間にウエハ26を検知するた
めのウエハ検知手段30aが設けられ、その計測値に基
づいてガス噴射ノズル27aの噴出量を調節するための
流量コントローラ29aが設けられている。これと同様
に、LL室14と露光装置22の間にもウエハ検知手段
30bが設けられ、その計測値に基づいてガス噴射ノズ
ル27b’の噴出量を調節するための流量コントローラ
29bが設けられている。この流量コントローラ29a
および29bは、ガス噴出量をアナログ的に可変にする
機能とエアーをON−OFFする機能を有している。
【0044】また、本実施例ではエアーカーテン23a
および23b’は、いずれもN2 ガスを用いているが、
その他の構成は実施例1と同様である。
【0045】以下、本例の構成においてウエハ26をL
L室14から露光装置22に移動させる際の手順を図8
のフローチャートを用いて説明する。なお、CD装置2
1からLL室14に移す場合も同様のシーケンスとな
る。
【0046】CD装置21においてレジストを塗布され
たウエハ26は、まず、ゲート弁24aからLL室14
に搬入され、CD装置21側のゲート弁24aを閉じて
ウエハ26搬入のため移動を開始する(ステップS40
1)。移動開始後も、露光装置22側のゲート弁24b
は閉じており、エアーカーテン23b’は初期状態、即
ちノズル27b’のエアー噴出を行っていない(あるい
は少量のエアーを噴出している)状態となっている(ス
テップS402)。ウエハ検知手段30bがウエハ26
を検知するまでエアーカーテンは初期状態を維持し、ス
テップS403でウエハ26を検知したら、ステップS
404〜S407およびステップS408〜S412を
並行処理する。
【0047】このステップS404〜S407では、L
L室14と露光装置22の間のゲート弁24bを開き
(ステップS404)、ウエハ26をLL室14から露
光装置22へ移動する(ステップS405)。ウエハ2
6の露光装置22内への移動が終了したら(ステップS
406)、ゲート弁24bを閉じて(ステップS40
7)、処理を終了する。
【0048】一方、ステップS408〜S412では、
まず、不図示の制御手段により、ステップS408に進
み、パージガスを噴出するように(ステップS402の
初期状態で少量のパージガスを噴出している場合はパー
ジガスの流量を増加させるように)流量コントローラ2
9bに信号を送る。流量コントローラ29bは、制御手
段からの信号に従って、所定量のエアーカーテン23
b’を発生させる(ステップS409)、そして、ゲー
ト弁24bが閉じられるまでこの状態を維持し、ステッ
プS410においてゲート弁24bが閉じられたと判断
したら、ステップS411に進む。ステップS411で
はパージガスの噴出を行わないように(ステップS20
1の初期状態で少量のパージガスを噴出している場合は
パージガスの流量を減少させるように)流量コントロー
ラ29bに信号を送る。流量コントローラ29bは、制
御手段からの信号に従って、エアーカーテン23b’の
流量を調節して(ステップS412)、処理を終了す
る。
【0049】以上のように、本実施例によれば、ウエハ
検知手段27aあるいは27b’を配置し、ウエハ26
が通過する際にエアーカーテン23aあるいは23b’
の流量を増加させ、O2 の進入を防ぐことができる。
【0050】以上説明した、実施例1〜4では、ウエハ
を露光装置に搬入する際の構成を示したが、CD装置か
らLL室に搬出する場合や、レチクルを露光装置に搬入
する場合も同様の構成とすることができる。
【0051】上記構成により、ロードロック室内の雰囲
気をほとんど変化させずにすむため、ロードロック室内
雰囲気の交換による処理の待ち時間を省略することがで
き、スループットを劣化させることなく、ウエハあるい
はレチクルの搬出入を行うことができる。
【0052】(半導体生産システムの実施例)次に、半
導体デバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パ
ネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の
生産システムの例を説明する。これは半導体製造工場に
設置された製造装置のトラブル対応や定期メンテナン
ス、あるいはソフトウェア提供などの保守サービスを、
製造工場外のコンピュータネットワークを利用して行う
ものである。
【0053】図9は全体システムをある角度から切り出
して表現したものである。図中、101は半導体デバイ
スの製造装置を提供するベンダー(装置供給メーカ)の
事業所である。製造装置の実例として、半導体製造工場
で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例えば、
前工程用機器(露光装置、レジスト処理装置、エッチン
グ装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装置、
平坦化装置等)や後工程用機器(組立て装置、検査装置
等)を想定している。事業所101内には、製造装置の
保守データベースを提供するホスト管理システム10
8、複数の操作端末コンピュータ110、これらを結ん
でイントラネットを構築するローカルエリアネットワー
ク(LAN)109を備える。ホスト管理システム10
8は、LAN109を事業所の外部ネットワークである
インタネット105に接続するためのゲートウェイと、
外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能を備え
る。
【0054】一方、102〜104は、製造装置のユー
ザとしての半導体製造メーカの製造工場である。製造工
場102〜104は、互いに異なるメーカに属する工場
であっても良いし、同一のメーカに属する工場(例え
ば、前工程用の工場、後工程用の工場等)であっても良
い。各工場102〜104内には、夫々、複数の製造装
置106と、それらを結んでイントラネットを構築する
ローカルエリアネットワーク(LAN)111と、各製
造装置106の稼動状況を監視する監視装置としてホス
ト管理システム107とが設けられている。各工場10
2〜104に設けられたホスト管理システム107は、
各工場内のLAN111を工場の外部ネットワークであ
るインタネット105に接続するためのゲートウェイを
備える。これにより各工場のLAN111からインタネ
ット105を介してベンダー101側のホスト管理シス
テム108にアクセスが可能となり、ホスト管理システ
ム108のセキュリティ機能によって限られたユーザだ
けがアクセスが許可となっている。具体的には、インタ
ネット105を介して、各製造装置106の稼動状況を
示すステータス情報(例えば、トラブルが発生した製造
装置の症状)を工場側からベンダー側に通知する他、そ
の通知に対応する応答情報(例えば、トラブルに対する
対処方法を指示する情報、対処用のソフトウェアやデー
タ)や、最新のソフトウェア、ヘルプ情報などの保守情
報をベンダー側から受け取ることができる。各工場10
2〜104とベンダー101との間のデータ通信および
各工場内のLAN111でのデータ通信には、インタネ
ットで一般的に使用されている通信プロトコル(TCP
/IP)が使用される。なお、工場外の外部ネットワー
クとしてインタネットを利用する代わりに、第三者から
のアクセスができずにセキュリティの高い専用線ネット
ワーク(ISDNなど)を利用することもできる。ま
た、ホスト管理システムはベンダーが提供するものに限
らずユーザがデータベースを構築して外部ネットワーク
上に置き、ユーザの複数の工場から該データベースへの
アクセスを許可するようにしてもよい。
【0055】さて、図10は本実施形態の全体システム
を図9とは別の角度から切り出して表現した概念図であ
る。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユー
ザ工場と、該製造装置のベンダーの管理システムとを外
部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介し
て各工場の生産管理や少なくとも1台の製造装置の情報
をデータ通信するものであった。これに対し本例は、複
数のベンダーの製造装置を備えた工場と、該複数の製造
装置のそれぞれのベンダーの管理システムとを工場外の
外部ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報を
データ通信するものである。図中、201は製造装置ユ
ーザ(半導体デバイス製造メーカ)の製造工場であり、
工場の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、こ
こでは例として露光装置202、レジスト処理装置20
3、成膜処理装置204が導入されている。なお図10
では製造工場201は1つだけ描いているが、実際は複
数の工場が同様にネットワーク化されている。工場内の
各装置はLAN206で接続されてイントラネットを構
成し、ホスト管理システム205で製造ラインの稼動管
理がされている。一方、露光装置メーカ210、レジス
ト処理装置メーカ220、成膜装置メーカ230などベ
ンダー(装置供給メーカ)の各事業所には、それぞれ供
給した機器の遠隔保守を行なうためのホスト管理システ
ム211,221,231を備え、これらは上述したよ
うに保守データベースと外部ネットワークのゲートウェ
イを備える。ユーザの製造工場内の各装置を管理するホ
スト管理システム205と、各装置のベンダーの管理シ
ステム211,221,231とは、外部ネットワーク
200であるインタネットもしくは専用線ネットワーク
によって接続されている。このシステムにおいて、製造
ラインの一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起き
ると、製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブル
が起きた機器のベンダーからインタネット200を介し
た遠隔保守を受けることで迅速な対応が可能で、製造ラ
インの休止を最小限に抑えることができる。
【0056】半導体製造工場に設置された各製造装置は
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用
ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行
するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモ
リやハードディスク、あるいはネットワークファイルサ
ーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフト
ウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例え
ば図11に一例を示す様な画面のユーザインタフェース
をディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理
するオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機
種(401)、シリアルナンバー(402)、トラブル
の件名(403)、発生日(404)、緊急度(40
5)、症状(406)、対処法(407)、経過(40
8)等の情報を画面上の入力項目に入力する。入力され
た情報はインタネットを介して保守データベースに送信
され、その結果の適切な保守情報が保守データベースか
ら返信されディスプレイ上に提示される。またウェブブ
ラウザが提供するユーザインタフェースはさらに図示の
ごとくハイパーリンク機能(410〜412)を実現
し、オペレータは各項目の更に詳細な情報にアクセスし
たり、ベンダーが提供するソフトウェアライブラリから
製造装置に使用する最新バージョンのソフトウェアを引
出したり、工場のオペレータの参考に供する操作ガイド
(ヘルプ情報)を引出したりすることができる。
【0057】次に上記説明した生産システムを利用した
半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図12は半
導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。
ステップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計
を行なう。ステップ2(マスク製作)では設計した回路
パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ
3(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハ
を製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と
呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグ
ラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。
次のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステッ
プ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化
する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボン
ディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の組
立て工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で
作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テ
スト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバ
イスが完成し、これを出荷(ステップ7)する。前工程
と後工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工
場毎に上記説明した遠隔保守システムによって保守がな
される。また前工程工場と後工程工場との間でも、イン
タネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や
装置保守のための情報がデータ通信される。
【0058】図13は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶
縁膜を成膜する。ステップ13(電極形成)ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオ
ン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ1
5(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ16(露光)では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ17(現像)では露光したウエハを現像する。ステッ
プ18(エッチング)では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上
に多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製
造機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守が
なされているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もし
トラブルが発生しても迅速な復旧が可能で、従来に比べ
て半導体デバイスの生産性を向上させることができる。
【0059】
【発明の効果】雰囲気を管理された露光装置またはコー
トディベロップ装置に基板を搬入または搬出する際、基
板の搬入または搬出部にゲート弁とエアーカーテンを構
成することにより、各空間の間における雰囲気ガスの流
入、流出を最小限に押さえることができ、スループット
の向上および運用コストの低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係るF2 エキシマレーザを光源とす
る半導体露光装置の一例を示す断 面模式図。
【図2】 実施例1に係る露光装置とその周辺装置との
関係を説明するための模式図。
【図3】 図2の構成でウエハをLL室から露光装置に
移動させる際の手順を示すフローチャート。
【図4】 実施例2に係る露光装置とその周辺装置との
関係を説明するための模式図。
【図5】 図4の構成でウエハをLL室から露光装置に
移動させる際の手順の一例を示すフローチャート。
【図6】 図4の構成でウエハをLL室から露光装置に
移動させる際の手順の他の例を示すフローチャート。
【図7】 実施例4に係る露光装置とその周辺装置との
関係を説明するための模式図。
【図8】 図7の構成でウエハをLL室から露光装置に
移動させる際の手順を示すフローチャート。
【図9】 半導体デバイスの生産システムをある角度か
ら見た概念図。
【図10】 半導体デバイスの生産システムを別の角度
から見た概念図。
【図11】 ユーザインタフェースの具体例。
【図12】 デバイスの製造プロセスのフローを説明す
る図。
【図13】 ウエハプロセスを説明する図。
【符号の説明】
1:レチクルステージ、2:投影光学系(鏡筒)、3:
ウエハステージ、4:照明光学系、5:引き回し光学
系、6:F2 レーザ部、7:マスキングブレード、8,
9:筐体、10:He空調機、11,12:N2 空調
機、13,14:LL室、15,16:ハンド、17:
レチクルアライメント検出系、18:レチクル保管庫、
19:プリアライメント部、21:CD装置、22:露
光装置、23a,23a’,23b,23b’:エアー
カーテン、24a,24b:ゲート弁、25:ガイド、
26:ウエハ、27a,27b,27b’:ガス噴射ノ
ズル、28a,28b:酸素濃度計、29a,29b:
流量コントローラ、30a,30b:ウエハ検知手段。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/30 514D 562

Claims (36)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 内部の雰囲気を管理するための筐体と、 基板を前記筐体内へ搬入または搬出するためのゲート弁
    と、 前記ゲート弁に隣接した位置に前記基板の移動方向に対
    して垂直にガスを噴射するガス噴射手段を有し、 このガス噴射手段から噴射したガスによって前記ゲート
    弁の開口部を遮るようにエアーカーテンを発生すること
    を特徴とする露光装置。
  2. 【請求項2】 前記筐体は、露光時に基板を搭載するス
    テージを含むものであることを特徴とする請求項1に記
    載の露光装置。
  3. 【請求項3】 前記ガスの噴射方向が、前記基板の表面
    に平行な向きであることを特徴とする請求項1または2
    に記載の露光装置。
  4. 【請求項4】 前記ガスが、大気と同じ組成であること
    を特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の露光
    装置。
  5. 【請求項5】 前記ガスが、不活性ガスであることを特
    徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の露光装
    置。
  6. 【請求項6】 前記不活性ガスが、窒素ガスまたはヘリ
    ウムガスであることを特徴とする請求項5に記載の露光
    装置。
  7. 【請求項7】 前記エアーカーテンのガス噴射部と、そ
    の反対側端部に、ガスの流動方向を規制するためのガイ
    ドを設けることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1
    項に記載の露光装置。
  8. 【請求項8】 前記筐体の内部雰囲気の酸素または水分
    の濃度を検知する濃度検知手段を有し、該濃度検知手段
    の検知結果に基づいて前記エアーカーテンのON−OF
    Fを制御することを特徴とする請求項1〜7のいずれか
    1項に記載の露光装置。
  9. 【請求項9】 前記筐体の内部雰囲気の酸素または水分
    の濃度を検知する濃度検知手段を有し、前記濃度検知手
    段の検知結果に基づいて前記エアーカーテンの流量を制
    御することを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に
    記載の露光装置。
  10. 【請求項10】 前記ゲート弁近傍における前記基板の
    有無を検知する基板検知手段を有し、該基板検知手段の
    検知結果に基づいて、前記ゲート弁の開閉および前記エ
    アーカーテンのON−OFFを制御することを特徴とす
    る請求項1〜7のいずれか1項に記載の露光装置。
  11. 【請求項11】 前記ゲート弁近傍における前記基板の
    有無を検知する基板検知手段を有し、該基板検知手段の
    検知結果に基づいて、前記ゲート弁の開閉および前記エ
    アーカーテンの流量を制御することを特徴とする請求項
    1〜7のいずれか1項に記載の露光装置。
  12. 【請求項12】 前記基板は、ウエハに露光転写するた
    めのパターンが描画されたレチクルであることを特徴と
    する請求項1〜11のいずれか1項に記載の露光装置。
  13. 【請求項13】 前記基板は、レチクルパターンを露光
    転写されるウエハであることを特徴とする請求項1〜1
    1のいずれか1項に記載の露光装置。
  14. 【請求項14】 前記ゲート弁の外側に、前記基板を外
    気と遮断するロードロック室が設けられていることを特
    徴とする請求項1〜13のいずれか1項に記載の露光装
    置。
  15. 【請求項15】 レチクルを露光装置内に搬入または搬
    出するレチクル搬送方法において、 筐体内の雰囲気を管理する工程と、 前記筐体に設けられたゲート弁の開閉を行う工程と、 前記レチクルを前記ゲート弁を介して前記筐体内へ搬入
    または搬出する工程と、 前記ゲート弁に隣接した位置に前記レチクルの移動方向
    に対して垂直にガスを噴射するガス噴射工程を有し、 この噴射したガスによって前記ゲート弁の開口部を遮る
    ようにエアーカーテンを発生することを特徴とするレチ
    クル搬送方法。
  16. 【請求項16】 前記筐体が、露光時にレチクルを搭載
    するためのレチクルステージを含むものであることを特
    徴とする請求項15に記載のレチクル搬送方法。
  17. 【請求項17】 ウエハを露光装置内に搬入または搬出
    するウエハ搬送方法において、 筐体内の雰囲気を管理する工程と、 前記筐体に設けられたゲート弁の開閉を行う工程と、 前記ウエハを前記ゲート弁から前記筐体内へ搬入または
    搬出する工程と、 前記ゲート弁に隣接した位置に前記ウエハの移動方向に
    対して垂直にガスを噴射するガス噴射工程を有し、 この噴射したガスによって前記ゲート弁の開口部を遮る
    ためのエアーカーテンを発生することを特徴とするウエ
    ハ搬送方法。
  18. 【請求項18】 前記筐体が露光時のウエハを含むもの
    であることを特徴とする請求項17に記載のウエハ搬送
    方法。
  19. 【請求項19】 ウエハにレジストを塗布するレジスト
    塗布部と、ウエハを現像するウエハ現像部を有するコー
    トディベロップ装置において、 前記レジスト塗布部または前記現像部を含み、その内部
    環境を管理するための筐体と、 前記基板を前記筐体内へ搬入または搬出するためのゲー
    ト弁と、 前記ゲート弁の近傍に前記ウエハの移動方向に対して垂
    直にガスを噴射するガス噴射手段を有し、 このガス噴射手段から噴射したガスによって前記ゲート
    弁の開口部を遮るようにエアーカーテンを発生すること
    を特徴とするコートディベロップ装置。
  20. 【請求項20】 前記ガスの噴射方向が、前記基板の表
    面に平行な向きであることを特徴とする請求項19に記
    載のコートディベロップ装置。
  21. 【請求項21】 前記ガスが、大気と同じ組成であるこ
    とを特徴とする請求項19または20に記載のコートデ
    ィベロップ装置。
  22. 【請求項22】 前記ガスが、不活性ガスであることを
    特徴とする請求項19または20に記載のコートディベ
    ロップ装置。
  23. 【請求項23】 前記不活性ガスが、窒素ガスまたはヘ
    リウムガスであることを特徴とする請求項22に記載の
    コートディベロップ装置。
  24. 【請求項24】 前記エアーカーテンのガス噴射部と、
    その反対側端部に、ガスの流動方向を規制するためのガ
    イドを設けることを特徴とする請求項19〜23のいず
    れか1項に記載のコートディベロップ装置。
  25. 【請求項25】 前記ゲート弁の外部雰囲気の酸素また
    は水分の濃度を検知する濃度検知手段を有し、該濃度検
    知手段の検知結果に基づいて前記エアーカーテンのON
    −OFFを制御することを特徴とする請求項19〜23
    のいずれか1項に記載のコートディベロップ装置。
  26. 【請求項26】 前記ゲート弁の外部雰囲気の酸素また
    は水分の濃度を検知する濃度検知手段を有し、該濃度検
    知手段の検知結果に基づいて前記エアーカーテンの流量
    を制御することを特徴とする請求項19〜23のいずれ
    か1項に記載のコートディベロップ装置。
  27. 【請求項27】 前記ゲート弁近傍における前記ウエハ
    の有無を検知する基板検知手段を有し、該基板検知手段
    で検知結果に基づいて、前記ゲート弁の開閉および前記
    エアーカーテンのON−OFFを制御することを特徴と
    する請求項19〜23のいずれか1項に記載のコートデ
    ィベロップ装置。
  28. 【請求項28】 前記ゲート弁近傍における前記ウエハ
    の有無を検知する基板検知手段を有し、該基板検知手段
    の検知結果に基づいて、前記ゲート弁の開閉および前記
    エアーカーテンの流量を制御することを特徴とする請求
    項19〜23のいずれか1項に記載のコートディベロッ
    プ装置。
  29. 【請求項29】 前記ゲート弁の外側に、ウエハを外気
    と遮断するロードロック室が設けられ、前記ロードロッ
    ク室内部雰囲気が管理されていることを特徴とする請求
    項19〜28のいずれか1項に記載のコートディベロッ
    プ装置。
  30. 【請求項30】 請求項1〜14記載の露光装置を含む
    各種プロセス用の製造装置群を半導体製造工場に設置す
    る工程と、該製造装置群を用いて複数のプロセスによっ
    て半導体デバイスを製造する工程とを有することを特徴
    とするデバイス製造方法。
  31. 【請求項31】 前記製造装置群をローカルエリアネッ
    トワークで接続する工程と、前記ローカルエリアネット
    ワークと前記半導体製造工場外の外部ネットワークとの
    間で、前記製造装置群の少なくとも1台に関する情報を
    データ通信する工程とをさらに有する請求項30記載の
    方法。
  32. 【請求項32】 前記露光装置のベンダーもしくはユー
    ザが提供するデータベースに前記外部ネットワークを介
    してアクセスしてデータ通信によって前記製造装置の保
    守情報を得る、または前記半導体製造工場とは別の半導
    体製造工場との間で前記外部ネットワークを介してデー
    タ通信して生産管理を行う請求項30記載の方法。
  33. 【請求項33】 請求項1〜14記載の露光装置を含む
    各種プロセス用の製造装置群と、該製造装置群を接続す
    るローカルエリアネットワークと、該ローカルエリアネ
    ットワークから工場外の外部ネットワークにアクセス可
    能にするゲートウェイを有し、前記製造装置群の少なく
    とも1台に関する情報をデータ通信することを可能にし
    た半導体製造工場。
  34. 【請求項34】 半導体製造工場に設置された請求項1
    〜14記載の露光装置の保守方法であって、前記露光装
    置のベンダーもしくはユーザが、半導体製造工場の外部
    ネットワークに接続された保守データベースを提供する
    工程と、前記半導体製造工場内から前記外部ネットワー
    クを介して前記保守データベースへのアクセスを許可す
    る工程と、前記保守データベースに蓄積される保守情報
    を前記外部ネットワークを介して半導体製造工場側に送
    信する工程とを有することを特徴とする露光装置の保守
    方法。
  35. 【請求項35】 請求項1〜14記載の露光装置におい
    て、ディスプレイと、ネットワークインタフェースと、
    ネットワーク用ソフトウェアを実行するコンピュータと
    をさらに有し、露光装置の保守情報をコンピュータネッ
    トワークを介してデータ通信することを可能にした露光
    装置。
  36. 【請求項36】 前記ネットワーク用ソフトウェアは、
    前記露光装置が設置された工場の外部ネットワークに接
    続され前記露光装置のベンダーもしくはユーザが提供す
    る保守データベースにアクセスするためのユーザインタ
    フェースを前記ディスプレイ上に提供し、前記外部ネッ
    トワークを介して該データベースから情報を得ることを
    可能にする請求項35記載の装置。
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